專利名稱：：無研磨劑的拋光系統的制作方法
技術領域：
：本發明涉及一種拋光系統以及使用其拋光基板的方法。
背景技術：
：用于平坦化或拋光基板的表面，特別是用于化學-機械拋光(CMP)的組合物及方法在本領域中是眾所周知的。拋光組合物(也稱為拋光漿料)通常包含在水溶液中的研磨材料，并通過使表面與用拋光組合物飽和的拋光墊接觸而施用于該表面。典型的研磨材料包括二氧化硅、氧化鈰、氧化鋁、氧化鋯及氧化錫。拋光組合物通常與拋光墊(例如拋光布或圓盤)一起使用。或者，研磨材料可并入到拋光墊中。用于基于硅的金屬間介電層的拋光組合物已在半導體工業中得到特別好的發展，并且基于硅的電介質的拋光和磨損的化學及機械性質已被相當好地了解。然而，基于硅的介電材料的一個問題在于其介電常數相對高，約為3.9或更高，其取決于例如殘留水分含量的因素。結果，導電層之間的電容也相對高，其反過來限制了電路可運作的速度(頻率)。正在開發用以減小電容的策略包括(1)加入具有較4氐電阻值的金屬(例如銅)，以及(2)用相對于二氧化硅具有較低介電常數的絕緣材料來提供電絕緣。在二氧化硅基板上制作平面銅電路的一種方法稱為鑲嵌工藝。根據該方法，通過常規的干法蝕刻工藝將二氧化硅介電表面圖案化以形成用于垂直及水平互連的孔和溝槽。用助粘層(例如鈦或鉭)和/或擴散阻擋層(例如氮化鈦或氮化鉭)涂覆圖案化的表面。然后以銅層過涂覆(over-coat)助粘層和/或擴散阻擋層。使用化學-機械拋光以減小銅過量層(over-layer)的厚度和任何助粘層和/或擴散阻擋層的厚度，直至獲得暴露二氧化硅表面的高出部分的平坦表面。這些孔和溝槽仍被形成電路互連的導電的銅填充著。鉭及氮化鉭是用在鑲嵌工藝中作為用于基于銅的裝置的助粘層和/或擴散阻擋層的特別合適的材料。鉭及氮化鉭的性質與銅的性質不同，在化學上化鉭。因此，通常采用兩步法來拋光銅-鉭電介質，第一步包括移除大部分的銅，第二步包括移除剩余的銅及阻擋膜(例如鉭)。拋光鉭及氮化鉭通常需要使用研磨劑。研磨劑通常導致銅的刮擦物(scratching)殘留在孔及溝槽中，且殘留在表面上的剩余研磨劑通常需要隨后的后拋光清潔步驟，其導致裝置產率降低且制造成本增加。因此，在本領域中仍需用于包含鉭的基板的化學-機械拋光的改善的拋光組合物及方法。
發明內容本發明提供一種用于拋光基板的化學-機械拋光系統，其包括(a)水溶性硅酸鹽化合物、(b)氧化基板的至少一部分的氧化劑、(c)水以及(d)拋光墊，其中該拋光系統基本上無研磨劑顆粒。本發明進一步提供一種拋光基板的方法，該方法包括(i)使基板與拋光系統接觸，該拋光系統包括(a)水溶性硅酸鹽化合物、(b)氧化該基板的至少一部分的氧化劑、(c)水以及(d)拋光墊，其中該拋光系統基本上無研磨劑顆粒；(ii)相對于該基板移動該拋光墊；以及(iii)磨損該基板的至少一部分以拋光該基板。具體實施例方式本發明提供一種化學-機械拋光系統，其包括(a)水溶性硅酸鹽化合物、(b)氧化基板的至少一部分的氧化劑、(c)水以及(d)拋光墊。該拋光系統基本上無研磨劑顆粒。該拋光系統包括水溶性硅酸鹽化合物。該水溶性硅酸鹽化合物可為任何合適的水溶性硅酸鹽化合物。合意的是該水溶性硅酸鹽化合物為堿金屬硅酸鹽。優選地，該水溶性硅酸鹽化合物選自硅酸鉀、硅酸鈉、偏硅酸鉀及偏硅酸鈉。更優選地，該水溶性硅酸鹽化合物為硅酸鐘。適用于本發明的水溶性硅酸鹽化合物可為硅酸鹽玻璃。硅酸鹽玻璃通常通過硅砂與合適的堿金屬化合物(例如碳酸鈉或碳酸鉀)的高溫熔合來制備。水溶性硅酸鹽具有通式M20.mSi02.nH20，其中M為選自鈉、鉀及鋰的堿金屬，且m(稱為系數)與n分別為每摩爾M20的Si02及H20的摩爾數。系數m為Si02與M20的摩爾比。Si02與M20的重量比也常用來描述水溶性堿金屬硅酸鹽的組成。系數m可為任何合適的非零的正數，通常為1-4，更通常為2畫4(例如2.8-3.9，或3-3.6)。在優選實施方式中，該水溶性硅酸鹽化合物為具有通式M2OmSi02的硅酸鉀，其中系數m(例如Si02與M20的摩爾比)為非零的正數。該水溶性硅酸鉀可具有任何合適的系數。優選地，該系數為2.8-3.9。更優選地，該系數為3-3,6。供該水溶性硅酸鹽化合物的方法是將固體形式的水溶性硅酸鹽化合物溶解在水中以提供溶液。或者，可將該水溶性硅酸鹽化合物的濃縮溶液稀釋以獲得在溶液中的Si02的所需濃度。可商購得到各種級別的在水中的硅酸鉀及硅酸鈉溶液，其中所述溶液通過在其制備中使用的硅酸鹽的特定系數和該溶液的Si02重量百分比及K20或Na20重量百分比來表征。Zaclon,Inc.(Cleveland,OH)和PQCorporation(ValleyForge，PA)為硅酸鉀和硅酸鈉的固體形式及溶液兩者的兩個主要供貨商。硅酸鉀的水溶液還可通過熱液處理獲得，其中在升高的溫度和/或壓力條件下，使二氧化硅(例如Si02)源與氫氧化鉀的水溶液反應。合適的用于生產硅酸鉀水溶液的熱液處理的實例一^開在美國專利5084262和5238668中。該拋光系統可包括任何合適的量的水溶性硅酸鹽化合物。通常，存在于拋光系統中的水溶性硅酸鹽化合物的含量表示為以水及溶解在其中的任何組分的總重量計的由水溶性硅酸鹽化合物所提供的Si02的重量百分比。通常，拋光系統包括充足的水溶性硅酸鹽化合物以提供O.l重量％或更多(例如0.2重量°/。或更多，0.5重量％或更多，或1重量％或更多)的Si02,基于水和溶解于其中的任何組分的總重量。拋光系統優選包括充足的水溶性硅酸鹽化合物以提供8重量％或更少(例如6重量％或更少，或4重量％或更少，或甚至2重量％或更少)的Si02,基于水和溶解于其中的任何組分的總重量。拋光系統最優選包括0.5重量％-2重量％的Si02,基于水和溶解于其中的任何組分的總重量。該拋光系統可具有任何合適的pH。在第一種實施方式中，合意的是拋光系統具有9或更大的pH(例如10或更大，或ll或更大)。優選地，拋光系統具有9-12,更優選10-12,甚至更優選11-12的PH。在第二種實施方式中，合意的是拋光系統具有4或更小(例如3或更小)的pH。優選J也，4燭光系統具有2-3的pH。通過溶解硅酸鹽玻璃(例如堿金屬硅酸鹽)獲得的或通過熱液處理制備的水溶性硅酸鹽化合物的水溶液具有ll或更大的強堿性pH,其由強堿和弱酸的鹽構成，并對固態物質的沉淀或凝膠的形成是穩定的。當pH值降至低于pHll的值時，溶液將形成高分子量的硅酸聚合物，該聚合物隨時間形成硅素:其中認為::溶液的離子強度、濃度"^i度是重要的:水溶性硅酸鹽化合物水溶液對沉淀或凝膠形成的穩定性一般在大于9的pH及低于4的pH時是最高的。合意的是在能在視覺上觀察到任何凝膠或沉淀之前使用所述拋光系統。介于拋光組合物的制備和使用之間的時間將基于pH、Si02的濃度、氧化劑和任何任選的存在于拋光系統中的組分、以及拋光系統所經受的溫度而變化。提供公開在本文中的發明方法以利用所述拋光系統，而該拋光系統在其用于拋光基板的過程中仍然基本上無顆粒物質或凝膠。該拋光系統包括氧化基板的至少一部分的氧化劑。任何合適的氧化劑都可與本發明一起使用。優選地，該氧化劑選自過氧化氬、碘酸鉀、高錳酸鉀、過硫酸銨、五鉀雙(過硫酸鹽)雙(硫酸鹽)(potassiumhydrogenperoxymonosulfatesulfate)、鉬酸銨、硝酸鐵、硝酸鉀及其組合。更優選地，該氧化劑為過氧化氫。拋光系統通常包括0.1重量％或更多(例如0.2重量％或更多，或0.5重量％或更多，或1重量％或更多)的氧化劑，基于水和溶解于其中的任何組分的總重量。拋光系統一^:包括10重量％或更少(例如8重量％或更少，或5重量％或更少，或3重量％或更少)的氧化劑，基于水和溶解于其中的任何組分的總重量。該拋光系統可任選地進一步包括鈣離子。鈣離子可由任何合適的水溶性鉀化合物提供。鉤離子的優選來源為氯化鈣。當鈣離子存在時，拋光組合物通常包括O.lppm或更多(例如1ppm或更多，或5ppm或更多)的鈣離子，基于水和溶解于其中的任何組分的總重量。一般而言，該拋光組合物包括50ppm或更少(例如40ppm或更少，或30ppm或更少)的鈣離子，基于水和;容解于其中的任何組分的總重量。若需要，拋光系統的pH可通過添加足量的酸來酸化水溶性硅酸鹽化合物的強堿性溶液以中和存在的充足的M20以獲得所需的pH來進行調節。該酸可為任何合適的酸，其足夠強以產生所需的最終的pH。合適的酸的非限制性實例包括鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸、甲酸、乙酸及其混合物。拋光組合物的pH可在任何合適的時間進行調節。例如，可在添加氧化劑和任何任選的組分之前調節拋光系統的pH。在其它實施方式中，在調節系統pH之前，水溶性硅酸鹽化合物溶液與氧化劑及任何任選的組分組合(combine)。在另外的其它實施方式中，在使用點(point-of-use)(例如在基板的表面上)調節系統的pH。pH也可通過使用緩沖劑進行調節。通常緩沖劑包括酸及其共軛堿。當使用緩沖劑來調節拋光系統的pH時，應理解將添加足夠的緩沖劑到拋光系統中以中和充足的]\420從而提供所需pH。pH緩沖劑可為任何合適的緩沖劑，例如磷酸鹽、硫酸鹽、醋酸鹽、硼酸鹽、銨鹽等。倘若使用合適的量以使拋光系統的PH達到所需PH范圍和/或使拋光系統的PH保持在所需PH范圍內，拋光系統可包括任何適量的pH調節劑(例如酸或堿)和/或pH緩沖劑。拋光系統可任選地進一步包括一種或多種其它添加劑。這樣的添加劑包括任何合適的表面活性劑和/或流變控制劑。合適的表面活性劑包括例如陽離子表面活性劑、陰離子表面活性劑、陰離子聚電解質、非離子型表面活性劑、兩性表面活性劑、氟化表面活性劑及其混合物等。拋光系統任選地進一步包括消泡劑。該消泡劑可為任何合適的消泡劑。合適的消泡劑包括，但不限于基于硅的及基于炔二醇的消泡劑。拋光系統中存在的消泡劑的量通常為40ppm-MOppm,基于水及溶解在其中的任何組分的總重量。拋光系統任選地進一步包括生物殺滅劑。該生物殺滅劑可為任何合適的生物殺滅劑，例如異塞唑啉酮生物殺滅劑。用在拋光系統中的生物殺滅劑的量通常為lppm-500ppm,并且優選為10ppm-200ppm。任何與本發明并用的組分均可以混合物或水溶液的形式提供。然后合意地單獨儲存兩種或更多種組分并隨后將其混合以形成拋光系統。在這點上，適于制備拋光系統(例如將所有組分混合在一起)，然后在出現任何凝膠或顆粒物之前將其輸送到基板的表面。拋光系統也適于通過輸送拋光系統的來自兩種或更多種不同來源的組分，由此拋光系統的組分在基板的表面(例如在使用點)相會，從而在基板的表面上制備。在任一情況下，可在拋光過程之前和/或在拋光過程中改變將拋光系統的組分輸送到基板表面的流速(即拋光系統的特定組分的輸送量)，使得改變拋光系統的拋光特性(例如拋光速率)。盡管拋光系統的組分可在使用前或甚至在使用前不久充分組合，然而拋光組合物的組分可在使用點或在使用點附近組合。本文所使用的術語"使用點"是指拋光系統與基板表面相接觸的點。當利用使用點混合待組合的拋光系統的組分時，拋光系統的組分分開儲存在兩個或更多個儲存設備中。為在使用點或使用點附近混合容納在儲存設備中的拋光系統的組分，儲存設備通常配備有一條或多條從各儲存設備通到拋光系統的使用點(例如工作臺(platen)或基板表面)的流水線(flowline)。術語"流水線"是指從單獨的儲存容器到儲存在其中的組分的使用點的流體路徑。所述一條或多條流水線可各自直接通到使用點，或在使用多于一條流水線的情況下，兩條或更多條流水線可在任何的點組合為通到使用點的單條流水線。此外，任何所述一條或多條流水線(例如單獨的流水線或組合而成的流水線)可在到達組分的使用點之前先通到一個或多個其它設備(例如抽運設備、測量設備、混合設備等)。拋光系統的組分可獨立地輸送到使用點(例如在拋光過程中將組分輸送到基板表面，組分在該基板表面上混合)，或者這些組分可在輸送到使用點之前不久進行組合。若這些組分在到達使用點之前IO秒鐘內，優選在到達使用點之前5秒鐘內，更優選在到達使用點之前1秒鐘內，或甚至在組分輸送到使用點的同時進行組合(例如組分在分配器中組合)，則這些組分"在輸送到使用點之前不久"組合。若這些組分在使用點的5m之內，例如在使用點的1m之內或甚至在使用點的10cm之內(例如在使用點的1cm之內)組合，則這些組分也"在輸送到使用點之前不久"組合。盡管拋光系統的兩種或更多種組分在到達使用點之前進行組合，各組分也可在不使用混合設備的情況下在流水線中組合并輸送至使用點。或者，一條或多條流水線可通向混合設備以促進兩種或更多種組分的組合。可使用任何合適的混合設備。例如，混合設備可為噴射器(nozzle)或噴管(jet)(例如高壓噴射器或噴管)，兩種或更多種組分經其流過。或者，該混合設備可為容器型混合設備，其包括一個或多個將拋光系統的兩種或更多種組分S1入到該混合器的入口，以及至少一個出口，經混合的組分直接或經由該裝置的其它元件(例如經由一條或多條流水線)經其排出該混合器以輸送至使用點。此外，該混合設備可包括多于一個的腔室，各腔室具有至少一個入口及至少一個出口，其中兩種或更多種組分在各腔室中進行組合。若使用容器型混合設備，則該混合設備優選包括混合機械裝置(mixingmechanism)以進一步促進各組分的組合。混合機械裝置在本領域中已廣為人知，包括攪拌器、摻合機、攪動器、葉片式折流板(paddledbaffle)、氣體分布器(gassparger)系統、振動器等。拋光系統包括任何合適的拋光墊(例如拋光表面)。合適的拋光墊包括例如編織及非編織拋光墊。而且，合適的拋光墊可包括任何合適的不同密度、硬度、厚度、可壓縮性、壓縮后的回彈能力以及壓縮模量的聚合物。合適的聚合物包括例如聚氯乙烯、聚氟乙烯、尼龍、碳氟化合物、聚碳酸酯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚醚、聚乙烯、聚酰胺、聚氨酯、聚苯乙烯、聚丙烯、其共形成產物(coformedproduct)、及其混合物。盡管本發明的拋光系統對于拋光任何基板都是有用的，然而該拋光系統在拋光包括至少一層含鉭的金屬層的基板中特別有用。該基板可為任何合適的含鉭基板(例如集成電路、金屬、ILD層、半導體、薄膜、MEMS、磁頭)，并且可進一步包括任何合適的絕緣、金屬或金屬合金層(例如金屬傳導層)。絕緣層可為金屬氧化物、多孔金屬氧化物、玻璃、有機聚合物、氟化有機聚合物或任何其它合適的高或低K的絕緣層。絕緣層優選為基于硅的金屬氧化物。基板優選進一步包括含銅的金屬層。本發明進一步提供使用本發明的拋光組合物拋光基板的方法。具體而言，本發明的方法包括(i)使基板與拋光系統接觸，該拋光系統包括(a)水溶性硅酸鹽化合物、(b)氧化該基板的至少一部分的氧化劑、(c)水和(d)拋光墊，其中該拋光系統基本上無研磨劑顆粒；(ii)相對于該基板移動該拋光墊；以及(iii)磨損該基板的至少一部分以拋光該基板。根據本發明，基板可通過任何合適的技術用本文所述的拋光系統拋光。本發明的方法特別適合與化學-機械拋光(CMP)裝置一起使用。該裝置通常包括工作臺，其在使用時處于運動中并具有由軌道、線性或圓周運動而產生的速度；拋光墊，其與工作臺接觸并且當運動時與工作臺一起移動；以及夾持器(carrier),其固定待通過與拋光墊的表面接觸并相對于拋光墊的表面移動而進行拋光的基板。基板的拋光通過以下方法進行將基板放置成與本發明的拋光系統接觸，并且使拋光墊相對于基板移動，拋光系統的其它組分在其間，以磨損并移除基板的一部分，從而拋光基板的至少一部分。當本發明的方法與CMP裝置一起實施時，拋光系統的拋光墊包括該CMP裝置的拋光墊。拋光墊可如先前所述。合意的是CMP裝置進一步包括原位拋光終點檢測系統，其中的許多在本領域中是已知的。通過分析從基板表面反射的光或其它輻射來檢測和監控拋光過程的技術在本領域中是已知的。合意的是對于正在拋光的基板的拋光過程的進程的檢測或監控使得能夠確定拋光終點，即對于特定的基板確定何時終止拋光過程。以下實施例進一步說明本發明，但當然不應認為是在以任何方式限制其范圍。在以下實施例中，^_用LogitechCDP拋光裝置拋光包括在二氧化石圭基寺反上的鉭層的類似基板。拋光參數如下9.3kPa(1.35psi)的下壓力，69rpm的工作臺轉速，65rpm的夾持器轉速，以及160mL/min的拋光組合物流動速率，并且使用原位受控(conditioned)同心凹槽CMP墊。實施例1該實施例顯示用本發明的拋光系統觀察到的提高硅酸鉀的濃度對鉭層移除速率的影響。用四種不同的拋光系統(系統1A-1D)分別拋光包括在二氧化硅上的鉭層的類似基板。各系統由pH為ll、在水中的3重量％的過氧化氫以及不同量的硅酸鉀組成，硅酸鉀的量表示為由硅酸鉀所提供的Si02的最終濃度，列于表1。通過稀釋硅酸鉀的30重量。/。的水溶液(Kasil2130;PQCorp.,ValleyForge,PA)提供硅酸鉀以提供Si02的所述濃度。所有拋光系統在使用前后通過目視檢測都是均質的。在使用拋光系統之后，測定鉭移除速率。結果列于表l中。表1:硅酸鉀濃度對鉭移除速率的影響<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>這些結果表明包括可溶性硅酸鉀的拋光系統所展示出的鉭移除速率取決于存在于拋光系統中的可溶性硅酸鐘的濃度。提供了2重量％或更多，具體為2.0重量％和6.0重量％的Si02的可溶性硅酸鉀的濃度(體系1C和1D)在未使用研磨劑的情況下展示出實用的鉭移除速率。實施例2該實施例顯示用本發明的拋光系統觀察到的在添加的釣離子的存在下提高硅酸鉀的濃度對鉭層移除速率的影響。用五種不同的拋光系統(系統2A-2E)分別拋光包括在二氧化硅基板上的鉭層的類似基板。系統2A-2D由pH為11、在水中的3重量％的過氧化氬、20ppm的4丐離子(氯化鈣)以及不同量的硅酸鉀組成，硅酸鉀的量表示為由硅酸鉀所提供的Si02的最終濃度，列于表2。系統2E為比較性的拋光系統，其包括pH為10的在水中的6重量％的熱解硅石(研磨劑顆粒)、0.5重量％的乙酸鉀、0.05重量％的苯并三唑、3重量％的過氧化氫和20ppm的鈣離子(氯化鈣)。通過稀釋在水中的珪酸鉀的30重量。/。的溶液(Kasil2130;PQCorp.，ValleyForge,PA)提供硅酸鉀以提供Si02的所述濃度。所有的發明拋光系統在使用前后通過目視檢測都是均質的。在使用拋光系統前后，測定鉭移除速率。結果列于表2中。表2:具有添加的鈣離子的硅酸鉀的濃度對鉭移除速率的影響<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>*兩次實驗的平均值這些結果表明由包括可溶性硅酸鉀及20ppm鉤離子的拋光系統所展示出的鉭移除速率取決于拋光系統中的可溶性硅酸鉀的濃度，用0.25重量％或更多的Si02達到實用的鉭移除速率，以及用2.0重量°/。的Si02觀測到最大的鉭移除速率。用2.0重量％的Si02及20ppm鈣離子(系統2C)觀測到的鉭移除速率與用包含熱解硅石研磨劑顆粒的比較系統(系統2E)觀測到的鉭移除速率基本上相等。權利要求1.一種用于拋光基板的化學-機械拋光系統，其包括(a)水溶性硅酸鹽化合物，(b)氧化基板的至少一部分的氧化劑，(c)水，以及(d)拋光墊，其中該拋光系統基本上無研磨劑顆粒。2.權利要求l的拋光系統，其中該水溶性硅酸鹽化合物選自硅酸鉀、硅酸鈉、偏珪酸鉀和偏硅酸鈉。3.權利要求2的拋光系統，其中該水溶性硅酸鹽化合物為硅酸鉀。4.權利要求3的拋光系統，其中該石圭酸鉀具有2.8-3.9的Si02:K20的摩爾比。5.權利要求4的拋光系統，其中該硅酸鉀具有3-3.6的Si02:K20的摩爾比。6.權利要求l的拋光系統，其中該氧化劑選自過氧化氫、碘酸鉀、高錳酸鉀、過硫酸銨、五鉀雙(過硫酸鹽)雙(硫酸鹽)、鉬酸4妄、硝酸鐵、硝酸鉀及其組合。7.權利要求6的拋光系統，其中該氧化劑為過氧化氫。8.權利要求1的拋光系統，其中該拋光系統具有9或更大的pH。9.權利要求8的拋光系統，其中該拋光系統具有10-12的pH。10.權利要求1的拋光系統，其中該拋光系統具有4或更小的pH。11.權利要求10的拋光系統，其中該拋光系統具有2-3的pH。12.權利要求1的拋光系統，其中該拋光系統進一步包括1ppm-50ppm6勺4丐離f。13.—種4旭光基纟反的方法，該方法包4舌(i)使基板與拋光系統接觸，該拋光系統包括(a)水溶性硅酸鹽化合物，(b)氧化該基板的至少一部分的氧化劑，(c)水，以及Cd)拋光墊，其中該拋光系統基本上無研磨劑顆粒，(ii)相對于該基板移動該拋光墊，以及(m)磨損該基^^的至少一部分以拋光該基板。14.權利要求13的方法，其中該水溶性硅酸鹽化合物選自硅酸鉀、硅酸鈉、偏硅酸鉀和偏硅酸鈉。15.權利要求14的方法，其中該水溶性硅酸鹽化合物為硅酸鉀。16.權利要求15的方法，其中該硅酸鉀具有2.8-3.9的Si02:K20的摩爾比。17.權利要求16的方法，其中該硅酸鉀具有3-3.6的Si02:K20的摩爾比。18.權利要求13的方法，其中該氧化劑選自過氧化氫、碘酸鉀、高錳酸鉀、過硫酸銨、五鉀雙(過硫酸鹽)雙(硫酸鹽)、鉬酸銨、硝酸鐵、硝酸鉀及其組合。19.權利要求18的方法，其中該氧化劑為過氧化氫。20.權利要求13的方法，其中該拋光系統具有9或更大的pH。21.權利要求20的方法，其中該拋光系統具有10-12的pH。22.權利要求13的方法，其中該拋光系統具有4或更小的pH。23.權利要求22的方法，其中該拋光系統具有2-3的pH。24.權利要求13的方法，其中該拋光系統進一步包括1ppm-50ppm的鈣離子。25.權利要求13的方法，其中該基板包括鉭。26.權利要求25的方法，其中該基板進一步包括銅。全文摘要本發明提供一種化學-機械拋光系統，其包括水溶性硅酸鹽化合物、氧化基板的至少一部分的氧化劑、水和拋光墊，其中該拋光系統基本上無研磨劑顆粒。本發明進一步提供一種用上述拋光系統化學-機械拋光基板的方法。該拋光系統在鉭的移除中特別有用。文檔編號H01L21/321GK101263209SQ200680033516公開日2008年9月10日申請日期2006年8月9日優先權日2005年8月17日發明者凱文·莫金博格,艾薩克·謝里安申請人:卡伯特微電子公司