專利名稱：有序多孔金納米棒陣列及其制備方法和用途的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種納米棒陣列及制備方法和用途，尤其是一種有序多孔金納米棒陣列及其制備方法和用途。
背景技術：
近年來，金、銀、銅等貴金屬的納米結構所具有的表面增強拉曼散射(SERS)效應引起了人們的廣泛關注。SERS效應因其具有“指紋”識別能力、靈敏度高和易于實現快速檢測等優點，已成為生物化學和有機物痕量檢測的重要工具。近期，人們為了獲得具有SERS效應的納米結構材料，做出了不懈的努力，如在授權公告日為2012年4月25日的本申請人的一份中國發明專利CN 102041507 B中曾提及的一種《頂端包覆銀的金納米棒陣列及其制備方法和應用》。該專利文獻中描述的陣列為金膜之上置有其頂端包覆有直徑為60 90nm的銀納米顆粒的金納米棒陣列、底面置有厚度為50 IOOym的甲基丙烯酸甲酯襯底，其中，構成金納米棒陣列的金納米棒的棒直徑為40 80nm、棒長度為< 500nm ;制備方法為于納米通孔氧化鋁模板的一面蒸鍍金膜和在該模板的孔中生長金納米棒陣列的基礎上，先于未生長有金納米棒陣列一面的金膜上涂敷液態甲基丙烯酸甲酯，待其固化后，再將其一面蒸鍍有金膜、孔中沉積有金納米棒陣列以及金膜上涂敷有甲基丙烯酸甲酯的氧化鋁模板置于酸或堿溶液中，腐蝕掉氧化鋁模板，接著使用薄膜蒸鍍技術于金納米棒陣列的頂部蒸鍍銀，獲得可用于檢測痕量有機物羅丹明或2，3，3’ -三氯聯苯的產物。但是，無論是頂端包覆銀的金納米棒陣列，還是其制備方法，均存在著欠缺之處，首先，構成金納米棒陣列的納米單元——金納米棒為實心結構，表面光滑，其SERS活性僅來自納米棒之間的耦合電場，對SERS活性增強的貢獻有限；其次，金納米棒頂端包覆的銀納米顆粒，雖提高了產物的SERS性能，卻也增加了制備的成本和繁雜性；再次，表面光滑的實心金納米棒的比表面積低，在SERS檢測中極不利于對目標分子的吸附；最后，制備方法不能制得具有較高SERS性能的金納米棒陣列。
發明內容
本發明要解決的技術問題為克服現有技術中的欠缺之處，提供一種結構簡單，具有較高SERS活性的有序多孔金納米棒陣列。本發明要解決的另一個技術問題為提供一種上述有序多孔金納米棒陣列的制備方法。本發明要解決的還有一個技術問題為提供一種上述有序多孔金納米棒陣列的用途。為解決本發明的技術問題，所采用的技術方案為有序多孔金納米棒陣列由甲基丙烯酸甲酯襯底上覆有金膜，以及金膜上的金納米棒陣列組成，特別是，所述金納米棒陣列為多孔金納米棒陣列，所述構成多孔金納米棒陣列的多孔金納米棒的棒長為150 250nm、棒直徑為50 70nm,其上孔的直徑為5 20nm。
作為有序多孔金納米棒陣列的進一步改進，所述的多孔金納米棒上的孔為均勻分布；所述的襯底的厚度彡10 Pm，金膜的厚度彡lOOnm。為解決本發明的另一個技術問題，所采用的另一個技術方案為上述有序多孔金納米棒陣列的制備方法包括于納米通孔氧化鋁膜板的一面鍍金膜，特別是完成步驟如下步驟1，先將一面鍍有金膜的氧化鋁模板置于混合電解液中，于電壓為0. 2 0. 8V的恒壓直流下電沉積I lOmin，其中，混合電解液由硝酸銀電解液與氯金酸電解液按照兩者含有的金離子與銀離子之比為1:2 5的比例混合而成，得到一面鍍有金膜、孔中沉積有金銀合金納米棒陣列的氧化鋁模板，再將一面鍍有金膜、孔中沉積有金銀合金納米棒陣列的氧化鋁模板置于0 2°C下的濃度為65 69wt%的硝酸溶液中反應I lOmin，得到一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列的氧化鋁模板；步驟2，先于一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列的氧化鋁模板的金膜的另一面上涂敷液態甲基丙烯酸甲酯，待其固化后，得到其一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列以及金膜上涂敷有甲基丙烯酸甲酯的氧化鋁模板，再將其一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列以及金膜上涂敷有甲基丙烯酸甲酯的氧化鋁模板置于堿溶液中去除氧化鋁模板，制得有序多孔金納米棒陣列。作為有序多孔金納米棒陣列的制備方法的進一步改進，所述的硝酸銀電解液為160g/L的亞硫酸鈉、30g/L的磷酸氫二鉀、5g/L的乙二胺四乙酸和12g/L的硝酸銀的混合液，配制時硝酸銀最后混入；所述的氯金酸電解液為160g/L的亞硫酸鈉、30g/L的磷酸氫二鉀、5g/L的乙二胺四乙酸 和10g/L的氯金酸的混合液，配制時氯金酸最后混入；所述的納米通孔氧化鋁模板的制作為，先將鋁片置于濃度為0. 2 0. 4mol/L的草酸溶液或磷酸溶液或硫酸溶液中，于直流電壓為30 50V下陽極氧化8 12h，再將其于溫度為50 70°C的4 8wt%磷酸和1. 6 2wt%鉻酸的混和溶液中浸泡8 12h，接著，將其再次于同樣的工藝條件下進行第二次陽極化后，先用氯化銅或氯化錫溶液去除背面未氧化的鋁，再用3 7wt%的磷酸溶液腐蝕掉位于孔底部的氧化鋁障礙層，得到孔直徑為60 SOnm的納米通孔氧化鋁模板；所述的鍍金膜為使用離子濺射技術，濺射時納米通孔氧化鋁模板的一面與金靶之間的距離為2cm、濺射電流為40mA、濺射時間彡15min，得到厚度彡IOOnm的金膜。為解決本發明的還有一個技術問題，所采用的還有一個技術方案為上述有序多孔金納米棒陣列的用途為利用有序多孔金納米棒陣列具有的表面增強拉曼散射效應性能，使用激光拉曼光譜儀來檢測痕量羅丹明(R6G)。作為有序多孔金納米棒陣列的用途的進一步改進，所述的激光拉曼光譜儀的激發光的波長為532nm、功率為0. lmW、積分時間為10s。相對于現有技術的有益效果是，其一，對制得的目標產物分別使用掃描電鏡、透射電鏡和掃描電鏡附帶的能譜測試儀進行表征，由其結果可知，目標產物為覆于襯底的薄膜之上的、由眾多的多孔納米棒整齊劃一地排列成有序的陣列；其中，襯底的厚度> IOum,薄膜的厚度彡lOOnm，納米棒的棒長為150 250nm、棒直徑為50 70nm，其上孔的直徑為5 20nm，孔為均勻分布。襯底為甲基丙烯酸甲酯。薄膜為金膜。多孔納米棒為多孔金納米棒。這種多孔金納米棒陣列的結構既保持了金納米棒陣列的特性，又因多孔金納米棒中介孔的存在而于其附近產生了很強的局域電場，該電場與多孔金納米棒之間的電場共同作用，極大地提高了將其作為基底時對檢測分子SERS信號的電磁場增強，還因多孔的緣由致使其表面粗糙而使表面積更大，進而為檢測分子提供了更多的依附點，極有利于對檢測分子的有效吸附，大大地提高了基底的整體SERS活性。其二，將制得的目標產物作為SERS活性基底，經對羅丹明進行多次多批量的測試，當被測物羅丹明的濃度低至10-1(lmOl/L時，仍能將其有效地檢測出來，且其檢測的一致性和重復性于目標產物上的多點和任一點都非常的好。經與相同形貌和尺寸的實心金納米棒陣列相比，目標產物的SERS檢測極限降低了兩個數量級。其三，制備方法科學、有效既制備出了結構簡單，具有較高SERS活性的有序多孔金納米棒陣列，又使制得的目標產物與激光拉曼光譜儀配合后，具備了對環境有毒污染物羅丹明進行快速痕量檢測的功能，還有著制備工藝簡便、成本低的特點，從而使目標產物極易于廣泛地用于環境、化學、生物等領域的快速檢測。作為有益效果的進一步體現，一是多孔金納米棒上的孔優選為均勻分布，利于將目標產物作為SERS活性基底使用時，具有較高的檢測結果的一致性。二是襯底的厚度優選> 1011111，金膜的厚度優選> lOOnm，確保了其上置有的多孔金納米棒陣列的穩定性。三是硝酸銀電解液優選為160g/L的亞硫酸鈉、30g/L的磷酸氫二鉀、5g/L的乙二胺四乙酸和12g/L的硝酸銀的混合液，配制時硝酸銀最后混入，氯金酸電解液優選為160g/L的亞硫酸鈉、30g/L的磷酸氫二鉀、5g/L的乙二胺四乙酸和10g/L的氯金酸的混合液，配制時氯金酸最后混入，利于氧化鋁模板孔中金銀合金納米棒陣列的電沉積。四是納米通孔氧化鋁模板的制作優選為，先將鋁片置于濃度為0. 2 0. 4mol/L的草酸溶液或磷酸溶液或硫酸溶液中，于直流電壓為30 50V下陽極氧化8 12h，再將其于溫度為50 7(TC的4 8wt%磷酸和1. 6 2被％鉻酸的混和溶液中浸泡8 12h，接著，將其再次于同樣的工藝條件下進行第二次陽極化后，先用氯化銅或氯化錫溶液去除背面未氧化的鋁，再用3 7wt%的磷酸溶液腐蝕掉位于孔底部的氧化鋁障礙層，易于得到所需孔直徑的納米通孔氧化鋁模板。五是鍍金膜優選為使用離子濺射技術，濺射時納米通孔氧化鋁模板的一面與金靶之間的距離優選為2cm、濺射電流優選為40mA、濺射時間優選> 15min，便于得到所需厚度的金膜。六是激光拉曼光譜儀的激發光的波長優選為532nm、功率優選為0. lmW、積分時間優選為10s，不僅確保了檢測的精確性，還易于目標產物檢測羅丹明性能的充分發揮。
下面結合附圖對本發明的優選方式作進一步詳細的描述。圖1是對制得的目標產物使用掃描電鏡(SEM)進行表征的結果之一。SEM圖像表明目標產物為整齊劃一的納米棒有序陣列。圖2是對圖1所示目標產物中的納米棒使用透射電鏡(TEM)進行表征的結果之一。TEM圖像顯示出納米棒為多孔納米棒。圖3是對圖1所示的目標產物使用掃描電鏡附帶的能譜(EDS)測試儀進行表征的結果之一。EDS譜圖證實了目標產物為多孔金納米棒陣列。圖4是對在制得的目標產物上隨機取5個點，使用激光照射所獲得的拉曼光譜圖，該譜圖表明目標產物有著非常好的一致性。圖5是分別對含有不同濃度羅丹明的實心金納米棒陣列和制得的目標產物使用激光拉曼光譜儀進行表征的結果之一。其中，圖5a為含有不同濃度羅丹明的實心金納米棒陣列的SERS譜線；圖5b為含有不同濃度羅丹明的目標產物的SERS譜線；圖5c為圖5b中10-10mol/L曲線的放大圖像；圖5d為含有10-8mOl/L羅丹明的具有不同孔徑的目標產物的SERS譜線，圖中的譜線a d分別為孔直徑為20nm、15nm、8nm和5nm的目標產物的SERS譜線。
具體實施例方式首先從市場購得或用常規方法制得孔直徑為60 SOnm的納米通孔氧化鋁模板，并于該納米通孔氧化鋁模板的一面鍍厚度彡IOOnm的金膜；其中，納米通孔氧化鋁模板的制作為，先將鋁片置于濃度為0. 2 0. 4mol/L的草酸溶液或磷酸溶液或硫酸溶液中，于直流電壓為30 50V下陽極氧化8 12h，再將其于溫度為50 70°C的4 8wt%磷酸和1. 6 2wt%鉻酸的混和溶液中浸泡8 12h，接著，將其再次于同樣的工藝條件下進行第二次陽極化后，先用氯化銅或氯化錫溶液去除背面未氧化的鋁，再用3 7wt%的磷酸溶液腐蝕掉位于孔底部的氧化鋁障礙層，得到孔直徑為60 SOnm的納米通孔氧化鋁模板。鍍金膜為使用離子濺射技術，濺射時納米通孔氧化鋁模板的一面與金靶之間的距離為2cm、濺射電流為40mA、濺射時間彡15min，得到厚度彡IOOnm的金膜。硝酸銀電解液為160g/L的亞硫酸鈉、30g/L的磷酸氫二鉀、5g/L的乙二胺四乙酸和12g/L的硝酸銀的混合液，配制時硝酸銀最后混入。氯金酸電解液為160g/L的亞硫酸鈉、30g/L的磷酸氫二鉀、5g/L的乙二胺四乙酸和10g/L的氯金酸的混合液，配制時氯金酸最后混入。接著，實施例1制備的具體步驟為步驟1，先將一面鍍有金膜的氧化鋁模板置于混合電解液中，于電壓為0. 2V的恒壓直流下電沉積IOmin ;其中，混合電解液由硝酸銀電解液與氯金酸電解液按照兩者含有的金離子與銀離子之比為1:2的比例混合而成，得到一面鍍有金膜、孔中沉積有金銀合金納米棒陣列的氧化鋁模板。再將一面鍍有金膜、孔中沉積有金銀合金納米棒陣列的氧化鋁模板置于0°C下的濃度為65wt%的硝酸溶液中反應lOmin，得到一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列的氧化鋁模板。步驟2，先于一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列的氧化鋁模板的金膜的另一面上涂敷液態甲基丙烯酸甲酯，待其固化后，得到其一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列以及金膜上涂敷有甲基丙烯酸甲酯的氧化鋁模板。再將其一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列以及金膜上涂敷有甲基丙烯酸甲酯的氧化鋁模板置于堿溶液中去除氧化鋁模板，制得近似于圖1和圖2所示，以及如圖3和圖4中的曲線所示的有序多孔金納米棒陣列。實施例2制備的具 體步驟為步驟1，先將一面鍍有金膜的氧化鋁模板置于混合電解液中，于電壓為0. 35V的恒壓直流下電沉積7min ;其中，混合電解液由硝酸銀電解液與氯金酸電解液按照兩者含有的金離子與銀離子之比為1:3的比例混合而成，得到一面鍍有金膜、孔中沉積有金銀合金納米棒陣列的氧化鋁模板。再將一面鍍有金膜、孔中沉積有金銀合金納米棒陣列的氧化鋁模板置于0. 5°C下的濃度為66wt%的硝酸溶液中反應7. 5min，得到一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列的氧化鋁模板。步驟2，先于一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列的氧化鋁模板的金膜的另一面上涂敷液態甲基丙烯酸甲酯，待其固化后，得到其一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列以及金膜上涂敷有甲基丙烯酸甲酯的氧化鋁模板。再將其一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列以及金膜上涂敷有甲基丙烯酸甲酯的氧化鋁模板置于堿溶液中去除氧化鋁模板，制得近似于圖1和圖2所示，以及如圖3和圖4中的曲線所示的有序多孔金納米棒陣列。實施例3制備的具體步驟為步驟1，先將一面鍍有金膜的氧化鋁模板置于混合電解液中，于電壓為0. 5V的恒壓直流下電沉積5min ;其中，混合電解液由硝酸銀電解液與氯金酸電解液按照兩者含有的金離子與銀離子之比為1:3. 5的比例混合而成，得到一面鍍有金膜、孔中沉積有金銀合金納米棒陣列的氧化鋁模板。再將一面鍍有金膜、孔中沉積有金銀合金納米棒陣列的氧化鋁模板置于1°C下的濃度為67wt%的硝酸溶液中反應5min，得到一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列的氧化鋁模板。步驟2，先于一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列的氧化鋁模板的金膜的另一面上涂敷液態甲基丙烯酸甲酯，待其固化后，得到其一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列以及金膜上涂敷有甲基丙烯酸甲酯的氧化鋁模板。再將其一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列以及金膜上涂敷有甲基丙烯酸甲酯的氧化鋁模板置于堿溶液中去除氧化鋁模板，制得如圖1和圖2所示，以及如圖3和圖4中的曲線所示的有序多孔金納米棒陣列。實施例4制備的具體步驟為步驟1，先將一面鍍有金膜的氧化鋁模板置于混合電解液中，于電壓為0. 65V的恒壓直流下電沉積3min ;其中，混合電解液由硝酸銀電解液與氯金酸電解液按照兩者含有的金離子與銀離子之比為1:4的比例混合而成，得到一面鍍有金膜、孔中沉積有金銀合金納米棒陣列的氧化鋁模板。再將一面鍍有金膜、孔中沉積有金銀合金納米棒陣列的氧化鋁模板置于1. 5°C下的濃度為68wt%的硝酸溶液中反應3min，得到一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列的氧化鋁模板。步驟2，先于一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列的氧化鋁模板的金膜的另一面上涂敷液態甲基丙烯酸甲酯，待其固化后，得到其一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列以及金膜上涂敷有甲基丙烯酸甲酯的氧化鋁模板。再將其一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列以及金膜上涂敷有甲基丙烯酸甲酯的氧化鋁模板置于堿溶液中去除氧化鋁模板，制得近似于圖1和圖2所示，以及如圖3和圖4中的曲線所示的有序多孔金納米棒陣列。
實施例5制備的具體步驟為步驟1，先將一面鍍有金膜的氧化鋁模板置于混合電解液中，于電壓為0. 8V的恒壓直流下電沉積Imin ;其中，混合電解液由硝酸銀電解液與氯金酸電解液按照兩者含有的金離子與銀離子之比為1:5的比例混合而成，得到一面鍍有金膜、孔中沉積有金銀合金納米棒陣列的氧化鋁模板。再將一面鍍有金膜、孔中沉積有金銀合金納米棒陣列的氧化鋁模板置于2 °C下的濃度為69wt%的硝酸溶液中反應Imin,得到一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列的氧化鋁模板。步驟2，先于一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列的氧化鋁模板的金膜的另一面上涂敷液態甲基丙烯酸甲酯，待其固化后，得到其一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列以及金膜上涂敷有甲基丙烯酸甲酯的氧化鋁模板。再將其一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列以及金膜上涂敷有甲基丙烯酸甲酯的氧化鋁模板置于堿溶液中去除氧化鋁模板，制得近似于圖1和圖2所示，以及如圖3和圖4中的曲線所示的有序多孔金納米棒陣列。有序多孔金納米棒陣列的用途為利用有序多孔金納米棒陣列具有的表面增強拉曼散射效應性能，使用激光拉曼光譜儀來檢測痕量羅丹明，得到如或近似于圖5所示的結果；其中，激光拉曼光譜儀的激發光的波長為532nm、功率為0. lmW、積分時間為10s。顯然，本領域的技術人員可以對本發明的有序多孔金納米棒陣列及其制備方法和用途進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和范圍。這樣，倘若對本發明的這些修改和變型屬于本發明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發明也意圖包含這些改動和變型在內。
權利要求
1.一種有序多孔金納米棒陣列，由甲基丙烯酸甲酯襯底上覆有金膜，以及金膜上的金納米棒陣列組成，其特征在于 所述金納米棒陣列為多孔金納米棒陣列，所述構成多孔金納米棒陣列的多孔金納米棒的棒長為150 250nm、棒直徑為50 70nm,其上孔的直徑為5 20nm。
2.根據權利要求1所述的有序多孔金納米棒陣列，其特征是多孔金納米棒上的孔為均勻分布。
3.根據權利要求1所述的有序多孔金納米棒陣列，其特征是襯底的厚度>IOy m，金膜的厚度≥IOOnm。
4.一種權利要求1所述有序多孔金納米棒陣列的制備方法，包括于納米通孔氧化鋁膜板的一面鍍金膜，其特征在于完成步驟如下 步驟I，先將一面鍍有金膜的氧化鋁模板置于混合電解液中，于電壓為0. 2 0. 8V的恒壓直流下電沉積I lOmin，其中，混合電解液由硝酸銀電解液與氯金酸電解液按照兩者含有的金離子與銀離子之比為1:2 5的比例混合而成，得到一面鍍有金膜、孔中沉積有金銀合金納米棒陣列的氧化鋁模板，再將一面鍍有金膜、孔中沉積有金銀合金納米棒陣列的氧化招模板置于0 2°C下的濃度為65 69wt%的硝酸溶液中反應I IOmin,得到一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列的氧化鋁模板； 步驟2，先于一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列的氧化鋁模板的金膜的另一面上涂敷液態甲基丙烯酸甲酯，待其固化后，得到其一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列以及金膜上涂敷有甲基丙烯酸甲酯的氧化鋁模板，再將其一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列以及金膜上涂敷有甲基丙烯酸甲酯的氧化鋁模板置于堿溶液中去除氧化鋁模板，制得有序多孔金納米棒陣列。
5.根據權利要求4所述的有序多孔金納米棒陣列的制備方法，其特征是硝酸銀電解液為160g/L的亞硫酸鈉、30g/L的磷酸氫二鉀、5g/L的乙二胺四乙酸和12g/L的硝酸銀的混合液，配制時硝酸銀最后混入。
6.根據權利要求4所述的有序多孔金納米棒陣列的制備方法，其特征是氯金酸電解液為160g/L的亞硫酸鈉、30g/L的磷酸氫二鉀、5g/L的乙二胺四乙酸和10g/L的氯金酸的混合液，配制時氯金酸最后混入。
7.根據權利要求4所述的有序多孔金納米棒陣列的制備方法，其特征是納米通孔氧化招模板的制作為，先將招片置于濃度為0. 2 0. 4mol/L的草酸溶液或磷酸溶液或硫酸溶液中，于直流電壓為30 50V下陽極氧化8 12h，再將其于溫度為50 70°C的4 8wt%磷酸和1. 6 2被％鉻酸的混和溶液中浸泡8 12h，接著，將其再次于同樣的工藝條件下進行第二次陽極化后，先用氯化銅或氯化錫溶液去除背面未氧化的鋁，再用3 7wt%的磷酸溶液腐蝕掉位于孔底部的氧化鋁障礙層，得到孔直徑為60 SOnm的納米通孔氧化鋁模板。
8.根據權利要求4所述的有序多孔金納米棒陣列的制備方法，其特征是鍍金膜為使用離子濺射技術，濺射時納米通孔氧化鋁模板的一面與金靶之間的距離為2cm、濺射電流為40mA、#i射時間彡15min,得到厚度彡IOOnm的金膜。
9.一種權利要求1所述有序多孔金納米棒陣列的用途，其特征在于 利用有序多孔金納米棒陣列具有的表面增強拉曼散射效應性能，使用激光拉曼光譜儀來檢測痕量羅丹明。
10.根據權利要求9所述的有序多孔金納米棒陣列的用途，其特征是激光拉曼光譜儀的激發光的波長為532nm、功率為0. lmW、積分時間為10s。
全文摘要
本發明公開了一種有序多孔金納米棒陣列及其制備方法和用途。陣列為覆有金膜的甲基丙烯酸甲酯襯底上置有多孔金納米棒陣列，其中的金膜之上的多孔金納米棒的棒長為150～250nm、棒直徑為50～70nm，其上孔的直徑為5～20nm；方法為先將一面鍍有金膜的氧化鋁模板置于混合電解液中電沉積，得到一面鍍有金膜、孔中沉積有金銀合金納米棒陣列的氧化鋁模板，再將其置于硝酸溶液中反應，得到一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列的氧化鋁模板，接著，先于一面鍍有金膜、孔中置有多孔金納米棒陣列的氧化鋁模板的金膜的另一面上涂敷液態甲基丙烯酸甲酯，待其固化后，再將其置于堿溶液中去除氧化鋁模板，制得目標產物。它可用作SERS活性基底來檢測痕量羅丹明。
文檔編號B82B1/00GK103058132SQ20121057510
公開日2013年4月24日 申請日期2012年12月26日 優先權日2012年12月26日
發明者陳斌, 孟國文, 黃竹林, 許巧玲, 朱儲紅, 唐海賓 申請人:中國科學院合肥物質科學研究院