專利名稱：有機薄膜晶體管的制法的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種有機薄膜晶體管的制法。
背景技術：
在液晶顯示器、有機EL顯示器等平板顯示器、電子紙等電泳型顯示器等顯示裝置中，使用有源矩陣型的驅動電路。該有源矩陣型的驅動電路由以晶格狀形成在基板上的多個薄膜晶體管(以下，稱為TFT)構成。在上述TFT中，近年，開發了用于代替以往的無機(Si)類TFT而能夠進行低溫處理且使用印刷方法容易實現大面積化的有機薄膜晶體管(以下，稱為有機TFT)，利用了該有機TFT的特征(柔軟性、撓性等)的較薄的柔性晶體管正在被付諸實用。如圖3的(a) 圖3的(c)所示，上述有機TFT主要包括柵電極、柵絕緣層、源電極及漏電極和由有機半導體材料構成的有機半導體層，通過上述構件的配置關系，大致將上述有機TFT區分為頂柵型的有機TFT和底柵型的有機TFT。此外，上述底柵型有機TFT 進一步分類為頂觸點型(top contact)的有機TFT和底觸點型(bottom contact)的有機 TFT(參照專利文獻1、幻。對上述分類進行以下列舉。A 頂柵型有機TFT在基材B上依次層疊源電極及漏電極(兩者沒有區別，都用S/D表示)、有機半導體層S C、柵絕緣層GD、柵電極G的頂柵型元件(參照圖3的(a))。B 頂觸點型有機TFT (底柵型的一種)在基材B上依次層疊有柵電極G、柵絕緣層GD、有機半導體層S C后，在該基材B 和有機半導體層S C之上形成源電極及漏電極(S/D)的頂觸點型元件(參照圖3的(b))。C 底觸點型有機TFT (底柵型的一種)在基材B上依次層疊有柵電極G、柵絕緣層GD、源電極及漏電極(S/D)后，在該源電極及漏電極(S/D)之上的通道C部位層疊有機半導體層S C的底觸點型元件(參照圖3 的(C))作為構成上述有機TET的有機半導體層的有機半導體材料，可以舉出戊省、丁省這樣的低分子材料及η共軛體系高分子材料，近年來，尤其是不發生由高分子主鏈的扭曲產生的共軛體系的切斷且結晶性高的聚乙炔、多吡咯、聚苯胺等的直鏈狀聚合物及聚噻吩等受到關注。此外，在使用上述高分子類有機半導體材料在柔性基材上制作有機TFT的有機半導體層的情況下，使上述有機半導體材料溶解、分散到乙二醇酯類、芳香族烴類的有機溶液 (溶劑)，調整有機半導體墨，使用噴墨法、絲網印刷、凸版印刷等印刷法在基材上的規定位置上涂覆該有機半導體墨且使其干燥，從而完成有機TFT的有機半導體層的制作。專利文獻1 日本特開號公報專利文獻2 日本特開號公報然而，在利用上述那樣的噴墨法、印刷法等涂覆法形成有機半導體層的有機薄膜晶體管的制法中，具有在進行涂覆及干燥(成膜)后的有機半導體層的表面產生了成為缺點的“晶粒”和伴隨著該晶粒的表面粗糙的情況。該晶粒在其周圍的晶粒界中生成用于捕獲或者散射載體(空穴或者電子)的“捕獲點”且成為降低有機半導體層中的載體移動程度的主要原因，因此在尋求有機薄膜晶體管中盡可能地減少在有機半導體層中的上述晶粒、表面粗糙等缺點的制法。

發明內容
本發明鑒于以上情況，目的在于提供一種能夠有效地制造缺點較少的平滑的有機半導體層的有機薄膜晶體管的制法。為了達到上述目的，作為本發明的第一技術方案，有機薄膜晶體管的制法包括在具有撓性的基材的表面上形成源電極及漏電極的工序；將在溶劑中分散有有機半導體材料的有機半導體墨保持于在表面上形成有規定圖案的墨保持部的柔性印刷版，使上述基材與該柔性印刷版貼緊，將墨保持部的有機半導體墨轉印到上述源電極及漏電極之上的工序; 使上述轉印后的有機半導體墨的溶劑蒸發且形成用于覆蓋上述源電極及漏電極的有機半導體層的工序；在該有機半導體層上層疊由電介質構成的柵絕緣層的工序；在上述柵絕緣層上的規定位置上層疊柵電極的工序。作為本發明的第二技術方案，有機薄膜晶體管的制法包括在形成在具有撓性的基材的表面上的柵電極之上層疊由電介質構成的柵絕緣層的工序；將在溶劑中分散有有機半導體材料的有機半導體墨保持于在表面上形成有規定圖案的墨保持部的柔性印刷版， 使上述基材與該柔性印刷版貼緊，將墨保持部的有機半導體墨轉印到上述柵絕緣層上的工序；使上述轉印后的有機半導體墨的溶劑蒸發且在上述柵絕緣層的表面上形成有機半導體層的工序；在該有機半導體層上層疊規定形狀的源電極及漏電極的工序。此外，作為本發明的第三技術方案，有機薄膜晶體管的制法包括在形成在具有撓性的基材的表面上的柵電極之上層疊由電介質構成的柵絕緣層的工序；在該柵絕緣層上的規定位置上層疊源電極及漏電極的工序；將在溶劑中分散有有機半導體材料的有機半導體墨保持于在表面上形成有規定圖案的墨保持部的柔性印刷版，使上述基材與該柔性印刷版貼緊，將墨保持部的有機半導體墨轉印到源電極和漏電極上的規定位置的工序；使上述轉印后的有機半導體墨的溶劑蒸發且形成用于覆蓋上述源電極及漏電極的一部分和該源電極和漏電極之間的通道部分的有機半導體層的工序。S卩，本發明人為了解決上述課題而進行反復研究，結果發現，由于有機半導體墨的不均勻涂覆(濃度差)而在有機半導體層上產生了作為載體移動程度下降的主要原因的晶粒。此外，在該研究的過程中，發現在形成由有機半導體材料的薄膜構成的有機半導體層的過程中，通過使用能夠高速、高精細地進行印刷的柔性印刷法，從而能夠大幅地提高有機薄膜晶體管的制造過程中的有機半導體層形成工序的產品成品率和加工效率，以至完成本發明。本發明鑒于以上情況，記載于本發明的第一至第三技術方案的有機薄膜晶體管的制法包括將在溶劑中分散有有機半導體材料的有機半導體墨保持于在表面上形成有規定圖案的墨保持部的柔性印刷版，使上述基材與該柔性印刷版貼緊，將墨保持部的有機半導體墨轉印到基材上的工序。因此，將上述有機半導體墨以規定的設定量迅速地轉印(印刷)
4到需要部分，防止使該版上的有機半導體墨干燥(濃度上升)。此外，通過迅速地進行轉印， 從而不易產生有機半導體墨的局部濃度不均勻的情況。由此，在有機半導體層的表面上抑制了晶粒、表面粗糙等缺點的產生，能夠有效地形成表面平滑整齊的有機半導體層。此外，利用該有機薄膜晶體管的制法能夠提高有機半導體層中的載體的移動程度且制造出高品質的有機薄膜晶體管，并且不對其它部位給予損傷等，能夠通過一次工序 (一次通過)對多個基材同時進行轉印、印刷。從而，利用本發明的有機薄膜晶體管的制法能夠縮短花費于工序上的作業時間(生產節拍時間等)。此外，在本發明的有機薄膜晶體管的制法中，作為上述柔性印刷版，在用平版或者分辨率為400線 1270線/2. 54cm (1英寸)的高精細印刷版的情況下，更精密地控制保持于上述墨保持部的墨保持量，從而能夠進一步降低上述晶粒、表面粗糙等缺點的產生。此外，在將上述柔性印刷版的肖氏A硬度設定在30° 70°的范圍內的情況下， 使該柔性印刷版相對于樹脂薄膜(片材)等具有撓性的基材形成有與轉印印刷相適應的硬度。由此，利用本發明的有機薄膜晶體管的制法能夠在上述基材上長時間持續進行高精細的圖案鮮明的轉印(涂覆)。此外，其結果能夠提高上述柔性印刷版的印刷耐久度(耐刷性)且延長該柔性印刷版的壽命，并且也能夠降低工序整體的成本。


圖1的(a) 圖1的(e)是用于說明本發明的實施方式中的有機薄膜晶體管(頂柵型)的制法的圖。圖2是用于涂覆有機半導體墨的柔性(苯胺)印刷機的概略結構圖。圖3是表示有機薄膜晶體管的結構例的圖，圖3的(a)是示意性地表示頂柵型的有機TFT的剖視圖，圖3的(b)是示意性地表示頂觸點型的有機TFT的剖視圖，圖3的(c) 是示意性地表示底觸點型的有機TFT的剖視圖。
具體實施例方式接下來，基于附圖對本發明的實施方式進行詳細說明。圖1的(a) 圖1的(e)是示意性地說明本發明的實施方式中的有機薄膜晶體管的制法的剖視圖。在該實施方式中，以將柵電極層疊在最上層的“頂柵型”的有機TFT的制法為例進行說明。此外，為了方便說明，在附圖中用附圖標記1和附圖標記1'對有機TFT 的源電極和漏電極進行區分，但是即使有機TFT的源電極和漏電極的位置、名稱與附圖所示相反，也不會產生功能問題，通常用“源/漏電極”或者只用“源/漏”表示二者。本實施方式中的有機TFT(元件)用于電子紙等電泳型顯示器的有源矩陣型的驅動電路，以利用縱橫的晶格狀整齊排列在具有撓性的薄膜狀基材10的表面上的方式形成上述有機TFT。如圖1的(e)所示，各個有機TFT與以往的頂柵型有機TFT相同地包括形成于上述基板10之上的源/漏電極1、1'；為了覆蓋上述源/漏電極1、1'而被層疊的有機半導體層2 ；層疊于上述有機半導體層2之上的柵絕緣層3 ；層疊于該柵絕緣層3之上的柵電極4。通過下述方式進行上述有機TFT的制作，首先，如圖1的(a)所示，在基材10的表面(上表面)上形成源/漏電極1、1'，如圖1的(b)所示，利用柔性印刷在上述源/漏電極1、1'之上涂覆了由有機半導體材料構成的墨(I nk)后，如圖1的(C)所示，使上述有機半導體墨中的溶劑蒸發而形成用于覆蓋源/漏電極1、1'的有機半導體層2。接下來，如圖 1的(d)所示，在上述有機半導體層2之上層疊柵絕緣層3，之后，如圖1的(e)所示，在該柵絕緣層3之上形成規定形狀的柵電極4。如上所述，本實施方式中的有機TFT的制法的特征是利用使用了有機半導體墨和柔性印刷版的柔性印刷法涂覆上述有機半導體墨，通過使上述有機半導體墨中的溶劑蒸發、揮散從而形成有上述有機半導體層2。接下來，對上述有機TFT的制法進行詳細說明。(1)源/漏電極1、1'形成工序首先，準備樹脂制的薄膜、片材、加工紙等兼具阻氣性和撓性的基材10。然后，利用蒸鍍、蝕刻、柔性印刷等在該基材10上使用金屬材料以成對的形式成形源電極1及漏電極 1'(參照圖1的(a))。例如，在利用柔性印刷法形成上述源/漏電極1、1'的情況下，通過使用柔性印刷機將含有銀納米顆粒的導電性糊(導電性墨)等轉印(印刷)到基材10之上且加熱使其固化(成膜)，從而能夠在不使用真空處理的情況下制作規定電路圖案的源/漏電極1、1'。此外，在利用蒸鍍法形成上述源/漏電極1、1'的情況下，能夠使用下述方法進行制作，即，在蒸鍍前預先利用樹脂等掩蔽基材10上的不必要部分的方法，或者，掩蔽形成在基材10上的金屬薄膜(箔)等需要部分且利用蝕刻等去除其它的不需要部分。(2)有機半導體墨涂覆工序接下來，準備在有機溶液(溶劑)中分散、溶解有有機半導體材料(高分子類材料)的有機半導體墨(Ink)，使用柔性印刷機將上述有機半導體墨涂覆到上述源/漏電極 1、Γ之上。圖2是用于在上述基材10上涂覆有機半導體墨的柔性印刷機的概略結構圖。 此外，圖2中的附圖標記11是柔性印刷版，附圖標記12是印版滾筒，附圖標記13是壓印滾筒(anclox roll)，附圖標記14是移動臺，附圖標記15是刮板，附圖標記16是墨盒。如圖2所示，使用上述柔性印刷機的有機半導體墨的涂覆過程包含將上述有機半導體墨保持于在表面上形成有規定的圖案的墨保持部的柔性印刷版11的過程；使該柔性印刷版11緊貼在基材10上且將保持于上述墨保持部的有機半導體墨轉印到源/漏電極 1、1'上及其周圍的規定位置的過程。作為被使用的有機半導體墨，使用利用上述直鏈狀聚合物、聚噻吩等高分子類的有機半導體材料作為主成分且利用乙二醇酯類有機溶液或者芳香族烴類有機物作為溶劑的有機半導體墨(粘度0. 5mPa · s IOOOmPa · s)。此外，上述柔性印刷版11使用平版或者每英寸的分辨率為400線 1270線 /2. 54cm的高精細印刷版，在該柔性印刷版11的表面(墨保持部)上形成有具有微細凹凸的墨保持部。然后，在該墨保持部上能夠在每單位面積上保持有大約0. 05ml/m2 50ml/m2 的有機半導體墨。此外，在上述高精細印刷版的分辨率不足400線/2. 54cm的情況下，形成在該版的表面上的墨保持部的每一個區(由凸部圍成的區域)的墨保持量過多，在向基材10進行轉印時產生印刷不均勻的問題，從而具有在成膜后的有機半導體層上增加晶粒、表面粗糙等缺點的部分的傾向。此外，相反地，在柔性印刷版的分辨率超過1270線/2. 54cm的情況下， 具有降低墨的轉印效率且使產生效率下降的傾向。
此外，考慮到被使用的柔性印刷版11相對于上述有機半導體墨的溶劑所使用的乙二醇酯類有機溶液及芳香族烴類有機溶液的耐溶脹性，從而用由聚酯類丙烯酸酯作為預聚物形成的丙烯酸酯低聚物、丙烯酸酯單體、光聚合禁止劑及光聚合引發劑等的混合物 (感光性樹脂組成物)構成上述柔性印刷版11，將該柔性印刷版11的肖氏A硬度設定在 30° 70°的范圍內。在上述柔性印刷版11的肖氏A硬度不足30°的情況下，具有版相對于上述基板 10過于柔軟而在短時間內磨損該柔性印刷版11而不能維持高精細印刷的傾向。此外，相反地，在上述柔性印刷版11的肖氏A硬度超過70°的情況下，具有對上述基板10的表面、形成在該表面上的電極、配線等造成損傷的傾向。然后，優選上述柔性印刷版11相對于上述有機半導體墨的溶劑的溶脹度較低， 例如，優選該柔性印刷版11相對于上述乙二醇酯類有機溶液的溶脹率(體積變化率)為 0. 5% 10%，相對于上述芳香族烴類有機溶劑的溶脹率(體積變化率)為0. 5% 10%。 因此，也可以在構成上述柔性印刷版11的聚酯類丙烯酸酯中導入聚丁二烯骨架、聚醚骨架寸。大體來說，使用上述的結構的柔性印刷版11的有機半導體墨(Ink)的涂覆形成方法與通常的柔性印刷順序相同。首先，如圖2所示，將由墨盒16供給的有機半導體墨借助壓印滾筒13供給到柔性印刷版11，且在形成于該柔性印刷版11的表面的規定圖案的墨保持部保持有規定量的有機半導體墨(墨保持過程)。接下來，使該柔性印刷版11與印版滾筒12 —起旋轉，并且使該柔性印刷版11與載置在移動臺14上的基材(形成源/漏電極1、1'后的基材10)同步移動，通過使該基材 10貼緊(輕壓)在上述柔性印刷版11上，如圖1的(b)所示，從而將需要量的由上述墨保持部保持的有機半導體墨轉印到該基材10的規定位置(上述源/漏電極1、Γ之上和周圍)上(墨轉印過程)。(3)有機半導體層成膜工序之后，利用烤爐等對轉印了上述有機半導體墨后的基材10進行加熱，通過使該墨中的溶液等蒸發、揮散，如圖1的(C)所示，從而獲得了形成有覆蓋源/漏電極1、1'的有機半導體層2的基材10。此外，優選形成的有機半導體層2的膜厚為25nm 85nm。(4)柵絕緣層形成工序接下來，利用涂覆法，使用樹脂等電介質(絕緣體)在上述有機半導體層2之上形成柵絕緣層3(參照圖1的(d))。該柵絕緣層3也能夠與上述源/漏電極1、1'同樣地以下述方法制作，即，通過使用柔性印刷機將非導電性糊(非導電性墨)等轉印(印刷)到基材10上且進行加熱使其固化從而在不使用真空處理的情況下制作上述柵絕緣層3。(5)柵電極形成工序接下來，利用蒸鍍、蝕刻及柔性印刷等，在上述柵絕緣層3上使用金屬材料形成柵電極4且獲得有機TFT元件(參照圖1的(e))。在與上述源/漏電極1、1 ‘同樣地利用柔性印刷法形成該柵電極4的情況下，也能夠使用柔性印刷機將含有銀納米顆粒的導電性糊(導電性墨)等轉印到基材10 (柵絕緣層 3)上且進行加熱使其固化，從而在不使用真空處理的情況下制作具有規定電路圖案的柵電極4。
此外，在利用蒸鍍法形成上述柵電極4的情況下，能夠使用下述方法制作該柵電極4，即，在蒸鍍前預先利用樹脂等掩蔽基材10 (柵絕緣層幻上的不需要部分的方法，或者掩蔽形成在基材10 (柵絕緣層3)上的金屬薄膜(箔)等需要部分且利用蝕刻等去除其它的不需要部分的方法。由此，在上述有機TFT的制法中，將在溶劑中分散有有機半導體材料的有機半導體墨ank)保持于在表面上形成有規定的圖案的墨保持部的柔性印刷版11上，并且將該墨保持部的有機半導體墨轉印到基材10上。因此，上述有機半導體墨在需要部分上以規定的設定量精度良好地進行轉印(印刷)且在有機半導體層的表面上不易產生晶粒、表面粗糙等缺點。其結果是利用本實施方式中的有機TFT的制法能夠有效地制造在有機半導體層的表面上缺點較少且表面平滑的高品質的有機薄膜晶體管。此外，用于上述有機TFT的制法的柔性印刷版11的肖式A硬度被設定在30° 70°的范圍內，將上述柔性印刷版11相對于上述有機半導體墨的溶劑的溶脹度抑制得較低，從而能夠長時間持續進行高精細地具有鮮明圖案的轉印(涂覆)。從而，本實施方式中的有機TFT的制法能夠減少維護工作、降低該有機TFT的制造成本。此外，在上述實施方式中，雖然以頂柵型的有機TFT為例進行說明，但是本發明的有機TFT的制法也能夠適用于制造頂觸點型、底觸點型的有機TFT的情況。此外，在使用本發明的有機TFT的制法制造上述有機TFT的情況下也可以獲得與制造上述頂柵型的有機 TFT的情況相同的效果。接下來，對實施例進行說明。但是，本發明并不限定為以下的實施例。實施例在該實施例中代替利用墨噴射法涂覆有有機半導體層的有機TFT(以往品=工廠產品)，如上述實施方式所述，制作了利用柔性印刷機涂覆有有機半導體層的有機TFT(試
驗品)ο用于形成作為上述試驗品及工廠產品的有機TFT的基材、有機半導體墨如下所述。miPET樹脂制片材厚度0. 2mm有機半導體墨固體成分高分子類有機半導體材料(5wt% 30wt% )溶劑(稀釋劑)甲苯、二甲苯、四氫化萘(注冊商標)粘度:3mPa · s 50mPa · s此外，用于印刷(涂覆)上述試驗品的有機半導體墨的柔性印刷版和柔性印刷機等的規格如下所述。柔性印刷機MT-tech 社制 FC-33S柔性印刷版柔性印刷版是利用穿過負片的紫外線照射使混合有由聚酯類丙烯酸酯作為預聚物形成的丙烯酸酯低聚物、丙烯酸酯單體、光聚合禁止劑及光聚合引發劑的感光性樹脂組成物固化而成形的凸印刷版。
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KOMURA-tech社制柔性印刷版版厚2.25mm600 線/2. 54cm 開口率5% 40%硬度30° 70° (肖式A硬度)對于墨溶液的溶脹率0. 5% 10% (重量變化率)墨保持部的墨保持量2ml/m2 (調整幅度0. 05ml/m2 50ml/m2)墨的涂覆圖案(每一部分)1.5mmXL5m m(線寬度0. Imm)壓印滾筒400 線 /2. 54cm(150 線 600 線 /2. 54cm)凹部容量(凹部容積)2ml/m2 (調整幅度0. 05ml/m2 60ml/m2)在以下條件下進行上述試驗品的有機半導體墨的印刷(涂覆)(參照圖2所示的柔性印刷機的概略結構)。柔件印刷條件印刷速度(印刷臺移動量)25m/分鐘(調整幅度5m/分 30m/分鐘)壓印滾筒速度120rpm壓印滾筒-印刷版間壓印點(nip)寬度6mm 7mm(調整幅度1mm 15mm)印刷版-基材間壓印點寬度8mm 9m m(調整幅度1mm 20mm)印刷室的環境(室溫下大氣)印刷后的干燥條件溫度80°C時間10分鐘通過上述的加工條件的柔性印刷形成有有機半導體層的有機TFT (試驗品)與以往產品維持有同等的尺寸精度和膜厚，并且與以往產品相比減少了有機半導體層表面的缺點。其結果能夠確認利用本發明的有機薄膜晶體管的制法可以提高產品成品率和加工效率。本發明能夠廣泛地應用于平板顯示器、電子紙等電泳型顯示器等具有較多地使用有機薄膜晶體管的有源矩陣型驅動電路的產品的制造。
權利要求
1.一種有機薄膜晶體管的制法，其特征在于，該有機薄膜晶體管的制法包括在具有撓性的基材的表面上形成源電極及漏電極的工序；將在溶劑中分散有有機半導體材料的有機半導體墨保持于在表面上形成有規定圖案的墨保持部的柔性印刷版，使上述基材與該柔性印刷版貼緊，從而將墨保持部的有機半導體墨轉印到上述源電極及漏電極之上的工序；使上述轉印后的有機半導體墨的溶劑蒸發且形成用于覆蓋上述源電極及漏電極的有機半導體層的工序；在該有機半導體層上層疊由電介質構成的柵絕緣層的工序；在上述柵絕緣層上的規定位置上層疊柵電極的工序。
2.一種有機薄膜晶體管的制法，其特征在于，該有機薄膜晶體管的制法包括在形成在具有撓性的基材的表面上的柵電極之上層疊由電介質構成的柵絕緣層的工序；將在溶劑中分散有有機半導體材料的有機半導體墨保持于在表面上形成有規定圖案的墨保持部的柔性印刷版，使上述基材與該柔性印刷版貼緊， 從而將墨保持部的有機半導體墨轉印到上述柵絕緣層上的工序；使上述轉印后的有機半導體墨的溶劑蒸發且在上述柵絕緣層的表面上形成有機半導體層的工序；在該有機半導體層上層疊規定形狀的源電極及漏電極的工序。
3.一種有機薄膜晶體管的制法，其特征在于，該有機薄膜晶體管的制法包括在形成在具有撓性的基材的表面上的柵電極之上層疊由電介質構成的柵絕緣層的工序；在該柵絕緣層上的規定位置上層疊源電極及漏電極的工序；將在溶劑中分散有有機半導體材料的有機半導體墨保持于在表面上形成有規定圖案的墨保持部的柔性印刷版，使上述基材與該柔性印刷版貼緊，從而將墨保持部的有機半導體墨轉印到上述源電極及漏電極上的規定位置的工序；使上述轉印后的有機半導體墨的溶劑蒸發且形成用于覆蓋上述源電極及漏電極的一部分和該源電極和漏電極之間的通道部分的有機半導體層的工序。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的有機薄膜晶體管的制法，其中，作為上述柔性印刷版使用平版或者分辨率為400線 1270線/2. 54cm的高精細印刷版。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的有機薄膜晶體管的制法，其中，將上述柔性印刷版的肖式A硬度設定在30° 70°的范圍內。
全文摘要
本發明提供一種能夠有效地制造缺點較少且平滑的有機半導體層的有機薄膜晶體管的制法。本發明的有機薄膜晶體管的制法包括將在溶劑中分散有有機半導體材料的有機半導體墨(I nk)保持于在表面上形成有規定的圖案的墨保持部的柔性印刷版(11)，使在表面上形成有電極的基材(10)貼緊該柔性印刷版(11)，從而將墨保持部的有機半導體墨轉印到上述基材(10)之上的工序；使上述轉印后的有機半導體墨的溶劑蒸發，在基材(10)之上形成有機半導體層的薄膜的工序。
文檔編號H01L51/40GK102403460SQ20111027206
公開日2012年4月4日 申請日期2011年9月9日 優先權日2010年9月13日
發明者梅島隆一, 西山聰 申請人:株式會社小村技術