專利名稱：液晶顯示裝置的制造方法
技術領域：
本發明涉及制造液晶顯示器(LCD)的方法，更具體地說涉及用來制造使具有寬視角的顯示器成為可能的LCD的方法。
本發明的現有技術一般地說，在能夠提供寬視角的LCD中，具有寬視角的顯示是通過在TFT(薄膜晶體管)的保護膜上安排公共電極和像素電極以及通過在平行于有源矩陣基板表面的表面上以密封的方式旋轉處在液晶層中的液晶分子的分子軸線的方向得以實現的，其典型的實例是IPS(平面內切換)型LCD。
圖20展示構成在公開號為Hei 10-186407的日本專利申請中揭示的能夠提供寬視角的傳統的IPS型LCD的一個像素部分的示意的構造。在前面揭示的傳統的IPS型LCD的一個像素部分中，配備有柵極204、漏極線206、公共電極(氧化錫銦(ITO))210、公共電極207、像素電極(ITO)211、像素電極(漏極層)213和TFT。在IPS型LCD中，顯示是通過在像素電極(ITO)211和公共電極(ITO)210之間產生本質上平行于基板表面的電場和使液晶分子的方向在平行于基板表面的面內按照電場旋轉得以實現的。另一方面，TFT主要包括源極218、漏極215和半導體層219或類似的東西。另外還備有兩個接觸孔，一個是用于公共電極(ITO)210的接觸孔217，另一個是用于像素電極(ITO)211的接觸孔312。
圖21至圖26是展示用來制造圖20中展示的傳統的IPS型LCD的的過程1-5的剖視圖。在圖21至圖26的每張圖中，TFT元件部分展示圖20的TFT沿著A-A’線截取的剖視圖；像素部分展示圖20的像素部分的一部分沿著B-B’線截取的剖視圖；公共電極接觸孔部分展示圖20的公共電極接觸孔部分沿著C-C’線截取的剖視圖；柵極端子部分展示柵極端子的剖視圖；而漏極端子部分展示漏極端子的剖視圖。
首先，如圖21所示，柵極金屬層(未示出)是借助濺射法在玻璃基板上形成的，而柵極204是在柵極金屬層上利用在指定區域的第一掩模形成的，以致用于掃描的信號線(未示出)和柵極204整體地形成。然后，如圖22所示，層間(柵極)絕緣膜223、a-硅層(無定形的a-硅半導體)238和n+a-硅層(高濃度的n型無定形a-硅)239是借助在整個玻璃基板表面上沉積依次形成的，而島235是借助使用第二掩模在層間絕緣膜223上方形成的。接下來，如圖23所示，漏極金屬層是借助濺射法在玻璃基板上形成的，然后，通過使用第三掩模，源極218、像素電極213、漏極215和漏極線206是這樣形成的，以致源極218和像素電極213是整體成形的、漏極215和漏極線206是整體成形的；而圖23所示的孔洞是通過完成干(等離子體)蝕刻在溝道部分上形成的。在這個時刻，由于被蝕刻到同樣程度的不僅有n+a-硅層239(圖22)而且有a-硅層238(圖22)，所以沉積a-硅層238的厚度變得比較大。然后，如圖24所示，鈍化膜222和有機絕緣膜221是疊在玻璃基板上的，而有機絕緣膜接觸孔是為了提供對源極218的連接使用第四掩模在有機絕緣膜221中形成的，以致使有機絕緣膜接觸孔穿過有機絕緣膜221到達鈍化膜222。接下來，如圖25所示，鈍化膜222和層間絕緣膜223的曝光部分是借助蝕刻法利用第五掩模除去的，以便形成規定的接觸孔。最后，如圖26所示，ITO膜11是借助濺射法或類似的方法形成的以致使其厚度大約為50納米，然后，為了提供源極218和像素電極211之間的連接通過使用第六掩模借助濕蝕刻法除去ITO膜11中不想要的部分。當公共電極210由ITO膜構成時，鉻(Cr)的濺射是在鈍化膜222上這樣完成的，以致Cr膜的厚度變成100納米，使公共電極210滿足上述的條件。然后，形成定向膜(未示出)以覆蓋它們全體。
但是，用來制造在公開號為Hei 10-186407的日本專利申請中揭示的IPS型LCD的傳統方法有問題，即由于使用第一至第六掩模，TFT的制造過程變得比較長。
此外，當在制造IPS型LCD的情況下使用已知縮短的制造TFT工藝時，由于制圖過程是用光刻過程在半導體層和電極上完成的，半導體層和電極的形狀是一樣的，所以TFT的臺階變得比較大，這使對液晶取向施加控制變得困難，因此引起黑色亮度增加，并引起所謂的“浮動黑色”。
再者，當采用縮短的TFT制造工藝時，鈍化膜的覆蓋變得軟弱，這引起(用于源極和漏極的)電極材料從有缺陷的覆蓋部分滲透到液晶中并因此引起漸進的顯示故障(圓點狀瑕疵或黑色瑕疵)發生。
本發明的概述鑒于上述的問題，本發明的目的是提供一種制造LCD的方法，該方法將能夠提供寬視角，使各個過程能夠被縮短，而且能夠提供改善的可靠性。
按照本發明的第一方面，提供了一種制造提供寬視角的液晶顯示器的方法，其中具有寬視角的顯示是通過把公共電極和像素電極放在薄膜晶體管的保護膜上和通過在平行于有源矩陣基板表面的表面上旋轉以密封的方式構成液晶層的液晶分子的分子軸線的方向得以實現的，該方法包括在透明絕緣基板上依次形成柵極金屬層、柵極絕緣層和a-硅層然后通過光刻制圖形成包括柵極、柵極絕緣膜和半導體層的島的過程；
在透明絕緣基板上依次形成層間絕緣膜和漏極金屬層然后通過光刻制圖除去漏極金屬層的指定部分形成漏極線的過程；在透明絕緣基板上形成絕緣膜然后通過光刻制圖在指定位置形成穿過絕緣膜并為源極和漏極提供連接的絕緣膜觸點的過程；以及在透明絕緣基板上形成透明的導電膜、然后通過光刻制圖除去透明的導電膜的不想要的部分形成個個都具有梳齒狀構造的像素電極和公共電極以致使像素電極和公共電極呈交錯排列并且把源極接到像素電極上且把漏極接到漏極線上的過程。
按照本發明的第二方面，提供了一種用來制造提供寬視角的液晶顯示器的方法，其中具有寬視角的顯示器是通過把公共電極和像素電極放在薄膜晶體管的保護膜上和通過旋轉在平行于有源矩陣基板表面的表面上以密封的方式構成液晶層的液晶分子的分子軸線的方向得以實現的，該方法包括在透明絕緣基板上形成柵極金屬層然后通過光刻制圖形成柵極的過程；在透明絕緣基板上依次形成層間絕緣膜、a-硅層、n+a-硅層和漏極金屬層、然后通過使用利用具有多個厚度各不相同的區域的光敏抗蝕膜的光刻術除去漏極金屬層的不想要的部分完成制圖、再在未曝光的部分上進行灰化處理和完成回流處理、再依次通過除去一部分n+a-硅層和一部分a-硅層和剝除已經歷回流處理的光敏抗蝕膜、從而形成漏極線和島的過程；在透明絕緣基板上形成絕緣膜、然后通過光刻制圖在指定位置形成穿過絕緣膜并為島的源極提供連接的絕緣膜觸點的過程；以及在透明絕緣基板上形成將變成像素電極的透明的導電膜、然后通過光刻制圖除去透明的導電膜的不想要的部分、和把像素電極接到源極上形成像素電極和公共電極的過程。
按照本發明的第三方面，提供了一種用來制造提供寬視角的液晶顯示器的方法，其中具有寬視角的顯示器是通過把公共電極和像素電極放在薄膜晶體管的保護膜上和通過旋轉在平行于有源矩陣基板表面的表面上以密封的方式構成液晶層的液晶分子的分子軸線的方向得以實現的，該方法包括在透明絕緣基板上形成柵極金屬層然后通過光刻制圖形成柵極的過程；在透明絕緣基板上依次形成層間絕緣膜、a-硅層、n+a-硅層和漏極金屬層、然后通過使用利用具有多個厚度各不相同的區域的光敏抗蝕膜的光刻術除去a-硅層、n+a-硅層和漏極金屬層的不想要的部分完成制圖，再在未曝光的部分上進行灰化處理，然后再通過除去a-硅層、n+a-硅層和漏極金屬層的某個規定部分和剝除未曝光的部分形成漏極線和島的過程；在透明絕緣基板上形成絕緣膜然后通過光刻制圖在規定位置形成穿過絕緣膜并為島的源極提供連接的絕緣膜觸點的過程；以及在透明絕緣基板上形成將變成像素電極的透明的導電膜、然后通過光刻制圖除去透明的導電膜的不想要的部分和把像素電極接到源極上形成像素電極和公共電極。
按照本發明的第四方面，提供了一種用來制造提供寬視角的液晶顯示器的方法，其中具有寬視角的顯示器是通過把公共電極和像素電極放在薄膜晶體管的保護膜上和通過旋轉在平行于有源矩陣基板表面的表面上以密封的方式構成液晶層的液晶分子的分子軸線的方向得以實現的，該方法包括在透明絕緣基板上依次形成柵極金屬層、柵極絕緣層和a-硅層然后通過光刻制圖形成由柵極、柵極絕緣膜和半導體層組成的島的過程；在透明絕緣基板上依次形成層間絕緣膜和漏極金屬層然后通過光刻制圖除去漏極金屬層的某個指定部分形成漏極線的過程；在透明絕緣基板上形成絕緣膜然后通過印刷的方法在規定位置形成穿過絕緣膜并為源極和漏極提供連接的絕緣膜觸點的過程；以及在透明絕緣基板上形成透明的導電膜、然后通過光刻制圖除去透明的導電膜的不想要的部分形成個個都具有梳狀構造的像素電極和公共電極以致使像素電極和公共電極呈交錯排列、而且把源極接到像素電極上并把漏極接到漏極線上的過程。
按照本發明的第五方面，提供了一種用來制造提供寬視角的液晶顯示器的方法，其中具有寬視角的顯示器是通過把公共電極和像素電極放在薄膜晶體管的保護膜上和通過旋轉在平行于有源矩陣基板表面的表面上以密封的方式構成液晶層的液晶分子的分子軸線的方向得以實現的，該方法包括在透明絕緣基板上形成柵極金屬層然后通過光刻制圖形成柵極的過程；在透明絕緣基板上依次形成層間絕緣膜、a-硅層、n+a-硅層和漏極金屬層，然后通過采用利用具有多個厚度各不相同的區域的光敏抗蝕膜的光刻術除去漏極金屬層的不想要的部分完成制圖再在未曝光的部分上進行灰化和回流處理，然后再通過除去一部分n+a-硅層和一部分a-硅層和剝除已經歷回流處理的光敏抗蝕膜形成漏極線和島的過程；在透明絕緣基板上形成絕緣膜然后通過印刷的方法在規定的位置形成穿過絕緣膜并為所述島的源極提供連接的絕緣膜觸點的過程；以及在透明絕緣基板上形成將變成像素電極的透明的導電膜然后通過光刻制圖除去透明的導電膜的不想要的部分和把像素電極接到源極上形成像素電極和公共電極的過程。
按照本發明的第六方面，提供了一種用來制造提供寬視角的液晶顯示器的方法，其中具有寬視角的顯示器是通過把公共電極和像素電極放在薄膜晶體管的保護膜上和通過旋轉在平行于有源矩陣基板表面的表面上以密封的方式構成液晶層的液晶分子的分子軸線的方向得以實現的，該方法包括在透明絕緣基板上形成柵極金屬層然后通過光刻制圖形成柵極的過程；在透明絕緣基板上依次形成層間絕緣膜、a-硅層、n+a-硅層和漏極金屬層，然后通過采用利用具有多個厚度各不相同的區域的光敏抗蝕膜的光刻術除去漏極金屬層的不想要的部分、完成制圖、再在未曝光的部分上進行灰化處理，然后再通過除去a-硅層、n+a-硅層和漏極金屬層的某個指定部分和剝除未曝光的部分形成漏極線和島的過程；在透明絕緣基板上形成絕緣膜和通過印刷的方法在規定的位置形成穿過絕緣膜并為島的源極提供連接的絕緣膜觸點的過程；以及在透明絕緣基板上形成將變成像素電極的透明的導電膜然后通過光刻制圖除去透明的導電膜的不想要的部分和把像素電極接到源極上形成像素電極和公共電極的過程。
在前面的描述中，優選的模式是這樣的模式，即其中絕緣膜是由存在于絕緣層下部的無機絕緣膜和存在于絕緣層上部的有機絕緣膜組成的，而且在通過光刻在存在于絕緣膜上部的有機絕緣膜的規定位置形成孔洞部分之后，利用存在于絕緣膜上部的有機絕緣膜作為掩模在存在于絕緣膜下部的無機絕緣膜上完成蝕刻。
另外，優選的模式是這樣的模式，即其中柵極是由高熔點金屬制成的單層膜、或者是包含由高熔點金屬制成的上層和由鋁(Al)或鋁合金制成的下層的雙層膜。
另外，優選的模式是這樣的模式，即其中源極和漏極個個都是由高熔點金屬制成的單層膜，或者是由包含由高熔點金屬制成的上層和由鋁或鋁合金制成的下層的雙層膜，或者是包含由高熔點金屬制成的上層、由鋁或鋁合金制成的中層和由高熔點金屬制成的下層的三層膜。
另外，優選的模式是這樣的模式，即其中高熔點金屬是鉻(Cr)或鉬(Mo)。
再者，優選的模式是這樣的模式，即其中絕緣膜是感光膜。
采用上述的各種構造，用來制造能夠提供寬視角的LCD的方法能使其制造過程縮短、能防止TFT的臺階變大并且能通過鈍化膜提供極好的覆蓋。
附圖簡要說明本發明的上述和其它目的、優勢和特點通過下面結合附圖的描述將變得顯而易見，其中

圖1是展示依照本發明的第一實施方案提供寬視角的LCD的有源矩陣基板的配置的電路圖；圖2是展示構成本發明的第一實施方案的提供寬視角的LCD的一個像素部分的配置的平面圖；圖3是展示構成本發明的第一實施方案的提供寬視角的LCD的一個像素部分的配置的剖視圖；圖4是展示用來制造本發明的第一實施方案的LCD的第一光刻過程(PR1)的剖視圖；圖5是展示用來制造本發明的第一實施方案的LCD的第二光刻過程(PR2)的剖視圖；圖6是展示用來制造本發明的第一實施方案的LCD的第三光刻過程(PR3)的剖視圖；圖7是展示用來制造本發明的第一實施方案的LCD的第四光刻過程(PR4)的剖視圖；圖8是展示用來制造本發明的第一實施方案的LCD的第五光刻過程(PR5)的剖視圖；圖9是更詳細地解釋用來制造本發明的第一實施方案的LCD的第一光刻過程(PR1)的剖視圖；圖10是展示構成本發明的第二和第三實施方案的提供寬視角的LCD的一個像素部分的配置的平面圖11是展示構成本發明的第二和第三實施方案的提供寬視角的LCD的一個像素部分的配置的剖視圖；圖12是展示用來制造本發明的第二和第三實施方案的LCD的第一光刻過程(PR1)的剖視圖；圖13是展示用來制造本發明的第二和第三實施方案的LCD的第二光刻過程(PR2)的剖視圖；圖14是展示用來制造本發明的第二和第三實施方案的LCD的第三光刻過程(PR3)的剖視圖；圖15是展示用來制造本發明的第二和第三實施方案的LCD的第四光刻過程(PR4)的剖視圖；圖16是展示用來制造本發明的第二和第三實施方案的LCD的第五光刻過程(PR5)的剖視圖；圖17是詳細解釋用來制造本發明的第二實施方案的LCD的第二光刻過程(PR2)的剖視圖；圖18是進一步詳細解釋用來制造本發明的第三實施方案的LCD的第二光刻過程(PR2)的剖視圖；圖19展示在本發明的LCD中金屬離子的洗提量。
圖20是展示構成提供寬視角的傳統LCD的一個像素部分的配置的平面圖；圖21是展示用來制造傳統的LCD的第一光刻過程(PR1)的剖視圖；圖22是展示用來制造傳統的LCD的第二光刻過程(PR2)的剖視圖；圖23是展示用來制造傳統的LCD的第三光刻過程(PR3)的剖視圖；圖24是展示用來制造傳統的LCD的第四光刻過程(PR4)的剖視圖；圖25是展示用來制造傳統的LCD的第五光刻過程(PR5)的剖視圖；圖26是展示用來制造傳統的LCD的第六光刻過程(PR6)的剖視圖。
優選實施方案的詳細說明實現本發明的最佳模式將參照附圖用各種各樣的實施方案予以進一步的詳細描述。第一實施方案圖1是展示本發明的第一實施方案的提供寬視角的LCD的有源矩陣基板的配置的電路圖。在第一實施方案的LCD中，具有ITO-TCP(Tape Carrier Package-帶式載體封裝)結構的IPS型有源矩陣基板被使用，其中公共電極7和像素電極被安排在TFT的保護膜(有機膜)上，而ITO是供像素電極使用的材料。所以，顯示是通過旋轉在平行于有源矩陣基板表面的表面上以密封的方式構成液晶層的液晶分子的分子軸線的方向得以完成的。在有源矩陣基板中，安裝在TFT基板1上的是TFT2、柵極端子3、漏極端子5、從柵極端子3延伸出來的柵極線4、從漏極端子5延伸出來的漏極線6、公共電極端子8以及從公共電極端子8延伸出來與公共電極7連接的公共電極連接線9。
圖2是展示構成第一實施方案的提供寬視角的LCD的一個像素部分的配置的平面圖。在該實施方案的LCD的一個像素部分中備有漏極線6、柵極線4、公共電極7、像素電極(漏極層)13、公共電極(ITO)10、像素電極(ITO)11。TFT部分是由源極18、漏極15和半導體層19構成的。此外，還備有用于像素電極(漏極層)13的接觸孔14、用于像素電極(ITO)11的接觸孔12和用于漏極線6的接觸孔16。
圖3是展示構成第一實施方案的提供寬視角的LCD的一個像素部分的配置的剖視圖。如圖3所示，第一透明基板28是以面對第二透明基板29的方式放置的，讓液晶27和定向膜20夾在第一透明基板28和第二透明基板29之間。在第一透明基板28一側依次形成的是層間絕緣膜23、像素電極(漏極層)13、漏極線6、鈍化膜22、有機絕緣膜21、公共電極(ITO)10、像素電極(ITO)11和偏振片31。在第二透明基板28一側形成的是黑色基底25、彩色層26、外涂層24、導電層30和另一個偏振片31。
圖4至圖8是展示用來制造在圖1至3中展示的第一實施方案的LCD的過程的剖視圖。在圖4至8的每張圖中，TFT元件部分展示沿著圖2的A-A’線截取的TFT的剖視圖，像素部分展示沿著圖2的B-B’線截取的像素部分的一部分的剖視圖，公共電極接觸孔部分展示沿著圖2的C-C’線截取的接觸孔部分的剖視圖，柵極端子部分展示柵極端子3的剖視圖，而漏極端子部分展示漏極端子5的剖視圖。
首先，如圖4所示，在由玻璃或類似的東西制成的透明絕緣基板上依次形成的是具有由高熔點金屬(例如，鉻、鉬、鈦之類的金屬)制成的上層和由鋁之類的東西制成的下層的柵極層32、由SiNx或類似的東西制成的柵極絕緣膜33(氮化a-硅膜)、以及將變成半導體層19的a-硅層34。柵極層32是這樣形成的，即通過完成鋁的濺射形成柵極層32的下層，以致使鋁層的厚度變成100至300納米和通過完成諸如Cr、Mo、Ti之類的高熔點金屬的濺射形成柵極層32的上層，以致使上層的厚度變成50至150納米。柵極絕緣膜33和a-硅層34是通過使用等離子體CVD(化學蒸氣淀積)形成的，以致使柵極絕緣膜33的厚度變成大約200至400納米而a-硅層34的厚度變成100至300納米。然后，通過使用第一掩模在柵極層32和柵極線4打算形成的區域中形成光刻膠圖案，而完成干蝕刻是為了除去柵極層32、柵極絕緣膜33和a-硅層34中的未被光刻膠圖案覆蓋的部分。
接下來，如圖5所示，由SiNx(氮化a-硅)構成的層間絕緣膜23是采用等離子體CVD法在透明基板28的整個表面上形成的。采用濺射法在層間絕緣膜23上形成的是疊合層，該疊合層將變成源極18/漏極15(未示出)，具有由諸如Cr、Mo、Ti之類的高熔點金屬制成的準備疊合在疊合層的上部中的一層、和由鋁或類似的東西制成的準備疊合在疊合層的中間部分中的一層、以及由諸如Cr、Mo、Ti之類的高熔點金屬制成的準備疊合在疊合層的下部中的一層，層間絕緣膜23的厚度優選大約為100至200納米。由諸如Cr、Mo、Ti之類的高熔點金屬制成的準備疊合在疊合層的上部中的這一層(源極18/漏極15)的厚度優選大約為50至150納米。由鋁或類似的東西制成的層的厚度優選大約為100至300納米。由諸如Cr、Mo、Ti之類的高熔點金屬制成的準備疊合在疊合層的下部中的這層的厚度優選大約為30至100納米。在形成疊合層之后，為了覆蓋漏極線16，通過使用第二掩模形成光刻膠圖案，為了除去不想要的金屬層形成漏極線6的蝕刻已告完成。
接下來，如圖6所示，用SiNx或類似的東西制成的鈍化膜22是通過濺射在基板28的整個表面上形成的致使其厚度為(例如)100至200納米。在此，作為用于鈍化膜22的材料，為了在后面的工藝中以令人滿意的方式形成接觸孔，就用于a-硅層34和柵極絕緣膜33的蝕刻而言具有寬廣的選擇范圍的材料是更優選的。
然后，也如圖6所示，諸如正型酚醛清漆抗蝕涂層之類的有機絕緣膜21是在透明絕緣基板28的整個表面上形成的，以致使其厚度為2.0微米至3.5微米。作為用于有機絕緣膜21的材料，例如，JSR公司制造的“OPTMERTMPC系列”(商標名)或類似的東西可以被使用。然后，通過使用第三掩模，形成具有在a-硅層34的上部中的源極孔部分36中的孔、漏極孔部分37、柵極線4和漏極線6的光刻膠圖案，并形成有機絕緣膜21。
接下來，如圖7所示，鈍化膜22和有機絕緣膜21的露出部分是利用第四掩模通過干蝕刻法除去的，以便形成特定的接觸孔。為了保證與a-硅層34歐姆接觸，第一透明基板28被保持在PH3等離子體的氣氛中，磷(P)在a-硅層34上擴散，以便在a-硅層34的表面上形成n+a-硅層。這是通過用等離子體設備以0.1W/cm3的RF(射頻)功率使用在200Pa的壓力下以1000SCCM(標準立方厘米)供應的PH3/H2氣體(0.5％PH3)在300℃的溫度下完成持續5分鐘的處理實現的。
然后，如圖8所示，為了形成將變成像素電極11的ITO膜，在第一透明基板28的整個表面上完成ITO濺射以致使其厚度大約為40至120納米，再通過使用第五掩模借助濕蝕刻法除去ITO膜的不想要的部分，將源極18接到像素電極11上并且將漏極15接到漏極線6上。此外，在第一實施方案中，ITO是作為用于像素電極11的材料使用的，但是除了ITO之外，ZnO(氧化鋅)、通過用Zn取代ITO中的Sn獲得的IZO(氧化鋅銦)或類似的東西也可以被使用。
最后，用ITO膜作為掩模通過干蝕刻工藝除去a-硅層34和柵極絕緣膜33，最終完成有源矩陣基板。
圖9是詳細解釋在制造第一實施方案的LCD時用來形成柵極/島的第一光刻過程(PR1)的剖視圖。在該實施方案中，光敏抗蝕涂層是在由柵極金屬(金屬)32、夾層(柵極)絕緣膜33和a-硅(無定形a-硅半導體)層34組成的島35上形成的，然后完成把遮光膜36用于島35并且把半透膜37用于柵極端子部分3的網板曝光。曝光工藝之后，為了除去存在于島35和柵極端子部分3之上的光敏抗蝕涂層(這些部分未曝光)，依次完成顯影、蝕刻和灰化。然后，在柵極端子部分3中的a-硅層34和夾層(柵極)絕緣膜33上完成蝕刻，最后把島35上存留的光敏抗蝕涂層剝掉。
因此，按照第一實施方案用來制造提供寬視角的LCD的方法，僅僅使用5個掩模，就可以通過絕緣膜把柵極層32、漏極15和像素電極11彼此分開，并能夠形成a-硅層34的側壁和表面被層間絕緣膜23和鈍化膜22完全覆蓋的溝道保護型有源矩陣基板。所以，這種制造工藝與傳統方法相比至少可以通過一個光刻過程得到簡化。
此外，在第一實施方案中使用的材料將在下面予以具體地解釋。作為用于柵極層32的材料，采用的是厚度為100至450納米的由Cr、Mo、Cr/Al、Mo/Al之類的材料制成的薄膜。作為用于源極18/漏極15的材料，采用的是厚度為150至550納米的由Cr、Mo、Cr/Al、Mo/Al/Mo之類的材料制成的薄膜。作為用于像素電極11和13的材料，采用的是厚度為40至120納米的ITO制成的薄膜。作為用于柵極絕緣膜33的材料，采用的是厚度為200至400納米的SiNx薄膜。作為用于a-硅層(半導體層)34的材料，采用的是厚度為150至300納米的a-硅膜和厚度為30至70納米的n+a-硅膜。作為鈍化膜22使用的材料，采用的是厚度為100至300納米的SiNx薄膜。作為用于有機絕緣膜21的材料，采用的是厚度為2.0至3.5微米的酚醛清漆型光敏抗蝕涂層(例如，JSR公司制造的“OPTMERTMPC系列”)。
此外，作為玻璃基板的材料，采用的是0.7毫米厚的無堿玻璃平板。作為用于彩色濾光片的材料，采用的是厚度為1.0至1.5微米的負型光敏丙烯酸顏料擴散抗蝕涂層(例如，JSR公司制造的“OPTMERTMCR系列”)。作為用于黑色基底25的材料，采用的是光密度(OD值)或3以上而薄膜電阻為1010Ω/□或以上的負型光敏丙烯酸顏料擴散抗蝕涂層或碳抗蝕涂層(例如，JSR公司制造的“OPTMERTMCR系列”)。作為用于偏振片31的材料，采用的是碘光偏振膜(例如，Nitto Denko公司制造的“NPFTMCR系列”或Sumitomo Chemical公司制造的“SUMIKALANTM系列”)。作為面層電極，采用的是薄膜電阻為20Ω/□至40Ω/□厚度為80至150納米的的ITO膜。作為用于液晶27的材料，采用的是含氟化合物(例如，Chisso Petrochemical公司制造的“LIXONTM系列”)。作為用于平面內隔離器的材料，采用的是4.0至5.5微米厚的用二乙烯基苯的交聯聚合物制成的薄膜。作為用于密封件的材料，采用的是環氧樹脂粘合劑(例如，MitsuiChemical有限公司制造的“STRACTBONDTM系列”)。作為用于密封孔的材料，采用的是UV(紫外線)固化的丙烯酸酯樹脂。作為用于定向膜20的材料，采用的是厚度為30至60納米的聚酰亞胺定向膜(例如，Nisson Chemical有限公司制造的“SUNEVERTM系列”或者JSR公司制造的“OPTMERTMAL系列”)。第二和第三實施方案圖10是展示構成本發明的第二和第三實施方案的提供寬視角的LCD的一個像素部分的構造的平面圖。在圖10中，圖2所示的用于像素電極(漏極層)13的接觸孔14和用于漏極線6的接觸孔16是看不見的。這是由于后面描述的制造方法的差異。在圖10中，相同的參考數字分配給功能與在圖2所示的第一實施方案中相同的對應的部分。另外，在第二和第三實施方案中用于各個組成部分的材料與在第一實施方案中所用的那些相同，因此對它們的描述被省略了。
圖11是展示構成第二和第三實施方案的提供寬視角的LCD的一個像素部分的構造的剖視圖。如圖11所示，第一透明基板128以面對第二透明基板129的方式放置，把液晶層127和定向膜120夾在第一透明基板128和第二透明基板129之間。在第一透明基板128的一側依次形成的是(1)層間絕緣膜123；(2)像素電極(漏極層)113、漏極線106和漏極115；(3)鈍化膜122；(4)有機絕緣膜121；(5)公共電極(ITO)110和像素電極(ITO)111；以及(6)偏振片131。在第二透明基板129的一側依次形成的是(1)黑色基底125；(2)彩色層126；(3)外涂層124；(4)導電層130和(5)偏振片131。圖11所示的第二和第三實施方案的像素的構造明顯地不同于圖2所示的第一實施方案，即存在于漏極線106之下的a-硅層138和n+a-硅層139兩者都被看到了。
圖12至18是解釋用來制造第二和第三實施方案的提供寬視角的LCD的工藝的剖視圖。
首先，如圖12所示，在第一透明基板128上形成的是柵極金屬層(未示出)，在柵極金屬層上的某個特定區域憑借已知的光刻技術利用第一掩模形成柵極104。
接下來，如圖13所示，在第一透明基板128上依次形成層間絕緣膜123、a-硅層138、n+a-硅層139和漏極金屬層，并且通過使用第二掩模將a-硅層138、n+a-硅層139和漏極金屬層中不想要的部分除去，形成像素電極(漏極層)113、漏極線106、漏極105和島135。
然后，如圖13和14所示，在透明絕緣基板28上依次形成鈍化膜122和有機絕緣膜122，并且通過使用第三掩模在鈍化膜122上的某個特定位置形成穿過有機絕緣膜121的孔，以便為島135的源極118提供連接。
然后，如圖15所示，鈍化膜122在用來為源極118提供連接的孔上的露出部分是通過使用第四掩模被除去的，以便形成鈍化觸點。
接下來，如圖16所示，在透明絕緣基板28上形成將變成像素電極111的ITO膜，并且通過使用第五掩模將ITO膜中不想要的部分除去，以便在源極118和像素電極111之間提供連接。
在第二實施方案中，如圖17所示，與在圖13中描述的第二光刻過程(PR2)不同的是，通過網板曝光除去漏極金屬層106中不想要的部分，而且在未曝光的部分上完成灰化處理再完成回流處理之后，一部分n+a-硅層139和一部分a-硅層138被除去，然后，被留下的第二掩模在回流處理之后被剝除，以便形成島135。
在第三實施方案中，如圖18所示，與在圖13中描述的第二光刻過程(PR2)不同的是，在上述的透明絕緣基板28上依次形成層間絕緣膜123、a-硅層138、n+a-硅層139和漏極金屬層106，并且通過使用第二掩模完成網板曝光，以便除去上述的a-硅層138、n+a-硅層139和漏極金屬層106中不想要的部分，并且在光敏抗蝕涂層的未曝光部分上完成灰化處理之后，上述的a-硅層138、n+a-硅層139和漏極金屬層106中某個特定的部分被除去，然后通過剝除未曝光的部分形成島135。
因此，按照用來制造第二和第三實施方案的提供寬視角的LCD的方法，通過僅僅使用5個掩模，柵極104、漏極115和像素電極111可以通過絕緣膜彼此分開，因此a-硅層138和n+a-硅層139的表面和側面都被層間絕緣膜123和鈍化膜122完全覆蓋的溝道保護型有源矩陣基板能夠形成。所以，這種制造工藝與傳統的方法相比至少可以簡化一個光刻過程。第四實施方案用來制造第四實施方案的提供寬視角的LCD的方法是參照圖4至圖9和圖11至圖18予以介紹的。在第四實施方案中，不同于第一至第三實施方案的情況，形成有機絕緣膜觸點和鈍化觸點是用同一個工藝完成的，所以，LCD的制造與第一至第三實施方案相比可以進一步再簡化一個光刻過程。
換言之，在第四實施方案中，如同第一實施方案的修改那樣，如圖4至9所示，在透明絕緣基板上依次形成柵極金屬層(未示出)、柵極絕緣層(未示出)和a-硅層，然后通過使用第一掩模形成柵極32、柵極絕緣膜33和a-硅半導體層34。接下來，在透明絕緣基板上依次形成層間絕緣膜23和漏極金屬層，然后通過使用第二掩模在特定區域除去漏極金屬層106形成漏極線6。然后，在透明絕緣基板上依次形成鈍化膜22和有機絕緣膜21，并且通過使用第三掩模，形成穿過有機絕緣膜21，以便在鈍化膜22上某個特定位置為源極18/漏極15提供連接的孔部分36和37以及漏極線6上的孔，并且通過除去在用來為源極18/漏極15提供連接的孔部分36和37處露出的鈍化膜22的一部分、和在TFT元件部分中的漏極線6上的孔部分中露出的鈍化膜22的一部分同時形成鈍化觸點。接下來，在透明絕緣基板28上形成將變成像素電極的ITO膜，然后通過使用第四掩模除去ITO膜中不想要的部分，以便提供源極18和像素電極11之間的連接和提供漏極15和漏極線6之間的連接。
此外，在第四實施方案中，如同第二實施方案的修改那樣，在透明絕緣基板28上形成柵極金屬層(未示出)，然后通過使用第一掩模形成柵極104，然后在透明絕緣基板28上依次形成層間絕緣膜123、a-硅層138、n+a-硅層139和漏極金屬層106，然后通過使用第二掩模借助網板曝光將漏極金屬層中不想要的部分除去，再在第二掩模的未曝光部分上完成灰化處理之后和在回流處理之后將n+a-硅層139和a-硅層138的一部分除去，然后將已經歷回流處理的第二掩模剝除，以形成島135。然后，在透明絕緣基板28上依次形成鈍化膜122和有機絕緣膜121，并且通過使用第三掩模在鈍化膜122上的某個特定位置形成用來為島135的源極118提供穿過有機絕緣膜123的連接的孔部分，同時鈍化膜122在用來為源極118提供連接的孔部分處的露出部分被除去，以便為源極118提供連接，于是鈍化觸點得以形成。然后，在透明絕緣基板28上形成將變成像素電極111的ITO膜，再通過使用第四掩模除去ITO膜中不想要的部分，以便把源極118接到像素電極111上。
此外，在第四實施方案中，作為第三實施方案的修改方案，如圖11至18所示，在第一透明絕緣基板128上形成柵極金屬層(未示出)，然后通過使用第一掩模，形成柵極104。然后，在第一透明絕緣基板128上依次形成層間絕緣膜123、a-硅層138、n+a-硅層139和漏極金屬層，然后借助第二掩模用網板曝光法把a-硅層138、n+a-硅層139和漏極金屬層上不想要的部分除去，并且在第二掩模的未曝光部分上完成灰化處理之后把a-硅層138、n+a-硅層139和漏極金屬層中的特定部分除去再把各個未曝光的部分除去，以便形成漏極線106、漏極115和島135。接下來，在第一透明絕緣基板128上依次形成鈍化膜122和有機絕緣膜121，然后通過使用第三掩模在鈍化膜122的特定位置形成用來為島135的源極118提供穿過有機絕緣膜121的連接的孔部分，同時鈍化膜122在用來為源極118提供連接的孔部分的露出部分被除去，以便為源極118提供連接，并且形成鈍化膜觸點。然后，在透明絕緣基板28上形成將變成像素電極111的ITO膜，然后通過使用第五掩模除去ITO膜的不想要的部分，把源極118接到像素電極111上。
在上述的實施方案中，實例中所展示的有機絕緣膜是借助涂敷法形成的，但是它可以通過印刷法形成。在這種情況下，用來形成有機絕緣膜的PR(光敏抗蝕涂層)工藝變成不必要的，這進一步縮短LCD的制造工藝。
圖19是展示在本發明的LCD中金屬離子的洗提量的圖表。這張圖表示通過在20伏和60℃下連續729小時對顯示板施加應力獲得的金屬離子進入液晶的洗提量(作為參考，不施加電壓獲得的Cr的洗提量被展示出來)。這表明進入液晶的金屬離子洗提量在作為高熔點金屬的Cr和Mo的情況下是大的而且保護膜的覆蓋作用是非常重要的。
顯然，本發明不局限于上述的實施方案，而是可以在不脫離本發明的范圍和精神的情況下予以改變和修改。例如，在上述的實施方案中，提供寬視角的LCD被描述成寬視角的顯示是通過把公共電極和像素電極安排在TFT的保護膜上和通過旋轉在平行于有源矩陣基板表面的表面上以密封方式構成液晶層的液晶分子的方向得以實現的，但是，本發明可以應用于所有用來制造LCD的方法。
此外，在上述的實施方案中，島是由柵極、柵極絕緣層和半導體層組成的，但是島也可以用其它的組成部分構成。
另外，在上述的實施方案中，無定形硅(a-硅)被用作半導體層材料，但是，也可以使用其它材料。
此外，在上述的實施方案中，SiN被用作鈍化膜材料，但是，也可以使用其它的材料。
權利要求
1.一種用來制造提供寬視角的液晶顯示器的方法，其中具有寬視角的顯示器是通過把公共電極和像素電極放在薄膜晶體管的保護膜上，并通過沿平行于有源矩陣基板表面的表面上以密封的方式構成液晶層的液晶分子的分子軸線的方向旋轉得以實現的，所述的方法包括在透明絕緣基板上依次形成柵極金屬層、柵極絕緣層和a-硅(無定形a-硅)層，然后通過光刻制圖形成包括柵極、柵極絕緣膜和半導體層的島的過程；在所述的透明絕緣基板上依次形成層間絕緣膜和漏極金屬層、然后通過光刻制圖除去所述的漏極金屬層的指定部分形成漏極線的過程；在所述的透明絕緣基板上形成絕緣膜、然后通過光刻制圖在指定位置形成穿過所述的絕緣膜并為源極和漏極提供連接的絕緣膜觸點的過程；以及在所述的透明絕緣基板上形成透明的導電膜、然后通過光刻制圖除去所述的透明的導電膜的不想要的部分形成個個都具有梳齒狀構造的所述的像素電極和所述的公共電極以致使所述的像素電極和所述的公共電極呈交錯排列、而且把所述的源極接到所述的像素電極上并把所述的漏極接到所述的漏極線上的過程。
2.根據權利要求1的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的絕緣膜是由存在于所述絕緣層的下部的無機絕緣膜和存在于所述絕緣層的上部的有機絕緣膜組成的，而且在通過光刻在存在于所述絕緣膜的所述上部的所述的有機絕緣膜的規定位置形成孔洞部分之后，利用存在于所述的絕緣膜的上部的所述的有機絕緣膜作掩模完成在存在于所述的絕緣膜的下部的所述的無機絕緣膜上的蝕刻。
3.根據權利要求1的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的柵極是由高熔點金屬制成的單層或者是包含由高熔點金屬制成的上層和由鋁(A1)或鋁合金制成的下層的雙層膜。
4.根據權利要求1的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的源極和所述的漏極每個都是由高熔點金屬制成的單層膜，或者是由包含由高熔點金屬制成的上層和由鋁(Al)或鋁合金制成的下層的雙層膜，或者是包含由高熔點金屬制成的上層、由鋁(Al)或鋁合金制成的中層和由高熔點金屬制成的下層的三層膜。
5.根據權利要求3的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的高熔點金屬是鉻(Cr)或鉬(Mo)。
6.根據權利要求4的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的高熔點金屬是鉻(Cr)或鉬(Mo)。
7.根據權利要求1的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的絕緣膜是感光膜。
8.一種用來制造提供寬視角的液晶顯示器的方法，其中具有寬視角的顯示器是通過把公共電極和像素電極放在薄膜晶體管的保護膜上和通過在平行于有源矩陣基板表面的表面上以密封的方式沿構成液晶層的液晶分子的分子軸線的方向旋轉得以實現的，所述的方法包括在透明絕緣基板上形成柵極金屬層、然后通過光刻制圖形成柵極的過程；在所述的透明絕緣基板上依次形成層間絕緣膜、a-硅(無定形a-硅)層、n+a-硅(高濃度n型無定形a-硅)層和漏極金屬層，然后通過采用使用具有多個厚度各不相同的區域的光敏抗蝕膜的光刻法除去所述的漏極金屬層的不想要的部分、完成制圖、再在未曝光的部分上進行灰化處理和進行回流處理，再通過除去一部分所述的n+a-硅層和一部分所述的a-硅層和剝除已經歷所述回流處理的所述的光敏抗蝕膜形成漏極線和島的過程；在所述的透明絕緣基板上形成絕緣膜、然后通過光刻制圖在規定位置形成穿過所述的絕緣膜并為所述島的源極提供連接的絕緣膜觸點的過程；以及在所述的透明絕緣基板上形成將成為像素電極的透明的導電膜、然后通過光刻制圖除去所述的透明的導電膜的不想要的部分形成所述的像素電極和所述的公共電極和把所述的像素電極接到所述的源極的過程。
9.根據權利要求8的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的絕緣膜是由存在于所述絕緣層的下部的無機絕緣膜和存在于所述絕緣層的上部的有機絕緣膜組成的，而且在通過光刻在存在于所述絕緣膜的所述上部的所述的有機絕緣膜的規定部分形成孔洞部分之后，利用存在于所述的絕緣膜的上部的所述的有機絕緣膜作為掩模對存在于所述的絕緣膜的下部的所述無機絕緣膜進行蝕刻。
10.根據權利要求8的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的柵極是由高熔點金屬制成的單層膜、或者是包含由高熔點金屬制成的上層和由鋁(Al)或鋁合金制成的下層的雙層膜。
11.根據權利要求8的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的源極和所述的漏極每個都是由高熔點金屬制成的單層膜，或者是由包含由高熔點金屬制成的上層和由鋁(Al)或鋁合金制成的下層的雙層膜，或者是包含由高熔點金屬制成的上層、由鋁(Al)或鋁合金制成的中層和由高熔點金屬制成的下層的三層膜。
12.根據權利要求10的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的高熔點金屬是鉻(Cr)或鉬(Mo)。
13.根據權利要求11的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的高熔點金屬是鉻(Cr)或鉬(Mo)。
14.根據權利要求8的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的絕緣膜是感光膜。
15.一種用來制造提供寬視角的液晶顯示器的方法，其中具有寬視角的顯示器是通過把公共電極和像素電極放在薄膜晶體管的保護膜上和通過在平行于有源矩陣基板表面的表面上以密封的方式沿構成液晶層的液晶分子的分子軸線的方向旋轉得以實現的，所述的方法包括在透明絕緣基板上形成柵極金屬層然后通過光刻制圖形成柵極的過程；在所述的透明絕緣基板上依次形成層間絕緣膜、a-硅(無定形a-硅)層、n+a-硅(高濃度n型無定形a-硅)層和漏極金屬層然后通過采用使用具有多個厚度各不相同的區域的光敏抗蝕膜的光刻法除去所述的a-硅層、所述的n+a-硅層和所述的漏極金屬層的不想要的部分、進行制圖和在未曝光的部分上進行灰化處理，再通過除去所述的a-硅層、所述的n+a-硅層和所述的漏極金屬層的某個規定部分和剝除所述的未曝光的部分形成漏極線和島的過程；在所述的透明絕緣基板上形成絕緣膜然后通過光刻制圖在規定位置形成穿過所述的絕緣膜并為所述島的源極提供連接的絕緣膜觸點的過程；以及在所述的透明絕緣基板上形成將變成像素電極的透明的導電膜、然后通過光刻制圖除去所述的透明的導電膜的不想要的部分形成所述的像素電極和所述的公共電極和把所述的像素電極接到所述的源極上的過程。
16.根據權利要求15的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的絕緣膜是由存在于所述絕緣層的下部的無機絕緣膜和存在于所述絕緣層的上部的有機絕緣膜組成的，而且在通過光刻在存在于所述絕緣膜的所述上部的所述的有機絕緣膜的規定位置形成孔洞部分之后，利用存在于所述的絕緣膜的上部的所述的有機絕緣膜作為掩模在存在于所述的絕緣膜的下部的所述的無機絕緣膜上完成蝕刻。
17.根據權利要求15的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的柵極是由高熔點金屬制成的單層膜、或者是包含由高熔點金屬制成的上層和由鋁(Al)或鋁合金制成的下層的雙層膜。
18.根據權利要求15的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的源極和所述的漏極每個都是由高熔點金屬制成的單層膜，或者是由包含由高熔點金屬制成的上層和由鋁(Al)或鋁合金制成的下層的雙層膜，或者是包含由高熔點金屬制成的上層、由鋁(Al)或鋁合金制成的中層和由高熔點金屬制成的下層的三層膜。
19.根據權利要求17的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的高熔點金屬是鉻(Cr)或鉬(Mo)。
20.根據權利要求18的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的高熔點金屬是鉻(Cr)或鉬(Mo)。
21.根據權利要求15的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的絕緣膜是感光膜。
22.一種用來制造提供寬視角的液晶顯示器的方法，其中具有寬視角的顯示器是通過把公共電極和像素電極放在薄膜晶體管的保護膜上和通過在平行于有源矩陣基板表面的表面上以密封的方式沿構成液晶層的液晶分子的分子軸線的方向旋轉得以實現的，所述的方法包括在透明絕緣基板上依次形成柵極金屬層、柵極絕緣層和a-硅(無定形a-硅)層，然后通過光刻制圖形成由柵極、柵極絕緣膜和半導體層組成的島的過程；在所述的透明絕緣基板上依次形成層間絕緣膜和漏極金屬層，然后通過光刻制圖除去所述的漏極金屬層的某個指定部分形成漏極線的過程；在所述的透明絕緣基板上形成絕緣膜，然后通過印刷的方法在規定的位置形成穿過所述的絕緣膜并為所述的源極和所述的漏極提供連接的絕緣膜觸點的過程；以及在所述的透明絕緣基板上形成透明的導電膜，然后通過光刻制圖除去所述的透明的導電膜的不想要的部分以使所述像素電極和所述公用電極呈交錯排列，形成個個都具有梳狀構造的所述的像素電極和所述的公共電極和把所述的源極接到所述的像素電極上、以及把所述的漏極接到所述的漏極線上的過程。
23.根據權利要求22的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的絕緣膜是由存在于所述絕緣層的下部的無機絕緣膜和存在于所述絕緣層的上部的有機絕緣膜組成的，而且在通過光刻在存在于所述絕緣膜的所述上部的所述的有機絕緣膜的規定位置形成孔洞部分之后，利用存在于所述的絕緣膜的上部的所述的有機絕緣膜作為掩模在存在于所述的絕緣膜的下部的所述的無機絕緣膜上完成蝕刻。
24.根據權利要求22的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的柵極是由高熔點金屬制成的單層膜、或者是包含由高熔點金屬制成的上層和由鋁(Al)或鋁合金制成的下層的雙層膜。
25.根據權利要求22的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的源極和所述的漏極個個都是由高熔點金屬制成的單層膜，或者是由包含由高熔點金屬制成的上層和由鋁(Al)或鋁合金制成的下層的雙層膜，或者是包含由高熔點金屬制成的上層、由鋁(Al)或鋁合金制成的中層和由高熔點金屬制成的下層的三層膜。
26.一種用來制造提供寬視角的液晶顯示器的方法，其中具有寬視角的顯示器是通過把公共電極和像素電極放在薄膜晶體管的保護膜上和通過在平行于有源矩陣基板表面的表面上以密封的方式沿構成液晶層的液晶分子的分子軸線的方向旋轉得以實現的，所述的方法包括在透明絕緣基板上形成柵極金屬層、然后通過光刻制圖形成柵極的過程；在所述的透明絕緣基板上依次形成層間絕緣膜、a-硅(無定形a-硅)層、n+a-硅(高濃度n型無定形a-硅)層和漏極金屬層，然后通過采用利用具有多個厚度各不相同的區域的光敏抗蝕膜的光刻術除去所述的漏極金屬層的不想要的部分、完成制圖、再在未曝光的部分上進行灰化和回流處理，然后再通過除去一部分所述的n+a-硅層和一部分所述的a-硅層和剝除已經歷所述的回流處理的所述的光敏抗蝕膜形成漏極線和島的過程；在所述的透明絕緣基板上形成絕緣膜、然后通過印刷的方法在規定的位置形成穿過所述的絕緣膜并為所述島的源極提供連接的絕緣膜觸點的過程；以及在所述的透明絕緣基板上形成將變成所述的像素電極的透明的導電膜、然后通過光刻制圖除去所述的透明的導電膜的不想要的部分形成所述的像素電極和所述的公共電極和把所述的像素電極接到所述的源極上的過程。
27.根據權利要求26的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的絕緣膜是由存在于所述絕緣層的下部的無機絕緣膜和存在于所述絕緣層的上部的有機絕緣膜組成的，而且在通過光刻在存在于所述絕緣膜的所述上部的所述的有機絕緣膜的規定位置形成孔洞部分之后，利用存在于所述的絕緣膜的上部的所述的有機絕緣膜作為掩模在存在于所述的絕緣膜的下部的所述的無機絕緣膜上完成蝕刻。
28.根據權利要求26的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的柵極是由高熔點金屬制成的單層膜、或者是包含由高熔點金屬制成的上層和由鋁(Al)或鋁合金制成的下層的雙層膜。
29.根據權利要求26的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的源極和所述的漏極個個都是由高熔點金屬制成的單層膜，或者是由包含由高熔點金屬制成的上層和由鋁(Al)或鋁合金制成的下層的雙層膜，或者是包含由高熔點金屬制成的上層、由鋁(Al)或鋁合金制成的中層和由高熔點金屬制成的下層的三層膜。
30.一種用來制造提供寬視角的液晶顯示器的方法，其中具有寬視角的顯示器是通過把公共電極和像素電極放在薄膜晶體管的保護膜上和通過在平行于有源矩陣基板表面的表面上以密封的方式沿構成液晶層的液晶分子的分子軸線的方向旋轉得以實現的，所述的方法包括在透明絕緣基板上形成柵極金屬層、然后通過光刻制圖形成柵極的過程；在所述的透明絕緣基板上依次形成層間絕緣膜、a-硅(無定形a-硅)層、n+a-硅(高濃度n型無定形a-硅)層和漏極金屬層，然后通過采用使用具有多個厚度各不相同的區域的光敏抗蝕膜的光刻術除去所述的漏極金屬層的不想要的部分、完成制圖、再在未曝光的部分上進行灰化處理，然后再通過除去所述的a-硅層、所述的n+a-硅層和所述的漏極金屬層的某個指定部分和剝除所述的未曝光的部分形成漏極線和島的過程；在所述的透明絕緣基板上形成絕緣膜然后通過印刷的方法在規定的位置形成穿過所述的絕緣膜并為所述的島的源極提供連接的絕緣膜觸點的過程；以及在所述的透明絕緣基板上形成將變成所述的像素電極的透明的導電膜和通過光刻制圖除去所述的透明的導電膜的不想要的部分形成所述的像素電極和所述的公共電極和把所述的像素電極接到所述的源極上的過程。
31.根據權利要求30的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的絕緣膜是由存在于所述絕緣層的下部的無機絕緣膜和存在于所述絕緣層的上部的有機絕緣膜組成的，而且在通過光刻在存在于所述絕緣膜的所述上部的所述的有機絕緣膜的規定位置形成孔洞部分之后，利用存在于所述的絕緣膜的上部的所述的有機絕緣膜作為掩模在存在于所述的絕緣膜的下部的所述的無機絕緣膜上完成蝕刻。
32.根據權利要求30的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的柵極是由高熔點金屬制成的單層膜、或者是包含由高熔點金屬制成的上層和由鋁(Al)或鋁合金制成的下層的雙層膜。
33.根據權利要求30的用來制造提供所述的寬視角的液晶顯示器的方法，其中所述的源極和所述的漏極個個都是由高熔點金屬制成的單層膜，或者是由包含由高熔點金屬制成的上層和由鋁(Al)或鋁合金制成的下層的雙層膜，或者是包含由高熔點金屬制成的上層、由鋁(Al)或鋁合金制成的中層和由高熔點金屬制成的下層的三層膜。
全文摘要
一種用來制造液晶顯示器的方法，該方法提供寬視角、縮短制造過程和提供高可靠性。該方法包括形成柵極金屬層、柵極絕緣層和a－硅層并且通過光刻制圖形成島的過程、形成層間絕緣膜和漏極金屬層并且通過光刻制圖形成漏極線的過程、形成有機的絕緣膜并且借助光刻在規定的位置形成用來提供與源極和漏極連接的有機絕緣觸點的過程、以及形成透明的導電膜并且通過光刻制圖形成像素電極和公共電極的過程。
文檔編號H01L29/66GK1479145SQ02132129
公開日2004年3月3日 申請日期2002年8月30日 優先權日2002年8月30日
發明者橋本宜明, 田中宏明, 木村茂, 城戶秀作, 作, 明 申請人:Nec液晶技術株式會社