一種根據滅磁時間檢測碳化硅滅磁電阻性能的電路的制作方法
【技術領域】
[0001] 本實用新型一種根據滅磁時間檢測碳化硅滅磁電阻性能的電路，涉及發電機事故 監測領域。
【背景技術】
[0002] 碳化硅滅磁電阻主要用于事故滅磁，當發電機需緊急停機時，碳化硅滅磁電阻會 被接入到轉子回路，用來迅速吸收轉子能量，是防止事故擴大的發電機內部保障。然而，碳 化硅滅磁電阻在經歷多年運行及多次能量沖擊后，其性能可能會發生變化，所以有必要對 多年運行的碳化硅滅磁電阻進行檢測。然而，現有的碳化硅滅磁電阻能量沖擊檢測方法并 未考慮滅磁電阻的能量吸收時間，且發電廠對事故滅磁時間是有嚴格要求的，必須在規定 的時間內完成滅磁。所以本實用新型通過應用滅磁時間與初始放電電壓的近似關系，提出 一種根據事故滅磁時間檢測碳化硅滅磁電阻性能的方法，即檢測碳化硅電阻能否在規定的 時間內完成對轉子能量的吸收。
[0003] 現有碳化硅滅磁電阻能量沖擊試驗的電路圖如說明書附圖的附圖1所示，試驗 時，首先通過整流電路FLZ對電感線圈L進行充能，通過勵磁電流分流器Ik來計算電感線 圈L能量值，當電感線圈L能量達到設定值時，跳開滅磁開關FMK，根據滅磁開關FMK的滅弧 能力，電感線圈L兩端的電壓會有不同程度的升高，當滅磁開關FMK徹底拉開時，滅磁電阻 SIC開始吸收電感線圈L的能量，直至電感線圈L能量全部被吸收完。其中：QF為電源斷路 器，Ir為滅磁電流分流器，滅磁電阻SIC為碳化硅電阻。
[0004] 該技術方法存在的缺點主要有三點：
[0005] 1)、無法設定放電初始電壓，即開始吸收能量瞬間加在滅磁電阻SIC兩端的電壓， 如果以某一個固定的能量值對碳化硅電阻進行能量沖擊，則其初始放點電壓，取決于滅磁 開關FMK的滅弧能力，若滅弧時間短，則初始電壓高，反之則低，該電壓在此方法中無具備 可控性，導致無法對實際的事故滅磁現場進行準確的模擬。
[0006] 2)、碳化硅電阻吸收完全部能量所消耗的時間不能設定，若吸收能量的時間過長， 即便是能量很大的沖擊試驗，也不能真實的反映出碳化硅電阻的準確性能。
[0007] 3)、充電時，滅磁電阻SIC支路存在少許的漏電流，會對能量的計算造成一定的誤 差。
【發明內容】
[0008] 為解決上述技術問題，本實用新型提供一種根據滅磁時間檢測碳化硅滅磁電阻性 能的電路，以更有效的模擬真實的事故滅磁環境，可以檢測碳化硅滅磁電阻能否在規定的 事故滅磁時間內完成能量的吸收工作，具有較高的靈活性和通用性，有效的檢測了碳化硅 滅磁電阻的性能。
[0009] 本實用新型所采用的技術方案是：
[0010] -種根據滅磁時間檢測碳化硅滅磁電阻性能的電路，電源斷路器QF連接整流電 路FLZ，所述整流電路FLZ -端連接滅磁開關FMK的主觸頭，滅磁開關FMK的主觸頭連接勵 磁電流分流器Ik 一端，勵磁電流分流器Ik另一端連接滅磁開關FMK的常閉觸頭、電感線圈 L的一端；滅磁開關FMK的常閉觸頭連接滅磁電流分流器Ir，滅磁電流分流器Ir連接滅磁 電阻SIC，滅磁電阻SIC連接單向硅電壓二極管FLD的陰極；單向硅電壓二極管FLD的陽極、 電感線圈L的另一端均連接整流電路FLZ另一端。
[0011] 所述整流電路FLZ為可控硅整流橋。
[0012] 一種根據滅磁時間檢測碳化硅滅磁電阻性能的方法，在對碳化硅電阻進行能量沖 擊試驗時，將單向硅電壓二極管FLD串聯至滅磁回路中，通過單向硅電壓二極管FLD負阻開 關特性，控制電感線圈L對滅磁電阻SIC的初始放電電壓；同時根據規定的滅磁時間，推算 對應的初始放電電壓；通過設定單向硅電壓二極管FLD的型號，間接控制滅磁電阻SIC吸收 能量的時間。
[0013] -種根據滅磁時間檢測碳化硅滅磁電阻性能的方法，包括以下步驟：
[0014] 步驟1 :試驗前，在模擬滅磁回路中接上滅磁電阻SIC、單向硅電壓二極管FLD、以 及分流器；
[0015] 步驟2 :合上滅磁開關FMK的主觸頭，聯動斷開滅磁開關FMK的常閉觸頭，接通試 驗電源，開啟直流源，向電感線圈L充電；
[0016] 步驟3 :當充電電流I達到要求時，即電感線圈L的能量達到實驗能量W時，斷開 滅磁開關FMK的主觸頭，聯動合上滅磁開關FMK的常閉觸頭，此時電感線圈L兩端會感應出 高電壓，由于單向硅電壓二極管FLD串聯于滅磁電阻回路，根據單向硅電壓二極管FLD負載 開關特性，當外加電壓超過Ul時，單向硅電壓二極管FLD由截止變為導通狀態，電感線圈L 向滅磁電阻SIC放電；
[0017] 步驟4 :通過觀察電流、電壓曲線，記錄下滅磁時間Tl ;
[0018] 步驟5 :更換單向硅電壓二極管FLD，選擇正向轉折電壓在U2附近的單向硅電壓二 極管（FLD)，其中：
[0020] TO為發電廠規定的事故滅磁時間；
[0021] 步驟6 :待滅磁電阻SIC冷卻后，重復步驟2、3,記錄電流、電壓曲線，并觀察外觀及 測量溫升，記錄滅磁電阻SIC是否有損傷，以及是否滿足溫升要求，通過試驗數據對滅磁電 阻SIC進彳丁性能評估。
[0022] 本實用新型一種根據滅磁時間檢測碳化硅滅磁電阻性能的電路，技術效果如 下：、
[0023] 1)、本實用新型所提出的碳化硅滅磁電阻檢驗方法，較好的模擬了事故滅磁時的 真實情況，通過設定不同的初始放電電壓來改變滅磁時間，使本實用新型具有較高的靈活 性和通用性，有效的檢測了碳化硅滅磁電阻的性能。
[0024] 2)、本實用新型提出通過限制滅磁時間，來進行碳化硅滅磁電阻的檢測試驗，能夠 較好的模擬真實的事故滅磁。
[0025] 3)、本實用新型用于控制滅磁時間的關鍵在于對初始放電電壓的控制：對于某個 特定的碳化硅電阻而言，對其進行固定能量大小為W的能量沖擊試驗，則初始放電電壓UO 與滅磁時間T (即碳化硅吸收完全部能量所耗費的時間）的近似對應關系為UO的平方與T 成反比關系。
[0026] 4)、本實用新型提出采用類過壓裝置如FLD管：單向硅電壓二極管）來實現對初始 放電電壓的控制。
[0027] 5)、本實用新型要求滅磁開關分閘時間足夠短，使其有能力提供足夠高的放電電 壓。
[0028] 6)、本實用新型提出應使用較大的電感線圈模擬轉子，以滿足不同能容量的碳化 硅電阻試驗。
【附圖說明】
[0029] 圖1為【背景技術】中的碳化硅