觸控面板的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種觸控面板，特別是有關于一種包含新穎導線設計的觸控面板。
【背景技術】
[0002]有關觸控面板的相關產品已大量使用在日常工作與生活中，一般來說，觸控面板結構包括形成在基板表面的感應區域，感應區域用來感應人體的手指或類似于筆的書寫工具以達到觸控效果。
[0003]常見的投射電容式觸控面板是在基板表面設置彼此絕緣、交叉或不交叉的多個透明電極(例如銦錫氧化物(ITO)電極)，所述透明電極再藉由周邊導線與控制器連接。當物體靠近或觸碰觸控面板時，會造成觸碰位置電極之間的電容變化，電容變化訊號藉由周邊導線傳送至控制器加以運算，而確定觸碰位置的坐標。
[0004]隨著觸控面板產品屏幕愈做愈大，既要能單手操控又要保有較佳持握尺寸，觸控面板廠商無不盡量將其邊框縮減，期望能達到最大屏幕尺寸與最佳持握尺寸。
[0005]在傳統電容式觸控面板中，由于金屬材料具有良好導電性，因此，一般會采用金屬材料常見如鉬-鋁-鉬(Mo-A1-Mo)金屬疊層制作周邊導線。鋁是一種導電性很好的材料，但與基材的附著力較差，且極易氧化，而用于提高其與基材附著力和保護其不被氧化的鉬材料，導電性較差。通常為了滿足觸控面板對周邊導線的面電阻(電阻率/膜厚)的要求(小于等于0.3歐)，鉬-鋁-鉬合金的膜厚約須300nm，其中兩層鉬材料各50nm才能起到提升附著力和抗氧化腐蝕的效果，相應的鋁材料需200nm才能使金屬疊層符合面電阻要求。并且，鉬、鋁材質有較大差異，相同的蝕刻液對不同層的蝕刻速率差異較大，當進行蝕刻制程時，蝕刻液由表層向里蝕刻至底層過程中，也會造成蝕刻液向易蝕刻層側邊侵蝕，產生側蝕現象，整體厚度越大，側蝕問題越嚴重。為了避免發生蝕刻不盡或側邊過度蝕刻的問題，以鉬-鋁-鉬合金制作出的導線必須具備較寬線寬與線距(蝕刻后的線寬、線距須達約25μπι)無法做到細線路、細間距及觸控面板邊框窄化的效果。值得注意的是，此等問題不僅存在于上述投射電容式觸控面板中，同樣亦存在于電阻式、紅外線式及表面聲波式等其他常見的觸控面板結構中。此外，傳統高厚度導線所須用的靶材量相對較多，且靶材價格昂貴。
【實用新型內容】
[0006]鑒于上述問題，本實用新型一實施例，提供一種觸控面板，包括:一基板，定義有一觸控區與一周邊區，周邊區包圍觸控區；復數條周邊導線，設置于基板的周邊區，其中所述周邊導線包括一金屬層與一第一鎳銅鈦層，金屬層設置于基板上，第一鎳銅鈦層設置于金屬層遠離基板之一側；以及一感應層，設置于基板的觸控區，并電性連接所述周邊導線。
[0007]根據本實用新型的一實施例，提供一種觸控面板，包括:一基板，定義有一觸控區與一周邊區，周邊區包圍觸控區；復數條周邊導線，設置于基板的周邊區，其中所述周邊導線包括一第一鎳銅鈦層、一金屬層與一第二鎳銅鈦層，第一鎳銅鈦層設置于基板上，金屬層設置于第一鎳銅鈦層上，第二鎳銅鈦層設置于金屬層遠離第一鎳銅鈦層之一側；以及一感應層，設置于基板的觸控區，并電性連接所述周邊導線。
[0008]為讓本實用新型之上述目的、特征及優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，并配合所附的圖式，作詳細說明如下。
【附圖說明】
[0009]圖1是根據本實用新型的一實施例，一種觸控面板的剖面示意圖；
[0010]圖2是根據本實用新型的一實施例，一種觸控面板的剖面示意圖；
[0011]圖3是根據本實用新型的一實施例，一種感應電極結構態樣的上視圖；
[0012]圖4是根據本實用新型的一實施例，一種觸控面板的剖面示意圖；
[0013]圖5是根據本實用新型的一實施例，一種觸控面板的剖面示意圖；
[0014]圖6是根據本實用新型的一實施例，一種觸控面板的剖面示意圖；
[0015]圖7是根據本實用新型的一實施例，一種觸控面板的剖面示意圖；
[0016]圖8是根據本實用新型的一實施例，一種觸控面板的剖面示意圖；
[0017]圖9是根據本實用新型的一實施例，一種感應電極結構態樣的上視圖；
[0018]圖10是根據本實用新型的一實施例，一種觸控面板的剖面示意圖。
【具體實施方式】
[0019]下面結合附圖與【具體實施方式】對本實用新型作進一步詳細描述。
[0020]請參閱圖1，圖1為上述觸控面板的剖面示意圖。本實用新型一實施例提供一種觸控面板10。觸控面板10包括:一基板12，定義有一觸控區14與一周邊區16，周邊區16包圍觸控區14;復數條周邊導線18，設置于基板12的周邊區16，其中周邊導線18包括一金屬層20與一第一鎳銅鈦層22，金屬層20設置于基板12上，第一鎳銅鈦層22設置于金屬層20遠離基板12之一側，即金屬層是夾設于基板12與第一鎳銅鈦層22之間；以及一感應層24，設置于基板12的觸控區14，并電性連接周邊導線18。
[0021]在部分實施例中，基板12可為一玻璃基板或一薄膜基板。
[0022]鎳銅鈦(11；[01^1-(3(^。61—1:；^311；[11111，1^1')合金，具有低阻抗，對玻璃、薄膜等基材具備高附著力以及抗氧化、抗腐蝕等特性。其相比于鉬材料電阻率更低，同時抗氧化腐蝕能力更強，可以以更薄的厚度就起到相同的抗氧化腐蝕效果。在部分實施例中，第一鎳銅鈦層22的厚度介于10?30納米，較佳介于15?25納米，較佳為20納米。第一鎳銅鈦層22可包含多種比例的鎳銅鈦合金，在一較佳實施例中，NCT中鎳銅鈦的比例為35 %?50 %的鎳、4 %?1 %的銅、44%?55%的鈦。
[0023]在部分實施例中，金屬層20的材料可為銅、鋁、金或銀，綜合材料成本、電阻率、附著力、蝕刻速率等因素，金屬層20的材料較佳是銅，其厚度為120?150nm，就可使周邊導線18的面電阻符合觸控面板的要求(小于等于0.3歐)。
[0024]在部分實施例中，與圖1不同之處在于，金屬層20與基板12之間更包括設置有一第二鎳銅鈦層26，形成周邊導線18’，如圖2所示。第二鎳銅鈦層26主要用以提升金屬層20與基板12之間的附著力，其厚度介于10?30納米，較佳是介于15?25納米，較佳為20納米。第二鎳銅鈦層26可包含多種比例的鎳銅鈦合金，一較佳比例為35%?50%的鎳、4%?10 %的銅、44%?55%的鈦。
[0025]在部分實施例中，圖1與圖2中的感應層24可由單一方向延伸的感應電極所構成，例如沿X方向或沿Y方向延伸(未圖示)。在此實施例中，上述感應電極可由透明導電材料所構成，例如銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide，IZ0)、錦錫氧化物(cadmium tin oxide，CT0)或慘雜招鋅氧化物(aluminum-doped zinc oxide,AZO)、金屬網格(metal mesh)或納米銀線(SNW)。
[0026]在部分實施例中，感應層24可包括復數條第一感應電極28與復數條第二感應電極30，第一感應電極28沿一第一方向32延伸，例如沿X方向延伸，第二感應電極30沿一第二方向34延伸，例如沿Y方向延伸，且第一感應電極28與第二感應電極30相交，如圖3所示。圖3為第一感應電極28與第二感應電極30結構態樣的上視圖。
[0027]在此實施例中，第一感應電極28包括復數個第一導電單元36與復數條架橋導線38，架橋導線38連接第一導電單元36。第一感應電極28的第一導電單元36與第二感應電極30可由透明導電材料所構成，例如銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide，IZO)、錦錫氧化物(cadmium tin oxide，CT0)或摻雜招鋅氧化物(aluminum-doped zinc oxide，AZ0)、金屬網格(metal mesh)或納米銀線(SNW)。
[0028]在部分實施例中，第一感應電極28與第二感應電極30之間更包括設置有復數個絕緣單元40以使第一感應電極28與第二感應電極30之間電性絕緣，請同時參照圖1、2。絕緣單元40可由透明絕緣材料所構成。
[0029]在部分實施例中，架橋導線38設置于絕緣單元40遠離基板12之一側。架橋導線38包括一第二金屬層42與一第三鎳銅鈦層44，第二金屬層42設置于絕緣單元40遠離基板12之一側，第三鎳銅鈦層44設置于第二金屬層42遠離絕緣單元40之一側，如圖1、2所示。第二金屬層42的材料為銅、鋁、金或銀，較佳為銅。第三鎳銅鈦層44的厚度介于10?30納米，較佳是介于15?25納米，較佳為20納米。第三鎳銅鈦層44可包括多種比例的鎳銅鈦合金，一較佳比例為35 %?50 %的鎳、4 %?10 %的銅、44 %?55 %的鈦。
[0030]在部分實施例中，與圖1、2不同之處在于，第二金屬層42與絕緣單元40之間更包括設置有一第四鎳銅鈦層46，形成架橋導線38’，如圖4、5所示。第四鎳銅鈦層46的厚度介于10?30納米，較佳是介于15?25納米，較佳為20納米。第四鎳銅鈦層46可包括多種比例的鎳銅鈦合金，一較佳比例為35 %?50 %的鎳、4 %?10 %的銅、44 %?55 %的鈦。
[0031]在部分實施例中，與圖1不同之處在于，將架橋導線38”設置于絕緣單元40與基板12之間，如圖6所示。圖中，架橋導線38”包括一第三金屬層48與一第五鎳銅鈦層50，第三金屬層48設置于基板12上，第五鎳銅鈦層50設置于第三金屬層48遠離基板12之一側。第三金屬層48可包括銅、鋁、金或銀，較佳是由銅所構成。第五鎳銅鈦層50的厚度介于10?30納米，較佳是介于15?25納米，較佳為20納米。第五鎳銅鈦層50可包括多種比例的鎳銅鈦合金，一較佳比例為35 %?50 %的鎳、4 %?10 %的銅、44 %?55 %的鈦。
[0032]在部分實施例中，與圖6不同之處在于，第三金屬層48與基板12之間更包括設置有一第六鎳銅鈦層52，形成架橋導線38” ’，如圖7所示。第六鎳銅鈦層52的厚度介于10?30納米，較佳是介于15?25納米，較佳為20納米。第六鎳銅鈦層52可包括多種比例的鎳銅鈦合金，一較佳比例為35 %?50 %的鎳、4 %?10 %的銅、44 %?55 %的鈦。
[0033]以圖1為例，因周邊導線18采用的第一鎳銅鈦層22與金屬層20的蝕刻速度差異較小，且整體厚度較薄，蝕刻不盡和過度側蝕的問題得到的極大的改善，周邊導線18的線寬和線距都可以縮減至更小的范圍。在部分實施例中，周邊導線18的線寬介于5?20微米，較佳為10微米。周邊導線18的線距介于5?20微米，較佳為10微米。
[0034]請參閱圖8，圖8為上述觸控面板的剖面示意圖。本實用新型的一實施例提供一種觸控面板100。觸控面板100包括:一基板120，定義有一觸控區140與一周邊區160，周邊區160包圍觸控區140，在此實施例