本發明(ming)涉(she)及紅(hong)外探(tan)(tan)測(ce)器技(ji)術領域，更具體地(di)，涉(she)及一種具有(you)多(duo)個mim電(dian)容(rong)級聯結構的優化(hua)的mems紅(hong)外探(tan)(tan)測(ce)器。

背景技術：

傳統(tong)cmos電(dian)路能夠提供mim、mos等電(dian)容(rong)結(jie)構。其中(zhong)，mim電(dian)容(rong)由于其在漏電(dian)、cv特性(xing)等方面具(ju)有的獨特優勢，受到了廣泛使用。

但是(shi)，針對紅外探測器等(deng)mems領域的產品而言，mim電(dian)容(rong)結構單(dan)位(wei)面積的電(dian)容(rong)值仍(reng)太小，導致電(dian)容(rong)面積占用過(guo)大，從而影響(xiang)到(dao)芯片面積及其成本和性能。

技術實現要素：

本(ben)發明的(de)目(mu)的(de)在于(yu)克(ke)服現有技(ji)術存在的(de)上(shang)述缺(que)陷(xian)，提供一種(zhong)mems紅外(wai)探測器(qi)結構。

為實現上述目(mu)的，本發明的技術方(fang)案如下：

一種mems紅外探測(ce)器結構，包括：

設(she)于(yu)襯底上(shang)的多層(ceng)金(jin)屬互連(lian)(lian)層(ceng)和設(she)于(yu)所述多層(ceng)金(jin)屬互連(lian)(lian)層(ceng)之上(shang)的紅(hong)外微橋探測結(jie)構(gou)；其中，

至(zhi)少一(yi)(yi)層(ceng)(ceng)所(suo)述(shu)金(jin)屬互連層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)至(zhi)少一(yi)(yi)側設(she)有一(yi)(yi)層(ceng)(ceng)第(di)一(yi)(yi)mim電(dian)容層(ceng)(ceng)，利用每側的(de)(de)(de)所(suo)述(shu)第(di)一(yi)(yi)mim電(dian)容層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)兩個極板層(ceng)(ceng)與對應側也用作極板層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)所(suo)述(shu)金(jin)屬互連層(ceng)(ceng)之間(jian)的(de)(de)(de)組合，形成兩個并(bing)(bing)聯(lian)的(de)(de)(de)第(di)一(yi)(yi)mim電(dian)容；通(tong)過(guo)將各層(ceng)(ceng)相并(bing)(bing)聯(lian)的(de)(de)(de)所(suo)述(shu)第(di)一(yi)(yi)mim電(dian)容全部并(bing)(bing)聯(lian)在(zai)一(yi)(yi)起，在(zai)多層(ceng)(ceng)所(suo)述(shu)金(jin)屬互連層(ceng)(ceng)中形成所(suo)述(shu)第(di)一(yi)(yi)mim電(dian)容的(de)(de)(de)多級并(bing)(bing)聯(lian)結(jie)構。

進一(yi)步地(di)，各所述第一(yi)mim電容之(zhi)間通過第一(yi)通孔實(shi)現并聯連接。

進一(yi)步地，所述紅外微橋探(tan)測(ce)結(jie)構與所述多層金屬互連層之間通(tong)過第二通(tong)孔進行連接。

進一步地，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)多層(ceng)(ceng)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)互(hu)(hu)連(lian)(lian)(lian)層(ceng)(ceng)的最上層(ceng)(ceng)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)互(hu)(hu)連(lian)(lian)(lian)層(ceng)(ceng)中(zhong)同層(ceng)(ceng)設(she)有pad結(jie)構(gou)(gou)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第二通孔連(lian)(lian)(lian)接所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)pad結(jie)構(gou)(gou)，所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)pad結(jie)構(gou)(gou)連(lian)(lian)(lian)接所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)多層(ceng)(ceng)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)互(hu)(hu)連(lian)(lian)(lian)層(ceng)(ceng)的最上層(ceng)(ceng)金(jin)(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)(shu)互(hu)(hu)連(lian)(lian)(lian)層(ceng)(ceng)。

進一(yi)步地(di)，所述多(duo)層(ceng)(ceng)金屬(shu)互連層(ceng)(ceng)設于第一(yi)層(ceng)(ceng)間介(jie)質(zhi)層(ceng)(ceng)中。

進(jin)一步地，所述紅外微橋探測結構與所述多層金屬(shu)互連(lian)層之間設有第二層間介質層。

進(jin)一(yi)步地，所(suo)(suo)述(shu)第二(er)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)間介質層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)中設(she)有一(yi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)第二(er)mim電(dian)容(rong)(rong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，并(bing)形成(cheng)(cheng)一(yi)第二(er)mim電(dian)容(rong)(rong)，所(suo)(suo)述(shu)第二(er)mim電(dian)容(rong)(rong)通過第三通孔(kong)連(lian)接所(suo)(suo)述(shu)多層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)金屬互(hu)連(lian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的最上層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)金屬互(hu)連(lian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，并(bing)與所(suo)(suo)述(shu)第一(yi)mim電(dian)容(rong)(rong)一(yi)起形成(cheng)(cheng)位于所(suo)(suo)述(shu)第二(er)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)間介質層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)和所(suo)(suo)述(shu)金屬互(hu)連(lian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)中的mim電(dian)容(rong)(rong)多級并(bing)聯結(jie)構。

進一步地(di)，所(suo)述(shu)第(di)二層(ceng)(ceng)間介質層(ceng)(ceng)中還(huan)設有電極層(ceng)(ceng)，所(suo)述(shu)電極層(ceng)(ceng)與所(suo)述(shu)第(di)二mim電容層(ceng)(ceng)同層(ceng)(ceng)設置，所(suo)述(shu)紅外微橋(qiao)探測結構通過所(suo)述(shu)電極層(ceng)(ceng)連接所(suo)述(shu)第(di)二通孔。

進一步地，所(suo)述(shu)第二層(ceng)間介質層(ceng)上(shang)設(she)有(you)反射層(ceng)，所(suo)述(shu)反射層(ceng)與所(suo)述(shu)第二mim電容(rong)層(ceng)相(xiang)隔離(li)設(she)置。

從上述技術方(fang)案可(ke)以看出，本發明充分(fen)利用金(jin)屬互連層(ceng)中的(de)(de)層(ceng)間空(kong)隙增設mim電(dian)容(rong)(rong)層(ceng)，將mim電(dian)容(rong)(rong)層(ceng)的(de)(de)兩個極板層(ceng)與金(jin)屬互連層(ceng)組合形(xing)成(cheng)兩個并(bing)聯的(de)(de)mim電(dian)容(rong)(rong)；并(bing)且，還可(ke)以利用金(jin)屬互連層(ceng)與紅外微橋(qiao)探(tan)測(ce)結構(gou)(gou)之間的(de)(de)空(kong)隙增設mim電(dian)容(rong)(rong)層(ceng)。將各層(ceng)的(de)(de)mim電(dian)容(rong)(rong)通過通孔(via)全部并(bing)聯在(zai)一起，就可(ke)形(xing)成(cheng)mim電(dian)容(rong)(rong)的(de)(de)多級并(bing)聯結構(gou)(gou)，從而可(ke)大(da)(da)幅(fu)度(du)提升mems紅外探(tan)測(ce)器的(de)(de)單位面積(ji)電(dian)容(rong)(rong)的(de)(de)數值，并(bing)因(yin)此能(neng)夠(gou)大(da)(da)幅(fu)度(du)降低成(cheng)本并(bing)提升性能(neng)。

附圖說明

圖1是本發明一較佳(jia)實施(shi)例的一種mems紅(hong)外探測器結構示意圖。

圖2是本發(fa)明一較佳(jia)實施例的(de)由五(wu)個mim電容組(zu)成(cheng)的(de)多級并聯電路(lu)結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附(fu)圖，對本發明(ming)的具體(ti)實施方式作進(jin)一步的詳細說明(ming)。

需(xu)要說(shuo)明(ming)的(de)是，在下述(shu)的(de)具體(ti)實施方式中，在詳述(shu)本(ben)發明(ming)的(de)實施方式時，為(wei)了清楚地表示本(ben)發明(ming)的(de)結構(gou)以便(bian)于說(shuo)明(ming)，特對附圖中的(de)結構(gou)不(bu)依照一般比(bi)例繪圖，并進行(xing)了局部放大、變(bian)形及(ji)簡化(hua)處理，因此(ci)，應避免以此(ci)作為(wei)對本(ben)發明(ming)的(de)限(xian)定來(lai)加以理解。

在(zai)以(yi)下本(ben)發明(ming)(ming)的(de)具體實施(shi)方式中，請(qing)參考(kao)圖(tu)1，圖(tu)1是本(ben)發明(ming)(ming)一(yi)(yi)較佳實施(shi)例的(de)一(yi)(yi)種(zhong)mems紅(hong)外(wai)(wai)探測(ce)器(qi)結(jie)構示(shi)(shi)意圖(tu)。如圖(tu)1所示(shi)(shi)，本(ben)發明(ming)(ming)的(de)一(yi)(yi)種(zhong)mems紅(hong)外(wai)(wai)探測(ce)器(qi)結(jie)構，包括(kuo)：設置在(zai)半導(dao)體襯(chen)底(di)上的(de)多(duo)層金屬互連層，以(yi)及(ji)設置在(zai)多(duo)層金屬互連層上方的(de)紅(hong)外(wai)(wai)微橋探測(ce)結(jie)構17。

請參(can)考圖1，其顯示mems紅外(wai)探測器結構的(de)多(duo)層(ceng)金(jin)屬(shu)互(hu)(hu)(hu)連(lian)層(ceng)中位于第t層(ceng)的(de)最上(shang)一(yi)層(ceng)金(jin)屬(shu)互(hu)(hu)(hu)連(lian)層(ceng)(mt)13、24和相鄰位于最上(shang)層(ceng)金(jin)屬(shu)互(hu)(hu)(hu)連(lian)層(ceng)13、24下方(fang)的(de)第n層(ceng)金(jin)屬(shu)互(hu)(hu)(hu)連(lian)層(ceng)(mn)7。多(duo)層(ceng)金(jin)屬(shu)互(hu)(hu)(hu)連(lian)層(ceng)可設置在第一(yi)層(ceng)間(jian)介質(zhi)層(ceng)9中。

作(zuo)為(wei)一(yi)可選的(de)(de)實(shi)施方式，在第(di)n層金屬(shu)互(hu)連層7的(de)(de)上側設有一(yi)層第(di)一(yi)mim電容(rong)層1、8、2。在第(di)t層金屬(shu)互(hu)連層24的(de)(de)下側也設有一(yi)層第(di)一(yi)mim電容(rong)層3、27、4。本(ben)發(fa)明(ming)不(bu)限于此。

其中，位(wei)(wei)于(yu)第(di)n層(ceng)(ceng)(ceng)金(jin)屬(shu)(shu)互(hu)連層(ceng)(ceng)(ceng)7上(shang)側的(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)mim電容(rong)層(ceng)(ceng)(ceng)1、8、2，包括兩(liang)個極(ji)(ji)板層(ceng)(ceng)(ceng)1、2及(ji)位(wei)(wei)于(yu)兩(liang)個極(ji)(ji)板層(ceng)(ceng)(ceng)之(zhi)間(jian)(jian)以(yi)及(ji)位(wei)(wei)于(yu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)mim電容(rong)層(ceng)(ceng)(ceng)1、8、2與第(di)n層(ceng)(ceng)(ceng)金(jin)屬(shu)(shu)互(hu)連層(ceng)(ceng)(ceng)7之(zhi)間(jian)(jian)的(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)電介質層(ceng)(ceng)(ceng)8。位(wei)(wei)于(yu)第(di)t層(ceng)(ceng)(ceng)金(jin)屬(shu)(shu)互(hu)連層(ceng)(ceng)(ceng)24下側的(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)mim電容(rong)層(ceng)(ceng)(ceng)3、27、4，也包括兩(liang)個極(ji)(ji)板層(ceng)(ceng)(ceng)3、4及(ji)位(wei)(wei)于(yu)兩(liang)個極(ji)(ji)板層(ceng)(ceng)(ceng)之(zhi)間(jian)(jian)的(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)電介質層(ceng)(ceng)(ceng)27，以(yi)及(ji)位(wei)(wei)于(yu)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)mim電容(rong)層(ceng)(ceng)(ceng)3、27、4與第(di)t層(ceng)(ceng)(ceng)金(jin)屬(shu)(shu)互(hu)連層(ceng)(ceng)(ceng)24之(zhi)間(jian)(jian)的(de)第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)電介質層(ceng)(ceng)(ceng)26。第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)電介質層(ceng)(ceng)(ceng)8、26、27與第(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)層(ceng)(ceng)(ceng)間(jian)(jian)介質層(ceng)(ceng)(ceng)9的(de)材質可(ke)(ke)相同，并可(ke)(ke)采用常規介質材料(liao)制(zhi)作。極(ji)(ji)板層(ceng)(ceng)(ceng)1-4可(ke)(ke)采用常規金(jin)屬(shu)(shu)材料(liao)制(zhi)作。

可(ke)(ke)利用(yong)(yong)位于(yu)第(di)(di)n層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)金(jin)屬互連層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)7上側的(de)(de)一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)mim電(dian)容(rong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)兩個(ge)(ge)極板(ban)(ban)(ban)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)1、2，并(bing)將(jiang)(jiang)其下方(fang)的(de)(de)第(di)(di)n層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)金(jin)屬互連層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)7也用(yong)(yong)作一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)電(dian)容(rong)極板(ban)(ban)(ban)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，將(jiang)(jiang)這三個(ge)(ge)電(dian)容(rong)極板(ban)(ban)(ban)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)1、2、7進行組合，可(ke)(ke)形(xing)成(cheng)兩個(ge)(ge)并(bing)聯的(de)(de)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)mim電(dian)容(rong)。即可(ke)(ke)由第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)mim電(dian)容(rong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)兩個(ge)(ge)極板(ban)(ban)(ban)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)1、2及其之間的(de)(de)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)電(dian)介質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)8一(yi)(yi)(yi)起(qi)形(xing)成(cheng)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)mim電(dian)容(rong)1、8、2；并(bing)由第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)mim電(dian)容(rong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)中靠近第(di)(di)n層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)金(jin)屬互連層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)極板(ban)(ban)(ban)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)1與第(di)(di)n層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)金(jin)屬互連層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)7及其之間的(de)(de)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)電(dian)介質(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)8一(yi)(yi)(yi)起(qi)形(xing)成(cheng)第(di)(di)二個(ge)(ge)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)mim電(dian)容(rong)1、8、7。將(jiang)(jiang)三個(ge)(ge)極板(ban)(ban)(ban)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)極板(ban)(ban)(ban)1、2、7采用(yong)(yong)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)通孔(kong)進行不同連接(jie)，即可(ke)(ke)形(xing)成(cheng)兩個(ge)(ge)并(bing)聯的(de)(de)第(di)(di)一(yi)(yi)(yi)mim電(dian)容(rong)。

同時，可利用(yong)位(wei)于第(di)(di)(di)(di)(di)t層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)金(jin)屬(shu)(shu)互連(lian)(lian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)24下(xia)側的(de)(de)(de)(de)另一(yi)(yi)(yi)個(ge)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)mim電(dian)(dian)(dian)容(rong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)兩(liang)(liang)(liang)個(ge)極板(ban)(ban)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)3、4，并(bing)(bing)將(jiang)其上方(fang)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)t層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)金(jin)屬(shu)(shu)互連(lian)(lian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)24也用(yong)作一(yi)(yi)(yi)個(ge)電(dian)(dian)(dian)容(rong)極板(ban)(ban)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)，將(jiang)這三(san)個(ge)電(dian)(dian)(dian)容(rong)極板(ban)(ban)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)3、4、24進行(xing)組(zu)合，又可形(xing)(xing)(xing)成兩(liang)(liang)(liang)個(ge)并(bing)(bing)聯的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)mim電(dian)(dian)(dian)容(rong)。即(ji)(ji)可由第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)mim電(dian)(dian)(dian)容(rong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)兩(liang)(liang)(liang)個(ge)極板(ban)(ban)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)3、4及其之間(jian)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)電(dian)(dian)(dian)介(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)27一(yi)(yi)(yi)起形(xing)(xing)(xing)成第(di)(di)(di)(di)(di)三(san)個(ge)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)mim電(dian)(dian)(dian)容(rong)3、27、4；并(bing)(bing)由第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)mim電(dian)(dian)(dian)容(rong)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)中靠近第(di)(di)(di)(di)(di)t層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)金(jin)屬(shu)(shu)互連(lian)(lian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)個(ge)極板(ban)(ban)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)4與第(di)(di)(di)(di)(di)t層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)金(jin)屬(shu)(shu)互連(lian)(lian)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)24及其之間(jian)的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)電(dian)(dian)(dian)介(jie)質層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)26一(yi)(yi)(yi)起形(xing)(xing)(xing)成第(di)(di)(di)(di)(di)四個(ge)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)mim電(dian)(dian)(dian)容(rong)4、26、24。將(jiang)三(san)個(ge)極板(ban)(ban)層(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)極板(ban)(ban)3、4、24采(cai)用(yong)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)通孔進行(xing)不同連(lian)(lian)接，即(ji)(ji)可又形(xing)(xing)(xing)成兩(liang)(liang)(liang)個(ge)并(bing)(bing)聯的(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)mim電(dian)(dian)(dian)容(rong)。

將位(wei)于(yu)第n層(ceng)的(de)相(xiang)并(bing)聯(lian)的(de)兩個第一(yi)(yi)mim電(dian)(dian)(dian)容1、8、7和1、8、2與(yu)位(wei)于(yu)第t層(ceng)的(de)相(xiang)并(bing)聯(lian)的(de)兩個第一(yi)(yi)mim電(dian)(dian)(dian)容3、27、4和4、26、24通過第一(yi)(yi)通孔10、12、25、28、29等全(quan)部并(bing)聯(lian)在(zai)一(yi)(yi)起，就可在(zai)多層(ceng)金(jin)屬(shu)互連層(ceng)中形(xing)成由(you)多個第一(yi)(yi)mim電(dian)(dian)(dian)容組成的(de)多級并(bing)聯(lian)(級聯(lian))結構。具體可包括：

將第(di)(di)n層金屬互連(lian)層7與用作電容(rong)極(ji)板層的第(di)(di)t層金屬互連(lian)層24通(tong)過第(di)(di)一通(tong)孔29進行連(lian)接。

將極(ji)板層(ceng)(ceng)1與(yu)常規第(di)t層(ceng)(ceng)金(jin)屬互連層(ceng)(ceng)13通過第(di)一通孔10進行連接。

將極板(ban)層(ceng)2與用作電(dian)容極板(ban)層(ceng)的第t層(ceng)金屬互連層(ceng)24通過第一通孔28進行連接。

以及將(jiang)極(ji)板(ban)層(ceng)(ceng)3與用(yong)作(zuo)電容極(ji)板(ban)層(ceng)(ceng)的第(di)t層(ceng)(ceng)金屬互連層(ceng)(ceng)24通過第(di)一通孔25進行連接。

將極(ji)板層4與(yu)常規第(di)t層金屬(shu)互連(lian)(lian)層13通過第(di)一通孔12進行連(lian)(lian)接。從而(er)形成四個相(xiang)并聯設置的第(di)一mim電容。

通(tong)過上述連接方(fang)式，還(huan)可保持極(ji)板(ban)層2與極(ji)板(ban)層3之間(jian)的相連關系，這樣可以避免電容極(ji)板(ban)之間(jian)的耦合造成的寄生等(deng)不良影響。

請(qing)參考圖1。紅外微(wei)橋探測結構17與(yu)第t層(ceng)(ceng)(ceng)金屬互(hu)連(lian)(lian)層(ceng)(ceng)(ceng)24之(zhi)間可(ke)(ke)設有第二(er)層(ceng)(ceng)(ceng)間介質層(ceng)(ceng)(ceng)21。第t層(ceng)(ceng)(ceng)金屬互(hu)連(lian)(lian)層(ceng)(ceng)(ceng)24中可(ke)(ke)同層(ceng)(ceng)(ceng)設有pad結構11，pad結構11連(lian)(lian)接(jie)第t層(ceng)(ceng)(ceng)金屬互(hu)連(lian)(lian)層(ceng)(ceng)(ceng)13、24。紅外微(wei)橋探測結構17與(yu)第t層(ceng)(ceng)(ceng)金屬互(hu)連(lian)(lian)層(ceng)(ceng)(ceng)13、24之(zhi)間可(ke)(ke)通過連(lian)(lian)接(jie)pad結構11的第二(er)通孔14、23進行連(lian)(lian)接(jie)。

請繼續參考圖1。第(di)(di)(di)二(er)(er)層(ceng)間介質層(ceng)21中(zhong)還可設(she)有(you)一層(ceng)第(di)(di)(di)二(er)(er)mim電(dian)容層(ceng)5、20、6；利用(yong)第(di)(di)(di)二(er)(er)mim電(dian)容層(ceng)5、20、6可形成(cheng)一個第(di)(di)(di)二(er)(er)mim電(dian)容5、20、6。其中(zhong)，第(di)(di)(di)二(er)(er)mim電(dian)容5、20、6可通(tong)過第(di)(di)(di)三通(tong)孔16、22連(lian)(lian)接(jie)第(di)(di)(di)t層(ceng)金(jin)屬(shu)互(hu)連(lian)(lian)層(ceng)13、24；即第(di)(di)(di)二(er)(er)mim電(dian)容層(ceng)的(de)極(ji)(ji)板層(ceng)5與用(yong)作電(dian)容極(ji)(ji)板層(ceng)的(de)第(di)(di)(di)t層(ceng)金(jin)屬(shu)互(hu)連(lian)(lian)層(ceng)24通(tong)過第(di)(di)(di)三通(tong)孔22進(jin)行(xing)連(lian)(lian)接(jie)，極(ji)(ji)板層(ceng)6與常規第(di)(di)(di)t層(ceng)金(jin)屬(shu)互(hu)連(lian)(lian)層(ceng)13通(tong)過第(di)(di)(di)三通(tong)孔16進(jin)行(xing)連(lian)(lian)接(jie)。這樣，可使(shi)得極(ji)(ji)板層(ceng)5和第(di)(di)(di)t層(ceng)金(jin)屬(shu)互(hu)連(lian)(lian)層(ceng)24相連(lian)(lian)，以避免電(dian)容極(ji)(ji)板之間的(de)耦合(he)造成(cheng)的(de)寄(ji)生等(deng)不良影響(xiang)。

這樣第二mim電(dian)容5、20、6就可與上述(shu)四(si)個第一(yi)mim電(dian)容1、8、7，1、8、2，3、27、4和(he)4、26、24一(yi)起形成(cheng)位于第二層間介質層和(he)金屬互連層中的五個mim電(dian)容的多級并聯結構，從而大幅度提(ti)升了單位面積的電(dian)容值大小。

圖(tu)2顯示上述五個(ge)mim電(dian)(dian)容(rong)的(de)多級并聯電(dian)(dian)路結(jie)構。圖(tu)中，極(ji)板(ban)層(ceng)(ceng)1與(yu)極(ji)板(ban)層(ceng)(ceng)2、極(ji)板(ban)層(ceng)(ceng)3與(yu)極(ji)板(ban)層(ceng)(ceng)4、極(ji)板(ban)層(ceng)(ceng)5與(yu)極(ji)板(ban)層(ceng)(ceng)6分別構成一個(ge)mim電(dian)(dian)容(rong)，極(ji)板(ban)層(ceng)(ceng)1與(yu)第n層(ceng)(ceng)金屬互連層(ceng)(ceng)(mn)7、極(ji)板(ban)層(ceng)(ceng)4與(yu)第t層(ceng)(ceng)金屬互連層(ceng)(ceng)(mt)24分別構成一個(ge)mim電(dian)(dian)容(rong)，將這五個(ge)mim電(dian)(dian)容(rong)并聯起來(lai)，形成多級并聯的(de)電(dian)(dian)路結(jie)構。

請參考圖1。第二層間介質層21中還可(ke)設(she)有電(dian)極層15；電(dian)極層15與第二mim電(dian)容層5、20、6可(ke)同層設(she)置。紅(hong)外微橋(qiao)探(tan)測結構(gou)17可(ke)通過電(dian)極層15連(lian)接第二通孔14、23，從而通過依(yi)次(ci)連(lian)接的電(dian)極層15、第二通孔14、23、pad結構(gou)11連(lian)接至金屬互連(lian)層13、24。

紅外微(wei)橋探測結構17與第(di)(di)二層(ceng)(ceng)(ceng)間(jian)介質(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)21之間(jian)設(she)有(you)諧振腔18。位于諧振腔18底部的第(di)(di)二層(ceng)(ceng)(ceng)間(jian)介質(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)21上(shang)可設(she)有(you)反(fan)射層(ceng)(ceng)(ceng)(refl)19。反(fan)射層(ceng)(ceng)(ceng)19單獨使用孤立的一層(ceng)(ceng)(ceng)，與第(di)(di)二mim電容層(ceng)(ceng)(ceng)5、20、6通過(guo)介質(zhi)(zhi)層(ceng)(ceng)(ceng)相隔離設(she)置，以避免電容極板上(shang)的電壓對后續微(wei)橋橋面(mian)結構的影響。

綜(zong)上所述(shu)，本(ben)發(fa)明充分利用(yong)金(jin)屬互連層(ceng)中的(de)(de)(de)層(ceng)間空(kong)隙(xi)增(zeng)設(she)mim電(dian)容(rong)層(ceng)，將mim電(dian)容(rong)層(ceng)的(de)(de)(de)兩(liang)個(ge)極(ji)板層(ceng)與(yu)(yu)金(jin)屬互連層(ceng)組合形成(cheng)兩(liang)個(ge)并(bing)聯(lian)的(de)(de)(de)mim電(dian)容(rong)；并(bing)且，還可(ke)以利用(yong)金(jin)屬互連層(ceng)與(yu)(yu)紅(hong)外微橋探測結構之(zhi)間的(de)(de)(de)空(kong)隙(xi)增(zeng)設(she)mim電(dian)容(rong)層(ceng)。將各(ge)層(ceng)的(de)(de)(de)mim電(dian)容(rong)通過通孔(kong)全部并(bing)聯(lian)在(zai)一起，就可(ke)形成(cheng)mim電(dian)容(rong)的(de)(de)(de)多級(ji)并(bing)聯(lian)結構，從而(er)可(ke)大(da)幅度提升(sheng)mems紅(hong)外探測器的(de)(de)(de)單位面(mian)積(ji)電(dian)容(rong)的(de)(de)(de)數值，并(bing)因此能夠大(da)幅度降低(di)成(cheng)本(ben)并(bing)提升(sheng)性能。

以上的(de)僅為本發(fa)明的(de)優選實施例，實施例并非用(yong)(yong)以限制本發(fa)明的(de)專利保護(hu)范圍，因此凡是運用(yong)(yong)本發(fa)明的(de)說明書及附圖(tu)內(nei)(nei)容所作的(de)等同結(jie)構(gou)變化(hua)，同理均應包含在本發(fa)明的(de)保護(hu)范圍內(nei)(nei)。