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低反射高透射觸板膜的制作方法

文檔(dang)序(xu)號:6474800閱讀:353來(lai)源(yuan):國知局(ju)
專利名稱:低反射高透射觸板膜的制作方法
此處公開的是低反射、柔性、透明、疊片電極及制造和使用這種電極的方法,例如,作為觸板膜開關的柔性電極元件。
觸板安裝在顯示器的前面,因此兩電極都必須是光學上能透射的。按一般規則,透射越高越好。這常常通過制造已用透明導電材料覆蓋的塑料或玻璃基底電極來實現。柔性電極是也已用透明導電材料覆蓋的柔性塑料薄片。這兩導電層面對面放置。在手指或筆尖壓力下,柔性電極在點之間向下彎曲,并與基底電極形成電接觸。
顯示器中每個空氣/表面的界面產生反射。這些反射使得來自于顯示器的圖象降級。觸板膜具有兩個表面/空氣的界面。面向觀察者的界面稱作觸板的“前”表面。在柔性薄片“背面”的導電表面界面面向空氣縫隙。此后,這兩個面稱作“前”和“背”面。環境光和來自于顯示器的光在這兩個界面都發生反射。來自于顯示器的光反射遠離觀察者,而環境光反射到觀察者。這些反射的發生相結合導致改變顯示器顏色,減小了亮度,降低了對比度。這是顯示器特性的一種退化。
觸板膜是基于柔性塑料薄片的一種復合構造。與基底電極形成接觸的薄片的背面必須導電的。使用透明無機材料,或最近使用聚合物材料的薄層來提供導電性。
薄片的前面通常使用硬塑料層覆蓋來承受手指或筆尖的持續接觸。在產業中這些是所謂的‘硬涂層’。為了增加持久性,襯底的前后面可以用硬涂層覆蓋。
發明概述本發明提供作為觸板膜電極的低反射、透明疊片。這里本發明的一個方面是提供在可見光區域既是低反射又是高透射的觸板膜電極。通過降低從柔性電極的一個或兩個表面反射的光,顯示器的視圖基本上得到改善。此外,疊片可以用于基底電極,例如,層疊在玻璃CRT顯示屏上。這降低了從基底電極與空氣縫隙相遇位置的反射。
本發明通過改性膜的前和/或后面,使用薄膜減反射層,恢復了顯示器的顏色、亮度和對比度。為了得到最好的結果,薄膜的兩個面都可以具有減反射層,并且基底電極也可以具有減反射層。除了使用減反射薄層之外,可以在物理上改變硬涂層本身來散射一些環境光,更進一步降低觀察者看到的反射。
在本發明的一個方面之中,提供一種適合用作減反射膜電極的柔性透明疊片。這種疊片優先制造成連續薄板(web),包括(a)柔性塑料襯底薄片,(b)在襯底薄片一面上的外部導電層,及(c)在襯底薄片至少一面上的至少一對氧化物層的減反射疊層。可以提供連續薄板的卷筒。
本發明可以用三種不同的方法實施。在每個實施例中,觸板膜具有作為襯底的塑料薄膜薄片。該塑料薄膜是透光的,在400-750nm的可見光區域,至少為60%,更優選地至少為80%的透射或更高,更優選地是在460-700nm的可見光區域至少有90%的透射。塑料薄膜可以在一面或兩面用抗劃痕的層覆蓋。該層可以具有光滑的表面或形成織構來提供減眩目的特性。硬層可以包括單一材料或不同材料的層。每一種材料可以是有機或無機的,均勻的或包括微粒的。
本發明的第一實施例包括在膜前面上的減反射薄膜疊層。該層疊層涂制于前表面,如果有硬層則位于硬層的頂部。減反射薄膜疊層可以包括1~10或更多的層。多層之一或更多可以是電學上導電的,例如降低靜電荷。多層可以用真空工藝或從氣體或液體淀積。減反射薄膜疊層在400~700nm之間將反射平均降低到2%或更低。減反射薄膜疊層的頂層可以是低表面能的抗指印的材料。該薄膜的背面只具有透明導電涂層。該層可以具有一層或更多的層。
本發明的第二實施例包括薄片背面上的減反射薄膜疊層。該層疊層涂制于背面,位于硬層的頂部,但位于導電層的下方。減反射薄膜疊層包括1到10或更多的層。多層之一或更多可以是導電的。這些層可以用真空工藝或從氣體或液體淀積。減反射薄膜疊層在400~700nm之間將導電層的反射平均降低到5%或更低。該薄膜的前面只具有一硬層。
這種結構也可以用于觸板或筆輸入裝置的基底電極。該薄膜可以疊層到具有導電層的面向空氣縫隙的堅硬透明襯底。使減反射薄膜疊層位于基底電極之下來進一步改善顯示器的視圖。
本發明的第三實施例包括薄片前面和背面的減反射薄膜疊層。一疊層涂制于前面,如果有硬層則位于硬層的頂部。第二層疊層涂制于背面,位于任一硬層的頂部,但位于導電層的下方。減反射薄膜疊層包括1~10或更多的層。多層之一或更多可以是導電的。這些層可以用真空工藝或從氣體或液體淀積。位于前面的減反射薄膜疊層在400到700nm之間將反射平均降低到2%或更低。減反射薄膜疊層的頂層可以是低表面能的抗指印材料。在背面,減反射薄膜疊層在400到700nm之間將導電層的反射平均降低到5%或更低。
本發明也提供在具有膜電極表面的顯示屏幕的表面上用壓力激活輸入數據的裝置的改善。這種改善是基于電極組件中減反射導電薄片的使用產生的。
附圖簡述

圖1A,2A,3A,4A,5A,6A,7A,和8A是說明具有本發明的減反射特性的疊片電極的示意圖。
圖1B和8B是說明現有技術的疊片電極的示意圖。
圖1C,2B,3B,4B,5B,6B,7B,8C和9是說明透明疊片電極的光譜特性,例如可見光的反射和透射的曲線。
優選實施例詳述如此處所用的“可見光”是指電磁光譜在400-700nm的范圍。
如此處所用術語“疊片”是指多層的薄片,其中材料的不同層用多種不同的方法涂制,例如真空淀積,溶液薄膜等。例如,如有機材料的層可以用于硬涂層,疊片的低表面能和導電聚合物層的通常涂制為溶液涂層的濕膜。如果無機材料的多層,如氧化物和氮化物可以用于疊片的預涂層、初始層、無機氧化物導體和減反射疊層通常是用真空淀積涂制。
本發明提供用作柔性膜電極,如觸板或筆交互式屏幕的低反射透明疊片。在本發明的一個方面中,這種疊片電極是減小光反射和增強光透射的柔性觸板膜。在柔性觸板膜的所有實施例中,本發明的物理襯底是透明柔性的塑料薄片。這種塑料薄片襯底通常是聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET),并且厚度約為.007″。只要能提供所需要的物理性能,即好的光透射和足夠的柔性,其它的塑料材料可以取代。要求的柔性依賴于板的設計和應用,并且由板設計者指定。
因為塑料薄片襯底相對比較柔軟,通常通過增加硬涂層來增加襯底的表面硬度。硬涂層是將高硬度的涂層涂制到塑料薄片襯底上。該層的厚度必須足夠提供所需的劃痕阻力,但不會太厚以至于在使用中卷曲或破裂。這種厚度通常在1~10微米。硬涂層材料可以是有機物,無機物或兩者的混合物。在一些情形下,總厚度可以由不同材料的幾個薄層組成。硬涂層是眾所周知的,并且是本領域中普通技術人員可以容易選擇的。
硬涂層的表面通常是光滑的。可以有意使硬涂層的表面粗糙來降低遠離表面的鏡面反射。但是,當表面粗糙后鏡面透射也減小。這些‘減眩目’的硬涂層可以包括微粒或可以圖案化來產生所期望的表面。通常,可以使用任何與本發明材料兼容的透明硬涂層。硬涂層可以涂制到塑料薄片的前面或背面。也可以涂制到塑料薄片的兩面。在一些應用中,可完全不需要硬涂層。
參照本發明疊片的第一實施例中的圖1A,用透明硬涂層2和薄膜減反射疊層3覆蓋塑料薄片襯底1的前面。疊片背面具有一透明導電層C。這種透明導電材料直接涂制到塑料薄片上或直接涂制到中間硬涂層2′上。導電層通常是透明導電的金屬氧化物,如氧化銦錫(ITO)、氧化銻錫(ATO)、氧化錫、氧化銦鋅等或導電聚合物。導電表面可以用金屬或氧化層來保護,例如用0.5~50nm的鈀、鉻、鋯、鋁或鈦,或0.5~10nm的氧化錫、氧化鈦、氧化鋯、氧化鉭或氧化硅制成。
通常,本發明的疊片可以與任何類型的導電和光學上透明的材料組合。將一種減反射薄膜的疊層3涂制到疊片電極的前面。薄膜疊層中層的數量和材料的類型依賴于降低反射的程度。薄膜可以是均勻的或分級的,可以是有機的或無機的;并且,它們可以用真空淀積或從氣體或液體涂制。有用的材料是氧化物和氮化物。在共同未決的申請序列號為09/085,844中公開了優選的減反射疊層。在國際申請WO06/31343和歐洲申請號為EP 0764857中也公開了減反射疊層,所有這些在此處引用作為參考。一種優選的減反射疊層包括氧化銦錫和和二氧化硅的交替層。疊層材料的其它結合在本領域中是眾所周知的。設計疊層的各層使得空氣/表面的界面產生減反射。所選擇的襯底硬涂層材料的光學指數不是關鍵的,因為通常可以設計減反射疊層使得減反射任一普通材料。依賴于基底材料和所期望反射的程度,減反射疊層將包括高、低和中等指數材料的大量薄層。對所有的應用,前表面的反射將降低到低于2%。對于大多數應用,所期望的反射低于1%。
減反射薄膜疊層可以用低表面能的材料覆蓋來提高前表面的方便清潔。該層結合在減反射薄膜疊層的設計中。在可見光譜的范圍,圖1C比較了如圖1A所示的本發明的疊片與圖1B所示的具有直接涂制到硬涂層2′上的導電層C的現有技術中的標準觸膜的反射和透射。透射率的增加使顯示更加明亮,從前表面反射的減小提高了對比度。
參照本發明第二實施例中的圖2A,柔性、透明襯底的前面用硬涂層2覆蓋,而背面具有硬涂層2′,薄膜減反射疊層3′和透明導電材料層C。在本發明的該第二實施例中,塑料薄片襯底的前面無減反射薄膜疊層。前面可以具有減小前面的一些反射的低表面能的層。
在電極的背面,將減反射薄膜疊層直接涂制到塑料薄片襯底上,但更優選地是在硬涂層上。設計疊層使得疊層中的外層(在空氣縫隙處)是透明導電涂層,例如ITO。此外,可以按以上討論的制作減反射疊層使從背面的反射降到最小。
用高折射率(約2.0)的透明導電材料作為導電層,可以在10~300nm的范圍。依賴于所期望的電導率,優選的光學設計將要求非常薄層的材料,例如約10~30nm。這是由于在導電層和空氣之間及導電層和塑料薄膜之間存在大的折射率失配。但是,導電層通常不是制作的這么薄來產生最低的反射。因為導電材料制作地比較薄時,表面的薄片電阻將增加。觸板電子元件要求特定的薄片電阻,而光學系統必須提供必要的導電材料的厚度。
具有高指數的材料面對空氣的結果是,從背面的反射通常沒有降到低于2%。當透明的導電材料直接淀積到塑料薄片襯底的背面時,就產生可觀的反射。因此,增加一薄膜減反射疊層極大地改善了光的透射。從背面的實際反射依賴于層的厚度和折射率。例如,在20nm的ITO導電層,其下面具有單一高折射率和單一低折射率的層,在400~700nm可以具有低于6%的平均反射。
該實施例作為觸板電極的任一電極,即作為柔性電極或作為粘附到CRT或其它顯示器的玻璃面上具有面向空氣縫隙的導電涂層的堅硬基底電極方面是有用的。當涂制到堅硬襯底上時,硬涂層可以使用,但是通常不需要。例如,疊片電極可以涂制到具有減反射疊層和面向空氣縫隙的導電表面的堅硬襯底上。導體/空氣的界面也是低反射和高透射的來提供顯示器已改善的視圖。為了得到最好的結果,至少在減反射疊層的一面其特征是連續、柔性的膜。
圖2B在可見光譜的范圍比較了如圖2A所述本發明的疊片與如圖1B所示的現有技術的柔性電極的反射和透射。透射率的增加使顯示更加明亮,從前表面反射的減小提高了對比度。
參照本發明第三實施例中的圖3A,如上所述,塑料薄片襯底1的兩面具有如上所述的硬涂層2和2′及減反射薄膜疊層3和3′。背面還具有導體層C。這是本發明的具有最高特性的優選實施例,其前表面的反射低于2%,優選小于1%。圖3B在可見光譜的范圍比較了如圖3A所示的本發明的疊片與圖1B所示的現有技術的柔性電極的反射和透射。透射率的增加使顯示更加明亮,從前表面反射的減小提高了對比度。
以下實例是為了說明而不是限定本發明的范圍。對這些實例的修改對本領域的技術人員是顯而易見的。
實例1背面(導電表面)減反射該實例說明如圖4A所示在襯底背面上具有多層的本發明疊片的部分制作。疊片的襯底1是透明的柔性PET薄片,具有0.18mm(7mil)的厚度,并在一面用厚度約為3~4微米(μm)的清晰硬涂層2覆蓋,而在另一面用厚度約為3~4μm的減眩目(粗糙表面)的硬涂層2′覆蓋。隨后的層在具有81厘米(32英寸)的圓筒和112×28cm(14×11英寸)的陰極的滾筒到滾筒的真空濺射涂鍍裝置中涂制。
預處理在以4.6米每分鐘(mpm)(每分鐘15英尺)通過的減眩目硬涂層上通過DC濺射從鈦靶淀積氧化鈦預處理層4′,淀積條件為功率1千瓦(KW)、總氣壓1.5毫乇(mTorr),在以175標準立方厘升每分鐘(sccm)提供的50∶50的氬/氧混合氣體中進行。
初始層在以4.6mpm通過的氧化鈦預處理層上通過雙磁控管濺射從摻硼硅靶淀積氧化硅初始層5′,淀積條件為功率12KW、總氣壓2.6mTorr,在以271sccm提供氬和以50sccm提供氧的氬/氧混合氣體中進行。
二氧化鈦層在以1.4mpm通過的氧化硅初始層上通過雙磁控管濺射從鈦靶淀積厚度為28nm的二氧化鈦減反射疊層組件層6′,淀積條件為功率40KW、總氣壓1.7mTorr,在以215sccm提供氬和以80sccm提供氧的氬/氧混合氣體中進行。
二氧化硅層在以1.4mpm通過的二氧化鈦層上通過雙磁控管濺射從摻硼硅靶淀積厚度為64nm的二氧化硅減反射疊層組件層7′,淀積條件為功率30KW、總氣壓3.0mTorr,在以270sccm提供氬和以170sccm提供氧的氬/氧混合氣體中進行。
氧化銦錫層在以2.3mpm通過的二氧化硅層上通過DC濺射從氧化銦錫靶淀積厚度為16nm的氧化銦錫外部導電層C(它也是減反射疊層的組成部分),淀積條件為功率6.3KW、總氣壓1.64mTorr,在以175sccm提供氬和以11sccm提供氧的氬/氧混合氣體中進行。導電涂層具有300~325歐姆/平方的電導率。
在襯底的導電涂層一側的疊片結構在550nm處具有91.73%的透射率,4.82%的反射率和3.45%的吸收。在可見光譜更寬范圍的透射和反射的數據示于圖4B中。疊片結構展現了好的附著、硬度和耐磨損性能。
實例2前面(使用者界面側)減反射該實例參照圖5說明在襯底前面(使用者界面)具有多層的本發明疊片的部分制作。疊片用實例1中所描述的硬涂層覆蓋的PET襯底來制備。用實例1中描述的真空濺射裝置在襯底的前側上構造氧化物的減反射疊層,該裝置用于所有的層但低表面能的含氟聚合物層從溶液涂敷。
預處理在以3.7mpm通過的清晰硬涂層上通過DC濺射從鈦靶淀積氧化鈦預處理層4,淀積條件為功率1千瓦(KW)、總氣壓1.5毫乇(mTorr),在以175sccm提供的50∶50的氬/氧混合氣體中進行。
初始層在以3.7mpm通過的氧化鈦預處理層上通過雙磁控管濺射從摻硼硅靶淀積氧化硅初始層5,淀積條件為功率12KW、總氣壓2.6mTorr,在以270sccm提供氬和以50sccm提供氧的氬/氧混合氣體中進行。
第一氧化銦錫層在以3.1mpm通過的氬化硅初始層上通過DC磁控管濺射從氧化銦錫靶淀積厚度為25nm的第一氧化銦錫減反射疊層組件層8,淀積條件為功率5.5KW、總氣壓1.4mTorr,在以175sccm提供氬和以13sccm提供氧的氬/氧混合氣體中進行。
第一二氧化硅層在以3.1mpm通過的第一氧化銦錫層上通過雙磁控管濺射從摻硼硅靶淀積厚度為25nm的第一二氧化硅減反射疊層組件層7,淀積條件為功率28KW、總氣壓3.0mTorr,在以270sccm提供氬和以170sccm提供氧的氬/氧混合氣體中進行。
第二氧化銦錫層在以0.9mpm通過的第一二氧化硅減反射疊層組件層上通過DC磁控管濺射從氧化銦錫靶淀積厚度為73nm的第二氧化銦錫減反射疊層組件層8,淀積條件為功率5.5KW、總氣壓1.4mTorr,在以175sccm提供氬和以13sccm提供氧的氬/氧混合氣體中進行。
第二二氧化硅層在以0.9mpm通過的第二氧化銦錫減反射疊層組件層上通過雙磁控管濺射從摻硼硅靶淀積厚度為94nm的第二二氧化硅減反射疊層組件層7,淀積條件為功率28KW、總氣壓3.0mTorr,在以270sccm提供氬和以170sccm提供氧的氬/氧混合氣體中進行。
低表面能層在第二二氧化硅減反射疊層組件層上從溶液淀積低表面能的含氟聚合物層9,并允許干燥的聚合物薄膜具有5~10nm的厚度,并具有低于40dynes/cm的表面能。
參照圖5A在該實例2中制備的疊片結構包括透明、柔性的厚度為0.18mm(7mils)的PET襯底1。在襯底的前面具有清晰硬涂層2、氧化硅初始層5、包括厚度為25nm的第一氧化銦錫層7,厚度為25nm的第一二氧化硅層6、厚度為73nm的第二氧化銦錫層7、厚度為94nm的第二二氧化硅層6的減反射疊層和低表面能層8。在襯底背面有減眩目的硬涂層2′和導電層C。圖5B示出對可見光的透射率和反射率的數據。疊片結構展現了好的附著、硬度和耐磨損性能。
實例3兩面(使用者界面側)減反射該實例說明在柔性襯底的前面(使用者界面)和背面(觀察者界面)上具有減反射層的本發明疊片的制作。疊片用實例1所描述的硬涂層覆蓋的PET襯底來制備。按實例1所述在襯底的背面構建氧化物層的減反射疊層,按實例2所描在襯底的前面構建氧化物層的減反射疊層。
參照圖6示出本發明的疊片,該疊片在PET襯底1的背面具有硬涂層2′,氧化鈦預涂層4′,氧化硅初始層5′,包括厚度為28nm的二氧化鈦膜6′,厚度為64nm的二氧化硅層7′和也作為電極表面的厚度為16nm的氧化銦錫層C的薄膜減反射疊層。在PET襯底的前面具有硬涂層2,氧化鈦預涂層4,氧化硅初始層5,包括厚度為25nm的第一氧化銦錫層,厚度為25nm的第一二氧化硅層、厚度為73nm的第二氧化銦錫層和厚度為94nm的第二二氧化硅層的減反射疊層,及厚度為5~10nm的含氟聚合物的低表面能層。前側的光學性能表明疊片在550nm處具有95.85%的透射,0.78%的反射和3.37%的吸收。疊片的前面和背面的透射和反射特性基本上是相同的。圖6B示出從疊片的前面記錄的可見光的透射和反射數據。疊片結構展現了好的附著、硬度和耐磨損性能。
實例4該實例說明可用于本發明疊片的減反射疊層的可替換制作,例如,在柔性襯底的前面(使用者界面)。在實例1中制備的疊片用于使用實例1中描述的真空濺射裝置在前面構建氧化層的減反射疊層。如實例1中所述,PET襯底1的背面具有硬涂層2′,氧化鈦預涂層4′,氧化硅初始層5′,二氧化鈦層6′,二氧化硅層7′和氧化銦錫層導體層C。
預處理在以0.9mpm通過的清晰硬涂層上通過DC磁控管濺射從鈦靶淀積氧化鈦預處理層4,淀積條件為功率0.8千瓦(KW)、總氣壓1.5毫乇(mTorr),在50∶50的氬/氧混合氣體中進行。
中間層在以0.9mpm通過的氧化鈦預處理層上通過雙磁控管濺射從鋁靶淀積氧化鋁中間層10,淀積條件為功率30KW、總氣壓3.0mTorr,在以270sccm提供氬和以150sccm提供氧的氬/氧混合氣體中進行。
氧化銦錫層在以0.9mpm通過的氧化鋁初始層上通過DC磁控管濺射從氧化銦錫靶淀積氧化銦錫減反射疊層組件層8,淀積條件為功率5.5KW、總氣壓1.4mTorr,在以175sccm提供氬和以13sccm提供氧的氬/氧混合氣體中進行。
三氧化硅層在以0.9mpm通過的氧化銦錫層上通過雙磁控管濺射從摻硼硅靶淀積二氧化硅減反射疊層組件層7,淀積條件為功率30KW、總氣壓3.0mTorr,在以270sccm提供氬和以170sccm提供氧的氬/氧混合氣體中進行。
低表面能層在第二二氧化硅減反射疊層組件層上從溶液淀積低表面能的含氟聚合物層9,并允許干燥聚合物薄膜具有5~10nm的厚度,并具有低于40dynes/cm的表面能。
圖7B繪制出了疊片的光學性能,即可見光的透射率和反射率。
實例5該實例說明用實例1描述的真空濺射裝置制備的現有技術的透明疊片電極。
A.如圖8A所示,柔性、透明、減反射電極包括PET襯底1,該襯底具有包括厚度為28nm的二氧化鈦層6′和厚度為64nm的二氧化硅層7′的一對減反射層和具有約300歐姆每平方的導電率的氧化銦錫導電層C。該疊片的前面的光學性能在550nm處約具有92.33%的透射率,5.16%的反射率和2.51%的吸收。
B.如圖8B所示,現有技術的柔性、透明電極包括在以4mpm通過的PET襯底1的一個面上淀積的電導率約為300歐姆每平方的氧化銦錫層C,該層通過DC磁控管濺射從氧化銦錫靶淀積,淀積條件為功率0.5KW、總氣壓1.5mTorr,在以175sccm提供氬和以9sccm提供氧的氬/氧混合氣體中進行。這種疊片結構的前面的光學性能在550nm處約具有84.75%的透射率,13.55%的反射率和1.7%的吸收。
圖8C示出在更寬的可見光譜范圍該實例5的疊片的透射率和反射率值。
實例6該實例說明從實例4中制備的疊片的一個面的反射率的測量。疊片的氧化銦錫導體表面是粗糙的,并且涂制成黑色。在前面和背面測量的疊片的反射率繪制在圖9中。
提出在前描述的描述目的是為了描述本發明的不同(不是全部)方面和向本領域的技術人員講述如何制作和使用本發明公開的實施例和明顯修改及改進的實施例,這些對本領域的技術人員是顯而易見的。因此,前述內容只是看作范例,而本發明的全部范圍和廣度從以下的權利要求中得到確定。
權利要求
1.一種低反射透明電極,包括(a)柔性塑料襯底薄片,(b)在所述薄片一個面上的外部導電層,及(c)在所述薄片的至少一個面上的至少一對不同折射率材料的層的減反射疊層。
2.根據權利要求1的電極,其中所述外部導電層包括導電金屬氧化物或導電聚合物。
3.根據權利要求2的電極,其中所述外部導電層包括氧化銦錫。
4.根據權利要求1的電極,在所述薄片具有外部導電層的一面上具有減反射疊層,其中該疊層位于所述薄片和外部導電層之間。
5.根據權利要求1的電極,在所述薄片與外部導電層相對的一面上具有減反射疊層。
6.根據權利要求1的電極,在所述薄片的兩面上具有減反射疊層。
7.根據權利要求6的電極,其中所述外部導電層包括導電金屬氧化物或導電聚合物。
8.根據權利要求7的電極,其中所述外部導電層包括氧化銦錫。
9.根據權利要求1的電極,其中所述減反射疊層包括至少一對包括氧化硅層和氧化銦錫鄰近層的層。
10.一種包括根據權利要求1的疊片的低反射、柔性、透明、觸板電極,其中所述疊片在400~700nm的可見光范圍對可見光的反射不超過6%,對可見光的透射至少為80%。
11.根據權利要求10的電極,在460~700nm的可見光范圍對可見光的反射不超過2%,對可見光的透射至少為90%。
12.一種適合用作觸板顯示器的柔性膜電極的疊片,包括柔性的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄片襯底,在該襯底一面上具有包括氧化銦錫層的外部導電表面,并在該襯底兩面上具有包括至少一層二氧化硅層和至少一層氧化銦錫鄰近層的減反射疊層。
13.根據權利要求12的疊片,在與外部導電表面相對的一面上具有低表面能材料的外部層。
14.根據權利要求13的疊片,在所述薄片的至少一面上具有鄰近聚合物襯底的硬涂層。
15.根據權利要求14的疊片,在460~700nm的范圍對可見光具有至少90%的透射和對可見光低于2%的反射。
16.在具有膜電極的顯示屏幕表面上通過壓力激活輸入數據的裝置中,其中改善在于所述膜電極包括至少一個根據權利要求1的柔性透明電極。
17.一種人機對話式顯示器屏幕,具有粘附到堅硬玻璃屏幕表面的第一減反射、透明疊片電極,及相對的柔性、減反射、透明的第二電極,當所述第二電極彎曲與所述第一電極接觸時,該第二電極適合與所述第一電極相互作用,其中所述電極至少之一包括(a)柔性塑料襯底薄片,(b)在所述薄片一面上的外部導電層,及(c)在所述薄片的至少一個面上的至少一對不同折射率材料層的減反射疊層。
18.一種適合用作減反射膜電極的柔性透明疊片,其中所述疊片包括(a)柔性塑料襯底薄片,(b)在所述薄片至少一面上的外部導電層,及(c)在所述薄片的至少一個面上的至少一對氧化物層的減反射疊層。
19.根據權利要求18的疊片是連續薄板的卷筒形狀。
全文摘要
適合用作屏幕界面顯示器中觸板膜電極的低反射、柔性、透明疊片,它包括柔性塑料襯底薄片,在所述薄片一個面上的外部導電層,及在所述薄片的至少一個面上的至少一對氧化物層的減反射疊層。一種優選疊片包括柔性的聚對苯二甲酸乙二醇酯薄片襯底(1),該襯底在一面或兩面上具有硬涂層(2),在一面上具有氧化銦錫層的外部導電表面(C),并且在其一面或兩面具有氧化物層的減反射疊層(3),例如一層二氧化硅和一層氧化銦錫層的疊層。優選的疊片在460~700nm的整個范圍對可見光至少具有90%的透射和低于2%的反射,并且該優選疊片作為觸膜板電極特別有用,例如在計算機顯示屏幕上。
文檔編號G06F3/041GK1474949SQ01819095
公開日2004年2月11日 申請日期2001年6月14日 優先權日2000年9月19日
發明者M·賽夫, M 賽夫, A·弗爾策辛斯基, 咝了夠, H·梅馬里安, 砝鋨 申請人:Cp菲林公司
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