本發明涉及的是(shi)電(dian)(dian)磁(ci)輻射試驗(yan)領域(yu)，尤其是(shi)一(yi)種開口腔體結構內(nei)部電(dian)(dian)子產品的寬頻帶電(dian)(dian)磁(ci)輻射試驗(yan)方(fang)法。
背景技術：
對(dui)(dui)于(yu)(yu)(yu)電(dian)(dian)子產品(pin)電(dian)(dian)磁(ci)(ci)輻(fu)射(she)試(shi)(shi)驗方(fang)法目(mu)前(qian)通用的(de)(de)主要是gjb151a、gjb151b以(yi)及(ji)gjb7073等，國(guo)內關于(yu)(yu)(yu)該類標(biao)準中(zhong)電(dian)(dian)磁(ci)(ci)環境(jing)(jing)產生的(de)(de)設備(bei)(bei)較為健全，可(ke)以(yi)直接在實驗室利用設備(bei)(bei)產生電(dian)(dian)磁(ci)(ci)環境(jing)(jing)開展(zhan)輻(fu)照試(shi)(shi)驗，但(dan)其(qi)產生的(de)(de)電(dian)(dian)磁(ci)(ci)環境(jing)(jing)場強(qiang)(qiang)均未超過200v/m，即標(biao)準中(zhong)的(de)(de)方(fang)法只適用于(yu)(yu)(yu)場強(qiang)(qiang)不超過200v/m的(de)(de)電(dian)(dian)磁(ci)(ci)輻(fu)射(she)試(shi)(shi)驗。對(dui)(dui)于(yu)(yu)(yu)電(dian)(dian)磁(ci)(ci)環境(jing)(jing)場強(qiang)(qiang)大于(yu)(yu)(yu)200v/m，如gjb1389a對(dui)(dui)電(dian)(dian)磁(ci)(ci)輻(fu)射(she)環境(jing)(jing)的(de)(de)要求所述，在400mhz-40ghz范圍內，場強(qiang)(qiang)大小(xiao)都有(you)上千(qian)甚至(zhi)上萬(wan)量級(ji)(ji)。目(mu)前(qian)，對(dui)(dui)于(yu)(yu)(yu)上千(qian)甚至(zhi)上萬(wan)量級(ji)(ji)要求的(de)(de)電(dian)(dian)磁(ci)(ci)輻(fu)射(she)項目(mu)尚無健全設備(bei)(bei)完(wan)全覆(fu)蓋，許多試(shi)(shi)驗項目(mu)無法開展(zhan)。
技術實現要素：
本(ben)發明(ming)的(de)目的(de)，就是針對現有技術所存在的(de)不(bu)足(zu)，而提(ti)供(gong)一種開口腔(qiang)體(ti)(ti)結(jie)(jie)構內部(bu)電(dian)子(zi)產(chan)(chan)品的(de)寬頻帶(dai)電(dian)磁輻射(she)(she)試(shi)(shi)驗方(fang)法，該方(fang)案采用首先對電(dian)子(zi)產(chan)(chan)品外部(bu)腔(qiang)體(ti)(ti)結(jie)(jie)構進行(xing)給定的(de)外部(bu)電(dian)磁頻率(lv)范(fan)圍的(de)屏蔽(bi)效能測試(shi)(shi)試(shi)(shi)驗，然后將電(dian)子(zi)產(chan)(chan)品的(de)外部(bu)電(dian)磁環境場強(qiang)峰值(zhi)與屏蔽(bi)效能測試(shi)(shi)的(de)屏蔽(bi)結(jie)(jie)果進行(xing)相減(jian)，根據計算所得的(de)屏蔽(bi)后的(de)電(dian)子(zi)產(chan)(chan)品的(de)電(dian)磁環境等級，進行(xing)電(dian)子(zi)產(chan)(chan)品的(de)小(xiao)功(gong)率(lv)電(dian)磁輻射(she)(she)的(de)試(shi)(shi)驗測試(shi)(shi)，即完(wan)成了(le)在無設備(bei)滿足(zu)外部(bu)電(dian)磁環境條件下開展電(dian)子(zi)產(chan)(chan)品的(de)電(dian)磁輻射(she)(she)試(shi)(shi)驗。
本(ben)方(fang)案是通過如下技術措(cuo)施(shi)來實現的：
一種開口腔體結(jie)構內(nei)部電子產品的寬頻帶電磁(ci)輻(fu)射試驗方(fang)法，包括有(you)以下(xia)步驟：
a、確定需要開展試驗的電磁環境等級a；
b、將測電子(zi)產品外部腔(qiang)體(ti)進行屏蔽處理；
c、對(dui)屏(ping)蔽(bi)處(chu)理(li)后的電子產品腔體在(zai)擬(ni)開(kai)展的電磁環(huan)境頻(pin)段(duan)進行(xing)屏(ping)蔽(bi)效能測試，獲得屏(ping)蔽(bi)量b；
d、計算屏蔽后的(de)電子(zi)產品的(de)電磁環境(jing)等(deng)級c，c=a-b；
e、以(yi)屏(ping)蔽后(hou)的(de)電子產品的(de)電磁環境等(deng)級c為基礎(chu)，進(jin)行裸(luo)露電子產品的(de)電磁輻射試驗。
作為本方案(an)的優選：步驟a中，要開(kai)展的電(dian)磁環(huan)境等級a為電(dian)子產品的外部(bu)電(dian)磁環(huan)境場強(qiang)峰值(zhi)。
作為(wei)本方案的(de)(de)(de)優選：步驟(zou)b中，電(dian)子產品的(de)(de)(de)外部腔體的(de)(de)(de)屏(ping)蔽處(chu)理方法為(wei)，對電(dian)子產品腔體開口端采用與腔體連接結構相似的(de)(de)(de)屏(ping)蔽材料(liao)進行封(feng)口屏(ping)蔽處(chu)理。
作為(wei)本方案的優選：步驟(zou)c中，屏(ping)蔽(bi)(bi)效能(neng)測試試驗每隔0.5ghz設置(zhi)一(yi)個屏(ping)蔽(bi)(bi)測試點。
作為(wei)本方案的(de)優(you)選：步驟d中(zhong)，屏蔽后電(dian)子產品的(de)電(dian)磁(ci)環境等級為(wei)計算得到的(de)最大峰值場強。
作為(wei)本方(fang)案的優選：屏蔽(bi)處理后的電(dian)子(zi)產(chan)品腔體為(wei)一端開口(kou)的圓(yuan)柱(zhu)形腔體，開口(kou)端固定有(you)具有(you)電(dian)磁屏蔽(bi)功能的擋(dang)板。
本(ben)方(fang)(fang)案(an)的(de)(de)(de)有益效(xiao)(xiao)果(guo)可根據對(dui)上述(shu)方(fang)(fang)案(an)的(de)(de)(de)敘(xu)述(shu)得知，由于在(zai)該方(fang)(fang)案(an)中采用對(dui)電(dian)子(zi)(zi)產(chan)品外(wai)(wai)部(bu)腔(qiang)體結構進(jin)(jin)行(xing)(xing)給定的(de)(de)(de)外(wai)(wai)部(bu)電(dian)磁頻率范圍的(de)(de)(de)屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)效(xiao)(xiao)能(neng)(neng)測(ce)試(shi)(shi)(shi)試(shi)(shi)(shi)驗，然后(hou)將電(dian)子(zi)(zi)產(chan)品的(de)(de)(de)外(wai)(wai)部(bu)電(dian)磁環境(jing)(jing)場強峰值與屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)效(xiao)(xiao)能(neng)(neng)測(ce)試(shi)(shi)(shi)的(de)(de)(de)屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)結果(guo)進(jin)(jin)行(xing)(xing)相減，根據計算所(suo)得的(de)(de)(de)屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)后(hou)的(de)(de)(de)電(dian)子(zi)(zi)產(chan)品的(de)(de)(de)電(dian)磁環境(jing)(jing)等(deng)級，進(jin)(jin)行(xing)(xing)電(dian)子(zi)(zi)產(chan)品的(de)(de)(de)小功(gong)率電(dian)磁輻射的(de)(de)(de)試(shi)(shi)(shi)驗測(ce)試(shi)(shi)(shi)，即完成了在(zai)無設(she)備滿(man)(man)足(zu)外(wai)(wai)部(bu)電(dian)磁環境(jing)(jing)條(tiao)件下(xia)開展電(dian)子(zi)(zi)產(chan)品的(de)(de)(de)電(dian)磁輻射試(shi)(shi)(shi)驗的(de)(de)(de)方(fang)(fang)法(fa)，能(neng)(neng)夠(gou)滿(man)(man)足(zu)在(zai)無設(she)備能(neng)(neng)夠(gou)提供高(gao)強度電(dian)磁環境(jing)(jing)的(de)(de)(de)情況下(xia)采用的(de)(de)(de)等(deng)效(xiao)(xiao)小功(gong)率試(shi)(shi)(shi)驗方(fang)(fang)法(fa)，從而進(jin)(jin)行(xing)(xing)電(dian)子(zi)(zi)產(chan)品的(de)(de)(de)等(deng)效(xiao)(xiao)試(shi)(shi)(shi)驗。
由(you)此可見(jian)，本發明與現有技術(shu)相比，具有實質性特點和進步，其(qi)實施的有益效果也(ye)是顯而易見(jian)的。
具體實施方式
為(wei)能清楚說明本方(fang)(fang)(fang)案的技術特點，下(xia)面通過一個具體實施方(fang)(fang)(fang)式，對本方(fang)(fang)(fang)案進行闡述(shu)。
本方案的實施例：
首先，確定需要(yao)開(kai)(kai)展(zhan)試(shi)驗的電磁環(huan)境等級a，然后對電子(zi)產(chan)(chan)品外部腔(qiang)體(ti)(ti)進行(xing)屏(ping)蔽處(chu)理。電子(zi)產(chan)(chan)品的外部腔(qiang)體(ti)(ti)的屏(ping)蔽處(chu)理方法為(wei)：對電子(zi)產(chan)(chan)品腔(qiang)體(ti)(ti)開(kai)(kai)口端(duan)采(cai)用與(yu)腔(qiang)體(ti)(ti)連接結(jie)構相(xiang)似的屏(ping)蔽材料(liao)進行(xing)封口屏(ping)蔽處(chu)理。
然后，對屏蔽后的腔體進(jin)行屏蔽效(xiao)能測(ce)(ce)(ce)試，試驗按照gjb5185-2003《小屏蔽體屏蔽效(xiao)能測(ce)(ce)(ce)量方法(fa)》進(jin)行，每(mei)隔0.5ghz設置(zhi)一(yi)個屏蔽測(ce)(ce)(ce)試點，得到屏蔽量b。
通過計算(suan)獲得屏蔽后的(de)電子產(chan)品的(de)等效電磁(ci)環境等級(ji)c，c=a-b。
然后，取出電子產品，使其在裸露的狀態下，處于(yu)電磁環境等級c的環境下進行試(shi)驗，試(shi)驗按(an)照gjb151a-1986《軍用設(she)備(bei)和(he)(he)(he)(he)分系統電磁發射和(he)(he)(he)(he)敏感度要求》或者(zhe)gjb151b-2013《軍用設(she)備(bei)和(he)(he)(he)(he)分系統電磁發射和(he)(he)(he)(he)敏感度要求與測試(shi)》進行。
本方(fang)案的(de)(de)優勢在(zai)于：在(zai)無設備能(neng)(neng)直接產生電磁(ci)輻(fu)射試(shi)驗(yan)(yan)所需要的(de)(de)電磁(ci)環境情況(kuang)下，提供一種能(neng)(neng)夠(gou)測(ce)試(shi)在(zai)開(kai)口腔體結構內(nei)電子產品(pin)的(de)(de)寬(kuan)頻帶電磁(ci)輻(fu)射試(shi)驗(yan)(yan)方(fang)法。能(neng)(neng)夠(gou)顯著提高(gao)現(xian)有試(shi)驗(yan)(yan)設備的(de)(de)實驗(yan)(yan)范圍，對于上千(qian)甚至(zhi)上萬量級要求的(de)(de)電磁(ci)輻(fu)射項(xiang)目能(neng)(neng)夠(gou)進行許(xu)多實驗(yan)(yan)項(xiang)目的(de)(de)開(kai)展。
以上(shang)所述僅為本發(fa)(fa)明(ming)的較佳實(shi)施例而已，并不用以限制本發(fa)(fa)明(ming)，凡在本發(fa)(fa)明(ming)的精神和原則之內所作的任何修(xiu)改、等同替換和改進等，均應包含(han)在本發(fa)(fa)明(ming)的保護范圍之內。