專利名稱：控制系統及其數據和程序的存儲方法
技術領域：
本發明涉及電子設備控制系統，特別涉及控制系統及其數據和程序的存儲方法。
背景技術：
目前為了提高芯片的性價比，大多數新開發的單片機芯片都大大壓縮了內部的程序ROM，這就導致需要外掛的存儲器來存放電子設備控制系統的數據和程序。相對于芯片開發商來說，芯片的成本降低了，但電子設備的整機開發成本是沒有變化的，因為芯片取消了存放程序的內部ROM，則電子設備控制系統的程序就存放在外掛的FLASH存儲器中，由于FLASH存儲器掉電后，它內部存儲的控制系統的數據易丟失，所以控制系統的初始化數據則存放在外掛的EEPROM中。這樣，對于電子設備生產而言，生產線在燒寫FLASH存儲器的同時，還要燒寫EEPROM芯片，增加了生產、貼裝芯片過程的繁瑣。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是，針對目前控制系統的數據和程序存儲過程繁瑣的問題，提供一種控制系統及其數據和程序的存儲方法。
本發明解決所述技術問題采用的技術方案是，控制系統，包括控制芯片，外掛的FLASH存儲器，控制芯片與FLASH存儲器相連，其特征是，控制系統的數據和程序分別存儲在FLASH存儲器的數據扇區和程序扇區。
控制系統的數據和程序的存儲方法，包括下列步驟；a、將控制系統的數據和程序寫入FLASH存儲器，數據和程序存儲在不同的扇區；b、控制芯片通過激活FLASH存儲器的讀/寫寄存器來分別控制對FLASH存儲器的讀/寫操作。
本發明的有益效果是，突破了在以往電子設備的系統設計中，需要將控制系統的數據存儲在EPROM中，控制系統的程序存儲在FLASH存儲器中的思路，而直接將控制系統的數據和程序同時存儲在FLASH存儲器中，簡化了電子設備的系統設計、生產和調試流程；對電子設備的系統設計方案的改動較小，解決方案簡單易行、實施可靠、具有較高的性價比。
以下結合具體實施方式
和附圖，對本發明作進一步說明。
圖1是實施例的示意圖。
具體實施例方式
本發明的控制系統運用在電子設備的系統設計中，包括控制芯片和外掛的FLASH存儲器，控制芯片與FLASH存儲器相連，控制系統的數據和程序分別存儲在FLASH存儲器的數據扇區和程序扇區。具體地講，控制芯片通過串行數據輸入端，串行數據輸出端，串行時鐘信號端，芯片始能控制端，寫保護狀態設置端與FLASH存儲器相連。這樣，對電子設備的系統設計而言，就只需要燒寫FLASH存儲器及貼裝芯片，減少了燒寫EEPROM及貼裝芯片的過程。同時，電路上也省去了對EEPROM芯片保留供電的電路，只需對FLASH存儲器供電即可。本發明簡化了電子設備的設計和生產。
本發明的控制系統程序及數據的存儲方法包括下列步驟a、將控制系統的數據及程序寫入FLASH存儲器，數據和程序存儲在不同的扇區，控制系統的數據寫入FLASH存儲器的底層扇區，控制系統的程序寫入FLASH存儲器的底層扇區以上的扇區；b、控制芯片通過激活FLASH存儲器的讀/寫寄存器來分別控制對FLASH存儲器的讀/寫操作上電后，控制芯片將FLASH存儲器存放數據的扇區置為寫保護模式，并激活FLASH存儲器存放數據的扇區的讀控制寄存器；掉電前，控制芯片取消對FLASH存儲器的寫保護模式，并激活FLASH存儲器存放數據的扇區的寫控制寄存器，將FLASH存儲器中的相關數據寫入存放數據的扇區。
本發明將控制系統的數據和程序同時存放在FLASH存儲器中，在生產過程中，只需對FLASH存儲器進行預先寫數據和程序，簡化了電子設備的調試過程。
實施例本實例中，控制系統的控制芯片的型號為MST718，FLASH存儲器的芯片型號為Pm25lv040。MST718通過串行數據輸入端(SI)，串行數據輸出端(SO)，串行時鐘信號端(SCK)，芯片始能控制端(CE)，寫保護狀態設置端(WP)與Pm25lv040相連，如圖1所示Pm25lv040一共有512K×8BIT的存儲空間，分為8個塊(BLOCK)，每個塊又分為64個扇區組，每個扇區組由16個鄰近扇區(Sector)組成，參見下表
上表中，Memory Density表示存儲空間；Block No.表示塊編號；Block Size表示塊的大小，單位為Kbytes；Sector No.表示塊編號；Sector Size表示塊的大小，單位為Kbytes；Address Range表示每個扇區對應的地址范圍。
本實施例中，將控制系統的初始化數據寫入Pm25lv04的4K byte的Sector0中(即把Pm25lv04的Sector0當作EEPROM使用)，控制系統的程序從Block0的Sector1開始寫入；將Pm25lv040的Sector0配置為保護狀態，則所有芯片對Pm25lv040的Sector0的全部讀寫操作都無效。
開機上電后，MST718激活Pm25lv040內部的讀/寫寄存器，以實現對Pm25lv040的讀寫操作。MST718將Pm25lv040的Sector0設置為寫保護模式，激活Sector0的讀寄存器，允許MST718通過總線讀取Pm25lv040的Sector0相關數據；關機掉電前，MST718取消寫保護模式，激活禁止讀始能，即激活Sector0的寫寄存器，將系統運行后保存在Pm25lv040中的相關數據寫入Sector0中。這種對Pm25lv040的讀/寫操作與RAM和ROM完全一樣。
再次開機時，Pm25lv040的Sector0缺省狀態為寫保護模式，寫保護寄存器相當穩定，程序如不使用狀態寄存器寫(WRSR)指令改變它的值，對Pm25lv040的Sector0內的數據將無法進行數據擦除和寫入。
擦除程序時，如果數據有必要存儲，可將Pm25lv040的Sector0的設置為寫保護狀態，避免擦除；如果認為沒必要存儲，則取消寫保護狀態，全部擦除。在寫程序時，同時將數據一次性寫入。寫入操作類似于擦除操作，只是往目標地址中寫入的是實際值。
權利要求
1.控制系統，包括控制芯片，外掛的FLASH存儲器，控制芯片與FLASH存儲器相連，其特征是，控制系統的數據和程序分別存儲在FLASH存儲器的數據扇區和程序扇區。
2.如權利要求1所述的控制系統，其特征是，所述控制芯片通過串行數據輸入端，串行數據輸出端，串行時鐘信號端，芯片始能控制端，寫保護狀態設置端與FLASH存儲器相連。
3.控制系統的數據和程序的存儲方法，其特征是，包括下列步驟；a、將控制系統的數據及程序寫入FLASH存儲器，數據和程序存儲在不同的扇區；b、控制芯片通過激活FLASH存儲器的讀/寫寄存器來分別控制對FLASH存儲器的讀/寫操作。
4.如權利要求3所述的控制系統的數據和程序的存儲方法，其特征是，所述步驟a中，控制系統的數據寫入FLASH存儲器的底層扇區，控制系統的程序寫入FLASH存儲器的底層扇區以上的扇區。
5.如權利要求3或4所述的控制系統的數據和程序的存儲方法，其特征是，所述步驟b包括b1、上電后，控制芯片激活FLASH存儲器存放數據的扇區的讀控制寄存器；b2、掉電前，控制芯片激活FLASH存儲器存放數據的扇區的寫控制寄存器；將FLASH存儲器中的相關數據寫入存放數據的扇區。
全文摘要
本發明涉及電子設備控制系統，特別涉及控制系統及其數據和程序的存儲方法。本發明針對目前控制系統的數據和程序存儲過程繁瑣的問題，公開了一種控制系統及其數據和程序的存儲方法。本發明的控制系統，包括控制芯片，外掛的FLASH存儲器，控制芯片與FLASH存儲器相連，控制系統的數據和程序分別存儲在FLASH存儲器的不同扇區。本發明還公開了控制系統的數據和程序的存儲方法，包括下列步驟a.將控制系統的數據及程序寫入FLASH存儲器，數據和程序存儲在不同的扇區；b.控制芯片通過激活FLASH存儲器的讀/寫寄存器來實現讀/寫操作。本發明的有益效果是，簡化了電子設備的系統設計、生產和調試流程。
文檔編號G06F12/02GK101079005SQ200710201119
公開日2007年11月28日 申請日期2007年7月18日 優先權日2007年7月18日
發明者梁敏 申請人:四川長虹電器股份有限公司