數據儲存裝置以及易失性存儲器的數據校驗方法【專利摘要】本發明揭示一種數據儲存裝置以及易失性存儲器的數據校驗方法。所揭示的數據儲存裝置包括：非易失性存儲器、易失性存儲器、以及控制器。控制器根據一主機的要求操作非易失性存儲器，且以易失性存儲器暫存操作非易失性存儲器時所需的暫態數據。控制器包括對上述暫態數據產生錯誤校驗內容，并且將所產生的錯誤校驗內容與對應的暫態數據呈至少一突發格式暫存至該易失性存儲器。如此一來，易失性存儲器無須針對錯誤校驗數據增加任何管腳，即可具有數據校驗功能。【專利說明】數據儲存裝置以及易失性存儲器的數據校驗方法【
技術領域：
】[0001]本發明涉及一種易失性存儲器的數據校驗，特別是涉及數據儲存裝置的易失性存儲器的數據校驗。【
背景技術：
】[0002]數據校驗用于數字數據的檢查甚至校正。例如，ECC(ErrorCheckingandCorrecting，譯為「錯誤檢查與校正」)以及Parity(譯為「奇偶校驗」)即為常見的兩種數據校驗技術。數據校驗一般是對數字數據進行運算產生對應的錯誤校驗內容，用作數字數據的檢查甚至校正。例如產生錯誤校驗碼(ErrorCheckingCode)以及錯誤校驗內容(Parity)即為常見的兩種數據校驗技術的錯誤校驗內容。[0003]為了傳輸數據校驗所需的錯誤校驗內容，一種傳統存儲器技術是針對錯誤校驗內容多設計至少一管腳，會導致硬件成本較高。如何以低成本制作具有數據校驗功能的存儲器為本【
技術領域：
】一項待解決問題。[0004]另外，以數據儲存裝置為例，其中作為使用者數據的儲存媒體的非易失性存儲器的操作相當復雜。一般而言，數據儲存裝置中還設置有易失性存儲器作數據暫存。如何以低成本使得數據儲存裝置的易失性存儲器也有數據校驗功能，為本【
技術領域：
】一項待解決問題。【
發明內容】[0005]本發明揭示一種易失性存儲器的數據校驗技術，還揭示一種使用該技術的數據儲存裝置。[0006]根據本發明所揭示技術的一種實施方式所實現的一種數據儲存裝置，包括:非易失性存儲器、易失性存儲器、以及控制器。控制器是根據一主機的要求操作非易失性存儲器，且是以易失性存儲器暫存操作非易失性存儲器時所需的暫態數據。控制器包括對上述暫態數據產生錯誤校驗內容，并且將所產生的錯誤校驗內容與對應的暫態數據呈至少一突發格式暫存至該易失性存儲器。如此一來，易失性存儲器無須針對錯誤校驗數據增加任何管腳，即可具有數據校驗功能。[0007]另一種實施方式涉及一數據儲存裝置的易失性存儲器的數據校驗方法，其中該數據儲存裝置包括一非易失性存儲器以及一易失性存儲器，且該方法包括:對與該非易失性存儲器相關的暫態數據產生錯誤校驗內容；以及，將上述暫態數據以及對應的錯誤校驗內容呈至少一突發格式暫存至該易失性存儲器中。[0008]本發明所揭示技術并不意圖限定于數據儲存裝置的應用。另一種實施方式涉及一種易失性存儲器數據校驗方法，包括:對數據尺寸大于一第一數據量的第一型數據，產生錯誤校驗內容；將所述第一型數據呈多個突發格式寫入該易失性存儲器；以及，將所產生的所述錯誤校驗內容呈另一個突發格式寫入至該易失性存儲器。[0009]本發明的前述數據儲存裝置及其易失性存儲器的數據校驗方法，可以在不增加易失性存儲器的管腳數量的前提下，實現易失性存儲器所暫存的操作非易失性存儲器時所需的暫態數據的數據校驗。此外，不同尺寸的暫態數據以及其錯誤校驗內容都可以妥善由易失性存儲器暫存。[0010]下文特舉實施例，并結合附圖詳細說明本【
發明內容】。【專利附圖】【附圖說明】[0011]圖1示出了根據本發明所揭示技術的一種實施方式所實現的一數據儲存裝置100；[0012]圖2以流程圖說明控制器106對動態隨機存取存儲器104所作的寫入操作；[0013]圖3A更詳細說明使用者數據(userdata)專屬格式User_Data的一種實施方式；[0014]圖3B更詳細說明控制器運算數據(controllerdata)專屬格式MCU_Data的一種實施方式；[0015]圖3C更詳細說明映射表數據(如，非易失性存儲器的映射表數據/temporarydataforthemappingtableofthenon-volatilememory)專屬格式Table_Data的一種實施方式；[0016]圖4以流程圖說明控制器106對動態隨機存取存儲器104所作的讀取操作；[0017]圖5A更詳細說明使用者數據專屬格式User_Data的錯誤校驗；[0018]圖5B更詳細說明控制器運算數據專屬格式MCU_Data的錯誤校驗；且[0019]圖5C更詳細說明映射表數據專屬格式Table_Data的錯誤校驗。[0020]附圖符號說明[0021]100~數據儲存裝置；[0022]102~快閃存儲器；[0023]104~動態隨機存取存儲器；[0024]106~控制器；[0025]108~主機；[0026]110~數據總線；[0027]BLK1、BLK2~區塊；[0028]Data_0.5Burst~半個突發格式的控制器運算數據；[0029]Data_Bits~(N-1)位的映射表數據；[0030]Data_Burstl、Data_Burst2...Data_Burst8~多個突發格式的使用者數據；[0031]Data_Checked~校驗后的控制器運算數據；[0032]MCU_Data~控制器運算數據的數據校驗格式；[0033]ΡΡ..Ρ8~錯誤校驗字；[0034]Ρ11、Ρ12、Ρ21、Ρ22~錯誤校驗內容；[0035]Parity_0.5Burst~用以容載錯誤校驗內容的半個突發格式；[0036]Parity_Bit~錯誤校驗位；[0037]Parity_Burst~一個突發格式的錯誤校驗內容；[0038]S202…S208~步驟；[0039]S402…S410~步驟；[0040]Table_Data~映射表數據的數據校驗格式；[0041]User_Data~使用者數據的數據校驗格式。【具體實施方式】[0042]以下敘述列舉本發明的多種實施例。以下敘述介紹本發明的基本概念，且并非意圖限制本【
發明內容】。實際發明范圍應依照本發明的權利要求界定。[0043]圖1示出了根據本發明所揭示技術的一種實施方式所實現的一數據儲存裝置100，包括:快閃存儲器(FLASHmemory)102所實現的一非易失性存儲器、動態隨機存取存儲器(DRAM)104所實現的一易失性存儲器、以及一控制器106。該控制器106是根據一主機108的要求操作該快閃存儲器102，且是以該動態隨機存取存儲器104暫存與該快閃存儲器102相關的暫態數據。[0044]如圖1所示，快閃存儲器102的空間劃分為多個區塊(blocks)，如，BLK1、BLK2...。各區塊還劃分為多頁(pages)。快閃存儲器102的操作特性是以「區塊」為擦除單位。使用過的空間須以「區塊」為單位擦除后方能釋出再利用。如此的使用限制將使得動態隨機存取存儲器104的暫態數據儲存需求高。動態隨機存取存儲器104的數據校驗(datacheckingandcorrecting)因而更為重要。[0045]本發明可以在不增加動態隨機存取存儲器104的管腳數量的前提下，實現動態隨機存取存儲器104所暫存的暫態數據的數據校驗。如圖1所示，控制器106對前述暫態數據(與該快閃存儲器102相關)產生錯誤校驗內容，并且將所產生的錯誤校驗內容與對應的暫態數據呈至少一突發格式暫存至動態隨機存取存儲器104。所述錯誤校驗內容可依循ECC技術或是奇偶校驗技術…等。在一實施例中，控制器106經由一數據總線110耦接動態隨機存取存儲器104，所述突發·格式的長度(burstlength)是該數據總線的寬度的M倍，其中M大于或等于2。舉例而言，動態隨機存取存儲器104如果采用第三代雙倍數據率同步動態隨機存取存儲器(Double-Data-RateThreeSynchronousDynamicRandomAccessMemory,DDR3SDRAM)，根據DDR3SDRAM的規格標準(JEDEC標準JESD79-3E)，所述突發格式的長度為16個字節(byte)，而動態隨機存取存儲器104具備16根數據管腳(datapins)，即該數據總線的寬度為16位(bit)，因此可同時并行存取16位(即2個字節)的暫態數據。[0046]動態隨機存取存儲器104的暫態數據一般有以下來源:[0047]?使用者數據(userdata)，如，由主機108要求儲存至該快閃存儲器102的數據，在寫入快閃存儲器102之前需要暫存在該動態隨機存取存儲器104，待控制器106作運算后方搬移到該快閃存儲器102，一般數據量較大；[0048]?控制器運算數據(controllerdata),如，控制器106對該快閃存儲器102作讀寫時所作運算所產生的暫態數據(如，控制器106對快閃存儲器102作有效數據收集(garbagecollection)、存儲地址運算…等而產生的暫態數據)，數據量一般低于上述使用者數據；以及[0049]?映射表數據(temporarydataforthemappingtable),如，快閃存儲器102與主機108端之間的邏輯-物理位址映射數據，數據量一般更低于上述控制器運算數據。[0050]根據暫態數據的屬性不同，控制器106具體地可選擇適當的方式將暫態數據以考量數據校驗的方式儲存至動態隨機存取存儲器104。[0051]如圖1所示，控制器106是以格式User_Data將使用者數據以及其錯誤校驗內容暫存至動態隨機存取存儲器104。在一實施例中，主機108存取使用者數據是以區段(sector)為單位，一個區段舉例而言包括512字節的數據。在本發明一實施例中，快閃存儲器102以128字節為一個區塊(block)存儲使用者數據，因此主機108—次存取的使用者數據包括至少4個區塊，而I個區塊的使用者數據需通過8個突發格式傳輸。如圖1所示，使用者數據以多個突發格式(bursts)Data_Burst1、Data_Burst2...Data_Burst8搭配一突發格式的錯誤校驗內容Parity_Burst暫存至該動態隨機存取存儲器104。以16根數據管腳(datapins)的動態隨機存取存儲器為例，一個突發格式可傳送16字節的數據。以32根數據管腳的動態隨機存取存儲器為例，一個突發格式可傳送32字節的數據。控制器106還針對所述多個突發格式的使用者數據Data_Burstl、Data_Burst2...Data_Burst8中的每一個分別運算產生一錯誤校驗字，各個錯誤校驗字組成所述一個突發格式的錯誤校驗內容Parity_Burst。并且于呈多個所述突發格式的使用者數據Data_Burstl、Data_Burst2...Data_Burst8暫存至動態隨機存取存儲器104之后，控制器106還將錯誤校驗內容呈另一個突發格式Parity_Burst暫存至動態隨機存取存儲器104。[0052]另外，控制器106是以格式MCU_Data將控制器運算數據以及其錯誤校驗內容暫存至動態隨機存取存儲器104。格式MCU_Data整體呈一個突發格式，其中包括半個突發格式的控制器運算數據Data_0.5Burst以及規劃來儲存錯誤校驗內容的半個突發格式的空間Parity_0.5Burst。于半個突發格式的空間Parity_0.5Burst的錯誤校驗內容為控制器106針對所述半個突發格式的控制器運算數據Data_0.5Burst運算產生。[0053]另外，控制器106是以格式Table_Data將映射表數據以及其錯誤校驗內容暫存至動態隨機存取存儲器104。格式Table_Data包括(N_l)位的映射表數據Data_Bits以及一錯誤校驗位Parity_Bit。錯誤校驗位Parity_Bit控制器106針對所述(N-1)位的映射表數據Data_Bits運算產生。[0054]根據以上設計，動態隨機存取存儲器104無須為數據校驗設計增設任何管腳。此夕卜，不同尺寸的暫態數據以及其錯誤校驗內容都可以妥善由該動態隨機存取存儲器104暫存。[0055]圖2以流程圖說明控制器106對動態隨機存取存儲器104所作的寫入操作。于步驟S202，控制器106作數據類型判斷，以對不同數據類型作不同操作。當然，本發明并不限制某種屬性的暫態數據一定使用某種數據校驗以及寫入方式，只是本發明下述的特定的屬性的暫態數據使用特定數據校驗以及寫入方式的實施例可以提高數據存取的效率。在本發明其它實施例中，步驟S202不是必要步驟，可以不管暫態數據的屬性而在步驟S204?S208的寫入方式，步驟S210?S212的寫入方式以及步驟S214?S216的寫入方式中擇一施行。換句話說，步驟S204?S208的寫入方式，步驟S210?S212的寫入方式以及步驟S214?S216的寫入方式可以是三個獨立的對動態隨機存取存儲器104進行寫入操作的實施方式。[0056]若為使用者數據，控制器106執行步驟S204，對上述多個突發格式的使用者數據Data_Burstl、Data_Burst2...Data_Burst8中的每一個分別產生一錯誤校驗字，并將各錯誤校驗字組成一錯誤校驗內容。控制器106執行步驟S206，將使用者數據呈多個突發格式Data_Burstl、Data_Burst2...Data_Burst8暫存至動態隨機存取存儲器104中。接下來控制器106還執行步驟S208,將該錯誤校驗內容以一個突發格式Parity_Burst暫存至動態隨機存取存儲器104。即是說控制器106是以突發格式將使用者數據Data_Burstl、Data_Burst2...Data_Burst8以及其錯誤校驗內容Parity_Burst暫存至動態隨機存取存儲器104。由于本實施例中，首先對各個突發格式的使用者數據分別進行運算產生各個錯誤校驗字，但在傳輸時須等待多個突發格式的使用者數據暫存完畢以后，再將各個錯誤校驗字湊成一個突發格式的錯誤校驗內容再暫存至動態隨機存取存儲器104，因此需要將運算產生的各個錯誤校驗字先暫存于控制器106內的寄存器(register)中。但本發明并不限制步驟S204與S206的發生先后順序。[0057]若為控制器運算數據，控制器106執行步驟S210，對半個突發格式的控制器運算數據DataJ).5Burst產生錯誤校驗內容；接下來控制器106執行步驟S212，將上述半個突發格式的控制器運算數據Data_0.5Burst與所對應產生的錯誤校驗內容呈一個突發格式(Data_0.5Burst聯合ParityJ).5Burst)暫存至動態隨機存取存儲器104。控制器106是以格式MCU_Data將控制器運算數據Data_0.5Burst以及其錯誤校驗內容Parity_0.5Burst暫存至動態隨機存取存儲器104。[0058]若為映射表數據，控制器106執行步驟S214，對(N_l)位的映射表數據Data_Bits產生一錯誤校驗位Parity_Bit;接下來，控制器106執行步驟S216，將上述(N-1)位的映射表數據Data_Bits與該錯誤校驗位Parity_Bit暫存至動態隨機存取存儲器104。控制器106是以格式Table_Data將映射表數據Data_Bits以及其錯誤校驗內容Parity_Bit暫存至動態隨機存取存儲器104。[0059]圖3A更詳細說明使用者數據專屬格式User_Data的一種實施方式。此實施例中，一個突發格式的長度是16字節，且主機108要求寫入快閃存儲器102的一個區塊的使用者數據包括128字節。動態隨機存取存儲器104寫入操作時，則一個區塊的使用者數據是以八個突發格式Data_Burstl、Data_Burst2…Data_Burst8循序寫入動態隨機存取存儲器104,相應的一個突發格式的錯誤校驗內容Parity_Burst最后寫入。錯誤校驗內容Parity_Burst由八個錯誤校驗字Pl~P8組成，其分別對應八個突發格式Data_Burstl、Data_Burst2…Data_Burst8的使用者數據，其中錯誤校驗字Pl中的字節Pll由突發格式的使用者數據Data_Burstl的前面半個突發格式數據(例如前面8個字節的數據)產生，錯誤校驗字Pl中的字節P12由突發格式的使用者數據Data_Burstl的后面半個突發格式數據(例如后面8個字節的數據)產生。其中錯誤校驗字P2中的字節P21由突發格式的使用者數據Data_Burst2的前面半個突發格式數據(例如前面8個字節的數據)產生，錯誤校驗字P2中的字節P22由突發格式的使用者數據Data_Burst2的后面半個突發格式數據(例如后面8個字節的數據)產生。后續類推。[0060]圖3B更詳細說明控制器運算數據專屬格式MCU_Data的一種實施方式。此實施例中，一個突發格式的長度是16字節。由于控制器運算數據的數據量較的使用者數據通常小得多，可將每8個字節的控制器運算數據Data_0.5Burst及其錯誤校驗內容P由單一個突發格式暫存至動態隨機存取存儲器104。在一優選實施例中，半個突發格式的控制器運算數據Data_0.5Burst所對應生成的錯誤校驗內容P(如圖所示，占據一字節)規劃以半個突發格式的空間Parity_0.5Burst儲存，與該半個突發格式的控制器運算數據Data_0.5Burst占據單一個突發格式的空間。[0061]圖3C更詳細說明映射表數據專屬格式Table_Data的一種實施方式。此實施例令N為32,是對31位的映射表數據Data_Bits作異或(XOR)運算以產生一錯誤校驗位Parity_Bit。[0062]圖4以流程圖說明控制器106對動態隨機存取存儲器104所作的讀取操作。于步驟S402，控制器106作數據類型判斷，以對不同數據類型作不同操作。對應圖2的寫入操作的流程圖，本發明同樣也不限制某種屬性的暫態數據一定使用某種數據校驗以及讀取方式，暫態數據的數據校驗以及讀取方式與其寫入操作時所采取的數據校驗以及寫入方式對應，因此步驟S402也不是必要步驟，可以不管暫態數據的屬性而在步驟S404~S408的讀取方式，步驟S410~S412的讀取方式以及步驟S414~S416的讀取方式中擇一施行。換句話說，步驟S404~S408的讀取方式，步驟S410~S412的讀取方式以及步驟S414~S416的讀取方式可以是三個獨立的對動態隨機存取存儲器104進行讀取操作的實施方式。[0063]若為使用者數據，控制器106執行步驟S404，自該動態隨機存取存儲器104讀出一個突發格式的錯誤校驗內容Parity_Burst。接著，控制器106執行步驟S406，自動態隨機存取存儲器104讀取對應該個突發格式的錯誤校驗內容Parity_Burst的多個突發格式的使用者數據Data_Burstl、Data_Burst2...Data_Burst8。控制器106再執行步驟S408,使用該個突發格式的錯誤校驗內容Parity_Burst對上述多個突發格式的使用者數據Data_Burst1、Data_Burst2…Data_Burst8作錯誤校驗。[0064]若為控制器運算數據，控制器106執行步驟S410，以一個突發格式MCU_Data讀取暫存于動態隨機存取存儲器104的半個突發格式的控制器運算數據Data_0.5Burst與對應的錯誤校驗內容P(由半個突發格式的空間ParityJ).5Burst取出)。控制器106再執行步驟S412,對上述半個突發格式Data_0.5Burst的控制器運算數據作錯誤校驗。[0065]若為映射表數據，控制器106執行步驟S414，讀取暫存于動態隨機存取存儲器104的映射表數據及其錯誤校驗位Parity_Bit，一共N位的數據。控制器106執行步驟S416，以其中的錯誤校驗位Parity_Bit對自其中的(N-1)位的映射表數據Data_Bits作錯誤校驗。[0066]圖5A更詳細說明使用者數據專屬格式User_Data的錯誤校驗。動態隨機存取存儲器104讀取操作時,較先讀出的是一個突發格式的錯誤校驗內容Parity_Burst,后續讀出的循序是八個突發格式的使用者數據Data_Burstl、Data_Burst2...Data_Burst8。錯誤校驗內容Parity_Burst由八個錯誤校驗字Pl~P8組成,其分別對應八個突發格式Data_Burstl>Data_Burs12...Data_Burs18的使用者數據，其中錯誤校驗字Pl中的字節Pll用來對使用者數據Data_Burstl的前面半個突發格式數據(例如前面8個字節的數據)作錯誤校驗，以獲得校驗后的使用者數據。錯誤校驗字Pl中字節P12用來對使用者數據Data_Burstl的后面半個突發格式數據(例如前面8個字節的數據)作錯誤校驗，以獲得校驗后的使用者數據。其中錯誤校驗字P2中的字節P21用來對使用者數據Data_Burst2的前面半個突發格式數據作錯誤校驗，以獲得校驗后的使用者數據。錯誤校驗字P2中的字節P22用來對使用者數據Data_Burst2的后面半個突發格式數據作錯誤校驗，以獲得校驗后的使用者數據。后續類推。[0067]圖5B更詳細說明控制器運算數據專屬格式MCU_Data的錯誤校驗。半個突發格式的控制器運算數據Data_0.5Burst是由半個突發格式的空間Parity_0.5Burst儲存的錯誤校驗內容P作錯誤校驗，以獲得校驗后的控制器運算數據Data_Checked。[0068]圖5C更詳細說明映射表數據專屬格式Table_Data的錯誤校驗。此實施例令N為32,是對31位的映射表數據Data_Bits與錯誤校驗位Parity_Bit作異或(XOR)運算，以獲得一指標顯示目前31位的映射表數據Data_Bits是否正確。[0069]數據儲存裝置100中的非易失性存儲器與易失性存儲器不限定以快閃存儲器102以及動態隨機存取存儲器104實現。此外，所揭示的易失性存儲器數據校驗技術不限定應用于數據儲存裝置。任何電子裝置只要安裝有易失性存儲器都可使用所揭示的數據校驗技術。[0070]總之，凡是以格式User_Data以和/或格式MCU_Data以和/或格式Table_Data達到數據校驗的易失性存儲器操作，皆屬于本發明所意圖保護的范圍。[0071]一種實施方式是根據暫態數據的尺寸決定該以何種格式達成易失性存儲器的數據校驗。數據尺寸大于一第一數據量的第一型數據可以上述格式User_Data實現易失性存儲器的數據校驗。數據尺寸不超過該第一數據量但高于一第二數據量的第二型數據可以上述格式MCU_Data實現易失性存儲器的數據校驗。數據尺寸不高于該第二數據量的第三型數據可以上述格式Table_Data實現易失性存儲器的數據校驗。[0072]雖然本發明已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發明，本領域的技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍的前提下，可做些許更動與潤飾，因此本發明的保護范圍是以本發明的權利要求為準。【權利要求】1.一種數據儲存裝置，包括:一非易失性存儲器；一易失性存儲器；以及一控制器，根據一主機的要求操作該非易失性存儲器，且以該易失性存儲器暫存與該非易失性存儲器相關的暫態數據，其中，該控制器對上述暫態數據產生錯誤校驗內容，并且將所產生的錯誤校驗內容與對應的暫態數據呈至少一突發格式暫存至該易失性存儲器。2.如權利要求1所述的數據儲存裝置，其中該控制器經由一數據總線耦接該易失性存儲器，所述突發格式的長度是該數據總線的寬度的M倍，其中M大于或等于2。3.如權利要求1所述的數據儲存裝置，其中所述突發格式的長度為16個字節，該數據總線的寬度為16位。4.如權利要求1所述的數據儲存裝置，其中該暫態數據是該主機要求寫入該非易失性存儲器的使用者數據，其中:該控制器將所述使用者數據呈多個所述突發格式暫存至該易失性存儲器中，該控制器還針對上述每個呈所述突發格式暫存的使用者數據分別產生一錯誤校驗字，并將各錯誤校驗字組成所述錯誤校驗內容，并且于所述使用者數據呈多個所述突發格式暫存至該易失性存儲器中之后，該控制器還將所述錯誤校驗內容呈另一個突發格式暫存至該易失性存儲器。5.如權利要求1所述的數據儲存裝置，該暫態數據是該主機操作該非易失性存儲器的控制器運算數據，其中:該控制器將所述控制器運算數據呈半個所述突發格式暫存至該易失性存儲器中，該控制器還對上述控制器運算數據產生所述錯誤校驗內容，將上述控制器運算數據與所述錯誤校驗內容呈一個突發格式暫存至該易失性存儲器。6.如權利要求1所述的數據儲存裝置，其中:該控制器還對(N-1)位的映射表數據產生一錯誤校驗位，并將上述(N-1)位的映射表數據與該錯誤校驗位暫存至該易失性存儲器。7.一種數據儲存裝置的易失性存儲器的數據校驗方法，其中該數據儲存裝置包括一非易失性存儲器以及一易失性存儲器，該方法包括:對與該非易失性存儲器相關的暫態數據產生錯誤校驗內容；以及將上述暫態數據以及對應的錯誤校驗內容呈至少一突發格式暫存至該易失性存儲器中。8.如權利要求7所述的數據校驗方法，其中所述突發格式的長度是該易失性存儲器的總線寬度的M倍，其中M大于或等于2。9.如權利要求7所述的數據校驗方法，其中該暫態數據是一主機要求寫入該非易失性存儲器的使用者數據，該方法還包括:針對呈多個所述突發格式的使用者數據中的每一個分別產生一錯誤校驗字，并將所產生的錯誤校驗字組成所述錯誤校驗內容；將呈多個所述突發格式的使用者數據暫存至該易失性存儲器中；以及將所述錯誤校驗內容呈另一個突發格式暫存至該易失性存儲器。10.如權利要求7所述的數據校驗方法，其中該暫態數據是一主機操作該非易失性存儲器的控制器運算數據，該方法還包括:對半個突發格式的控制器運算數據產生所述錯誤校驗內容；以及將上述半個突發格式的控制器運算數據與所述錯誤校驗內容呈一個突發格式暫存至該易失性存儲器。11.如權利要求7所述的數據校驗方法，還包括:對(N-1)位的映射表數據產生一錯誤校驗位；以及將上述(N-1)位的映射表數據與該錯誤校驗位暫存至該易失性存儲器。12.—種易失性存儲器的數據校驗方法，包括:對數據尺寸大于一第一數據量的第一型數據，產生錯誤校驗內容；將所述第一型數據呈多個突發格式寫入該易失性存儲器；以及將所產生的所述錯誤校驗內容呈另一個突發格式寫入至該易失性存儲器。13.如權利要求12所述的數據校驗方法，還包括:關于數據尺寸不超過該第一數據量但高于一第二數據量的第二型數據，取半個突發格式的所述第二型數據產生錯誤校驗內容；以及將呈半個突發格式的所述第二型數據與所對應產生的錯誤校驗內容呈一個突發格式寫入該易失性存儲器。14.如權利要求12所述的數據校驗方法，還包括:`關于數據尺寸不高于一第二數據量的第三型數據，取(N-1)位產生一錯誤校驗位；以及將該錯誤校驗位與所對應的(N-1)位的第三型數據寫入該易失性存儲器。【文檔編號】G06F11/10GK103744744SQ201410046036【公開日】2014年4月23日申請日期:2014年2月8日優先權日:2014年2月8日【發明者】馮雷申請人:威盛電子股份有限公司