專利名稱：用于半導體設備的無圖案塌陷濕處理的方法和裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及到半導體設備。更具體地，本發明涉及到半導體設備的生產，其中，濕化學處理工藝被用在晶片上的高深寬比納米結構上。
背景技術：
在半導體設備制造期間，特征被 蝕刻在硅晶片上的材料(導體和/或者電介質絕緣體)堆上。并且在所述制造期間，所述晶片受到濕處理并且隨后進行干燥處理。所述濕處理可以包括濕清潔。所述干燥可以包括蒸發干燥，IPA輔助干燥，離心干燥等。

發明內容
為了實現前述事項以及根據本發明的目的，提供了用于在半導體設備制造中處理晶片的方法。該方法通常被認為其特征在于包括1)在所述晶片上的層中形成多個高深寬比特征；2)執行所述晶片的濕處理；3)隨后干燥(drying)所述晶片；以及4)修復所述多個高深寬比特征中的所述圖案塌陷。所述的形成所述多個高深寬比特征可以包括在硅基層上形成光阻劑圖案化掩膜以及將高深寬比特征蝕刻到所述硅基層內。此外，所述的形成所述多個高深寬比特征還包括剝去所述光阻劑圖案化掩膜。所述多個高深寬比特征可以包括在氧化層頂部的氮化硅(SiN)頂層，例如但不限于正硅酸乙酯(TE0S)。在詳細的實施例中，所述多個高深寬比特征的至少部分的深寬比為10比I或者更高。所述特征的特性尺寸可以小于40nm(毫微米)，例如所述特征的寬度。在另外的實施例中，所述特性尺寸可以小于30nm。所述多個高深寬比特征可以運用干蝕刻處理或者運用濕蝕刻處理形成。而且，所述圖案塌陷的修復可以通過運用干蝕刻處理來完成，該干蝕刻處理包括硅基板的STI蝕刻。此外，所述圖案塌陷的修復可以通過運用濕蝕刻處理來完成。該濕蝕刻處理可包括HF蝕刻。然而，在另外的實施例中，所述修復可以打破在干燥期間在相鄰特征間形成的連接。所述多個高深寬比特征可以包括形成有連接的頂部氮化硅(SiN)層。晶片的干燥可以包括可控干燥，不可控干燥以及二者的組合。例如，晶片的干燥可以包括可以主動吸附涂敷在晶片上的流體的可控干燥。在另外的實施例中，晶片的濕處理可以包括濕清潔處理。該濕清潔處理可以包括在硬掩膜開放(HMO)蝕刻后執行的HMO (清潔)。而且，所述多個高深寬比特征可以通過運用HMO蝕刻形成。所述濕處理結束和所述圖案塌陷的所述修復之間的等待時間控制可以被應用來保證所述修復在所述濕處理結束后的特定時期內被完成。在所述晶片被干燥后，所述圖案塌陷的所述修復可以與將在該晶片上執行的附加的蝕刻結合。另一方面提供了一種處理在半導體設備制造中使用的光阻劑掩膜的方法。該方法通常其特征在于包括a)形成光阻劑層；b)執行光阻劑層的濕處理以形成帶有多個高深寬比特征的光阻劑層圖案。c)隨后干燥光阻劑掩膜，其引起圖案塌陷；以及d)修復所述多個高深寬比特征中的圖案塌陷。
另一方面提供了一種制造在半導體設備制造中使用的電容器結構(被支撐或非被支撐)的方法。通常該方法的特征在于包括a)在氧化膜內形成高深寬比接觸孔；b)沉積氮化鈦(TiN)層；c)隨后運用濕蝕刻化學過程移除氧化層來去除連續高深寬比圓柱結構。d)干燥高深寬比圓柱結構，其引起圓柱傾斜(即圖案塌陷);以及e)通過執行等離子體蝕刻，修復所述高深寬比圓柱結構中的所述圖案塌陷。本發明的這些和其他特征將在下面本發明的詳細說明中結合下面的附圖被更詳細地描述。


在附圖的各幅圖中通過舉例的方式而不是通過限制的方式圖示了本發明，其中相同的附圖標記指代相似的元件，并且其中圖IA和IB為在本發明的一個實施例中的若干不同處理步驟之后晶片上的特征的 截面圖。圖2為本發明的一個實施例的流程圖。圖3為可以用在本發明的一個實施例中的處理室的圖解示意圖。圖4A和4B示出了適合來執行控制器的計算機系統。
具體實施例方式現在將根據附圖內所示的一些優選的實施例來詳細描述本發明。為了提供對本發明的徹底的理解，在下述的說明書中，將闡明許多具體細節。然而，顯而易見的，對于本領域的技術人員而言，沒有這些具體細節的部分或全部，本發明也可以實施。在其他情況下，為了不會使本發明產生不必要的模糊，眾所周知的流程步驟和/或者結構沒有被詳細的描述。在典型的半導體設備制造過程中，晶片經歷了不同的處理過程，包括，例如，沉積硅基材料層，沉積光阻劑掩膜，蝕刻，濕清潔和干燥(drying)。對于制造過程，硅基層可以被用來描述為包括硅的層。使用的硅基材料的例子包括二氧化硅和氮化硅。在沉積于晶片基底上的硅基材料層中，蝕刻過程可以被用來創建非常小的特征，例如納米結構。在光阻劑掩膜處理期間也可以創建非常小的特征。使用合適的制造步驟，可以減小特征的尺寸來提高晶片上的特征的密度。隨著特征尺寸的減小，特征深寬比增加，常常在10:1到12:1或者更高的范圍內。這在晶片進行濕化學處理時，例如濕清潔后進行干燥時，會導致特征塌陷的問題。這個問題并不限于硅基材料的處理，在處理光阻劑掩膜時也可以發生。發生特征塌陷的深寬比可能取決于構造特征結構的材料屬性。此外，特征塌陷是否發生可能取決于所執行的濕處理的類型，該濕處理之后使用干燥的方法。作為一個例子，特征塌陷常常在濕清潔和隨后的干燥期間發生。流體進入特征之間的空間并且涉及表面張力的毛細力可能是大到足以改變和/或者破壞精細的納米結構。由于干燥液體產生的力可以拉動相鄰特征的表面進行接觸。這些力可以導致特征的單獨塌陷或者特征通過橋接發生改變。當至少兩個相鄰的特征朝向彼此塌陷并且變得粘在一起時發生橋接。相鄰結構的側壁可以粘在一起，或者殘留物質可以在結構之間聚集，將它們連接在一起。在半導體制造中，特征塌陷可能是很大的問題，從而可能導致所制造的電路的缺陷。一些減少特征塌陷的方法已經被開發。實例包括，用例如液體異丙醇等低表面張力液體沖洗，超臨界二氧化碳干燥，以及在高溫下用沖洗液體干燥。這些技術中的一些已經出現了有限的成功；然而，這些技術是昂貴的，并且常常需要復雜的設置。例如，超臨界二氧化碳需要高壓以超過臨界點。在過去，常規做法是不修復在濕處理和干燥之后可能產生的特征塌陷。在使用引起干燥后的特征塌陷的濕處理步驟時，該方法已經改變了前面的處理步驟，以致于在干燥后圖案塌陷沒有被觀察到。如上所述，其中的一些步驟，例如超臨界二氧化碳的使用是相當昂貴的。然而，典型的方法已經是防止特征塌陷而不是修復它。如參照下圖將進行更詳細、地描述的，在某些情況下，在濕處理和干燥產生特征塌陷后，用附加的處理來修復特征塌陷是可能的。圖IA為在本發明的一個實施例中若干不同處理步驟之后晶片上的特征的截面圖。在經過各種處理步驟之后，特征的三個圖案，100a，IOOb和IOOc被顯示。在經過一個或更多的原始處理步驟之后，在基板101上可以產生圖案IOOa上的特征102a，102b和102c。這些特征可以接近大約32nm或者更小。雖然顯示為相等，特征之間的空間可以在不同的相鄰特征之間發生變化。因此，例如，特征102a和102b之間的空間可以不同于特征102b和102c之間的空間。同樣的將在下面討論，特征之間的空間可以是產生特征塌陷的一個因素。所述特征，例如圖案IOOa中的特征102a，102b和102c可以包括具有不同物質成分的多個層次。例如，如圖IB所示，特征102a-102c被顯示具有三個層。在一個實施例中，頂層可以包括SiN (氮化硅)，第二層可以包括TEOS (正硅酸乙酯)以及最接近基板101的第三層可以包括SiN。在特定的實施例中，SiN可以被放置在氧化層上。因此，該結構不是必須包括三層。具有包括SiN-TEOS和SiN的特征的圖案，例如100a，可以在硬掩膜開放(HMO)蝕刻之后被生成。通常，圖案IOOa可以運用干蝕刻，濕蝕刻或者其組合來形成。在另外的實施例中，特征102a，102b和102c可以包括單層，例如光阻劑材料的單層，在光阻劑層形成的光阻劑圖案形成之后，在該單層處形成特征102a，102b和102c。在某些步驟中，在圖案IOOa形成之后，濕處理和干燥103都可以應用于圖案100a。該濕處理可以是濕蝕刻步驟，清潔步驟或者其組合。濕處理后可以跟隨干燥。該干燥處理可以涉及到不受控制干燥，例如在室內環境下從濕處理移除之后自然發生的蒸發，和受控制干燥，其中通過運用抽吸，晶片旋轉和其他流體及蒸汽來調節表面張力，從而控制干燥處理。圖案塌陷可能涉及到在濕處理和干燥，例如103之后，相鄰特征之間的無意的接觸。特別是，該接觸可以在干燥期間發生，并且在干燥完成之后仍然保持。作為一個例子，圖案IOOb顯示了相鄰特征104a和104b之間的接觸。在接觸下面，圖案的下伏(underlying)特征沒有被破壞，而是已經變形，即它們已經向彼此彎曲并且形成接觸。如下面所做的進一步討論，在各種實施例中，已經被觀測到，在特定條件下，這種變形是彈性的，可以在很大程度上逆轉。當該特征，例如104a和104b，包括多層時，相鄰特征間的接觸主要局限在其中的一層，例如最頂層。例如，在實例SiN-TEOS-SiN結構中可以觀察到，接觸主要在特征104a和104b的最頂層SiN層。彼此接觸的線的部分和每個塌陷概率的相鄰線的接觸區域兩者都可以取決于一個或者多個層的每一個材料的強度、各種特征的厚度和深寬比以及使用的干燥處理的動力。相鄰特征之間接觸的數量可以通過以樣本寬度為基礎來測量。因此，相鄰特征之間接觸的數量可以參考樣本中的所有線之間的全部接觸。在103，濕處理和隨后的干燥期間，特征之間的空間的表面張力可以導致傾向于將特征拉到一起的力以及可以導致圖案塌陷。當表面張力與間距成正比時，相鄰特征之間的間距的變化，可以導致作用于相鄰線上的與表面張力相關的不平等的力。另外，間距的變化和不平等的液面可以對不可控和可控干燥兩者產生不同等的力。在特征之間的間距的液面以及間距本身影響在間距形成的液體彎月面的曲率半徑。由于在液體內的表面張力，該曲率半徑的變化改變了施加于相鄰特征上的力。這些不平等的力可以使特征產生彎曲，這產生了進一步的間距變化，使問題加劇。此外，當使用主動的干燥時，干燥參數，例如干燥的速度和濕-干-界面的一致性，影響特征間的列中的液面和蒸發率，這又可以導致力失衡。最后，圖案的幾何形態，例如尺寸深寬比和各種特征的形狀可以影響力平衡，導致圖案塌陷。在一個實施例中，濕處理，例如在103中的清潔和主動干燥可以通過運用加利福尼亞州，菲蒙市的LAM Research Corporation (朗姆研究公司TM)開發的ConfinedChemical Cleaning (C3)(局限化學清洗)技術來執行。在局限化學清洗中，晶片經過由平衡的液體流和真空抽吸而保持的流體彎月面。典型的順序包括化學處理，隨后用去離子水沖洗。在個別的實施例中，干燥界面可以用去離子水(DIW)和異丙醇(IPA)形成，其中IPA蒸汽被用在抽吸的邊界，以便在干燥期間控制表面張力。在圖案塌陷之后，例如在圖案IOOb中，修復步驟可以被用在圖案IOOb來生成接近圖案IOOa的圖案，例如100c，這是在圖案IOOa的濕處理之前生成的。在一個實施例中，修復步驟可以包括蝕刻顯示圖案塌陷的圖案，例如圖案100b。該蝕刻可以包含干蝕刻或者濕蝕刻。干蝕刻可以包含涉及到在圖4A中描述的等離子處理室的等離子蝕刻。例如，當頂層包括SiN時，該干蝕刻可以用來修整此層的部分。濕蝕刻的例子可能是施加HF (氟化氫)到層，例如氧化層。是否使用干蝕刻或濕蝕刻取決于一層或者多層的成分，對于這些層，相鄰特征之間已經發生了接觸。人們相信通過移除材料，例如通過蝕刻，在顯示為圖案塌陷的特征內，相鄰特征之間的接觸表面的連接可以被打破。如果連接在修復步驟中被打破并且包含在圖案塌陷中的特征的變形彈性充分，那么在圖案IOOb內所示的彎向彼此的特征104a和104b，在修復后，可以恢復到如圖案IOOc內所示的特征106a和106b。圖案IOOc內所示的諸如特征106a和106b可以與圖案IOOa所示的它們的原始結構相比較。在圖案IOOa內的特征與圖案IOOc的相比并不是必須完全相同的。例如，當蝕刻應用在修復步驟105時，顯示為圖案塌陷的特征例如106a和106b的頂部以及沒有涉及到圖案塌陷的特征的頂部可以被移除。然而，該修復可以足以允許在105的修復后晶片的繼續處理。在一些實施例中，修復步驟105可以與時間有關。例如，在一段時間后，圖案塌陷，例如在圖案IOOb所示的特征104a和104b的變形，可能不能逆轉到足以允許晶片的繼續處 理。例如，對于某些包含一個或者更多材料層的特征，被認為塌陷的相鄰特征之間的連接強度可以隨著時間的推移(例如經由通過接觸的材料的擴散)而增加，相鄰特征之間的接觸區域可以增加或者變形可以從可逆的彈性模式轉變為不可逆的塑料模式。這些影響中的每一個可以取決于構成特征的材料以及塌陷的性質和范圍。作為一個例子，通過等離子體蝕刻進行的SiN修整作為在顯示圖案塌陷的晶片上的修復步驟105執行。修整，例如SiN修整，可以被描述為主要蝕刻特征的外層而不是顯著蝕刻內層的蝕刻處理。已觀察到，如果修整在第一時間段內進行，由此導致的結構是無圖案塌陷的，例如在濕處理的1/2小時之內進行修復步驟105。當修復步驟在兩小時之內執行時，在修復步驟之后，檢測到圖案塌 陷的孤立的示例。在七小時之后，在修復步驟的20-30%的線觀察到圖案塌陷。在二十四小時之后，在大于40%的線觀察到圖案塌陷。修復步驟逆轉圖案塌陷的能力的下降可以取決于使用的材料、所執行的濕處理和所執行的干燥。因而，這些時間可以改變。在某些情況下，當采用不同的材料和處理時，逆轉圖案塌陷的能力可以成功的大于二十四小時的時間。圖2為本發明的一個實施例的流程圖。在205，在晶片上形成多個特征。這些特征可以通過使用多個處理步驟形成。在一個實施例中，形成的特征可能有尺寸，例如小于40nm的線寬和小于40nm的間隔寬。在210，可以在晶片上執行濕處理。該濕處理可以為清潔步驟。在濕處理之后，在220，可以在晶片上執行干燥。該干燥可以在可控或者不可控的方式下執行。在230，可以執行修復步驟來逆轉在干燥后顯著的圖案塌陷。該修復步驟可以是濕蝕刻或者干蝕刻。在修復步驟230之后，可以在晶片上執行附加的處理。在步驟220和230之間，可以使用等待時間控制。如前面所述，在干燥之后，修復步驟可能只在有限的時間內有效。因而，可以使用等待時間控制來保證在某時間段內執行修復步驟。在一個實施例中，在205，通過運用HMO (硬掩膜開放)蝕刻，隨后進行HMO清潔，可以制造多數特征。該HMO清潔可以通過運用清潔溶液來執行，例如使用DIW的局限化學清洗TM(朗姆研究公司，加利福尼亞州菲蒙市)。修復步驟可以用來修復干燥產生的損壞。該修復步驟可以包括蝕刻，例如淺溝槽隔離(STI)蝕刻。附加的處理，例如STI蝕刻和STI清潔可以在修復步驟之后應用。特別地，STI清潔可以通過使用帶有HF的局限化學清洗》來執行。在一個實施例中，STI蝕刻可以通過使用朗姆研究公司(加利福尼亞州菲蒙市)生產的Kiyo 蝕刻產品來執行。在一個實施例中，修復步驟和附加的處理步驟可以結合起來。例如，修復步驟可以與附加蝕刻步驟結合，例如計劃將被執行的STI蝕刻。因而，STI蝕刻的一部分將完成圖案塌陷修復，而STI蝕刻的另一部分將完成晶片上需要的附加處理。此外，在濕處理之后，可以使用等待時間控制來保證在圖案塌陷可逆轉的時間段內執行蝕刻。在另外的實施例中，在205可以執行STI蝕刻并且隨后進行S TI清潔。然后，作為修復步驟，可以執行包括HF蝕刻的濕蝕刻。該HF蝕刻可以用于濕蝕刻氧化層結構。然而在另外的實施例中，在處理多個濕處理步驟期間，緊隨其后的是執行干燥和修復步驟。例如，第一蝕刻，隨后為清潔和干燥，然后可以執行修復。然后，第二蝕刻，隨后是清潔和干燥以及可以執行修復步驟。在另外的實施例中，圖案塌陷修復可以被用來作為制造在半導體設備中使用的電容器結構的方法的一部分。該電容器結構可以被支持或者不支持。該方法通常其特征在于包括a)在氧化膜內形成高深寬比接觸孔；b)鍍層，例如氮化鈦(TiN)層；c)隨后用濕蝕刻化學去除氧化層，留下自由站立的高深寬比結構，例如圓柱結構；d)干燥該高深寬比自由站立結構；以及e)通過執行等離子蝕刻在多個高深寬比自由站立結構之中修復圖案塌陷。在這個例子中，在干燥該高深寬比自由站立結構的部分之后，該高深寬比自由站立結構的部分可以傾斜并且彼此接觸，即圖案的部分可能塌陷。該圖案塌陷可以通過使用等離子體蝕刻來修復。圖4是在實例中可以用來蝕刻特征或者修復塌陷的特征的等離子處理室400的示意圖。該等離子處理室400包括約束環402，上部電極404，下部電極408，氣體源410和排氣泵420。氣體源410可以包括多個氣體源。在等離子處理室400內，基板101被定位在下部電極408上。下部電極408包含合適的基板夾緊裝置(例如，靜電的、機械的夾持器等等)來支持基板101。反應堆頂部428包括直接配置在下部電極408對面的上部電極404。上部電極404，下部電極408，以及約束環402限定了約束等離子體體積4 40。氣體通過氣體源410被提供給約束等離子體體積440并且通過排氣泵420經由約束環402和排氣口從約束等離子體體積440被排出。射頻(RF)源448電連接到下部電極408。上部電極404接地。室壁452包圍約束環402，上部電極404和下部電極408。射頻(RF)源448可以包括27兆赫茲(MHz)電源和2兆赫茲(MHz)電源以及60兆赫茲(MHz)電源。加利福尼亞州菲蒙市的朗姆研究公司 制造的Exelan 2300 被用在本發明的該實例中。在其他實施例中，連接射頻電源到電極的不同組合是可能的，例如，使射頻源連接到上部電極404。在一個實施例中，集成的機器可以被用來進行清潔和蝕刻處理。該集成的機器可以允許更好的等待時間控制。當所需的等待時間短時，集成機器可能是有益的。該機器可以用軟件進行程序控制，該軟件檢測與進行處理的部分有關的等待時間。該軟件可以比較與規定的等待時間限制有關的每部分的等待時間，例如等待時間限制，在該等待時間限制之后圖案塌陷修復不再被認為是可行的。該軟件可以配置為標記違反了等待時間的部分。進一步，在其他實施例中，圖案塌陷修復可能是依賴等待時間的。例如，與短的等待時間相比，更長的等待時間可能需要更長的修整時間來修復圖案塌陷。集成的機器可以配置為在檢測特定部分的等待時間的基礎上調整修整時間。這種類型的方法，即基于等待時間確定蝕刻時間，也可以用在非集成機器上。圖4A和4B所示的計算機系統500適合執行在本發明的實施例中使用的控制器435。圖4A示出了計算機系統的一個可能的物理形態。當然，計算機系統可以有很多物理形態，從集成電路、印刷電路板以及小型手持設備一直到巨大的超級計算機。計算機系統500包括監視器502，顯示屏504，外殼506，硬盤驅動器508，鍵盤510，以及鼠標512。磁盤514是用來傳遞數據到計算機系統500或者從計算機系統500傳出數據的計算機可讀介質。圖4B是計算機系統500的方框圖的實例。附屬于系統總線520的是各種各樣的子系統。處理器522 (也稱作為中央處理單元或CPU)耦合于存儲設備，包括內存524。內存524包括隨機存取存儲器(RAM)和只讀存儲器(ROM)。在本技術領域眾所周知的，ROM以單向形式向CPU傳遞數據和指令，而RAM典型地以雙向的形式傳遞數據和指令。這兩種類型的內存都可能包括下述的任何合適的計算機可讀介質。固定硬盤526也以雙向形式耦合到CPU522 ;它提供了附加的數據存儲容量并且也可以包括下述的任何合適的計算機可讀介質。固定硬盤526可以用來存儲程序，數據和類似的內容并且是比主存儲器慢的典型的輔助存儲介質(例如硬盤)。應理解，保存在固定硬盤526內的信息在適當情形下可以以標準方式合并作為內存524中的虛擬內存。可移動磁盤514可以采用下述的任何合適的計算機可讀介質的形式。CPU522也耦合到各種輸入/輸出設備，例如顯示屏504，鍵盤510，鼠標512以及音箱530。通常，輸入/輸出設備可以是下面任何設備視頻顯示器，跟蹤球，鼠標，鍵盤，話筒，觸摸顯示屏，傳感器讀卡器，磁的或紙的磁帶閱讀機，平板電腦，唱針，語音或手寫識別器，生物技術識別器，或者其他電腦。CPU522可以運用網絡接口 540選擇地耦合到其他電腦或者耦合到通訊網絡。用此網絡接口，可預期在執行上述方法步驟的期間，CPU522可以接收從網絡獲取的信息，或者可以輸出信息到網絡。此外，本發明的方法實施例可以單獨通過CPU522執行或者通過網絡執行，例如與共享處理的一部分的遠程CPU連接的互聯網。盡管本發明已經參照多個優選的實施例被描述，但仍可以進行各種改變，排列，修改，以及使用各種等同的方式，而不脫離本發明的范圍。還應該注意的是，有許多可供選擇 的方法來實現本發明的方法和裝置。因此意在將下面所附的權利要求解釋為包括落入本發明的主旨和范圍內的這些改變，排列，修改，以及各種替代的等同方式。
權利要求
1.一種處理在制造半導體設備中所使用的晶片的方法，所述方法包括 在所述晶片上的層中形成多個高深寬比特征； 執行所述晶片的濕處理； 隨后干燥所述晶片，其引起圖案塌陷；以及 在所述多個高深寬比特征中修復所述圖案塌陷。
2.如權利要求I所述的方法，其中所述形成所述多個高深寬比特征包括 在硅基層上形成光阻劑圖案化掩膜； 將所述高深寬比特征用等離子體蝕刻到所述硅基層內。
3.如權利要求2所述的方法，其中所述形成所述多個高深寬比特征還包括剝去所述光阻劑圖案化掩膜。
4.如權利要求3所述的方法，其中所述多個高深寬比特征中的至少部分的深寬比為10比I或者更高。
5.如權利要求4所述的方法，其中所述多個高深寬比特征中的所述部分的特性尺寸小于 40nmo
6.如權利要求4所述的方法，其中所述圖案塌陷的所述修復包括干修整處理。
7.如權利要求6所述的方法，其中所述圖案塌陷的所述修復還包括硅基層的蝕刻。
8.如權利要求7所述的方法，其中所述蝕刻為STI蝕刻。
9.如權利要求4所述的方法，其中所述圖案塌陷的所述修復通過使用濕蝕刻修整處理來執行。
10.如權利要求9所述的方法，其中所述濕蝕刻修整處理包括HF蝕刻。
11.如權利要求I或2中任一項所述的方法，其中所述修復打破在干燥期間在相鄰特征間形成的連接。
12.如權利要求11所述的方法，其中所述多個高深寬比特征包括頂部SiN層并且所述連接形成于所述頂部SiN層內。
13.如權利要求1，2或11中任一項所述的方法，其中所述晶片的所述濕處理包括濕清潔處理。
14.如權利要求1，2，11或13中任一項所述的方法，還包括應用所述濕處理結束和所述圖案塌陷的所述修復之間的等待時間控制來保證所述修復在所述濕處理結束后的特定時間段內執行。
15.如權利要求1，2，11，13或14中任一項所述的方法，其中所述多個高深寬比特征包括SiN頂部層，TEOS中間層和SiN底部層。
16.如權利要求1，2，11，13，14或15中任一項所述的方法，其中所述層為光阻劑層，并且所述濕處理被用來形成包括所述多個高深寬比特征的光阻劑層圖案。
17.—種處理在半導體設備制造中所使用的晶片的方法，所述方法包括 在硅基層上形成光阻劑圖案化掩膜； 將多個高深寬比特征用等離子體蝕刻到所述硅基層內，其中所述多個高深寬比特征中的至少部分的深寬比為10比I或者更高并且其中所述多個高深寬比特征中的所述部分的特性尺寸小于30nm ； 執行所述晶片的濕處理；隨后干燥所述晶片，其引起圖案塌陷；以及 使用修整處理修復所述多個高深寬比特征中的所述圖案塌陷。
18.如權利要求17所述的方法，所述修復打破在干燥期間在相鄰特征間形成的連接。
19.如權利要求17或18中任一項所述的方法，其中所述晶片的所述濕處理包括濕清潔處理。
20.如權利要求17，18或19中任一項所述的方法，還包括應用在所述濕處理結束和所述圖案塌陷的所述修復之間的等待時間控制來保證所述修復在所述濕處理結束后的特定時間段內執行。
全文摘要
一種處理在半導體設備制造中所使用的晶片的方法。所述方法可包括在所述晶片上形成高深寬比特征，緊隨其后是濕處理和干燥。在干燥過程中，可能發生圖案塌陷。該圖案塌陷可以被修復如以便能進行所述晶片的附加處理。在一些情況下，圖案塌陷可以通過蝕刻來修復，其中該蝕刻打破在圖案塌陷期間形成的連接。
文檔編號H01L21/027GK102714155SQ201180006827
公開日2012年10月3日 申請日期2011年1月5日 優先權日2010年1月26日
發明者丹尼斯·肖明, 傅乾, 劉身健, 卡特里娜·米哈利欽科, 格倫·W·蓋爾, 馬克·H·威爾科克森 申請人:朗姆研究公司