專利名稱：多域垂直排列的半穿反液晶顯示器的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種液晶顯示器，且特別涉及一種半穿反液晶顯示器，即一 種多域垂直排列的半穿反液晶顯示器。
背景技術：
由于多域垂直排歹U(multi-domain vertical alignment; MVA)液晶顯示器具 有超廣視角以及高畫質等優點，吸引了眾多的注意力。公知的多域垂直排列 液晶顯示器利用在兩片透明基底的內表面上制造一些突起或狹縫，讓液晶分 子在突起或狹縫處以及其周圍的排列方向與位在平坦處的液晶分子的排列 方向有所偏離，來增加液晶顯示器的視角。雖然多域垂直排列液晶顯示器的突起結構可以增加液晶顯示器的視角， 但是由于位在突起結構周圍的液晶分子排列不規則，反而容易造成暗態漏光 而使得液晶面板的對比降低。發明內容因此本發明的目的之一就是在提供一種半穿反液晶顯示器，以填滿的凹 槽結構來達成多重區域配向的效果，同時能改善因液晶分子的不規則排列而 造成的暗態漏光的問題。依照本發明實施例，提出一種半穿反液晶顯示器，其具有TFT陣列板、 彩色濾光板及位于其間的液晶層。其中彩色濾光板包括下列元件彩色濾光 層位于具有穿透區與反射區的基底上，覆蓋層位于彩色濾光層之上且具有凹 槽，此凹槽可以位在穿透區或反射區之中。此凹槽之上具有共形的透明電極 以及將其填平的覆蓋層。依照本發明實施例，提出一種半穿反液晶顯示器，其具有TFT陣列板、 彩色濾光板及位于其間的液晶層。其中TFT陣列板包括下列元件TFT陣列 電路層位于具有穿透區與反射區的基底上，覆蓋層位于TFT陣列電路層之上 且具有凹槽，此凹槽可以位在穿透區或反射區之中。此凹槽之上具有共形的透明電極以及將其填平的覆蓋層。由于填平的凹槽結構中的透明導電層是與凹槽內表面共形，所以在施加 電壓之下，透明導電層可以扭曲液晶層中的電場。再搭配填平的凹槽結構的 平整表面，使填平的凹槽結構周圍的液晶分子依照透明導電層所產生的電場 來規則變化其排列傾斜方向，達成多重區域配向的效果，同時又能改善因液 晶分子的不規則排列而造成的暗態漏光的問題。本發明提供一種半穿反液晶顯示器，具有第一基板、第二基板及位于其 間的液晶層，其中該第一基板包括第一基底，具有穿透區與反射區；第一 覆蓋層，位于該第一基底之上，該第一覆蓋層在該穿透區中具有第一凹槽； 第二覆蓋層，位于該反射區的該第一覆蓋層之上；透明電極，共形地覆蓋在 該第一覆蓋層、該第一凹槽與該第二覆蓋層之上；以及第三覆蓋層，填滿該 第一凹槽。在所述的半穿反液晶顯示器中，其還包括彩色濾光層，位于該第一基 底與該第一覆蓋層間，且位于該反射區中的該彩色濾光層具有透光開口 。在所述的半穿反液晶顯示器中，位于該反射區中的該第一覆蓋層與該第 二覆蓋層具有第二凹槽，該第二凹槽的底部接觸該透光開口的底部，該透明 電極共形地覆蓋在該第二凹槽上，且該第三覆蓋層填滿該第二凹槽。在所述的半穿反液晶顯示器中，還包括突起，位于該反射區中的該第 二覆蓋層與該透明電極層上。在所述的半穿反液晶顯示器中，位于該反射區中的該透明電極層具有狹 縫，且該狹縫位于該第二覆蓋層上。在所述的半穿反液晶顯示器中，位于該反射區中的該第二覆蓋層具有第 二凹槽，該透明電極共形地覆蓋在該第二凹槽上，且該第三覆蓋層填滿該第 二凹槽。在所述的半穿反液晶顯示器中，該第二基板包括第二基底，其上具有 該開關裝置且具有穿透區與反射區；第四覆蓋層，覆蓋該開關裝置且位于該 第二基底之上；透明像素電極，位于該穿透區中的該第四覆蓋層之上；以及 反射像素電極，位于該反射區中的該第四覆蓋層之上。在所述的半穿反液晶顯示器中，其中該第二基板包括第二基底，其上具有該開關裝置且具有穿透區與反射區；第四覆蓋層，覆蓋該開關裝置且位5于該第二基底之上，位于該反射區中的該第四覆蓋層具有第三凹槽；透明像素電極，位于該穿透區中的該第四覆蓋層之上；透明控制電極，位于該第三 凹槽的內表面上；第五覆蓋層，填滿該第三凹槽；以及反射像素電極，位于 該反射區中的該第四覆蓋層之上。本發明還提供一種半穿反液晶顯示器，具有第一基板、第二基板及位于 其間的液晶層，該第二基板包括至少一個開關裝置，其中該第一基板包括 第一基底，具有穿透區與反射區；第一覆蓋層，位于該第一基底之上；第二 覆蓋層，位于該反射區的該第一覆蓋層之上，該第二覆蓋層具有凹槽；透明 電極，共形地覆蓋在該第一覆蓋層、該第二覆蓋層與該凹槽之上；以及第三 覆蓋層，填滿該凹槽。在所述的半穿反液晶顯示器中，其還包括彩色濾光層，位于該第一基 底與該第一覆蓋層間，且位于該反射區中的該彩色濾光層具有第一透光開 □。在所述的半穿反液晶顯示器中，其還包括突起，位于該穿透區中的該 透明電極層上。在所述的半穿反液晶顯示器中，位于該穿透區中的該透明電極層上具有 狹縫。在所述的半穿反液晶顯示器中，其中該第二基板包括第二基底，其上 具有該開關裝置且具有穿透區與反射區；第四覆蓋層，覆蓋該開關裝置且位 于該第二基底之上，且位于該穿透區中的該第四覆蓋層具有第四凹槽；透明 像素電極，位于該穿透區中的該第四覆蓋層之上；第五覆蓋層，填滿該第四 凹槽；以及反射像素電極，位于該反射區中的該第四覆蓋層之上。本發明以填滿的凹槽結構來達成多重區域配向的效果，同時能改善因液 晶分子的不規則排列而造成的暗態漏光的問題。


為讓本發明的上述和其他目的、特征、優點與實施例能更明顯易懂，所 附附圖的詳細說明如下圖1A-圖1B其分別繪出半穿反液晶顯示器的彩色濾光板的俯視示意圖 與其I-I'剖線的剖面結構示意圖。圖2A-圖2E繪出依照本發明一個實施例的一種半穿反液晶顯示器的彩色濾光板的制造流程剖面結構示意圖。圖3A-圖3E繪出依照本發明另一個實施例的一種半穿反液晶顯示器的 彩色濾光板的制造流程剖面結構示意圖。圖4繪出依照本發明另一個實施例的一種半穿反液晶顯示器的彩色濾光 板的剖面結構示意圖。圖5A-圖5B其分別繪出半穿反液晶顯示器的TFT陣列板的俯視示意圖與其n-n'剖線的剖面結構示意圖。圖6A-圖6D繪出依照本發明另一個實施例的一種半穿反液晶顯示器的 薄膜電晶體(TFT)陣列板的制造流程剖面結構示意圖。圖7A-圖7B繪出依照本發明另一個實施例的一種半穿反液晶顯示器的 薄膜電晶體(TFT)陣列板的制造流程剖面結構示意圖。圖8A-圖8E繪出依照本發明的一些各種組合例的剖面結構示意圖。其中，附圖標記說明如下100、200、300、400、500、 700、800:基底102、202、302、402、502、 602、702、 802:穿透區104、204、304、404、504、 604、704、 804:反射區110、210、310、410:彩色濾光層120、220、320、420:透光開口130、230、330、430、610、 510、710:第一萄E蓋層240、350、450、620、720:凹槽150、250、340、440、650、 750:第一覆蓋層160、260、360、460、530、 630:透明導電層270、370、470:第三覆蓋層280、380:突起290、390:狹縫605、505、705:TFT陣列電路630a、 730:像素電極630b:控制電極640、540、 740:金屬反射電極504:柵極505a:薄膜電晶體505b:柵極線505c:數據線506:柵極介電層507:半導體層508:歐姆接觸509a:源極509b:漏極511:接觸窗805:第一基板810:第二基板815:液晶層820:液晶顯示器具體實施方式
依據本發明的實施例，在彩色濾光板或TFT陣列板之上先形成一層覆蓋 層，然后在覆蓋層之中形成凹槽的結構。接著，在凹槽結構的內表面上形成 一層共形的透明導電層之后，再以覆蓋層的材料將凹槽結構填平。此填平的 凹槽結構可以有效地改善暗態漏光的問題。I.彩色濾光板請同時參考圖1A-圖1B，其分別繪出一種半穿反液晶顯示器的彩色濾光 板的俯視示意圖與其I-I'剖線的剖面結構示意圖。在圖lA-圖IB中，顯示出 其中一個像素單元，其由穿透區102與反射區104所組成。在此像素單元上， 彩色濾光層IIO覆蓋在基底100之上，且彩色濾光層IIO在反射區104中具 有透光開口 120。在彩色濾光層110之上，依序覆蓋有第一覆蓋層130、第 二覆蓋層150與透明導電層160，其中第二覆蓋層150位在反射區104之中， 形成突起結構。以下實施例一到三將舉例在上述半穿反液晶顯示器的彩色濾光板上設置填平的凹槽結構，以達成多重區域配向的效果，同時又能改善因液晶分子 的不規則排列而造成的暗態漏光的問題。實施例一:應用在半穿反液晶顯示器的彩色濾光板，在穿透區形成填平 的凹槽結構請參照圖2A-圖2E，其繪出依照本發明實施例的一種半穿反液晶顯示器 的彩色濾光板的制造流程剖面結構示意圖。請參照圖2A，基底200上具有穿透區202與反射區204。在基底200之 上形成彩色濾光層210，其在反射區204中具有透光開口 220，讓白光自面 板表面進入液晶面板中以增加液晶面板顯示亮度。在圖2B中，在基底200上形成厚度約為1-2微米的第一覆蓋層230， 其在穿透區202中具有凹槽240;其俯視所見的開口形狀可為任意形狀，如 方形或圓形。接著在第一覆蓋層230之上形成厚度約為l-2微米且位于反射 區204的第二覆蓋層250。上述的第一覆蓋層230與第二覆蓋層250的材料 例如可為透明的有機或無機介電材料。在圖2C中，先形成透明導電層260，共形地覆蓋在第一覆蓋層230、凹 槽240與第二覆蓋層250之上。再在凹槽240之中，填入第三覆蓋層270， 形成填平的凹槽結構，以完成彩色濾光板的制造。依據本發明另一個實施例，也可在反射區之上增設突起，以影響反射區 的液晶分子的排列。請參考圖2D，在圖2C中位于反射區204的第二覆蓋層 250之上，形成第四覆蓋層，以增設突起280。上述突起280的材料可選擇 透明的有機介電材料，例如JSR公司的有機感光透明材料PC403。依據本發明另一個實施例，也可在反射區上形成狹縫，以減輕轉位線 (disclination line)的發生。請參考圖2C，圖案化位于反射區204的透明導電 層260，形成圖2E的狹縫290。另外，在上述實施例中，還可在第一覆蓋層230設置透光開口(圖未示)， 此第一覆蓋層230的透光開口底部接觸彩色濾光層210的透光開口 220底部， 使光從基板200到第二覆蓋層250只需經過一層介質，相較于原本光需經兩 層介質(光從基板200經第一覆蓋層230到第二覆蓋層250)的情況，能更減 少因折射率差異造成的光穿透率損失。實施例二:應用在半穿反液晶顯示器的彩色濾光板，在反射區形成填平的凹槽結構請參照圖3A-圖3E，其繪出依照本發明實施例的一種半穿反液晶顯示器的彩色濾光板的制造流程剖面結構示意圖。在圖3A中，基底300上具有穿透區302與反射區304。在基底300之 上形成彩色濾光層310，其在反射區304中具有透光開口 320，讓白光自面 板表面進入液晶面板中以增加液晶面板顯示亮度。在圖3B中，在基底300上形成厚度約為1-2微米的第一覆蓋層330， 再在第一覆蓋層330之上形成厚度約為1-2微米且位于反射區304中的第二 覆蓋層340，第二覆蓋層340具有凹槽350;其俯視所見的開口形狀可為任 意形狀，如方形或圓形。在圖3C中，先形成透明導電層360，共形地覆蓋在第一覆蓋層330、第 二覆蓋層340與凹槽350之上。再在凹槽350之中，填入第三覆蓋層370， 形成填平的凹槽結構，以完成彩色濾光板的制造。依據本發明另一個實施例，也可在穿透區之上增設突起，以影響穿透區 的液晶分子的排列。請參考圖3D，在圖3C中位于穿透區302的第一覆蓋層 330之上形成第四覆蓋層，以增設突起380。上述突起380的材料可選擇透 明的有機介電材料，例如JSR公司的有機感光透明材料PC403。依據本發明另一個實施例，也可在穿透區上形成狹縫，以減輕轉位線 (disclination line)的發生。請參考圖3C，圖案化位于穿透區302的透明導電 層360，形成圖3E的狹縫390。另外，在上述實施例中，還可在第一覆蓋層330設置透光開口(圖未示)， 此第一覆蓋層330的透光開口底部接觸彩色濾光層310的透光開口 320底部， 理由與實施例一所述相同，故不贅述。實施例三:應用在半穿反液晶顯示器的彩色濾光板，在反射區形成填平 的深凹槽結構在圖4中所出現的元件標號與圖3A-3E的元件標號相差100的，代表與 圖3A-3E相同的元件。也可將實施例二圖3B的凹槽350加深，形成如圖4中的貫穿第二覆蓋 層440與第一覆蓋層430直到透光開口 420底部的凹槽450;其俯視所見的 開口形狀可為任意形狀，如方形或圓形。接著，再形成透明導電層460，共10形地覆蓋在第一覆蓋層430、第二覆蓋層440與凹槽450之上。然后，再在 凹槽450之中，填入第三覆蓋層470，形成填平的凹槽結構，以完成彩色濾 光板的制造。跟圖3B的結構相比，加深的凹槽450可以讓液晶倒向的范圍 變大，填平的效果也比較好。類似地，也可在圖4結構的穿透區402中增設與圖3D相同的突起380， 以影響反射區的液晶分子的排列。或者是在穿透區402中形成與圖3E相同 的狹縫390，以減輕轉位線(disdinationline)的發生。由于上述的突起與狹縫 的制程步驟已經分別在圖3D與圖3E中敘述過，在此不再贅述其詳細制程步 驟。此外，也可結合實施例一與實施例二，或者是結合實施例一與實施例三， 在穿透區與反射區均采取形成凹槽的結構(而不是形成突起的結構)，來扭曲 液晶層中的電場，使液晶分子呈現不同的傾斜方向，造成多重區域配向的效 果。II.TFT陣列板請同時參考圖5A-圖5B，其分別繪出一種半穿反液晶顯示器的TFT陣 列板的俯視示意圖與其II-n，剖線的剖面結構示意圖。在圖5A-圖5B中，顯 示出其中一個像素單元，其由穿透區502與反射區504所組成。在此像素單 元上，具有TFT陣列電路505，其由薄膜電晶體(TFT) 505a、柵極線505b與 數據線505c所組成。如圖5B所示，薄膜電晶體(TFT)505a包括柵極504、 柵極介電層506、半導體層507、歐姆接觸508、源極509a和漏極50%,其 中，柵極504與柵極線505b電性連接，柵極介電層506覆蓋柵極504，半導 體層507則位于柵極介電層506之上并形成薄膜電晶體(TFT) 505a的通道區， 二歐姆接觸508位于半導體層507之上而源/漏極509a和509b分別位于每一 歐姆接觸508之上。其上，還具有第一覆蓋層510、位于反射區504的金屬 反射電極540以及位于穿透區502的透明導電層530，且借由接觸窗511電 性連結金屬反射電極540及漏極509b。以下實施例四到五將舉例在上述半穿反液晶顯示器的TFT陣列板上設 置填平的凹槽結構，以達成多重區域配向的效果，同時又能改善因液晶分子 的不規則排列而造成的暗態漏光的問題。實施例四:在TFT陣列板上的反射區形成填平的凹槽結構請參照圖6A-圖6D，其繪出依照本發明實施例的一種半穿反液晶顯示器 的薄膜電晶體(TFT)陣列板的制造流程剖面結構示意圖。請參照圖6A，基底600上具有穿透區602與反射區604。在己完成TFT 陣列電路605 (在此省略TFT陣列電路的詳細結構，以求簡單明了)的基底600 上形成第一覆蓋層610，其在反射區604中具有凹槽620;其俯視所見的開 口形狀可為任意形狀，如方形或圓形。接著形成透明導電層630，共形地覆 蓋在第一覆蓋層610之上。如眾所周知，上述TFT陣列電路605中的TFT 具有開關的功用。在圖6B中，圖案化透明導電層630，在穿透區602留下像素電極630a， 以及在凹槽620中留下控制電極630b。然后在圖6C中，在第一覆蓋層610、 透明像素電極630a及控制電極630b上形成金屬層，再圖案化金屬層，形成 金屬反射電極640環繞于凹槽620的周圍。最后在圖6D中，在凹槽620中 填入第二覆蓋層650，形成填平的凹槽結構，以完成TFT陣列板的制造。實施例五:在TFT陣列板上的反射區形成填平的凹槽結構類似地，上述填平的凹槽結構也可位于TFT陣列板的穿透區中。請參考 圖7A-圖7B，其繪出依照本發明另一個實施例的一種半穿反液晶顯示器的薄 膜電晶體(TFT)陣列板的制造流程剖面結構示意圖。在圖7A中，基底700上具有穿透區702與反射區704。在己完成TFT 陣列電路705 (在此省略TFT陣列電路的詳細結構，以求簡單明了)的基底700 上形成第一覆蓋層710，其在穿透區702中形成凹槽720;其俯視所見的開 口形狀可為任意形狀，如方形或圓形。接著形成透明導電層，共形地覆蓋在 第一覆蓋層710之上。再圖案化透明導電層，形成像素電極730。如眾所周 知，上述TFT陣列電路705中的TFT具有開關的功用。在圖7B中，在第一覆蓋層710與透明像素電極730之上形成金屬層， 再圖案化金屬層，在反射區704中形成金屬反射電極740。然后在凹槽720 中填入第二覆蓋層750，形成填平的凹槽結構，以完成TFT陣列板的制造。III.組合例上述的彩色濾光板或TFT陣列板的結構可應用在任何的半穿反液晶顯 示器。請參照圖8A，其繪出一般液晶顯示器的剖面結構示意圖。在圖8A中， 液晶顯示器820具有第一基板810、第二基板805以及夾在中間的液晶層815。若在第一基板810上形成彩色濾光層，則第一基板810即為彩色濾光板，而 第二基板805為TFT陣列板。但不限于此，也可在第二基板805上形成彩色 濾光層，也即，第二基板805為TFT陣列板且其上具有彩色濾光層。而上述彩色濾光板的凹槽結構與TFT陣列板的凹槽結構可以互相搭配。 例如在彩色濾光板與TFT陣列板的反射區與/或穿透區中，可選擇在彩色濾 光板或TFT陣列板之一設置上述的凹槽結構即可。下面舉出四個組合例來做為示范說明，請見圖8B-圖8E，其繪出依照本 發明的一些各種組合例的剖面結構示意圖。在圖8B中，在液晶顯示器的彩 色濾光板的反射區設置凹槽結構(如圖3C)，并在對應的TFT陣列板的穿透區 設置凹槽結構(如圖7B)。或在圖8C中，在液晶顯示器的彩色濾光板的穿透 區設置凹槽結構(如圖2C)，并在對應的TFT陣列板的反射區設置凹槽結構(如 圖6D)。甚至或者在圖8D、圖8E中，在液晶顯示器的彩色濾光板的反射區 與穿透區均設置凹槽結構(結合圖2C與圖3C的凹槽，或是結合圖2C與圖4 的凹槽)，對應的TFT陣列板則不需設置凹槽結構(也即圖5B的結構)。由于 上述圖中的各元件標號維持與圖2-圖7相同的元件標號，故不再一一贅述其 所代表的元件名稱。由上述的實施例可知，在彩色濾光板或TFT陣列板上的覆蓋層中形成凹 槽結構，再在凹槽中形成共形的透明導電層，然后以另一層覆蓋層將凹槽結 構填平，可以形成填平的凹槽結構。由于填平的凹槽結構中的透明導電層是 與凹槽內表面共形，所以在施加電壓之下，透明導電層可以扭曲液晶層中的 電場。再搭配填平的凹槽結構的平整表面，使填平的凹槽結構周圍的液晶分 子依照透明導電層所產生的電場來規則變化其排列傾斜方向，達成多重區域 配向的效果，同時又能改善因液晶分子的不規則排列而造成的暗態漏光的問 題。雖然本發明己以一些實施例揭示如上，然其并非用以限定本發明，任何 本領域技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可作各種的變化與修 改，因此本發明的保護范圍當視所附的權利要求所界定的范圍為準。1權利要求
1.一種半穿反液晶顯示器，具有第一基板、第二基板及位于其間的液晶層，其中該第一基板包括第一基底，具有穿透區與反射區；第一覆蓋層，位于該第一基底之上，該第一覆蓋層在該穿透區中具有第一凹槽；第二覆蓋層，位于該反射區的該第一覆蓋層之上；透明電極，共形地覆蓋在該第一覆蓋層、該第一凹槽與該第二覆蓋層之上；以及第三覆蓋層，填滿該第一凹槽。
2. 如權利要求1所述的半穿反液晶顯示器，其還包括彩色濾光層，位 于該第一基底與該第一覆蓋層間，且位于該反射區中的該彩色濾光層具有透 光開口。
3.如權利要求2所述的半穿反液晶顯示器，其中位于該反射區中的該第 一覆蓋層與該第二覆蓋層具有第二凹槽，該第二凹槽的底部接觸該透光開口 的底部，該透明電極共形地覆蓋在該第二凹槽上，且該第三覆蓋層填滿該第 二凹槽。
4. 如權利要求1所述的半穿反液晶顯示器，還包括突起，位于該反射 區中的該第二覆蓋層與該透明電極層上。
5. 如權利要求1所述的半穿反液晶顯示器，其中位于該反射區中的該透 明電極層具有狹縫，且該狹縫位于該第二覆蓋層上。
6. 如權利要求1所述的半穿反液晶顯示器，其中位于該反射區中的該第 二覆蓋層具有第二凹槽，該透明電極共形地覆蓋在該第二凹槽上，且該第三 覆蓋層填滿該第二凹槽。
7. 如權利要求3或6所述的半穿反液晶顯示器，其中該第二基板包括 第二基底，其上具有該開關裝置且具有穿透區與反射區； 第四覆蓋層，覆蓋該開關裝置且位于該第二基底之上； 透明像素電極，位于該穿透區中的該第四覆蓋層之上；以及 反射像素電極，位于該反射區中的該第四覆蓋層之上。
8. 如權利要求1所述的半穿反液晶顯示器，其中該第二基板包括第二基底，其上具有該開關裝置且具有穿透區與反射區；第四覆蓋層，覆蓋該開關裝置且位于該第二基底之上，位于該反射區中的該第四覆蓋層具有第三凹槽；透明像素電極，位于該穿透區中的該第四覆蓋層之上； 透明控制電極，位于該第三凹槽的內表面上； 第五覆蓋層，填滿該第三凹槽；以及 反射像素電極，位于該反射區中的該第四覆蓋層之上。
9. 一種半穿反液晶顯示器，具有第一基板、第二基板及位于其間的液晶 層，該第二基板包括至少一個開關裝置，其中該第一基板包括第一基底，具有穿透區與反射區； 第一覆蓋層，位于該第一基底之上；第二覆蓋層，位于該反射區的該第一覆蓋層之上，該第二覆蓋層具有凹槽；透明電極，共形地覆蓋在該第一覆蓋層、該第二覆蓋層與該凹槽之上；以及第三覆蓋層，填滿該凹槽。
10. 如權利要求9所述的半穿反液晶顯示器，其還包括彩色濾光層， 位于該第一基底與該第一覆蓋層間，且位于該反射區中的該彩色濾光層具有 第一透光開口。
11. 如權利要求9所述的半穿反液晶顯示器，其還包括突起，位于該 穿透區中的該透明電極層上。
12. 如權利要求9所述的半穿反液晶顯示器，其中位于該穿透區中的該 透明電極層上具有狹縫。
13. 如權利要求9所述的半穿反液晶顯示器，其中該第二基板包括 第二基底，其上具有該開關裝置且具有穿透區與反射區； 第四覆蓋層，覆蓋該開關裝置且位于該第二基底之上，且位于該穿透區中的該第四覆蓋層具有第四凹槽；透明像素電極，位于該穿透區中的該第四覆蓋層之上；第五覆蓋層，填滿該第四凹槽；以及反射像素電極，位于該反射區中的該第四覆蓋層之上。
全文摘要
一種多域垂直排列的半穿反液晶顯示器，其具有TFT陣列板、彩色濾光板及位于其間的液晶層。其中彩色濾光板或TFT陣列板上的覆蓋層中具有凹槽，此凹槽可以位在穿透區或反射區之中，且此凹槽之上具有共形的透明電極以及將其填平的覆蓋層。本發明以填滿的凹槽結構來達成多重區域配向的效果，同時能改善因液晶分子的不規則排列而造成的暗態漏光的問題。
文檔編號H01L21/70GK101324721SQ20081014503
公開日2008年12月17日 申請日期2008年8月1日 優先權日2008年8月1日
發明者呂英齊, 胡至仁, 鄭景升 申請人:友達光電股份有限公司