專利名稱：：結構體、定域型表面等離子共振傳感器用芯片、及定域型表面等離子共振傳感器、以及它...的制作方法
技術領域：
：本發明涉及一種能夠提供靈敏度高的定域型表面等離子共振傳感器的結構體、定域型表面等離子共振傳感器用芯片、及可從它們獲得的定域型表面等離子共振傳感器、以及它們的制造方法。更詳細而言，涉及一種著眼于在存在液體的條件下基于光照射而產生的光響應性材料的質量轉移所開發出的新型的微觀結構體、光加工方法及制造方法。
背景技術：
：人體的60%由水分構成，剩余的40%中的一半由蛋白質構成，人體的細胞、肌肉、皮膚的大部分由蛋白質構成。因此，多數情況下認為疾病與蛋白質變異有關，在癌癥、流行性感冒及其他疾病中，伴隨著病情的發展，體內(血液中等)的特定蛋白質增加。因此，通過對特定蛋白質的狀態(特定蛋白質的有無、量等)進行監控，可以知曉患病情況、病情發展的情況，目前已確認數十種蛋白質與疾病有關。例如，與腫瘤(癌癥)的發展一起增加的生物分子被稱為腫瘤標志物，對應腫瘤的發生部位特定有各不相同的腫瘤標志物。而且,很多時候生物內的蛋白質、DNA(DeoxyribonucleicAcid,脫氧核糖核酸)、糖鏈等生物分子與疾病的產生有著直接關系，因此通過分析這些生物分子間的相互作用，可以漸漸弄清疾病的機制并進行特效藥的開發。作為簡便且高精度地測定包含所述腫瘤標志物在內的特定蛋白質的有無或量的工具，有生物傳感器，期待其將來應用于防止誤診、早期診斷、預防醫療等中。此處，作為檢測蛋白質等生物分子的相互作用的方法，利用的是表面等離子共振(SPRSurfacePlasmonResonance)。所謂表面等離子共振,是通過金屬表面的自由電子與電磁波(光)的相互作用而產生的共振現象，與熒光檢測方式相比，無須以熒光物質來標記樣本，因此作為簡便方法而受到矚目。在利用表面等離子共振的傳感器中，有傳播型表面等離子共振傳感器與定域型表面等離子共振傳感器。通過圖10的(a)(d)來簡單說明傳播型表面等離子共振傳感器的原理。如圖10的(a)及圖10的(c)所示，傳播型表面等離子共振傳感器11是在玻璃基板12的表面形成厚度為50nm左右的Au、Ag等金屬膜13而成。該傳播型表面等離子共振傳感器11是從玻璃基板12側照射光，并使光在玻璃基板12與金屬膜13的界面上全反射。通過接收經全反射的光并測定光的反射率，而感應到生物分子等。S卩，如果通過使光的入射角Θ變化而進行該反射率測定，則如圖10的(b)所示，當為某個入射角(共振入射角)ΘI時反射角大幅度減小。其原因在于，當入射至玻璃基板12與金屬膜13的界面的光在該界面上全反射時，該界面上產生的瞬逝光(evanescentlight)(近場光)與金屬的表面等離子波相互作用。具體而言，當為某種特定波長或特定入射角時，光能被吸收至金屬膜13中而轉化為金屬膜13中的自由電子的振蕩能，從而使光的反射率顯著降低。因為該共振條件依存于金屬膜13的周邊物質的介電常數(折射率)，所以這種現象被用作高靈敏度地檢測周邊物質的物性變化的方法。尤其在用于生物傳感器的情況下，如圖10的(a)所示，預先使與特定蛋白質(抗原)特異性地結合的抗體14(探針)在金屬膜13的表面固定化。在該表面上，如果所導入的檢查樣本中存在成為目標的抗原16，則如圖10的(c)所示，抗原16與抗體14特異性地結合。繼而，通過抗原16與抗體14結合，使金屬膜13的周邊的折射率變化，從而使共振波長或共振入射角變化。因此，通過對導入檢查樣本前后的共振波長的變化、共振入射角的變化、或者共振波長或共振入射角的時間的變化進行測定，可以檢查出檢查樣本中是否含有抗原16。另外，還可以檢查出以何種程度的濃度含有抗原16。圖10的(d)表示反射率對于入射角Θ的依存性的測定結果的一例。圖10的(d)中，虛線表不導入檢查樣本之前的反射率光譜17a,實線表導入檢查樣本而使抗原16與抗體14結合之后的反射率光譜17b。如此，如果對導入檢查樣本前后的共振入射角的變化ΛΘ進行測定，則可以檢查出檢查樣本是否含有抗原16。另外，還可以檢查出抗原16的濃度，可以檢查出有無特定病原體及有無疾病等。此外，普通傳播型表面等離子共振傳感器中，為了將光導入至玻璃基板而使用棱鏡。因此，傳感器的光學系統復雜且大型化，而且必須以匹配油(matchingoil)來使傳感器用芯片(玻璃基板)與棱鏡密接。然而，傳播型表面等離子共振傳感器中，感應區域距玻璃基板表面數百nm，大于蛋白質的尺寸(十nm左右)。因此，該傳感器容易受到檢查樣本的溫度變化或檢查樣本中的夾雜物(例如，檢查對象以外的蛋白質)的影響，生物傳感器對于未與抗體結合而懸浮于檢查樣本中的抗原也具有靈敏度。這些成為干擾的起因，因此難以制作信噪比(S/N(Signal/Noise)比)小且靈敏度高的傳感器。另外，為了制作靈敏度高的傳感器，需要去除成為干擾起因的夾雜物的步驟、以及用來使檢查樣本的溫度保持為固定的嚴格的溫度控制單元，從而使裝置變得大型，裝置成本變得高昂。相對于此，在定域型表面等離子共振傳感器中，金屬微粒子(金屬納米微粒子)的表面上產生的近場成為感應區域，因此可以實現衍射極限以下的數十nm的靈敏度區域。其結果為，在定域型表面等離子共振傳感器中，可以不對在遠離金屬微粒子的區域內懸浮的檢查對象物具有靈敏度，而僅對金屬微粒子表面的非常狹小的區域內所附著的檢查對象物具有靈敏度，從而有可能實現靈敏度更聞的傳感器。在使用金屬微粒子的定域型表面等離子共振傳感器中，不對遠離金屬微粒子而懸浮著的檢查對象物具有靈敏度，因此干擾成分變少，在這個意義上而言，與傳播型表面等離子共振傳感器相比，靈敏度較高。然而，在利用AiuAg等金屬微粒子中所產生的表面等離子共振的傳感器中，可以從附著在金屬微粒子表面的檢查對象物獲得的信號的強度較小，在這個意義上而言，靈敏度尚低，或者靈敏度并不足夠。為了消除這種難操作的現象，公開了一種具有多個凹部的類似衍射光柵的定域型表面等離子共振傳感器(例如，參照專利文獻I)。如圖11所示，所述定域型表面等離子共振傳感器包含基板19，該基板19具有規則地配置著通過納米壓印而賦形的凹坑(凹部)的結構，通過蒸鍍或濺鍍等從凹部上方起疊層金屬材料，所獲得的金屬層20反映下方的形狀。而且，如圖12所示，該定域型表面等離子共振傳感器18中，如果從基板19的金屬層20側照射直線偏振光21，則較強的電場22集中在凹部。另外，專利文獻2中記載著一種結構體，該結構體是將包含定量的聚苯乙烯的微小球(直徑為250nm)的液體按定量滴落至偶氮聚合物層表面，并在此狀態下用特定強度的藍色LED(LightEmittingDiode,發光二極管)(波長為465nm475nm)照射一定時間之后，去除微小球，由此呈現出如聚苯乙烯微小球接觸到的部分凹陷而聚苯乙烯微小球周圍的偶氮聚合物隆起的形狀(參照專利文獻2段落-、圖8)(現有技術文獻)專利文獻I:日本國專利申請公開公報“特開號公報(2008年9月18日公開)”。專利文獻2:日本國專利申請公開公報“特開號公報(2008年7月24日公開)”。
發明內容[發明要解決的問題]然而，專利文獻I中記載，專利文獻I所述的定域型表面等離子共振傳感器中相鄰的凹部間距離d優選為400nm以下，但如果凹部間距離d(參照圖12)過于靠近的話，那么凹部的底部間的間隙的平坦部會被光識別成凸部，而使所制作的凹部失去其功能。也就是說，專利文獻I所述的定域型表面等離子共振傳感器中存在如下問題，即，越是想要減小凹部間距離d，增加凹部的密度而使靈敏度提高，則越是會使凹部自身無法發揮功能。本發明是鑒于所述問題而完成，其目的在于提供一種能夠提供靈敏度更高的定域型表面等離子共振傳感器的結構體、定域型表面等離子共振傳感器用芯片、及包含它們的定域型表面等離子共振傳感器。另外，本發明目的還在于提供制造所述結構體的方案。[解決問題的技術方案]本發明者等人為了解決所述問題而反復潛心研究，結果成功確立了以下所示的制造結構體的方法，并發現通過將該結構體應用于定域型表面等離子共振傳感器中，可以實現靈敏度更高的定域型表面等離子共振傳感器，從而完成本發明。S卩，為了解決所述問題，本發明的結構體的特征在于包括平面部及筒狀體，筒狀體是以開口部面向所述平面部的平面的方式豎立設置，所述筒狀體的開口部的平均內徑在5nm以上且2000nm以下的范圍內，且所述筒狀體的開口部內徑A、與所述筒狀體的自開口部起的中間深度處的內徑B的比(A/B)在1.00以上且1.80以下的范圍內。尤其是，本發明的結構體的所述筒狀體的底部為非球面。根據所述構成，例如可以通過將所述結構體用于定域型表面等離子共振傳感器用基板并在其表面沿著基板的形狀而形成金屬層，從而制作定域型表面等離子共振傳感器用芯片。如此獲得的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中，筒狀體所構成的凹部內部及開口部周邊的金屬中的自由電子與入射光之間產生耦合，電場集中在筒狀體所構成的凹部內部及開口部周邊而產生極強的定域型表面等離子共振。因此，通過使用該芯片，取得可以提供靈敏度更高的定域型表面等離子共振傳感器的效果。另外，因為會出現如上所述的極強的定域型表面等離子共振現象，所以所述定域型表面等離子共振傳感器用芯片也可以較佳地用作表面增強拉曼散射光譜用芯片、熒光增強板、雙光子突光增強板、二次諧波產生(secondharmonicgeneration)基板等。另外，為了解決所述問題，本發明的定域型表面等離子共振傳感器用芯片的特征在于基板上形成著結構體，且以覆蓋該結構體表面的至少一部分且反映該結構體的結構的方式形成著金屬層；該結構體如下所述包括平面部及筒狀體，筒狀體是以開口部面向所述平面部的平面的方式豎立設置，所述筒狀體的開口部的平均內徑在5nm以上且2000nm以下的范圍內，且所述筒狀體的開口部內徑A、與所述筒狀體的自開口部起的中間深度處的內徑B的比(A/B)在I.00以上且I.80以下的范圍內。本發明的定域型表面等離子共振傳感器用芯片的所述筒狀體的底部為非球面。根據所述構成，筒狀體所構成的凹部內部及開口部周邊的金屬中的自由電子與入射光之間產生耦合，電場集中在筒狀體所構成的凹部內部及開口部周邊而產生極強的定域型表面等離子共振。因此，取得可以提供靈敏度更高的定域型表面等離子共振傳感器的效果O為了解決所述問題，本發明的結構體的制造方法的特征在于包括液體涂覆步驟，在光響應性材料上涂覆不含顆粒狀物質的液體；以及光照射步驟，對通過所述液體涂覆步驟而涂覆有液體的所述光響應性材料照射光。根據所述方法，僅通過對涂覆有不含顆粒狀物質的液體的所述光響應性材料照射光，便可以簡便地制作所述本發明的結構體。目前，針對根據何種原理來制作所述結構體尚在研究中，本發明者等人僅作如下推斷。即，在通過于玻璃或塑料等基板表面形成光響應性材料的膜并在該膜上涂覆不含顆粒狀物質的液體之后照射光而制作本發明的結構體的情況下，不含顆粒狀物質的液體按某種比例滲透至光響應性材料膜內，光響應性材料膜中的分子鏈的運動性增強。可以推斷，通過光照射而使玻璃或塑料基板等的表面的粗糙點(roughnesspoint)上產生近場光,光響應性材料根據該近場光強度而質量轉移，由此形成筒狀的結構體。另一方面，也可以認為，除了對應近場光強度的光響應性材料的質量轉移以外，還同時或單獨生成如下機制，即，通過光照射而使該基板表面與光響應性材料膜的界面的親和性發生變化，而生成如親和性不同的分布不均的狀態，從而通過光照射使光響應性材料質量轉移。將通過所述方法制作的結構體用于定域型表面等離子共振傳感器用基板，并在其表面沿著基板的形狀而形成金屬層，由此可以制作定域型表面等離子共振傳感器用芯片。如此獲得的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中，筒狀體所構成的凹部內部及開口部周邊的金屬中的自由電子與入射光之間產生耦合，電場集中在筒狀體所構成的凹部內部及開口部周邊而產生極強的定域型表面等離子共振。因此，取得如下效果，即，可以簡便而穩定地制造能夠提供成本低且靈敏度更高的定域型表面等離子共振傳感器的結構體。另外，本發明的結構體的制造方法的特征在于包含以下步驟(i)(iii):(i)經過液體涂覆步驟及光照射步驟而制造第一結構體，其中，該液體涂覆步驟是在光響應性材料上涂覆不含顆粒狀物質的液體，該光照射步驟是對涂覆有液體的所述光響應性材料照射光；(ii)通過如下方式制造成為第一結構體的模子的第二結構體以完全覆蓋所述第一結構體的表面的方式涂覆熱固性樹脂或光固化性樹脂，使該熱固性樹脂或光固化性樹脂硬化后進行剝離；以及(iii)通過如下方式獲得作為第一結構體的復制體的第三結構體將熱固性樹脂或光固化性樹脂填充至所述第二結構體中成為第一結構體的模子的部分，使該熱固性樹脂或光固化性樹脂硬化后進行剝離。根據所述方法，例如可以通過在該模子上涂覆熱固性樹脂或光固化性樹脂，使之硬化后剝離，而容易地復制所述本發明的結構體。此外，如上所述，專利文獻2中記載著一種結構體，該結構體是將包含定量的聚苯乙烯的微小球(直徑為250nm)的液體按定量滴落至偶氮聚合物層表面，并在此狀態下通過特定強度的藍色LED(波長為465nm475nm)照射一定時間之后，去除微小球，由此呈現出如聚苯乙烯微小球接觸到的部分凹陷而聚苯乙烯微小球周圍的偶氮聚合物隆起的形狀(參照專利文獻2段落-、圖8)。然而，專利文獻2的所述記載是為了評價具有偶氮聚合物層的光固定化用固相載體的光變形能而形成的結構體，而并不以制造結構體為目的。而且，原本，在將包含定量聚苯乙烯的微小球(直徑為250nm)的液體按定量滴落至偶氮聚合物層表面這一點上，便完全不同于本案發明的結構體的制造方法。另外，專利文獻2所涉及的技術中只能是這樣的一種結構體，其沿著通過伴隨光照射產生的顆粒(聚苯乙烯微小球)附近的近場光而引起偶氮聚合物的變形且僅在顆粒附近引起偶氮聚合物的變形的顆粒表面而形成。也就是說，專利文獻2所述的結構體的凹部的底部成為球面(或接近球面的形狀)(參照專利文獻2的圖8)。相對于此，本發明的結構體在筒狀體的底部成為非球面這一點上明顯不同(參照本案的圖13、圖20-25)。另外，本發明者等人發現通過在玻璃基板上形成光響應性材料(偶氮聚合物)的薄膜，并在該薄膜之上涂覆分散有平均直徑在Inm以上且100μm以下的范圍內的顆粒的懸浮液，從玻璃基板側對涂覆有懸浮液的所述光響應性材料照射光，可以制造出平面上具備藤壺狀的形狀的結構體，并進行了專利申請(PCT/JP2010/059340，以下稱為“相關申請案”)。相關申請案所涉及的發明中，顆粒成為鑄模而藤壺狀的形狀形成在平面上。相對于此，本發明的結構體的制造方法中，在涂覆不含顆粒狀物質的液體而非顆粒懸浮液這一點上是不同的。連發明者等人都無法預料的令人震驚的事實是無須存在成為鑄模的顆粒便可以形成本案發明的結構體。此外，與相關申請案的結構體的藤壺狀的形狀相比，本發明的結構體的不同點在于筒狀體成為上下一般粗的結構。另外，在光響應性材料上涂覆顆粒懸浮液并照射光這一點上，與專利文獻2所記載的技術是共通的，但相關申請案中是從玻璃基板側對光響應性材料照射光，相對于此，專利文獻2中是從顆粒側照射光，在這一點上兩者不同。相關申請案中是從玻璃基板側對光響應性材料照射光，故光響應性材料整體均照射有光，因此光響應性材料的遷移率較高，所獲得的藤壺狀的形狀的底面為非球面。專利文獻2所涉及的技術中是從顆粒側對光響應性材料照射光，因此所照射的光通過顆粒而分散。尤其是隱藏在顆粒的背光處的光響應性材料上的光的照射量相對變少，光響應性材料的遷移率變低，因此，如上所述，專利文獻2所述的結構體的凹部的底部為球面(或者接近球面的形狀)(參照專利文獻2的圖8)。此外，本發明的結構體的制造方法中并未使用顆粒，因此不論光的照射方向如何，結構體的筒狀體的底部都成為非球面(參照本案的圖13、圖20-25)。[發明的效果]如上所述，根據本發明，取得如下效果，S卩，可以提供在能用作靈敏度高的定域型表面等離子共振傳感器用的芯片、或表面增強拉曼散射光譜用芯片、熒光增強板、雙光子熒光增強板、二次諧波產生基板等方面優選的結構體及其制造方法。尤其，根據本發明的結構體的制造方法，取得如下效果，S卩，可以簡便而穩定地制造能用于制作成本低且靈敏度高的定域型表面等離子共振傳感器等的結構體。圖I是表示本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器的反射光學系統的基本構成的一例的平面圖。圖2是表示本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器的透過光學系統的基本構成的一例的平面圖。圖3表示本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器中的測定區域經放大的概略構成，圖3的(a)是平面圖，圖3的(b)是圖3的(a)中的沿A-A線切斷后沿箭頭所示方向所視的截面圖。圖4是表示本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器用芯片的制造方法的一例的截面圖。圖5是根據實施例I而獲得的結構體的原子力顯微鏡(以下，簡稱為“AFM”)像。圖6是將折射率不同的液體(水、三甘醇)分別滴落至實施例I中所制作的傳感器用芯片的表面并進行透過光譜測定后以峰頂的值標準化的圖表。圖7是根據實施例2而獲得的結構體的AFM像。圖8是將折射率不同的液體(水、聚二甲基硅氧烷、三甘醇、丙二醇二環氧丙醚)分別滴落至實施例2中所制作的傳感器用芯片的表面并進行透過光譜測定后以峰頂的值標準化的圖表。圖9是橫軸表示滴落至實施例2的傳感器用芯片上的液體的折射率、縱軸表示源于等離子共振吸收的光譜的峰值波長的位移量的圖表。圖10是示意性地表示以往的傳播型表面等離子共振傳感器的原理的附圖。圖11是表示以往的定域型表面等離子共振傳感器的概略構成的截面圖。圖12是表示以往的定域型表面等離子共振傳感器中較強的電場集中在凹部的截面圖。圖13是本發明的一實施方式中的結構體的原子力顯微鏡(AFM)像。圖14是在本發明的結構體的制造方法中分別在真空條件下以80°C對光響應性材料膜形成步驟后的光響應性材料進行10分鐘、60分鐘、20小時退火時形成的結構體的AFM照片。圖15是在本發明的結構體的制造方法的光照射步驟中的結構體的AFM像，(a)是在光照射I秒后形成的結構體的AFM像，(b)是在光照射5秒后形成的結構體的AFM像，(c)是在光照射10秒后形成的結構體的AFM像，Cd)是在光照射15秒后形成的結構體的AFM像，Ce)是在光照射25秒后形成的結構體的AFM像，Cf)是在光照射30秒后形成的結構體的AFM像，(g)是在光照射45秒后形成的結構體的AFM像，(h)是在光照射60秒后形成的結構體的AFM像，(i)是在光照射300秒后形成的結構體的AFM像。圖16是用來說明本發明的結構體的制造方法中光照射步驟的一實施方式的示意圖，圖16所示的形態是從基板側照射光的形態。圖17是用來說明本發明的結構體的制造方法中光照射步驟的一實施方式的示意圖，圖17所示的形態是從液體側照射光的形態。圖18是用來說明本發明的結構體的制造方法中光照射步驟的一實施方式的示意圖，圖18所示的形態是從液體側照射光的另一形態。圖19是實施例4中所制作的傳感器用芯片的平面SEM像。圖20是圖19所示的傳感器用芯片的P-P’截面TEM像。圖21是圖19所示的傳感器用芯片的Q-Q’截面TEM像。圖22是圖19所示的傳感器用芯片的R-R’截面TEM像。圖23是圖19所示的傳感器用芯片的S-S’截面TEM像。圖24是圖19所示的傳感器用芯片的T-T’截面TEM像。圖25是圖19所示的傳感器用芯片的U-U’截面TEM像。圖26是實施例4中使用C反應性蛋白質(CRP)抗體被固定化的傳感器芯片而研究檢測到CRP抗原的可能性的結果，相對于反應的CRP抗原濃度而繪制透過光譜的峰值波長的圖。圖27是實施例5中使用纖維蛋白原抗體被固定化的傳感器芯片而研究檢測到纖維蛋白原抗原的可能性的結果，相對于反應的纖維蛋白原抗原濃度而繪制透過光譜的峰值波長的圖。圖28是實施例6中使用瘦素抗體被固定化的傳感器芯片而研究檢測到瘦素抗原的可能性的結果，相對于反應的瘦素抗原濃度而繪制透過光譜的峰值波長的圖。圖29是表不利用FDTD(FiniteDifferenceTimeDomain,時域有限差分法)來模擬實施例7中所制造的定域型表面等離子共振傳感器用芯片上的電場集中強度的結果的圖。[附圖標記說明]18定域型表面等離子共振傳感器19基板20金屬層21直線偏振光22電場24定域型表面等離子共振傳感器(定域SPR傳感器)25光源26準直透鏡27準直板28分束鏡29分光器30定域型表面等離子共振傳感器用芯片(定域SPR傳感器用芯片)31數據處理裝置32測定區域33光檢測器34定域型表面等離子共振傳感器(定域SPR傳感器)45筒狀體46透明基板(基板)48光響應性材料層49具有筒狀體的基板(結構體、第一結構體)50熱固性樹脂基板(結構體的模子、第二結構體)51透明基板(第三結構體)52金屬層53傳感器用芯片具體實施例方式如下所述，對本發明的一實施形態進行說明。此外，本說明書中，表示范圍的“AB”是指A以上B以下，本說明書中所舉出的各種物性，只要沒有特別說明，便是指利用下述實施例所記載的方法測定所得的值。為了解決所述問題，本發明的結構體的特征在于包括平面部及筒狀體，筒狀體是以開口部面向所述平面部的平面的方式豎立設置，所述筒狀體的開口部的平均內徑在5nm以上2000nm以下的范圍內，且所述筒狀體的開口部內徑A、與所述筒狀體的自開口部起的中間深度處的內徑B的比(A/B)在1.00以上且1.80以下的范圍內。尤其是本發明的結構體的所述筒狀體的底部為非球面。根據所述構成，例如可以通過將所述結構體用于定域型表面等離子共振傳感器用基板，在其表面沿著基板的形狀而形成金屬層，以此來制作定域型表面等離子共振傳感器用芯片。如此獲得的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中，筒狀體所構成的凹部內部及開口部周邊的金屬中的自由電子與入射光之間產生耦合，電場集中在筒狀體所構成的凹部內部及開口部周邊而產生極強的定域型表面等離子共振。因此，通過使用該芯片，取得可以提供靈敏度更高的定域型表面等離子共振傳感器的效果。另外，因為會出現如上所述的極強的定域型表面等離子共振現象，所以，所述定域型表面等離子共振傳感器用芯片也可以較佳地用作表面增強拉曼散射光譜用芯片、熒光增強板、雙光子熒光增強板、二次諧波產生基板等。另外，本發明的結構體中，為了能讓通過入射光而產生的電磁場更強地定域在筒狀體的凹部周邊及內部，所述(A/B)更優選為在1.00以上1.50以下的范圍內。另外，本發明的結構體優選為，所述筒狀體在平面部的分散密度是在每ΙΟΟμπι見方為I個以上50萬個以下的范圍內。根據所述構成，在制作定域型表面等離子共振傳感器用芯片的情況下，可以產生更強的定域型表面等離子共振，因此可以提供靈敏度更高的定域型表面等離子共振傳感器。本發明的結構體可以包含刺激響應性材料。此處，所述刺激響應性材料可以是熱響應性材料或者光響應性材料。所述刺激響應性材料優選為光響應性材料。進而，在本發明的結構體中，所述光響應性材料優選為包含偶氮聚合物衍生物。根據所述構成，可以更容易地獲得結構體。本發明的結構體中，所述光響應性材料優選為主鏈及/或側鏈具有偶氮苯基的偶氮聚合物衍生物。根據所述構成，可以更容易地獲得結構體。為了解決所述問題，本發明的定域型表面等離子共振傳感器用芯片的特征在于基板上形成著所述本發明的結構體，且以覆蓋該結構體表面的至少一部分且反映該結構體的結構的方式形成著金屬層。另外，為了解決所述問題，本發明的定域型表面等離子共振傳感器用芯片的特征在于基板上形成著結構體，且以覆蓋該結構體表面的至少一部分且反映該結構體的結構的方式形成著金屬層，該結構體如下所述包括平面部及筒狀體，筒狀體是以開口部面向所述平面部的平面的方式豎立設置，所述筒狀體的開口部的平均內徑在5nm以上且2000nm以下的范圍內，所述筒狀體的開口部內徑A、與所述筒狀體的自開口部起的中間深度處的內徑8的比(4作)在1.00以上且I.80以下的范圍內。本發明的定域型表面等離子共振傳感器用芯片的所述筒狀體的底部為非球面。根據所述構成，筒狀體所構成的凹部內部及開口部周邊的金屬中的自由電子與入射光之間產生耦合，電場集中在筒狀體所構成的凹部內部及開口部周邊而產生極強的定域型表面等離子共振。因此，取得可以提供靈敏度更高的定域型表面等離子共振傳感器的效果O本發明的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中，所述(A/B)更優選為在1.00以上且I.50以下的范圍內。根據所述構成，可以讓通過入射光而產生的電磁場更強地定域在筒狀體的凹部周邊及內部。本發明的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中，所述結構體可以包含刺激響應性材料。所述刺激響應性材料可以是熱響應性材料或者光響應性材料。進而，所述刺激響應性材料優選為光響應性材料。本發明的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中，所述金屬層的厚度優選為在IOnm以上且500nm以下的范圍內，進而優選為在30nm以上且200nm以下的范圍內，最優選為在40nm以上且125nm以下的范圍內。根據所述構成，可以提供靈敏度更高的定域型表面等離子共振傳感器。本發明的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中，優選在所述金屬層的表面形成用來使生物分子固定化的有機分子層。根據所述構成，可以用作能夠檢測特定的生物分子的生物傳感器。本發明的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中，所述有機分子層優選為包含距離金屬層表面的長度為50nm以上且200nm以下的分子、及距離金屬層表面的長度為Inm以上且小于50nm的分子。根據所述構成，長度為Inm以上且小于50nm的分子是在金屬層的附近與生物分子結合，長度為50nm以上且200nm以下的分子是在遠離金屬層處與生物分子結合。而且，與生物分子結合的長度為50nm以上且200nm以下的分子是通過使分子鏈彎折而將該生物分子吸引至金屬層的附近。由此，可以使許多生物分子集中在金屬層的附近的區域，從而可以提供傳感器靈敏度更高的生物傳感器。本發明的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中，所述金屬層的材質優選為包含Au、Ag、或者它們的合金。根據所述構成，Au、Ag、或者它們的合金可以產生較強的定域型表面等離子共振。為了解決所述問題，本發明的定域型表面等離子共振傳感器的特征在于包括本發明的所述定域型表面等離子共振傳感器用芯片；光源，對所述定域型表面等離子共振傳感器用芯片照射光；以及光檢測器，接收由所述定域型表面等離子共振傳感器用芯片所反射的光或透過該定域型表面等離子共振傳感器用芯片的光。根據所述構成，具備本發明的所述定域型表面等離子共振傳感器用芯片，因此可以使該芯片中的筒狀體所構成的凹部內部及開口部周邊產生定域性共振電場。而且，從光源對該區域照射光，通過所述光檢測器接收在該區域反射或透過的光，由此而可以測定所述傳感器用芯片的反射率或透過率、或者由所述光檢測器接收的光強度。因此，根據所述構成，取得可以提供靈敏度更高的定域型表面等離子共振傳感器的效果。本發明的定域型表面等離子共振傳感器優選為，使兩種以上的波長的光入射至所述定域型表面等離子共振傳感器用芯片的表面，通過所述光檢測器來測定由該定域型表面等離子共振傳感器用芯片反射的各波長的光的反射率、透過該定域型表面等離子共振傳感器用芯片的各波長的透過率、或者這些反射或透過的各波長的光強度。根據所述構成，可以通過對特定的兩種以上的波長的反射率、透過率、或光強度進行比較，而評價共振波長的變化。因此，可以較佳地用于檢查已知的特定物質的有無等用途。為了解決所述問題，本發明的結構體的制造方法的特征在于包括液體涂覆步驟，在光響應性材料上涂覆不含顆粒狀物質的液體；以及光照射步驟，對通過所述液體涂覆步驟而涂覆有液體的所述光響應性材料照射光。根據所述方法，僅通過對涂覆有不含顆粒狀物質的液體的所述光響應性材料照射光，便可以簡便地制作所述本發明的結構體。目前，針對根據何種原理來制作所述結構體尚在研究中，本發明者等人僅作如下推斷。即，在通過于玻璃或塑料等的基板表面形成光響應性材料的膜并在該膜上涂覆不含顆粒狀物質的液體之后照射光而制作本發明的結構體的情況下，不含顆粒狀物質的液體按某種比例滲透至光響應性材料膜內，光響應性材料膜中的分子鏈的運動性增強。可以推斷，通過光照射在玻璃或塑料基板等的表面的粗糙點產生近場光，光響應性材料根據該近場光強度而質量轉移，由此而形成筒狀的結構體。另一方面，也可以認為，除了對應近場光強度的光響應性材料的質量轉移以外，還同時或單獨生成如下機制，即，通過光照射而使該基板表面與光響應性材料膜的界面的親和性發生變化，而生成如親和性不同的分布不均的狀態，從而通過光照射使光響應性材料質量轉移。將通過所述方法制作的結構體用于定域型表面等離子共振傳感器用基板，并在其表面沿著基板的形狀而形成金屬層，由此而可以制作定域型表面等離子共振傳感器用芯片。如此獲得的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中，筒狀體所構成的凹部內部及開口部周邊的金屬中的自由電子與入射光之間產生耦合，電場集中在筒狀體所構成的凹部內部及開口部周邊而產生極強的定域型表面等離子共振。因此，取得如下效果，即，可以簡便而穩定地制造能夠提供成本低且靈敏度更高的定域型表面等離子共振傳感器的結構體。本發明的結構體的制造方法中，所述液體優選為選自由水、醇類、及溶解光響應性材料的有機溶劑所組成的群中的至少I種。所述液體發揮容易處理且可以容易地獲得所需結構體的效果。此外，所述液體中也可以包含以往眾所周知的表面活性劑。本發明的結構體的制造方法的特征在于包含以下步驟(i)(iii):(i)經過液體涂覆步驟及光照射步驟而制造第一結構體，其中，該液體涂覆步驟是在光響應性材料上涂覆不含顆粒狀物質的液體，該光照射步驟是對涂覆有液體的所述光響應性材料照射光；(ii)通過如下方式制造成為第一結構體模子的第二結構體以完全覆蓋所述第一結構體的表面的方式涂覆熱固性樹脂或光固化性樹脂，使該熱固性樹脂或光固化性樹脂硬化后進行剝離；以及(iii)通過如下方式獲得作為第一結構體復制體的第三結構體將熱固性樹脂或光固化性樹脂填充至所述第二結構體中成為第一結構體的模子的部分，使該熱固性樹脂或光固化性樹脂硬化后進行剝離。根據所述方法，例如可以通過在該模子上涂覆熱固性樹脂或光固化性樹脂，使之硬化后剝離，而容易地復制所述本發明的結構體。尤其是優選多次進行所述步驟(iii)。通過多次進行所述步驟(iii)，可以容易地批量生產所述本發明的結構體。因此，通過將該復制的結構體用于定域型表面等離子共振傳感器用基板，并在其表面沿著基板的形狀而形成金屬層，可以制作定域型表面等離子共振傳感器用芯片。如此獲得的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中，筒狀體所構成的凹部內部及開口部周邊的金屬中的自由電子與入射光之間產生耦合，較強的電場集中在筒狀體內部而產生極強的定域型表面等離子共振。因此，取得如下效果，即，可以簡便而穩定地制造能夠提供成本低且靈敏度更高的定域型表面等離子共振傳感器的結構體。為了解決所述問題，本發明的定域型表面等離子共振傳感器用芯片的制造方法的特征在于包括如下步驟通過本發明的結構體的制造方法中的任一種來制造結構體；及以金屬覆蓋經所述步驟而獲得的結構體的表面，形成具有反映了所述結構體形狀的形狀的金屬層。根據所述方法，取得如下效果，即，可以簡便而穩定地制造能夠提供成本低且靈敏度更高的定域型表面等離子共振傳感器的定域型表面等離子共振傳感器用芯片。另外，本發明還包含可以通過所述本發明的結構體的制造方法而制造的所有結構體(所述本發明的結構體、下述月牙形的結構體或藤壺狀的結構體等)。所述結構體可以用于定域型表面等離子共振傳感器用芯片、表面增強拉曼散射光譜用芯片、熒光增強板、雙光子熒光增強板、二次諧波產生基板等。(I)結構體構成本實施方式的結構體的材料并無特別限定，無論是無機材料還是有機材料均可，還可以是它們的混合物。進而，本實施方式的結構體也可以包含刺激響應性材料(例如光響應性材料、熱響應性材料等)。[無機材料]作為無機材料，可以舉出硅(晶體、多晶、非晶)、碳(晶體、非晶形)、氮化物、半導體材料等。這些無機材料也可以燒結微粒子而得。[有機材料]作為有機材料，可以舉出通用高分子、工程塑料、超級工程塑料或液晶化合物等(可以是混合物，也可以是具有交聯結構等的控制住二級結構、三級結構的材料)。這些有機材料之中，有物性或形狀根據外部刺激而變化的刺激響應性材料。[刺激響應性材料]所謂刺激響應性材料，是響應外部刺激而使分子鏈具有運動性的材料，具體而言，可以舉出熱響應性材料及光響應性材料。[熱響應性材料]所謂所述熱響應性材料，是通過熱刺激而使構成材料的分子鏈具有激烈運動性的材料。所述熱響應性材料，是相對于熱刺激，材料呈現流動性或者進行軟化等而變形的材料。具體而言，可以使用如以聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯為代表的丙烯酸系材料等非晶性材料，聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯或等規聚苯乙烯(isotacticpolystyrene)等晶質材料，氨基甲酸酯樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、酚醛樹脂等。另外，還可以使用苯乙烯-甲基丙烯酸酯共聚物(嵌段共聚物、無規共聚物等)等共聚物。另外，還可以并用這些材料。[光響應性材料]所謂所述光響應性材料，是通過光照射而引起質量轉移的材料，更具體而言是沿著照射部的光的明部及暗部而產生質量轉移現象的材料。作為所述光響應性材料，是可以引起光變形的材料，只要是對應光照射部的明暗部而顯現質量轉移的材料，則無特別限定，例如可以舉出如基質材料中包含通過光照射而引起消融、光致變色、分子的光致定向等的成分(光反應性成分)，通過光照射而使體積、密度、自由體積等變化的有機或無機的材料。另外，作為所述光響應性材料，還可以舉出包含選自由硫、硒及碲所組成的群中的任一種元素、與選自由鍺、砷及銻所組成的群中的任一種元素結合的結構的統稱為硫族化物玻璃的無機材料等。作為所述光反應性成分，例如可以舉出能夠引起伴有材料形狀變化的各向異性的光反應的成分即光致異構化成分或光致聚合性成分。作為所述光致異構化成分，例如可以舉出產生反-順光致異構化(trans-cisphotoisomerize)的成分,尤其具代表性的是具有含有偶氮基(_N=N-)的色素結構、尤其偶氮苯或其衍生物的化學結構的成分。在所述異構化成分是包含含有偶氮基的色素結構的材料的情況下，該色素結構優選為具備I或2個以上的電子吸引性官能基(電子吸引性取代基)、以及/或者I或2個以上的供電子性官能基(供電子性取代基)，特別優選包括這些電子吸引性官能基及供電子性官能基兩者。作為所述電子吸引性官能基,優選為哈米特方程(Hammettequation)中的取代基常數σ為正值的官能基，作為供電子性官能基，優選為哈米特方程中的取代基常數σ為負值的官能基。也就是說，所述異構化成分優選在下式(I)ΣIσI^IσII+Iσ2I…(I)(上式中，σ為哈米特方程中的取代基常數，σI為氰基的取代基常數，σ2為氨基的取代基常數)成立的條件下，包括所述供電子性取代基及電子吸引性取代基。由此，可包含以熒光分析用的熒光色素中短于熒光峰值波長的波段存在光吸收波長的長波長側的截止波長的方式得到控制的色素結構。因此，可以進行準確的測定。所述色素結構的種類并無特別限定，但優選為例如具有偶氮基的色素結構、尤其是偶氮苯或其衍生物的化學結構。也就是說，所述光響應性材料優選為包含偶氮聚合物衍生物，更優選為主鏈及/或側鏈具有偶氮苯基的偶氮聚合物衍生物。光響應性材料的基質材料中，所述光響應性成分既可以僅僅只是分散著，也可以與基質材料的構成分子化學結合等。就可以大致完全控制基質材料中的光反應性成分的分布密度的方面、或者材料的耐熱性或時效穩定性等方面而言，特別優選為光響應性成分相對于構成基質材料的分子化學性結合。作為所述基質材料，可以使用普通高分子材料等有機材料、或玻璃等無機材料。如果考慮光響應性成分相對于基質材料的均一分散性或者結合性，則更優選為有機材料，尤其是高分子材料。構成基質材料的所述高分子材料的種類并無特別限定，但優選為高分子的重復單元結構具有氨基甲酸酯基、尿素基、或酰胺基，進而就耐熱性方面而言，更優選為高分子的主鏈中具有亞苯基等的環結構。構成基質材料的所述高分子材料只要能夠成形為所期望的形狀，其分子量或聚合度便無特別限定。另外，其聚合形態還可以是直鏈狀、支鏈狀、梯形、星形等任意形態，不論是均聚物還是共聚物均可。為了光變形的時效穩定性，高分子材料的玻璃轉移溫度優選為例如高達100°C以上，也可以使用玻璃轉移溫度為室溫程度或其以下的材料。作為本發明中可以利用的光響應性材料，例如可以舉出具有[化I]M“X=0.43兔O1Ξ的偶氮聚合物(N-苯基馬來酰亞胺(ζ)、4-異丙烯基苯酹(y)、及4’-[N-乙基-N-(4-異丙稀基苯氧基乙基)氣基]-4"_硝基偶氣苯(X)的共聚物(Xyz=O.430.07:0.50)(參照參考文獻Mat.Res.Soc.Symp.Proc.Vol.488(1998),pp.813-818,“SynthesisofHigh-TgAzopolymerandtheoptimizationofitspolingconditionforstableEOsystem”、日本專利特開2006-77239號公報,有時省略為“PMPD43”)，或者在下述實施例中使用的具有[化2]m八οfitCH,Iφ一φ_的偶氮聚合物Theside-chainazo-polymer,poly(orangetom-1isophoronedisocyanate)(參考文獻DirectFabricationofSurfaceReliefHolographicDiffusersinAzobenzenePolymerFilms、OPTICALREVIEWVol.12,No.5(2005)383-386,實施例中記作“P0T1”)、或Poly[4’_[[2-(acryloyloxy)ethyl]ethylamino]-4-nitroazobenzene](聚[4'-[[2-(丙烯酸氧基)乙基]乙氨基]-4-硝基偶氮苯])(記作“pDRlA”，參考文獻Poly[4'-[[2-(acryloyloxy)ethyl]ethylamino]-4-nitroazobenzene]>MacromoleculeVol.25(1992)2268-2273)等。[結構體]本實施方式的結構體具有如下結構，即，包括平面部及筒狀體，筒狀體是以開口部面向所述平面部的平面的方式豎立設置。換言之，所述結構體具有如煙囪從地面向天空延伸那樣的結構。筒狀體的開口部的形狀不限于圓形，還可以是橢圓形、方形等。構成本實施方式的結構體的筒狀體的開口部的平均內徑在5nm以上且2000nm以下的范圍內。筒狀體的開口部的平均內徑可以通過如下方式掌握，即，利用原子力顯微鏡(AFM,AtomicForceMicroscope)、掃描電子顯微鏡(SEM,ScanningElectronMicroprobe)、透射電子顯微鏡(TEM,TransmissionElectronMicroscope)等從上方觀察筒狀體的開口部，測定該開口部的內徑。“開口部的內徑”意指相對于開口部的形狀的最大內切圓的直徑，例如在開口部的形狀實質上為圓形的情況下是指該圓的直徑，在實質上為橢圓形的情況下是指該橢圓的短徑，在實質上為正方形的情況下是指該正方形的邊長，在實質上為長方形的情況下是指該長方形的短邊長度。宜針對多個(優選為10個以上，更優選為20個以上，進而優選為50個以上)筒狀體測定開口部的內徑，求出其平均值以作為“筒狀體的開口部的平均內徑”。此外，構成本實施方式的結構體的筒狀體的開口部的平均內徑只要在5nm以上且2000nm以下的范圍內，則可以讓入射光定域在筒狀體的凹部內部及開口部周邊，因此該結構體可以較佳地用于制造定域型表面等離子共振傳感器用芯片。另外，所述筒狀體的開口部的平均內徑更優選為在200nm500nm的范圍內。因為所述筒狀體的開口部的平均內徑在200nm500nm的范圍內，所以可以使入射光更強地定域。另外，本實施方式的結構體中，所述筒狀體的開口部內徑A、與筒狀體的自開口部起的中間深度處的內徑B的比(A/B)成為1.00以上且1.80以下的范圍內。因為所述(A/B)在所述范圍內，所以可以享有能讓通過入射光而產生的電磁場更強地定域在筒狀體的凹部內部及開口部周邊這一效果。另外，更優選為，所述(A/B)成為I.00以上且I.50以下的范圍內，進而優選為，所述(A/B)成為1.00以上且I.30以下的范圍內，最優選為，所述(A/B)成為1.00以上且I.20以下的范圍內。因為所述(A/B)在所述范圍內，所以可以說本實施方式的結構體的內徑A與內徑B幾乎沒有差別，即，構成本實施方式的結構體的筒狀體的內部結構成為上下一般粗的結構。因為構成本實施方式的結構體的筒狀體的內部結構上下一般粗，所以可以享有能讓通過入射光而產生的電磁場更強地定域在筒狀體的凹部內部及開口部周邊這一效果。內徑A及內徑B可以利用原子力顯微鏡(AFM)并根據筒狀體的截面圖來掌握。利用圖13來更具體地說明內徑A及內徑B的測定方法。圖13是本實施方式的結構體的原子力顯微鏡(AFM)像。根據AFM像獲取本實施方式的結構體的相對于平面部的垂直截面圖。找出成為測量內徑的對象的筒狀體的截面中從平面部最突出的兩個頂點(圖中由向下的三角形表示)。求出從這些頂點起相對于表示圖中的平面部的平面的線(圖中的X軸)所劃的垂線與X軸的交點間的距離，將其設為內徑A。接下來，說明內徑B的測定方法。找出筒狀體的最高點(在將y軸的箭頭方向設為正方向的情況下的最高點，圖中由向下的三角形表示)、與筒狀體的最低點(在將y軸的箭頭方向設為正方向的情況下的最低點，圖中由向上的三角形表示)，將通過所述最低點與X軸平行的線(圖中由點線表示)、和通過最高點與X軸平行的線(圖中由兩端箭頭線表示)的距離設為“筒狀體的距離開口部的深度”。只要測定該深度的中間點(圖中由箭頭表示)的筒狀體的內徑，便可以掌握內徑B。此外，本發明中，內徑A與內徑B是利用AFM測定所得的值。另外，本實施方式的結構體的所述筒狀體的距離開口部的深度的平均值優選為在5nm以上10μm以下的范圍內，進而優選為在IOnm以上且500nm以下的范圍內。宜針對多個(優選為10個以上，更優選為20個以上，進而優選為50個以上)筒狀體測定深度，求出其平均值而作為“筒狀體的距離開口部的深度的平均值”。此外，只要構成本實施方式的結構體的筒狀體的距離開口部的深度的平均值在5nm以上且10μm以下的范圍內，則可以讓入射光較強地定域在筒狀體的凹部內部及開口部周邊，因此該結構體可以較佳地用于制造定域型表面等離子共振傳感器用芯片。此外，本實施方式的結構體的筒狀體的最深部既可以位于表示平面部的平面的線(圖中的X軸)的負側，也可以位于正側。也就是說，在使結構體的不具備筒狀體的面鉛垂向下地載置的情況下，筒狀體所構成的凹部的底面既可以是位于較平面部更下方的形態，也可以是位于較平面部更上方的形態。另外，所述筒狀體在平面部的分散密度優選為在每100μm見方為I個以上且50萬個以下的范圍內，更優選為每100μm見方為10個以上且30萬個以下的范圍內。另外，最優選為每100μm見方為50個以上且20萬個以下的范圍內。所述分散密度宜通過AFM觀察等測量存在于任意范圍的筒狀體的個數，以此為依據計算出每100μm見方的個數。此外，本實施方式的結構體中，筒狀體既可以是內徑隨著從開口部朝向深部逐漸變小的形狀(V字型)，筒狀體也可以是內徑隨著從開口部朝向深部逐漸變大的形狀(倒V字型)。具體而言，圖20或21所示的筒狀體因為越往深部而內徑變得越大，所以可謂是倒V字型。另外，圖22或24所示的筒狀體因為越往深部而內徑變得越小，所以可謂是V字型。另外，如圖13或下述圖2025所示，本實施方式的結構體的筒狀體的底部成為非球面。尤其是如圖2025所示，本實施方式的結構體的筒狀體的底部成為大致平面。此處所謂“筒狀體的底部”，是位于與開口部為相反側的位置的部分。(II)定域型表面等離子共振傳感器用芯片本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器用芯片的特征在于基板上形成著所述結構體，且以覆蓋該結構體表面的至少一部分且反映該結構體的結構的方式形成著金屬層。換言之，本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器用芯片的特征在于基板上形成著結構體，且以覆蓋該結構體表面的至少一部分且反映該結構體的結構的方式形成著金屬層，該結構體如下包含光響應性材料，且包括平面部及筒狀體，筒狀體是以開口部面向所述平面部的平面的方式豎立設置，所述筒狀體的開口部的平均內徑在5nm以上且2000nm以下的范圍內，所述筒狀體的開口部內徑A、與筒狀體的相對于平面部的高度的中間的內徑B的比(A/B)在I.00以上且I.80以下的范圍內。此外，本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中，對于與所述結構體的說明共通的事項沿用“(I)結構體”一項的說明。作為構成本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器用芯片的基板，可以較佳地使用玻璃、或丙烯酸系樹脂、非晶形碳、晶體硅、多晶硅、非晶硅等。尤其是作為透過型的用于定域型表面等離子共振法的基板，優選為透光性高的基板(總光線透過率為60%以上(換算成厚度為1mm))。本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器用芯片具有所述結構體的形狀，因此筒狀體所構成的凹部內部及開口部周邊的金屬中的自由電子與入射光之間產生耦合，電場集中在筒狀體所構成的凹部內部及開口部周邊而產生極強的定域型表面等離子共振。此處，所謂“定域性共振電場”，是指共振電場不會沿著金屬表面傳播，而使通過共振而增強的電場的區域小于入射光的衍射極限的電場。本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中，具有所述“筒狀體”。若為該構成，則筒狀體所構成的凹部內部及開口部周邊的金屬中的自由電子與入射光之間更容易產生耦合，更強的電場集中在凹部內部及開口部周邊而產生更強的定域型表面等離子共振。本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中，所述筒狀結構的開口部的平均內徑在5nm以上且2000nm以下的范圍內。另外，在用作生物傳感器的情況下，普通蛋白質的尺寸為IOnm左右，因此所述筒狀結構的開口部的平均內徑更優選為在20nm以上且IOOOnm以下的范圍內。本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中，所述筒狀體的距離開口部的深度的平均值優選為在5nm以上且10μm以下的范圍內，更優選為在IOnm以上且500nm以下的范圍內。只要筒狀體的深度在所述范圍內，則可以使定域型表面等離子共振現象以高傳感器靈敏度良好地產生。本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中，筒狀體間的距離并無限制，所述筒狀體在平面部的分散密度優選為在每100μm見方為I個以上且50萬個以下的范圍內，更優選為在每IOOym見方為10個以上且30萬個以下的范圍內。另外,最優選為在每100μm見方為50個以上且20萬個以下的范圍內。本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中，所述金屬層的厚度優選為在IOnm以上且500nm以下的范圍內。只要金屬層的厚度在所述范圍內，則對于反射光可以確保足夠的光量，另外，對于透過光量也可以確保足夠的光量，而使測量精度變高。本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中，所述金屬層的材質優選為包含Au、Ag、或者它們的合金。只要所述金屬層的材質為Au、Ag、或者它們的合金，則可以產生較強的定域型表面等離子共振。另外，還可以在該金屬層之上進而形成無機材料層。這是為了能夠防止金屬層的氧化劣化，不讓測定對象的蛋白質等分子失活。作為所述無機材料，優選為二氧化硅、氧化鋅、氧化錫、氧化鈦等材料。本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中，優選在所述金屬層的表面上形成用來使生物分子固定化的有機分子層。由此，可以用作能夠檢測特定的生物分子的生物傳感器。也就是說，只要是本實施方式的芯片，則可以增大用來形成有機分子層的表面積，從而可以提高傳感器靈敏度。另外，本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中，所述有機分子層優選為包含距離金屬層表面的長度為50nm以上且200nm以下的分子、及距離金屬層表面的長度為Inm以上且小于50nm的分子。因為所述有機分子層具有如上所述的分子，所以長度為Inm以上且小于50nm的分子在金屬層的附近與生物分子結合，長度為50nm以上且200nm以下的分子在遠離金屬層處與生物分子結合。而且，因為與生物分子結合的長度為50nm以上且200nm以下的分子彎折，所以該生物分子也被吸引至金屬層附近。由此，可以使許多生物分子集中在金屬層附近的區域，從而可以更進一步提高傳感器靈敏度。作為構成所述有機分子層的所述分子，可以舉出生物素化聚乙二醇(Biotin-PEG),0RLA18(商品名、ORLAPROTEINTECHNOLOGY公司制造)、右旋糖酐等。另外，所述分子的分子鏈長的測量可以通過動態光散射法來測定。(III)定域型表面等離子共振傳感器本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器包括所述本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器用芯片；光源，對所述定域型表面等離子共振傳感器用芯片照射光；以及光檢測器，接收由所述定域型表面等離子共振傳感器用芯片所反射的光或透過該定域型表面等離子共振傳感器用芯片的光。本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器是在所述定域型表面等離子共振傳感器用芯片中的金屬層表面產生定域性共振電場，利用所述光檢測器接收從所述光源出射并入射至所述傳感器用芯片的表面后在所述金屬層的表面的產生共振電場的區域反射或透過的光。然后，測定所述傳感器用芯片中的反射率、透過率、或由所述光檢測器接收的光強度。另外，本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器也可以是，對于所述傳感器用芯片，使兩種以上的波長的光垂直入射至傳感器用芯片表面，并利用所述光檢測器來測定由所述傳感器用芯片反射或透過該所述傳感器用芯片的各波長的光的反射率或透過率、或者各波長的光的光強度。根據所述實施方式，可以通過對特定的兩種波長以上的波長的反射率或透過率、光強度進行比較，而評價共振波長的變化。因此，較理想的是用于檢查有無已知的特定物質坐寸ο如果在本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中產生定域型表面等離子共振，那么所照射的光能會被金屬層的表面等離子波吸收，因此使某波長(共振波長)中光的反射率或透過率、及由光檢測器接收的光強度降低。該共振波長會根據筒狀體所構成的凹部內部及開口部周邊所存在的介質的折射率而變化，因此通過所述定域型表面等離子傳感器，可以偵測到該區域內附著有電介質物質或附著量的變化等。尤其，可以用作生物傳感器而較佳地用于檢測特定蛋白質。而且，本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器中，在筒狀體所構成的凹部內部及開口部周邊可見大幅度的電場增強，因此可以引起極強的表面等離子共振，與以往的傳播型表面等離子共振傳感器或定域型表面等離子共振傳感器相比，可以進行靈敏度非常高的傳感。尤其是，因為本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器中包含所述筒狀體，所以如果對形成著該筒狀體的區域內的面照射光，那么筒狀體內壁的金屬側面的自由電子與入射光之間會產生耦合，使筒狀體內部集中有更強的電場，而產生更強的定域型表面等離子共振。進而，本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器中，距離金屬層的表面數十nm左右的狹小區域內具有靈敏度，因此可以制作由遠離金屬層的區域的物質所引起的干擾較小而S/N比良好的定域型表面等離子共振傳感器。以下，用圖I對本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器(以下，稱為定域SPR傳感器)的反射光學系統的基本構成的一例進行說明。圖I是表示本實施方式的定域SPR傳感器24的反射光學系統的基本構成的概況的平面圖。如圖I所示，所述定域SPR傳感器24包括光源25、準直透鏡26、具有小孔的準直板27、分束鏡(beamsplitter)(也可以是半反射鏡(halfmirror))28、分光器29、光檢測器33、定域SPR傳感器用芯片30、及數據處理裝置31。將從光源25出射的光引導至準直透鏡26。準直透鏡26使從光源25出射的光準直化并使其作為平行光束而通過。通過準直透鏡26而準直化的光因為通過準直板27的小孔而成為匯聚得較細的平行光束。已通過準直板27的小孔的光入射至分束鏡28，僅入射光量的約1/2的光筆直地透過分束鏡28。已透過分束鏡28的平行光束照射至測定區域(形成著筒狀體的區域)32。照射至測定區域32的光由測定區域32反射而沿原方向返回。沿原方向返回的測定光入射至分束鏡28。入射至分束鏡28的測定光中僅光量的約1/2在分束鏡28內的貼合面向90度方向反射。由分束鏡28反射的光通過分光器29而分光為各波長的光，并由光檢測器33接收。因此，通過利用光檢測器33來接收由分光器29分光的光，可以檢測出各波長的光強度。數據處理裝置31預先被給予了在測定區域32內無樣本的狀態下照射的光的各波長的光強度作為數據。因此，通過利用數據處理裝置31對預先給予的數據與由光檢測器33檢測出的各波長的光強度進行比較，可以求出測定區域32內的各波長的反射率的分光特性(反射率光譜)等。接下來，用圖2對本實施方式的定域SPR傳感器的透過光學系統的基本構成的一例進行說明。圖2是表示本實施方式的定域SPR傳感器34的透過光學系統的基本構成的概況的平面圖。定域SPR傳感器34包括光源25、準直透鏡26、具有小孔的準直板27、包含測定區域32的定域SPR傳感器用芯片30、分光器29、光檢測器33、及數據處理裝置31。將從光源25出射的光引導至準直透鏡26。準直透鏡26使從光源25出射的光準直化并使其作為平行光束而通過。通過準直透鏡26而準直化的光因為通過準直板27的小孔而成為匯聚得較細的平行光束。已通過準直板27的小孔的光照射至測定區域(形成著筒狀體的區域)32。照射至測定區域32的光透過測定區域32。已透過的測定光通過分光器29而分光成各波長的光，并由光檢測器33接收。數據處理裝置31預先被給予了在測定區域32內無樣本的狀態下照射的光的各波長的光強度作為數據。因此，通過利用數據處理裝置31對預先給予的數據與由光檢測器33檢測出的各波長的光強度進行比較，可以求出測定區域32內的各波長的反射率的分光特性(透過率光譜)等。此外，所述反射光學系統及透過光學系統的構成中，所述光源25較理想的是照射鹵素燈等的白色光，但只要是包含用于測定的波段的光即可。另外，通過小孔的平行光束也可以是具有某種偏振光面的直線偏振光或橢圓偏振光、圓偏振光等。進而，也可以是視需要配置用來形成所述各種偏振光狀態的光學零件(例如，λ/2板等)。此外，本實施方式中，將光(電磁波)的電場的振蕩面定義為偏振光面，將該電場的方向定義為偏振光方向。另外，光檢測器33可以包括具有多個光接收面的光電二極管陣列、CXD(ChargeCoupledDevice,電荷稱合元件)或利用等離子現象的光接收器等。接下來，通過圖3來對所述定域SPR傳感器24及34中的測定區域32進行詳細說明。圖3的(a)是表示放大測定區域32而表示的平面圖，圖3的(b)是圖3的(a)沿A-A線切斷后沿箭頭所示的方向所視的截面圖。在測定區域32內，在金屬層52的表面形成著多個筒狀體45(由金屬薄膜制成的筒狀體，虛線圓形記號內)。如果在此種配置的基礎上將光垂直入射至測定區域32，則光會入射至筒狀體45，在筒狀體45的內部或周邊會產生電場。入射至具有筒狀體45的金屬層52的光在筒狀體45的內部及周邊產生電場,該電場與金屬層52內部的自由電子的固有振蕩I禹合，由此而產生定域型SPR。因此，入射至金屬層52的光能通過定域型SPR而向筒狀體45集中，入射至金屬層52的光的一部分被吸收。其結果為，根據由光檢測器33接收的光求出的反射率或透過率在某種特定的波長(共振波長)下變小。該特定的波長根據檢查樣本溶液的折射率而變化，因此通過研究反射率極小點的波長或其變化，可以檢查出檢查樣本溶液中所含的電介質物質的折射率及種類等。另外，通過使用與特定蛋白質特異性地結合的抗體等，可以檢查出檢查樣本溶液中所含的特定蛋白質的有無及含量等。此外，在此種測定區域32內，筒狀體45的口徑、深度既可以均勻一致，也可以不均勻。(IV)結構體的制造方法本發明的結構體的制造方法是至少包括(i)液體涂覆步驟、及(ii)光照射步驟的方法。在以下的說明中，是對包括(i)液體涂覆步驟、(ii)光照射步驟、(iii)結構體的模子的制造步驟、及(iv)使用模子的結構體的復制步驟的形態進行說明，但本發明并不限定于此。[液體涂覆步驟]所述液體涂覆步驟是在光響應性材料上涂覆不含顆粒狀物質的液體的步驟。此處，光響應性材料可以使用與“(I)結構體”中所例示的相同的材料。另外，所謂所述“不含顆粒狀物質的液體”，是指實質上不含有顆粒狀物質的液體。所謂“顆粒狀物質”，是指液體中顆粒狀的固體。有時特別是指其平均粒徑在Inm100μm的范圍內的物質。所述“平均粒徑”是指一次粒徑的平均粒徑，可以通過BET(Brunauer-Emmett-Te11er,布厄特)法(比表面積法)測定。另外，所謂“實質上不含有”，是指無法通過可以檢測Inm100μm的物質的檢測單元(例如,粒度分布測定器)來檢測。另外，所謂所述“顆粒狀物質”，只要是液體中作為顆粒狀的固體而存在的物質，則無特別限定，指的是如金屬顆粒那樣的剛體、或如動物細胞那樣非常柔軟的物體。作為所述“顆粒狀物質”，更具體而言，可以例示包含選自由無機材料、金屬材料、及高分子材料所組成的群中的至少I種材料的顆粒狀的物質，或者包含金屬顆粒、金屬酸化物顆粒、半導體顆粒、陶瓷顆粒、塑料顆粒、或其中兩種以上的材料(例如，兩種材料的混合物或多層結構體)的顆粒狀的物質。作為所述金屬顆粒，例如可以舉出金、銀、銅、鋁、鉬等。作為金屬氧化物顆粒，例如可以舉出二氧化硅、氧化鈦、氧化錫、氧化鋅等。作為塑料顆粒，例如可以舉出聚苯乙烯顆粒、丙烯酸顆粒等。作為本步驟中所使用的“液體”，可以舉出水、甲醇或乙醇等醇類、四氫呋喃(THF,tetrahydrofuran)、氯仿、環己酮或丙酮等可溶解光響應性材料的有機溶劑、或者水與所述有機溶劑的混合物。作為液體的涂覆方法，并無特別限定，可以僅利用滴管等進行添加，還可以使用旋涂法、噴涂法、浸涂法等眾所周知的方法。本發明的結構體的制造方法中，可以在涂覆液體之后，進行在該液體上放置膜或板狀物質而使液體厚度保持固定的操作。所述膜或者板狀物質既可以透明，也可以不透明。此外，本發明的結構體的制造方法中還可以包括在所述液體涂覆步驟之前在基板(例如，包含玻璃、丙烯酸系樹脂、非晶形碳、晶體硅、多晶硅、非晶硅等的基板)的表面形成光響應性材料的膜的步驟(稱為“光響應性材料膜形成步驟”)。光響應性材料膜形成步驟例如可以通過如下方式進行，即，通過旋涂法、噴涂法、浸涂法等眾所周知的方法將光響應性材料溶解在適當的有機溶劑(四氫呋喃(THF)、氯仿、環己酮或丙酮等可溶解光響應性材料的有機溶劑)中的溶液涂覆在所述基板上。另外，也可以使通過所述方法形成的光響應性材料的膜退火。所謂所述“退火”，是指通過對光響應性材料的膜中所含的溶劑進行加熱而使之揮發的工藝。作為退火的加熱溫度，可以適當采用優選條件。退火的加熱溫度例如既可以在光響應性材料的玻璃轉移點左右，也可以在室溫附近。另外，退火不論是在大氣壓條件下進行，還是在減壓條件下進行均可。以所述方式形成的光響應性材料的膜既可以立即實施所述液體涂覆步驟，也可以放置一段時間后實施液體涂覆步驟。放置時的氣體環境溫度既可以是室溫，也可以是室溫以上，還可以是室溫以下。另外，還可以視需要在濕度得到控制的條件下放置。圖14表示對退火時間與所形成的筒狀體的分布的關系進行研究所得的結果。圖14的(a)、(b)、(c)是分別在真空條件下以80°C對光響應性材料膜形成步驟后的光響應性材料進行10分鐘、60分鐘、20小時退火時形成的結構體的AFM照片。可見如下傾向，S卩，退火時間變得越長，則筒狀體的開口部的口徑變得越小，藤壺體內壁相對于水平面的角度變得越接近于垂直(即變得上下一般粗)。另外，雖然省略數據，但還是可以看到這樣的傾向，即，直至所述液體涂覆步驟為止的放置時間變得越長，退火時間變得越長，則筒狀體的開口部的口徑變得越小，藤壺體內壁相對于水平面的角度越接近于垂直(即變得上下一般粗)。因此啟示我們有如下可能性，即，通過控制退火時間或放置時間，可以控制結構體的分布。[光照射步驟]光照射步驟是對通過所述液體涂覆步驟而涂覆有液體的光響應性材料照射光的步驟。換言之，是在將不含顆粒狀物質的液體(以下，簡稱為“液體”)涂覆在光響應性材料的表面之后在直至液體干燥為止的期間進行光照射的步驟。另外，也可以在使所述液體涂覆步驟后的光響應性材料干燥至所涂覆的液體未完全蒸發的程度之后，進行光照射步驟。通過控制光照射時光響應性材料上所存在的液體的殘留量，可以控制結構體的形狀(筒狀體的開口部的口徑、筒狀體的密度、筒狀體的高度、筒狀體凹部的深度等)。干燥方法并無特別限定，既可以將液體涂覆步驟后的光響應性材料加入干燥爐內進行加熱，也可以利用干燥器等進行熱風干燥，也可以通過減壓進行干燥，還可以進行自然干燥。所述光照射的時間宜配合想要獲得的結構的形狀、或光的種類或強度而適當調整。另外，光的照射方向也并無特別限定，既可以從光響應性材料的背面(未涂覆有液體一偵D照射光，也可以從涂覆有液體一側照射光。用圖16-18對光照射步驟的一實施方式進行說明。本發明并不限定于此。圖16是在滑動玻璃基板上形成光響應性材料膜(偶氮苯聚合物薄膜)，進而在其上涂覆液體。鋁制掩模(具備圓形孔)與滑動玻璃的不面向偶氮苯聚合物薄膜的面接觸。來自LED燈的光由簡易聚光透鏡聚光，通過鋁制掩模的孔而照射至偶氮苯聚合物薄膜。然后，在偶氮苯聚合物薄膜的光所照射到的區域形成筒狀體。圖16所示的形態是從基板側照射光的形態。圖17是在滑動玻璃(蓋片)上涂覆液體并放置墊片(例如滑動玻璃片)。然后，將在滑動玻璃基板上形成著光響應性材料膜(偶氮苯聚合物薄膜)的基板，以偶氮苯聚合物與液體接觸的方式放置在墊片之上。鋁制掩模(具備圓形孔)與滑動玻璃(蓋片)的不面向液體的面接觸。來自LED燈的光由簡易聚光透鏡聚光，通過鋁制掩模的孔而依次照射至液體、偶氮苯聚合物薄膜。然后，在偶氮苯聚合物薄膜的光所照射到的區域形成筒狀體。圖17所示的形態是從液體側照射光的形態。此外，從液體側對偶氮苯聚合物薄膜照射光的形態也可以是如圖18所示的形態。也就是說，也可以對在滑動玻璃基板上形成著光響應性材料膜(偶氮苯聚合物薄膜)的基板照射由簡易聚光透鏡聚光的來自LED燈的光。此外，通過縮短光的照射時間，可以制作如圖15所示將埋在地下的輪胎的一部分拉出至地面上的形狀(換言之，為月牙形)的結構體。本發明包含所有通過本發明的結構體的制造方法而制造的結構體，因此所述月牙形的結構體也包含在本發明的范圍中。此處，圖15的(a)是在光照射I秒后形成的結構體的AFM像，(b)是在光照射5秒后形成的結構體的AFM像，(c)是在光照射10秒后形成的結構體的AFM像，Cd)是在光照射15秒后形成的結構體的AFM像，Ce)是在光照射25秒后形成的結構體的AFM像，Cf)是在光照射30秒后形成的結構體的AFM像，(g)是在光照射45秒后形成的結構體的AFM像，(h)是在光照射60秒后形成的結構體的AFM像，(i)是在光照射300秒后形成的結構體的AFM像。在圖15的(a)(d)中尤其可以觀察到月牙形的結構。作為照射光，只要與引起光變形的材料的組合并無不匹配，便可以利用傳播光、近場光、或瞬逝光等任意照射光。作為傳播光，可以利用自然光、激光等。作為傳播光、近場光、或瞬逝光，可以利用其偏振光特性。照射光的波長和光源并無限定，關于波長，優選引起光變形的材料的吸收率高的波長。因此，優選紫外光(波長為300400nm)，但也可以照射可見光(波長為400600nm)。在照射可見光的情況下，優選使用通過可見光的照射而使所述固體的光固定化成為可能的光響應性材料。另外，還可以使用峰值功率高的脈沖光。另外，所述光照射步驟既可以在液體涂覆步驟后立即實施，也可以放置一段時間后實施光照射步驟。放置時氣體環境溫度既可以是室溫，也可以是室溫以上，還可以是室溫以下。另外，還可以視需要在濕度得到控制的條件下放置。[電暈放電處理步驟]本發明的結構體的制造方法中還可以包括在光照射步驟之后進行電暈放電處理的步驟(電暈放電處理步驟)。通過進行電暈放電處理，可以獲得所期望的結構體。例如，通過電暈放電處理，可以進一步增加筒狀體的隆起部分的高度。電暈放電處理方法可以使用普通電暈放電處理方法(例如，參照OpticsLetters,Vol.26,No.I,JanuaryI,2001,“Diffractionefficiencyincreasebycoronadischargeinphotoinducedsurfacereliefgratingsonanazopolymerfilm”)。另外，宜調節電暈放電的強度、處理時間以便獲得所期望的結構。電暈放電處理步驟本身可以視需要進行電暈放電處理，以獲得所期望的結構，若無須進行電暈放電處理，則可以不進行。[結構體的模子的制造步驟]所謂結構體的模子的制造步驟，是通過如下方式制造成為第一結構體模子的第二結構體的步驟，該方式是以完全覆蓋通過所述光照射步驟而獲得的結構體(以下，記作第一結構體)的表面的方式涂覆熱固性樹脂或光固化性樹脂，使該熱固性樹脂或光固化性樹脂硬化后進行剝離。作為所述熱固性樹脂或光固化性樹脂，可以使用通常使用的樹脂，關于熱固性樹月旨，優選使用具有低于光響應性材料的玻璃轉移溫度的熱固溫度的樹脂。作為本發明中的優選熱固性樹脂，可以利用硅酮樹脂、尤其聚二甲基硅氧烷、或酚醛樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、環氧樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、聚氨基甲酸酯、聚酰亞胺等；作為光固化性樹脂，可以利用硅酮樹脂、聚酰亞胺、丙烯酸系樹脂等。另外，所述熱固性樹脂或光固化性樹脂中，還可以利用已調整折射率的樹脂(例如，含有無機納米顆粒、有機納米顆粒、或金屬納米顆粒的聚合物材料，或者以包含含有極化率的大的元素(磷、硫、硒等)的原子團的方式完成分子設計的聚合物材料)。通過使用所述已調整折射率的樹脂，有蒸鍍金屬時定域表面等離子共振電場的放大效果變得更大(傾向)這一優點。進而，作為本發明中的光固化性樹脂的含義是，不僅包括吸收光而硬化的樹脂，還包括如下的樹脂，其如偶氮苯聚合物那樣，吸收光而增加流動性后阻斷光，由此硬化。因此，本步驟中，還可以使用偶氮苯聚合物。通過使用偶氮苯聚合物，可見光波段的折射率較高，因此有蒸鍍金屬時定域表面等離子共振電場的放大效果變得更大這一優點。此外，在本步驟中使用熱固性樹脂及光固化性樹脂的情況下，有時樹脂會起泡，因此優選在將樹脂涂覆在結構體上的前后進行消泡步驟。消泡步驟例如通過在減壓條件下放置硬化前的樹脂而進行。在接下來的復制步驟中，也優選進行相同的消泡步驟。[使用模子的結構體的復制步驟]使用模子(第二結構體)的結構體的復制步驟是通過如下方式而獲得作為第一結構體復制體的第三結構體的步驟，該方式是將熱固性樹脂或光固化性樹脂填充至所述第二結構體中成為第一結構體的模子的部分，使該熱固性樹脂或光固化性樹脂硬化后進行剝離。具體而言，通過在所述第二結構體的表面涂覆光(紫外線)固化性樹脂或熱固性樹月旨，照射光(紫外線)或加熱使之硬化后剝離該樹脂，可以獲得具有與光響應性材料表面上所形成的形狀大致相同的形狀的本實施方式的結構體(第三結構體)。此外，在將偶氮苯聚合物用作光固化性樹脂的情況下，也可以通過在所述第二結構體的表面涂覆照射光使之軟化的偶氮苯聚合物，此后停止照射光而使之硬化。此外，相當于復制體的第三結構體不僅存在與光響應性材料表面上所形成的結構體完全相同的情況，還存在根據轉錄率大小而使獲得的結構體的形狀不同的情況，但平面部、筒狀體面內的配置模式大致相同。另外，所述說明中是對包括“結構體的模子的制造步驟”、及“使用模子的結構體的復制步驟”的情況進行了說明，并不限于此。也可以不進行這些步驟，而通過液體涂覆步驟、與光照射步驟來制作結構體。然而，如本實施方式，在制造模子并通過該模子而復制光響應性材料表面上所形成的結構體的情況下，構成結構體的材料并不限定于光響應性材料，而且可以容易地批量生產，因此效果特別大。即，可以說通過多次重復進行使用模子的結構體的復制步驟，能夠容易地批量生產結構體。此外，上文中對使用光響應性材料的制造方法進行了說明，而關于使用熱響應性材料的制造方法，可以參照實施例7。(V)定域型表面等離子共振傳感器用芯片的制造方法本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器用芯片的制造方法包括如下步驟通過本實施方式的結構體的所述制造方法制造結構體的步驟；及以金屬覆蓋經所述步驟而獲得的結構體的表面，形成具有反映了所述結構體形狀的形狀的金屬層。[制造結構體的步驟]制造結構體的步驟是通過“(IV)結構體的制造方法”中所記載的方法來制造結構體的步驟。因此，該步驟的說明可以沿用“(IV)結構體的制造方法”的說明。[形成金屬層的步驟]所謂形成金屬層的步驟，是以金屬覆蓋經制造所述結構體的步驟而獲得的結構體的表面而形成具有反映了所述結構體的形狀的金屬層的步驟。金屬層的形成可以通過例如濺鍍法、蒸鍍法等眾所周知的方法而進行。此外，在通過濺鍍或蒸鍍而沉積的金屬層的厚度較薄的情況下，還可能出現并非傳感器用芯片的整個表面均形成有金屬層的情況，但本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中，即便在這樣的情況下，也會引起定域型表面等離子共振現象。[定域型表面等離子共振傳感器用芯片的制造方法的例子]以下，通過圖4對本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器用芯片的制造方法的一例進行詳細說明。但本發明并不限定于此。此外，作為結構體的制造方法的實施方式的說明，也可以參考以下的說明中的一部分。首先，利用旋轉涂覆機等在透明基板46之上涂覆光響應性材料的溶液，形成包含光響應性材料的層(光響應性材料層)48(參照圖4的(a))。其次，將不含顆粒狀物質的液體(水等)54滴落至光響應性材料層48上(參照圖4的(b))。從透明基板46側照射特定的光之后(參照圖4的(c))，使光響應性材料層48自然干燥，從而制作具有筒狀體的基板49(參照圖4的(d))。然后，將熱固性樹脂滴落至基板49之上，放置在熱風烘箱中，使之硬化后剝離，從而制作具有筒狀體的反轉錄形狀的熱固性樹脂基板50(參照圖4的(e))。然后，將紫外線固化樹脂滴落至熱固性樹脂基板50上，在光固化后剝離，從而制作具有筒狀體的透明基板51。可以在以所述方式獲得的具有筒狀體的透明基板51的表面，以利用濺鍍使AiuAg等金屬沉積而反映筒狀的形狀的方式對金屬層52進行成膜處理，從而獲得如圖4的(f)的傳感器用芯片53的基板部分。此外，在具有筒狀體的透明基板51的表面與金屬層52的密接性不充分的情況下，也可以在具有筒狀體的透明基板51與金屬層52之間設置Ti、Cr等的密接層。另外，為了充分獲得反射光的光量，較理想的是金屬層52的厚度為IOnm以上。但若金屬層52過厚，則不能使入射光透過，或者成本或制作生產量不佳，因此實際上較理想的膜厚是10IOOnm程度。如上所述，本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器用芯片的制造方法中，通過在暫時制造的光響應性材料上的具備筒狀體的結構體上涂覆熱固性樹脂或光固化性樹月旨，再在硬化后剝離，可以容易地大量生產成為結構體模子的結構體。而且，通過在所獲得的成為模子的結構體上進而涂覆熱固性樹脂或光固化性樹月旨，并進行剝離，可以獲得具有與光響應性材料上的表面形狀相同的形狀的結構體。另外，本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器用芯片的制造方法中，因為無需大規模的裝置而幾乎不用花費設備投資費，且批量生產性優異，因此能夠以低成本來生產高精度的傳感器用芯片。此外，所述說明中對使用透明基板46作為涂覆光響應性材料的基板的情況進行了說明，但并不限于此。在向光響應性材料側照射光的情況下，也可以使用不具透光性的基板。另外，所述說明中是使用透明基板51作為最終獲得的定域型表面等離子共振傳感器用芯片的基板，但并不限于此。在不對定域型表面等離子共振傳感器用芯片測定透過率的情況下，也可以使用不具透光性的基板。進而，所述說明中對如下情況進行了說明，但并不限于此，該情況是使用熱固性樹脂而制作結構體的模子，此后在該模子上涂覆紫外線固化性樹脂，從而制作最終的定域型表面等離子共振傳感器用芯片的基板。也可以使用紫外線固化性樹脂等光固化性樹脂而制作結構體的模子，此后在該模子上涂覆熱固性樹脂，從而制作最終的定域型表面等離子共振傳感器用芯片的基板，此外，既可以前后都使用紫外線固化性樹脂等光固化性樹脂，也可以前后都使用熱固性樹脂。另外，偶氮苯聚合物也可以用于制作結構體的模子、及定域型表面等離子共振傳感器用芯片的基板。此外，至今的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中，為了使金屬納米微粒子在基板上固定化，必須對基板表面進行化學修飾，而使金屬納米微粒子固定化步驟變得繁瑣，難以有效地制造。相對于此，本實施方式的定域型表面等離子共振傳感器用芯片的制造方法中，可以連續形成金屬層，因此可以有效地制造。也就是說，利用蒸鍍、濺鍍等工藝在可以通過將液體滴落至光響應性材料上并照射能引起伴隨光致異構化產生的質量轉移的波長的光等而獲得的具備平面部及筒狀體的基板之上形成金屬膜，由此而可以有效地形成具備平面部及筒狀體的形狀。另外，近年來，作為形成亞微米至數10納米尺寸的微小的凹部或凸部的方法，常使用納米壓印法。然而，納米壓印法中，需要壓模或壓印裝置，可謂批量生產性優異，但因為初始設備投資費較高，所以不可以說是能夠以低成本進行生產。另外，壓模上僅形成凹部或凸部中的任一方，難以制作使凸部及凹部雙方并存的壓模，如果達到亞微米程度的尺寸，則從壓模上脫離的脫模性較差，因此納米壓印法難以生產復雜的形狀。此外，定域型表面等離子共振傳感器可以使用所述定域型表面等離子共振傳感器用芯片并通過眾所周知的方法來制造。[實施例]以下，根據實施例更詳細地說明本發明，但本發明并不限定于以下的實施例。[實施例I:結構體的制造-I]使用所述POTl作為光響應性材料，通過旋涂法使該偶氮聚合物衍生物薄膜(厚度為IOOnm)形成在玻璃基板上。對所形成的偶氮聚合物衍生物薄膜進行退火(以150°C進行10分鐘(常壓))。在將Icc的純水滴落至所述偶氮聚合物衍生物薄膜上之后，以40mW/cm2的強度照射波長為470nm的光5分鐘。在照射后去除純水，對光照射后的偶氮聚合物衍生物薄膜進行熱風干燥之后，利用AFM觀察表面。將其結果于圖5。所獲得的結構體中的筒狀體的平均口徑為690nm，深度(平均值)為180nm，筒狀體的開口部內徑A與筒狀體的自開口部起的中間深度處的內徑B的比(A/B)為1.78。另外，所獲得的結構體的筒狀體在平面部的分散密度是每100μm見方為25000個。通過真空蒸鍍法在所獲得的結構體表面蒸鍍厚度為IOOnm的金，從而制作傳感器用芯片。當測定該傳感器用芯片的透過光譜時，可見源于等離子共振的吸收峰。將折射率不同的液體(水、三甘醇)分別滴落至表面，進行透過光譜測定，將以峰頂的值標準化的圖表示于圖6。當計算出傳感器用芯片表面的相對于液體的折射率的透過光譜的峰位移量的變化率而測定傳感器用芯片的靈敏度時，為154RIU(RefractiveIndexUnit，單位折射率)。因此可知，本實施例的傳感器用芯片是透過型且靈敏度高的等離子共振傳感器。[實施例2:結構體的制造-2]利用旋轉涂覆機，在透明基板上以50nm的厚度涂覆作為光響應性材料的與實施例I中所使用的物質相同的偶氮聚合物衍生物P0T1，而形成偶氮聚合物衍生物薄膜。對所形成的偶氮聚合物衍生物薄膜進行退火(以150°C進行10分鐘(常壓))。在將Icc的純水滴落至所述偶氮聚合物衍生物薄膜上之后，以30mW/cm2的強度照射波長為470nm的光5分鐘。在照射后去除純水，對光照射后的偶氮聚合物衍生物薄膜進行熱風干燥之后，利用AFM觀察表面。將其結果示于圖7。所獲得的結構體中的筒狀體的平均口徑為350nm，深度(平均值)為170nm，筒狀體的開口部內徑A與筒狀體的自開口部起的中間深度處的內徑B的比(A/B)為1.20。另外，所獲得的結構體的筒狀體在平面部的分散密度是每100μm見方為70000個。通過真空蒸鍍法在所獲得的結構體表面蒸鍍厚度為IOOnm的金，從而制作傳感器用芯片。當測定該傳感器用芯片的透過光譜時，可見源于等離子共振的吸收峰。將折射率不同的液體(水、聚二甲基娃氧燒、三甘醇、丙二醇二環氧丙醚(glyceroldiglycidylether))分別滴落至傳感器用芯片的表面，進行透過光譜測定，將以峰頂的值標準化的圖表示于圖8。另外，將橫軸表示滴落至傳感器用芯片上的液體的折射率、縱軸表示源于等離子共振吸收的光譜的峰值波長的位移量的圖表示于圖9。當對圖9的數據進行直線近似，根據直線的傾斜度計算傳感器用芯片的靈敏度時，為204RIU。因此可知，本實施例的傳感器用芯片是透過型且靈敏度高的等離子共振傳感器。[實施例3:結構體的制造-3]與實施例2同樣地進行結構體的制造。測定此時所形成的結構體之中任意選擇的4個結構體的分布(實驗批號(LotNo.)302-1)。除了在光照射前進行退火(以150°C進行10分鐘(常壓))之后以室溫放置12小時以外，與實驗批號302-1同樣進行。測定此時所形成的結構體之中任意選擇的兩個結構體的分布(實驗批號303-1)。將這些結果示于表I。[表I]................................................................................................................................................................號1..................................................................................................302-1308-1,筒狀體■.1I……2—I3I4"II6—■■—■■■■臟苯·合_靈亂1|11^·__ψ.............................................................................................................................^_筒狀體的I口部內徑A(η)4504694_狀體的紐口部352390273313273234...........................................................................................................................-———Wgp(邏》_____________________深度(nm)9194164...........................................A/B11.28I1.20I1.50I1.19—Tjj——TjjI本發明并不限定于所述各實施方式，而可以在權利要求所示的范圍內進行各種變更，適當組合不同的實施方式中各自公開的技術方案而獲得的實施方式也包含在本發明的技術范疇之中。[實施例4:使用傳感器芯片的生物傳感-I]使用所述POTl作為光響應性材料，使玻璃基板在氯仿溶劑中進行I分鐘超聲波洗凈之后，通過旋涂法使該偶氮聚合物衍生物薄膜(厚度為50nm)形成在該玻璃基板上。對所形成的偶氮聚合物衍生物薄膜進行退火(以150°C進行10分鐘(常壓))。在將Icc的純水滴落至所述偶氮聚合物衍生物薄膜上之后，以40mW/cm2的強度照射波長為470nm的光5分鐘。在照射后去除純水，對光照射后的偶氮聚合物衍生物薄膜進行熱風干燥。在所獲得的結構體表面通過真空蒸鍍法蒸鍍厚度為IOOnm的金，從而制作傳感器用芯片。將通過截面TEM法針對該傳感器用芯片的任意部位觀察截面結構所得的結果示于圖1925。圖19是傳感器用芯片的平面SEM像，圖20是圖19所示的傳感器用芯片的P-P’截面TEM像，圖21是圖19所示的傳感器用芯片的Q-Q’截面TEM像，圖22是圖19所示的傳感器用芯片的R-R’截面TEM像，圖23是圖19所示的傳感器用芯片的S-S’截面TEM像，圖24是圖19所示的傳感器用芯片的T-T’截面TEM像，圖25是圖19所示的傳感器用芯片的U-U’截面TEM像。此外，圖2025中分別表示基板、筒狀體、金屬層。當利用AFM測定圖20所示的筒狀體的分布時，深度為176nm，筒狀體的開口部內徑A(587nm)與筒狀體的自開口部起的中間深度處的內徑B(529nm)的比(A/B)為I.11。另外，當利用AFM測定圖21所示的筒狀體的分布時，深度為128nm，筒狀體的開口部內徑A(503nm)與筒狀體的自開口部起的中間深度處的內徑B(423nm)的比(A/B)為I.19。另外，當利用AFM測定圖22所示的筒狀體的分布時，深度為148nm，筒狀體的開口部內徑A(498nm)與筒狀體的自開口部起的中間深度處的內徑B(385nm)的比(A/B)為I.29。另外，當利用AFM測定圖23所示的筒狀體的分布時，深度為137nm，筒狀體的開口部內徑A(394nm)與筒狀體的自開口部起的中間深度處的內徑B(319nm)的比(A/B)為I.23。另外，當利用AFM測定圖24所示的筒狀體的分布時，深度為136nm，筒狀體的開口部內徑A(418nm)與筒狀體的自開口部起的中間深度處的內徑B(297nm)的比(A/B)為I.40。另外，當利用AFM測定圖25所示的筒狀體的分布時，深度為208nm，筒狀體的開口部內徑A(930nm)與筒狀體的自開口部起的中間深度處的內徑B(809nm)的比(A/B)為I.15。使C反應性蛋白質(CRP,C-reactiveprotein)的抗體在上文中所獲得的傳感器用芯片表面以Iμg/ml的濃度固定化之后，以Iμg/mL的濃度的牛血清白蛋白(BSA,Bovineserumalbumin)進行結塊。準備10pg/mL、100pg/mL、Ing/mL各濃度的CRP抗原溶液(溶劑PH7.4的磷酸鹽緩沖液)，首先將10pg/mL的濃度的CRP抗原溶液滴落至傳感器芯片表面，進行CRP的抗原抗體反應(反應時間15分鐘)。此后，以磷酸鹽緩沖液及純水洗凈傳感器芯片表面之后，測定傳感器芯片的透過光譜。其結果為，相對于在未使抗原發生反應的情況(以下，稱為“空白期”)下峰值波長為642.lnm，在使抗原發生反應的情況下峰值波長成為642.8nm,峰值波長向長波長側位移0.Ixm(參照圖26)。其次，當將100pg/mL的CRP抗原溶液滴落至傳感器芯片表面，同樣測量抗原抗體反應后的傳感器芯片表面的透過光譜時，峰值波長成為643.3nm，與空白期相比向長波長側位移I.2nm(參照圖26)。進而，當將Ing/mL的CRP抗原溶液滴落至傳感器芯片表面，同樣測量抗原抗體反應后的傳感器芯片表面的透過光譜時，峰值波長成為644.lnm，與空白期相比向長波長側位移I.9nm(參照圖26)。因此可知，通過使用本實施例的傳感器芯片，即便是10pg/mL這樣極低的濃度，也可以檢測出CRP。此外，CRP作為炎癥性疾病的標志物而廣為人知。[實施例5:使用傳感器芯片的生物傳感-2]使用以與實施例4同樣的方式獲得的傳感器芯片，進行作為凝血因子的纖維蛋白原的檢測。使纖維蛋白原抗體在上文中所獲得的傳感器用芯片表面以Iμg/ml的濃度固定化之后，以Iμg/mL的濃度的牛血清白蛋白(BSA)進行結塊。準備10pg/mL、100pg/mL、lng/mL的各濃度的纖維蛋白原抗原溶液(溶劑pH7.4的磷酸鹽緩沖液)，首先將10pg/mL的濃度的CRP抗原溶液滴落至傳感器芯片表面，進行纖維蛋白原的抗原抗體反應(反應時間15分鐘)。此后，以磷酸鹽緩沖液及純水洗凈傳感器芯片表面之后，測定傳感器芯片的透過光譜。其結果為，相對于在未使抗原發生反應的情況(以下，稱為“空白期”)下峰值波長為662.Onm,在使抗原發生反應的情況下峰值波長成為663.5nm,峰值波長向長波長側位移I.5nm(參照圖27)。其次，當將100pg/mL的纖維蛋白原抗原溶液滴落至傳感器芯片表面，同樣測量抗原抗體反應后的傳感器芯片表面的透過光譜時，峰值波長成為665.5nm，與空白期相比向長波長側位移3.5nm(參照圖27)。進而，當將Ing/mL的CRP抗原溶液滴落至傳感器芯片表面，同樣測量抗原抗體反應后的傳感器芯片表面的透過光譜時，峰值波長成為667.Onm，與空白期相比向長波長側位移5nm(參照圖27)。因此可知，通過使用本實施例的傳感器芯片，即便是10pg/mL這樣極低的濃度，也可以檢測出纖維蛋白原。[實施例6:使用傳感器芯片的生物傳感-3]使用以與實施例4同樣的方式獲得的傳感器芯片，進行作為糖尿病標志物的瘦素的檢測。使瘦素抗體在上文中所獲得的傳感器用芯片表面以Iμg/ml的濃度固定化之后，以Iμg/mL的濃度的牛血清白蛋白(BSA)進行結塊。準備100pg/mL、10ng/mL的各濃度的瘦素抗原溶液(溶劑pH7.4的磷酸鹽緩沖液)，首先將100pg/mL的濃度的瘦素抗原溶液滴落至傳感器芯片表面，進行瘦素的抗原抗體反應(反應時間15分鐘)。此后，以磷酸鹽緩沖液及純水洗凈傳感器芯片表面之后，測定傳感器芯片的透過光譜。其結果為，相對于在未使抗原發生反應的情況(以下，稱為“空白期”)下峰值波長為653.Onm，在使抗原發生反應的情況下峰值波長成為668.Onm,峰值波長向長波長側位移I.5nm(參照圖28)。其次，當將10ng/mL的瘦素抗原溶液滴落至傳感器芯片表面，同樣測量抗原抗體反應后的傳感器芯片表面的透過光譜時，峰值波長成為689.5nm，與空白期相比向長波長側位移3.Onm(參照圖28)。因此可知，通過使用本實施例的傳感器芯片，即便是100pg/mL這樣極低的濃度，也可以檢測出瘦素。[實施例7:使用無規聚苯乙烯的情況下的結構體及定域型表面等離子共振傳感器用芯片的制造例]使用無規聚苯乙烯(分子量2000g/mol)作為熱響應性材料。在基板(硅晶片)上旋涂2重量％的無規聚苯乙烯-甲苯溶液，形成薄膜(薄膜厚度IOnm)ο在空氣環境下以70°C對形成有所述薄膜的基板加熱60分鐘，并進行退火。當利用AFM測定上文中所獲得的結構體的筒狀體的分布時，深度為17nm，筒狀體的開口部內徑A(647nm)與筒狀體的自開口部起的中間深度處的內徑B(539nm)的比(A/B)為I.20。通過真空蒸鍍法在通過所述方式獲得的結構體所具有的結構體表面蒸鍍厚度為IOOnm的金，從而制作定域型表面等離子共振傳感器用芯片。通過FDTD(FiniteDifferenceTimeDomain)法來模擬該定域型表面等離子共振傳感器用芯片中的電場集中強度。將其結果示于圖29。據圖29來看，可確認基于本實施例中所獲得的結構體而制作的定域型表面等離子共振傳感器用芯片中電場得到放大(參照圖29的圓圈部分)，且表示確實可以用作定域型表面等離子共振傳感器用芯片。另外，還可確認構成定域型表面等離子共振傳感器用芯片的結構體的材料并無特別限定。[產業上的可利用性]本發明取得如下效果，S卩，可以提供能夠較佳地用于靈敏度高的定域型表面等離子共振傳感器用芯片等的結構體及其制造方法。因此，例如在使用生物傳感器等產業中，可以較佳地利用本發明。權利要求1.一種結構體,其特征在于包括平面部及筒狀體；筒狀體是以開口部面向所述平面部的平面的方式豎立設置；所述筒狀體的開口部的平均內徑在5nm以上且2000nm以下的范圍內；且所述筒狀體的開口部內徑A、與所述筒狀體的自開口部起的中間深度處的內徑B的比A/B在I.OO以上且I.80以下的范圍內；所述筒狀體的底部為非球面。2.根據權利要求I所述的結構體，其特征在于所述A/B在I.00以上且I.50以下的范圍內。3.根據權利要求I或2所述的結構體，其特征在于所述筒狀體在平面部的分散密度是在每100μm見方為I個以上且50萬個以下的范圍內。4.根據權利要求I至3中任一項所述的結構體，其特征在于所述結構體包含刺激響應性材料。5.根據權利要求4所述的結構體，其特征在于所述刺激響應性材料為熱響應性材料或者光響應性材料。6.根據權利要求4所述的結構體，其特征在于所述刺激響應性材料為光響應性材料。7.根據權利要求6所述的結構體，其特征在于所述光響應性材料包含偶氮聚合物衍生物。8.根據權利要求6所述的結構體，其特征在于所述光響應性材料為主鏈及/或側鏈具有偶氮苯基的偶氮聚合物衍生物。9.一種定域型表面等離子共振傳感器用芯片，其特征在于基板上形成著權利要求I至8中任一項所述的結構體；且以覆蓋該結構體表面的至少一部分且反映該結構體的結構的方式形成著金屬層。10.一種定域型表面等離子共振傳感器用芯片，其特征在于基板上形成著結構體；且以覆蓋該結構體表面的至少一部分且反映該結構體的結構的方式形成著金屬層；該結構體如下所述包括平面部及筒狀體；筒狀體是以開口部面向所述平面部的平面的方式豎立設置；所述筒狀體的開口部的平均內徑在5nm以上且2000nm以下的范圍內；所述筒狀體的開口部內徑A、與所述筒狀體的自開口部起的中間深度處的內徑B的比A/B在I.00以上且I.80以下的范圍內；所述筒狀體的底部為非球面。11.根據權利要求10所述的定域型表面等離子共振傳感器用芯片，其特征在于所述A/B在I.00以上且I.50以下的范圍內。12.根據權利要求10或11所述的定域型表面等離子共振傳感器用芯片，其特征在于所述結構體包含刺激響應性材料。13.根據權利要求12所述的定域型表面等離子共振傳感器用芯片，其特征在于所述刺激響應性材料為熱響應性材料或者光響應性材料。14.根據權利要求13所述的定域型表面等離子共振傳感器用芯片，其特征在于所述刺激響應性材料為光響應性材料。15.根據權利要求9至14中任一項所述的定域型表面等離子共振傳感器用芯片，其特征在于所述金屬層的厚度在IOnm以上且500nm以下的范圍內。16.根據權利要求9至15中任一項所述的定域型表面等離子共振傳感器用芯片，其特征在于在所述金屬層的表面上形成著用來使生物分子固定化的有機分子層。17.根據權利要求16所述的定域型表面等離子共振傳感器用芯片，其特征在于所述有機分子層包含距離金屬層表面的長度為50nm以上且200nm以下的分子、及距離金屬層表面的長度為Inm以上且小于50nm的分子。18.根據權利要求9至17中任一項所述的定域型表面等離子共振傳感器用芯片，其特征在于所述金屬層包含Au、Ag、或者它們的合金。19.一種定域型表面等離子共振傳感器，其特征在于包括權利要求9至18中任一項所述的定域型表面等離子共振傳感器用芯片；光源，對所述定域型表面等離子共振傳感器用芯片照射光；以及光檢測器，接收由所述定域型表面等離子共振傳感器用芯片所反射的光或透過該定域型表面等離子共振傳感器用芯片的光。20.根據權利要求19所述的定域型表面等離子共振傳感器，其特征在于使兩種以上的波長的光垂直入射至所述定域型表面等離子共振傳感器用芯片的表面，并利用所述光檢測器來測定由該定域型表面等離子共振傳感器用芯片反射的各波長的光的反射率、透過該定域型表面等離子共振傳感器用芯片的各波長的透過率、或者這些經反射或透過的各波長的光強度。21.—種結構體的制造方法，其特征在于包括液體涂覆步驟，在光響應性材料上涂覆不含顆粒狀物質的液體'及光照射步驟，對通過所述液體涂覆步驟而涂覆有液體的光響應性材料照射光。22.根據權利要求21所述的結構體的制造方法，其特征在于所述液體是選自由水、醇類、及溶解光響應性材料的有機溶劑所組成的群中的至少I種。23.—種結構體的制造方法，其特征在于包含以下步驟(i)(iii):(i)經過液體涂覆步驟及光照射步驟來制造第一結構體，其中，該液體涂覆步驟是在光響應性材料上涂覆不含顆粒狀物質的液體，該光照射步驟是對通過所述液體涂覆步驟而涂覆有液體的光響應性材料照射光；(ii)通過如下方式制造成為第一結構體的模子的第二結構體以完全覆蓋所述第一結構體的表面的方式涂覆熱固性樹脂或光固化性樹脂，使該熱固性樹脂或光固化性樹脂硬化后進行剝離；以及(iii)通過如下方式獲得作為第一結構體的復制體的第三結構體將熱固性樹脂或光固化性樹脂填充至所述第二結構體中成為第一結構體的模子的部分，使該熱固性樹脂或光固化性樹脂硬化后進行剝離。24.根據權利要求23所述的結構體的制造方法，其特征在于多次進行所述步驟(iii)。25.一種定域型表面等離子共振傳感器用芯片的制造方法，其特征在于包括如下步驟通過權利要求21至24中任一項所述的結構體的制造方法來制造結構體；及以金屬覆蓋經所述步驟而獲得的結構體的表面，形成具有反映了所述結構體形狀的形狀的金屬層。26.—種結構體，其特征在于通過權利要求21或22所述的結構體的制造方法而制造。全文摘要本發明實現一種能夠提供靈敏度更高的定域型表面等離子共振傳感器的定域型表面等離子共振傳感器用芯片。本發明的結構體的特征在于包括平面部及筒狀體；筒狀體是以開口部面向所述平面部的平面的方式豎立設置；所述筒狀體的開口部的平均內徑在5nm以上且2000nm以下的范圍內；且所述筒狀體的開口部內徑A、與筒狀體的自開口部起的中間深度處的內徑B的比(A/B)在1.00以上且1.80以下的范圍內；所述筒狀體的底部為非球面。文檔編號G01N21/27GK102884414SQ201080065629公開日2013年1月16日申請日期2010年12月8日優先權日2010年3月31日發明者瀨崎文康,福田隆史申請人:株式會社鐘化,獨立行政法人產業技術綜合研究所