一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置的制造方法
【專利摘要】本發明公開了一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置，包括放置于腹板一端的熱風機；所述熱風機連接有第一加熱管件、第二加熱管件和第三加熱管件且所述第一加熱管件、所述第二加熱管件、所述第三加熱管件通過設置于葉片根部的一個熱風機擋板；所述第一加熱管件、所述第二加熱管件、所述第三加熱管件從所述熱風機延伸至葉片內；所述葉片邊緣為中空狀態形成葉片空腔，所述葉片空腔內放置有氣體檢測器。
【專利說明】
一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置
技術領域
[0001]本發明涉及電力領域，更具體涉及一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置。
【背景技術】
[0002]在風力發電過程中，可能含有毒性、燃燒性、爆炸性、放射性、腐蝕性等的有害氣體或者會產生該類危險氣體，對該類危險氣體的檢測要求靈敏度、穩定性等較高。
[0003]常規的檢測氣體的方法是在現場采集氣體，存儲于潔凈的采樣設備中，然后送至實驗室，采用各種儀器，例如GC、GC/MS或LC/MS等檢測氣體中的成分以及定量等問題，然而，上述檢測方法不僅需要大量的采樣人員進行現場采樣，耗費了大量的人力物力，而且在樣品運輸過程中，經常存在被污染的問題，送至實驗室的氣體樣品根本不能反應真實存在的問題，或不能監測其對環境功能的危害性。

【發明內容】

[0004]本發明的目的在于避免現有技術中的不足之處而提供一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置。
[0005]本發明的目的通過以下技術方案實現:一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置，其特征在于，包括放置于腹板一端的熱風機;所述熱風機連接有第一加熱管件、第二加熱管件和第三加熱管件且所述第一加熱管件、所述第二加熱管件、所述第三加熱管件通過設置于葉片根部的一個熱風機擋板;所述第一加熱管件、所述第二加熱管件、所述第三加熱管件從所述熱風機延伸至葉片內；所述葉片邊緣為中空狀態形成葉片空腔，所述葉片空腔內放置有氣體檢測器。
[0006]本發明的實施例提供的一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置，在葉片空腔內放置有氣體檢測器，解決了上述問題。
【附圖說明】
[0007]此處的附圖被并入說明書中并構成本說明書的一部分，示出了符合本發明的實施例，并與說明書一起用于解釋本發明的原理。
[0008]圖1是本發明的結構示意圖。
[0009]圖2是根據一示例性實施例示出的本發明采用的氣體檢測器的結構示意圖。
[0010]圖3根據一示例性實施例示出的本發明采用的敏感模塊的結構示意圖。
[0011 ]圖4是根據一示例性實施例示出的本發明采用的敏感模塊的制備工藝流程框圖。
[0012]其中:1-硅片，2-氮化硅層，3-Cr膜層，4-PANI膜，5-Ni膜，6-HKUST-1 膜，7-BSP膜，8-熱風機，9-第一加熱管件，10-敏感模塊，11-氣體檢測器，12-腹板，13-第二加熱管件，14-第三加熱管件，15-熱風機擋板，16-葉片空腔。
【具體實施方式】
[0013]這里將詳細地對示例性實施例進行說明，其示例表示在附圖中。下面的描述涉及附圖時，除非另有表示，不同附圖中的相同數字表示相同或相似的要素。以下示例性實施例中所描述的實施方式并不代表與本發明相一致的所有實施方式。相反，它們僅是與如所附權利要求書中所詳述的、本發明的一些方面相一致的裝置和方法的例子。
[0014]在本申請的描述中，需要說明的是，除非另有規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是機械連接或電連接，也可以是兩個元件內部的連通，可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，對于本領域的普通技術人員而言，可以根據具體情況理解上述術語的具體含義。
[0015]隨著經濟的快速發展和工業生產的擴大，不僅在工業制造生產過程中會產生各種各樣的廢氣，在制成的各種器械在使用過程中也會產生各種氣體，這些氣體的產生不僅會影響儀器本身的使用，而且會成為環境污染的潛在威脅。
[0016]因此，有必要找尋一種可以監測各種器械在使用過程中產生的氣體的設備，又可以及時反饋監測到氣體數據的氣體傳感器。
[0017]常規的檢測氣體的方法是在現場采集氣體，存儲于潔凈的采樣設備中，然后送至實驗室，采用各種儀器，例如GC、GC/MS或LC/MS等檢測氣體中的成分以及定量等問題，然而，上述檢測方法不僅需要大量的采樣人員進行現場采樣，耗費了大量的人力物力，而且在樣品運輸過程中，經常存在被污染的問題，送至實驗室的氣體樣品根本不能反應器械存在的問題，或不能監測其對環境功能的危害性。
[0018]在已有的報道中，已經存在采用無機膜材料制成氣體檢測傳感器來檢測氣體，但是上述氣體傳感器存在以下問題:采用的膜材料使用壽命短，而且在環境中濕度較大的時候，容易失靈，不能很好的發揮其功效。因此，亟需找到一種既能可大范圍對水分子敏感，又能及時監測和分離被測目標氣體情況的材料。
[0019]金屬有機骨架材料(MOFs)是由金屬離子或者金屬簇通過配位鍵的成鍵方式與一些有機配體結合形成的，由于金屬離子或者有機配體的不同，可以展現出多種拓撲結構。MOFs自身具有孔徑大小可調、比表面積高等優點，其在氣液分離、催化、光、電、氣體傳感等方面都有潛在應用價值。其中HKUST-1是一種典型的金屬有機骨架材料，其對氫氣非常敏感，當其與氫氣接觸時，HKUST-1的骨架柔性會由于孔道內吸入不同的客體分子而發生變化，這種變化又會引起其單胞的變化，而單胞的變化最終會導致HKUST-1膜電阻的改變，通過測量電阻可以靈敏的反應待測氫氣的濃度變化。
[0020]本發明基于電阻型HKUST-1膜材料，設計氫氣傳感器，采用Cr膜作為敏感模塊的叉指電極層，Ni膜作為HKUST-1成膜的催化劑。
[0021 ]結合以下實施例對本發明作進一步描述。
[0022]應用場景I
[0023]圖1是根據一示例性實施例示出的一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置，其特征在于，包括放置于腹板12—端的熱風機8;所述熱風機8連接有第一加熱管件9、第二加熱管件13和第三加熱管件14且所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14通過設置于葉片根部的一個熱風機擋板15;所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14從所述熱風機8延伸至葉片內；所述葉片邊緣為中空狀態形成葉片空腔16，所述葉片空腔內16放置有氣體檢測器11。
[0024]本發明的實施例提供的一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置，在葉片空腔內放置有氣體檢測器，解決了上述問題。
[0025]優選地，所述熱風機擋板15上設置有與所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14相匹配的小孔。
[0026]優選地，所述第二加熱管件13的前端距離所述腹板12的后端80cm?85cm。
[0027]優選地，所述第二加熱管件13的前端距離所述腹板12的后端83cm。
[0028]優選地，所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14沿縱向等間距設置。
[0029]優選地，所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14沿縱向互相間隔1cm0
[0030]圖2是根據一示例性實施例示出的本發明采用的氣體檢測器11的結構示意圖。如圖2所示，所述氣體檢測器11包括敏感模塊10和數據讀取模塊20，所述敏感模塊10放置在中空結構帶有透氣孔的外殼中。
[0031]圖3根據一示例性實施例示出的本發明采用的敏感模塊的結構示意圖，如圖3所示，該敏感模塊1包括硅片襯底、PANI膜4、Ni膜5、HKUST-1膜6和BSP膜7;所述硅片襯底包括硅片1、氮化硅膜2和Cr膜層3，氮化硅膜2用作絕緣層，Cr膜層3用作叉指電極層;所述Ni膜5采用磁控濺射法制備，厚度為1nm;所述HKUST-1膜6的厚度約為2?60μπι;所述Cr膜層3與數據讀取模塊20導電連接。
[0032]圖4是根據一示例性實施例示出的本發明采用的敏感模塊的制備工藝流程框圖，如圖4所示，所述敏感模塊10的制作包括如下步驟:
[0033]步驟一，制備硅片襯底:
[0034]取N型硅片，裁剪尺寸為5cmX Icm，依次經過丙酮、乙醇、去離子水超聲清洗，超聲時間為30min，然后用氮氣槍吹干;將清洗過的硅片放入PECVD設備，沉積一層氮化硅薄膜，厚度約200nm;將硅片清洗，旋涂一層光刻膠，光刻膠參數為低速900rpm旋涂13s，高速4500rpm旋涂50s;然后覆蓋叉指電極掩模版，曝光7s，顯影65s;放入磁控派射儀中，磁控派射Cr膜，作為叉指電極層，厚度為500nm，隨后清洗掉硅片表面光刻膠；
[0035]步驟二，制備微腔:
[0036]將經步驟一處理的硅片襯底，先用75%乙醇溶液將其表面擦拭干凈，采用火焰加熱法，將硅片襯底置于火焰上，從一端開始，每間隔Icm拉制一次，以形成2個錐狀的微腔;微腔結構增強了敏感模塊的靈敏度，進而該檢測設備的檢測能力得到增強，使其對氫氣的吸附能力極強；
[0037]步驟三，制備PANI膜:
[0038]取一定量的聚苯胺溶解在二甲基甲酰胺中形成飽和溶液，采用旋涂-提拉法將飽和溶液旋涂到經步驟二處理過的硅片襯底的表面，旋涂的速度為3000rpm，旋涂10s，然后在100°C的烘箱中干燥過夜，在硅片襯底表面得到PANI膜;采用的氣體感測模塊由于基于電阻型的金屬有機骨架材料，且金屬有機骨架材料成膜于聚苯胺膜上，由于聚苯胺具有強烈的導電性，因此，進一步增強了氣體感測模塊的靈敏度，進而使該檢測設備對氣體的敏感程度得到大幅度的加強；
[0039]步驟四，制備HKUST-1膜:
[0040]I)將硅片襯底放入磁控濺射中，本底真空低于1.5 X 10—3Pa，磁控濺射1nm的Ni膜5，硅片取出待用；
[0041 ] 2)稱取H3BTC 0.336g于另一個小燒杯中，用19.2mL乙醇完全溶解得無色透明溶液，稱取Cu(NO3)2.3H20 0.7g于小燒杯中，用19.2mL去離子水溶解，將H3BTC溶液沿燒杯壁倒入Cu (NO3) 2.3H20溶液中攪拌半小時，得到淺藍色的HKUST-1母液;將配制好的HKUST-1母液和硅片襯底置于50mL的反應釜中，利用水熱合成法合成MOF膜，反應溫度為135°C，反應2天后，用鑷子將硅片襯底取出后用甲醇反復沖洗幾次，于100°C烘干I小時，在硅片襯底上得至IJ藍色的HKUST-1膜，HKUST-1膜的厚度約為2?60μπι;由于采用Ni層作為金屬有機骨架材料成膜的催化劑，PANI表面的Ni膜會與HKUST-1膜反應，因此，一方面促進了 HKUST-1的成膜，另一方面提高了 PANI膜與HKUST-1膜的結合性能，使結合膜層具有更強的穩定性，從而使得由此制備而成的氣體感測模塊的感測性能更加穩定；
[0042]步驟五，制備BSP膜:
[0043]1)BSP亞微米棒生長= In(NO3)3.x H20(0.08g)和H3BTC(0.068g)加入到混合溶劑H20/DMF(1:1，1mL)中，室溫下攪拌1min制成A溶液，將有機光致變色化合物BSP(0.057mmol)加入到A溶液中，暗處攪拌I小時；
[0044]2)成膜:將BSP溶液旋凃硅片/PANI/HKUST-1膜上成膜，旋凃的速度為5000rpm，旋凃時間為5秒；由于在其使用的氣體敏感模塊的制備過程中，在其表面加入了具有熒光性能的BSP變色分子，該變色分子在電磁激發下，可在存在易燃易爆的危險環境中發出熒光，使該檢測設備能夠實現定性和定量的檢測環境中包括氫氣在內的易燃易爆氣體，能使發生危險情況的可能性降低；
[0045]步驟五，敏感模塊組裝:
[0046]將硅片襯底放入中空結構外殼中，硅片部分朝下，敏感薄膜部分朝透氣小孔放置，金屬線連接硅片上叉指電極與數據讀取模塊。由于該敏感模塊的制作過程非常簡單方便且快捷，可節省大量的人力和物力，具有大規模工業生產的潛力。
[0047]實驗測試:
[0048](I)氫氣實驗:25 ±2°C條件，分別通入空氣、氫氣和含氫氣的氮氣，流速為1000ml/min，負載電阻為200 Ω ;通空氣時，氣體傳感器信號值為O;通入Ippm氫氣，氣體傳感器信號值在1s內迅速變化到1.0mV，并于20s內信號值趨于穩定；Imin后通入空氣，信號值于5s內回到O值并于30s內趨于穩定;經過2000次穩定性測試，其數據變化率小于10%;測試結果顯示該固體廢棄物檢測設備對氫氣具有良好的響應性能。
[0049](2)氨氣實驗:25 ±2°C條件，分別通入空氣氨氣和含氨氣的氮氣，流速為100ml/min，負載電阻為200 Ω ;通空氣時，氣體傳感器信號值為O;通入10ppm氨氣，氣體傳感器信號值在I Os內迅速變化到5.0mV，并于Imin內信號值趨于穩定；5min后通入空氣，信號值于1s內回到O值并于0.5min內趨于穩定;經過2000次穩定性測試，其數據變化率小于10%;測試結果顯示該固體廢棄物檢測設備對氨氣具有良好的響應性能。
[0050](3)硫化氫實驗:25±2°C條件，分別通入空氣和含硫化氫的氮氣，流速為100ml/min，負載電阻為200 Ω ;通空氣時，氣體傳感器信號值為O;通入0.05ppm硫化氫氣體，氣體傳感器信號值在1s內迅速變化到3.0mV，并于30 s內信號值趨于穩定；5min后通入空氣，信號值于5s內回到O值并于1s內趨于穩定;經過2000次穩定性測試，其數據變化率小于10%;測試結果顯示該固體廢棄物檢測設備對硫化氫氣體具有良好的響應性能。
[0051]實驗結果表明:該敏感模塊還對氨氣和硫化氫這種有毒有害的氣體具有很強的敏感和選擇性能，使該檢測設備對有毒有害氣體的敏感度和選擇性都得到提高，降低了生產的風險。
[0052]應用場景2:
[0053]圖1是根據一示例性實施例示出的一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置，其特征在于，包括放置于腹板12—端的熱風機8;所述熱風機8連接有第一加熱管件9、第二加熱管件13和第三加熱管件14且所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14通過設置于葉片根部的一個熱風機擋板15;所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14從所述熱風機8延伸至葉片內；所述葉片邊緣為中空狀態形成葉片空腔16，所述葉片空腔內16放置有氣體檢測器11。
[0054]本發明的實施例提供的一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置，在葉片空腔內放置有氣體檢測器，解決了上述問題。
[0055]優選地，所述熱風機擋板15上設置有與所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14相匹配的小孔。
[0056]優選地，所述第二加熱管件13的前端距離所述腹板12的后端80cm?85cm。
[0057]優選地，所述第二加熱管件13的前端距離所述腹板12的后端83cm。
[0058]優選地，所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14沿縱向等間距設置。
[0059]優選地，所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14沿縱向互相間隔1cm0
[0060]圖2是根據一示例性實施例示出的本發明采用的氣體檢測器的結構示意圖。如圖2所示，所述氣體檢測器11包括敏感模塊10和數據讀取模塊20，所述敏感模塊10放置在中空結構帶有透氣孔的外殼中。
[0061]圖3根據一示例性實施例示出的本發明采用的敏感模塊的結構示意圖，如圖3所示，該敏感模塊1包括硅片襯底、PANI膜4、Ni膜5、HKUST-1膜6和BSP膜7;所述硅片襯底包括硅片1、氮化硅膜2和Cr膜層3，氮化硅膜2用作絕緣層，Cr膜層3用作叉指電極層;所述Ni膜5采用磁控濺射法制備，厚度為1nm;所述HKUST-1膜6的厚度約為2?60μπι;所述Cr膜層3與數據讀取模塊20導電連接。
[0062]圖4是根據一示例性實施例示出的本發明采用的敏感模塊的制備工藝流程框圖，如圖4所示，所述敏感模塊10的制作包括如下步驟:
[0063]步驟一，制備硅片襯底:
[0064]取N型硅片，裁剪尺寸為5cmX Icm，依次經過丙酮、乙醇、去離子水超聲清洗，超聲時間為30min，然后用氮氣槍吹干;將清洗過的硅片放入PECVD設備，沉積一層氮化硅薄膜，厚度約210nm;將硅片清洗，旋涂一層光刻膠，光刻膠參數為低速900rpm旋涂13s，高速4500rpm旋涂50s;然后覆蓋叉指電極掩模版，曝光7s，顯影65s;放入磁控派射儀中，磁控派射Cr膜，作為叉指電極層，厚度為510nm，隨后清洗掉硅片表面光刻膠；
[0065]步驟二，制備微腔:
[0066]將經步驟一處理的硅片襯底，先用75%乙醇溶液將其表面擦拭干凈，采用火焰加熱法，將硅片襯底置于火焰上，從一端開始，每間隔Icm拉制一次，以形成2個錐狀的微腔;微腔結構增強了敏感模塊的靈敏度，進而該檢測設備的檢測能力得到增強，使其對氫氣的吸附能力極強；
[0067]步驟三，制備PANI膜:
[0068]取一定量的聚苯胺溶解在二甲基甲酰胺中形成飽和溶液，采用旋涂-提拉法將飽和溶液旋涂到經步驟二處理過的硅片襯底的表面，旋涂的速度為3000rpm，旋涂10s，然后在100 0C的烘箱中干燥過夜，在硅片襯底表面得到PANI膜；
[0069]步驟四，制備HKUST-1膜:
[0070]I)將硅片襯底放入磁控濺射中，本底真空低于1.5 X 10—3Pa，磁控濺射1nm的Ni膜5，硅片取出待用；
[0071]2)稱取H3BTC 0.336g于另一個小燒杯中，用19.2mL乙醇完全溶解得無色透明溶液，稱取Cu(NO3)2.3H20 0.7g于小燒杯中，用19.2mL去離子水溶解，將H3BTC溶液沿燒杯壁倒入Cu (NO3) 2.3H20溶液中攪拌半小時，得到淺藍色的HKUST-1母液;將配制好的HKUST-1母液和硅片襯底置于50mL的反應釜中，利用水熱合成法合成MOF膜，反應溫度為135°C，反應2天后，用鑷子將硅片襯底取出后用甲醇反復沖洗幾次，于100°C烘干I小時，在硅片襯底上得至IJ藍色的HKUST-1膜，HKUST-1膜的厚度約為2?60μπι;由于采用Ni層作為金屬有機骨架材料成膜的催化劑，PANI表面的Ni膜會與HKUST-1膜反應，因此，一方面HKUST-1的成膜率提高了10%，另一方面PANI膜與HKUST-1膜的結合性能提高了5%，使結合膜層具有更強的穩定性，從而使得由此制備而成的氣體感測模塊的感測性能更加穩定；
[0072]步驟五，制備BSP膜:
[0073]1)BSP亞微米棒生長= In(NO3)3.x H20(0.08g)和H3BTC(0.068g)加入到混合溶劑H20/DMF(1:1，1mL)中，室溫下攪拌1min制成A溶液，將有機光致變色化合物BSP(0.057mmol)加入到A溶液中，暗處攪拌I小時；
[0074]2)成膜:將BSP溶液旋凃硅片/PANI/HKUST-1膜上成膜，旋凃的速度為5000rpm，旋凃時間為5秒；
[0075]由于在其使用的氣體敏感模塊的制備過程中，在其表面加入了具有熒光性能的BSP變色分子，該變色分子在電磁激發下，可在存在易燃易爆的危險環境中發出熒光，使該檢測設備能夠實現定性和定量的檢測環境中包括氫氣在內的易燃易爆氣體，能使發生危險情況的可能性降低了 10%;
[0076]步驟五，敏感模塊組裝:
[0077]將硅片襯底放入中空結構外殼中，硅片部分朝下，敏感薄膜部分朝透氣小孔放置，金屬線連接硅片上叉指電極與數據讀取模塊。由于該敏感模塊的制作過程非常簡單方便且快捷，可節省大量的人力和物力，具有大規模工業生產的潛力。
[0078]實驗測試:
[0079](I)氫氣測試:25±2°C條件，分別通入空氣和含氫氣的氮氣，流速為1000ml/min，負載電阻為200 Ω ;通空氣時，氣體傳感器信號值為O;通入1ppm氫氣，氣體傳感器信號值在8s內迅速變化到3.0mV，并于30s內信號值趨于穩定；Imin后通入空氣，信號值于1s內回到O值并于Imin內趨于穩定;經過2000次穩定性測試，其數據變化率小于10%。測試結果顯示該固體廢棄物檢測設備對氫氣具有良好的響應性能。
[0080](2)氨氣測試:25±2°C條件，分別通入空氣氨氣和含氨氣的氮氣，流速為100ml/min，負載電阻為200 Ω ;通空氣時，氣體傳感器信號值為O;通入200ppm氨氣，氣體傳感器信號值在5s內迅速變化到10.0mV，并于Imin內信號值趨于穩定;5min后通入空氣，信號值于1s內回到O值并于0.5min內趨于穩定;經過2000次穩定性測試，其數據變化率小于10%。測試結果顯示該固體廢棄物檢測設備對氨氣具有良好的響應性能。
[0081](3)硫化氫測試:25±2°C條件，分別通入空氣和含硫化氫的氮氣，流速為100ml/min，負載電阻為200 Ω ;通空氣時，氣體傳感器信號值為O;通入0.1ppm氨氣，氣體傳感器信號值在7 s內迅速變化到5.0mV，并于30s內信號值趨于穩定;5min后通入空氣，信號值于5s內回到O值并于0.5min內趨于穩定;經過2000次穩定性測試，其數據變化率小于10%。測試結果顯示該固體廢棄物檢測設備對硫化氫氣體具有良好的響應性能。
[0082]實驗結果表明:該敏感模塊還對氨氣和硫化氫這種有毒有害的氣體的敏感性能增強了5%和選擇性能提高了8%，使該檢測設備對有毒有害氣體的敏感度和選擇性都得到提高，降低了生產的風險。
[0083]應用場景3:
[0084]圖1是根據一示例性實施例示出的一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置，其特征在于，包括放置于腹板12—端的熱風機8;所述熱風機8連接有第一加熱管件9、第二加熱管件13和第三加熱管件14且所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14通過設置于葉片根部的一個熱風機擋板15;所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14從所述熱風機8延伸至葉片內；所述葉片邊緣為中空狀態形成葉片空腔16，所述葉片空腔內16放置有氣體檢測器11。
[0085]本發明的實施例提供的一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置，在葉片空腔內放置有氣體檢測器，解決了上述問題。
[0086]優選地，所述熱風機擋板15上設置有與所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14相匹配的小孔。
[0087]優選地，所述第二加熱管件13的前端距離所述腹板12的后端80cm?85cm。
[0088]優選地，所述第二加熱管件13的前端距離所述腹板12的后端83cm。
[0089]優選地，所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14沿縱向等間距設置。
[0090]優選地，所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14沿縱向互相間隔1cm0
[0091]圖2是根據一示例性實施例示出的本發明采用的氣體檢測器11的結構示意圖。如圖2所示，所述氣體檢測器11包括敏感模塊10和數據讀取模塊20，所述敏感模塊10放置在中空結構帶有透氣孔的外殼中。
[0092]圖3根據一示例性實施例示出的本發明采用的敏感模塊的結構示意圖，如圖3所示，該敏感模塊1包括硅片襯底、PANI膜4、Ni膜5、HKUST-1膜6和BSP膜7;所述硅片襯底包括硅片1、氮化硅膜2和Cr膜層3，氮化硅膜2用作絕緣層，Cr膜層3用作叉指電極層;所述Ni膜5采用磁控濺射法制備，厚度為12nm;所述HKUST-1膜6的厚度約為20m;所述Cr膜層3與數據讀取模塊20導電連接。
[0093]圖4是根據一示例性實施例示出的本發明采用的敏感模塊的制備工藝流程框圖，如圖4所示，所述敏感模塊10的制作包括如下步驟:
[0094]步驟一，制備硅片襯底:
[0095]取N型硅片，裁剪尺寸為5cmX Icm，依次經過丙酮、乙醇、去離子水超聲清洗，超聲時間為30min，然后用氮氣槍吹干;將清洗過的硅片放入PECVD設備，沉積一層氮化硅薄膜，厚度約220nm;將硅片清洗，旋涂一層光刻膠，光刻膠參數為低速900rpm旋涂13s，高速4500rpm旋涂50s;然后覆蓋叉指電極掩模版，曝光7s，顯影65s;放入磁控派射儀中，磁控派射Cr膜，作為叉指電極層，厚度為550nm，隨后清洗掉硅片表面光刻膠；
[0096]步驟二，制備微腔:
[0097]將經步驟一處理的硅片襯底，先用75%乙醇溶液將其表面擦拭干凈，采用火焰加熱法，將硅片襯底置于火焰上，從一端開始，每間隔Icm拉制一次，以形成2個錐狀的微腔;微腔結構增強了敏感模塊的靈敏度，進而該檢測設備的檢測能力得到增強，使其對氫氣的吸附能力極強；
[0098]步驟三，制備PANI膜:
[0099]取一定量的聚苯胺溶解在二甲基甲酰胺中形成飽和溶液，采用旋涂-提拉法將飽和溶液旋涂到經步驟二處理過的硅片襯底的表面，旋涂的速度為3000rpm，旋涂10s，然后在100 0C的烘箱中干燥過夜，在硅片襯底表面得到PANI膜；
[0100]步驟四，制備HKUST-1膜:
[0101 ] I)將硅片襯底放入磁控濺射中，本底真空低于1.5 X 10—3Pa，磁控濺射1nm的Ni膜5，硅片取出待用；
[0102]2)稱取H3BTC 0.336g于另一個小燒杯中，用19.2mL乙醇完全溶解得無色透明溶液，稱取Cu(NO3)2.3H20 0.7g于小燒杯中，用19.2mL去離子水溶解，將H3BTC溶液沿燒杯壁倒入Cu (NO3) 2.3H20溶液中攪拌半小時，得到淺藍色的HKUST-1母液;將配制好的HKUST-1母液和硅片襯底置于50mL的反應釜中，利用水熱合成法合成MOF膜，反應溫度為135°C，反應2天后，用鑷子將硅片襯底取出后用甲醇反復沖洗幾次，于100°C烘干I小時，在硅片襯底上得至IJ藍色的HKUST-1膜，HKUST-1膜的厚度約為2?60μπι;由于采用Ni層作為金屬有機骨架材料成膜的催化劑，PANI表面的Ni膜會與HKUST-1膜反應，因此，一方面HKUST-1的成膜率提高了20%，另一方面PANI膜與HKUST-1膜的結合性能提高了 10%，使結合膜層具有更強的穩定性，從而使得由此制備而成的氣體感測模塊的感測性能更加穩定；
[0103]步驟五，制備BSP膜:
[0104]1)BSP亞微米棒生長= In(NO3)3.x H20(0.08g)和H3BTC(0.068g)加入到混合溶劑H20/DMF(1:1，1mL)中，室溫下攪拌1min制成A溶液，將有機光致變色化合物BSP(0.057mmol)加入到A溶液中，暗處攪拌I小時；
[0105]2)成膜:將BSP溶液旋凃硅片/PANI/HKUST-1膜上成膜，旋凃的速度為5000rpm，旋凃時間為5秒；由于在其使用的氣體敏感模塊的制備過程中，在其表面加入了具有熒光性能的BSP變色分子，該變色分子在電磁激發下，可在存在易燃易爆的危險環境中發出熒光，使該檢測設備能夠實現定性和定量的檢測環境中包括氫氣在內的易燃易爆氣體，能使發生危險情況的可能性降低了 15%;
[0106]步驟五，敏感模塊組裝:
[0107]將硅片襯底放入中空結構外殼中，硅片部分朝下，敏感薄膜部分朝透氣小孔放置，金屬線連接硅片上叉指電極與數據讀取模塊。由于該敏感模塊的制作過程非常簡單方便且快捷，可節省大量的人力和物力，具有大規模工業生產的潛力。
[0108]實驗測試:
[0109](I)氫氣測試:25±2°C條件，分別通入空氣、氫氣和含氫氣的氮氣，流速為1000ml/min，負載電阻為200 Ω ;通空氣時，氣體傳感器信號值為O;通入50ppm氫氣，氣體傳感器信號值在5 s內迅速變化到10.0mV，并于Imin內信號值趨于穩定;5min后通入空氣，信號值于40s內回到O值并于Imin內趨于穩定;經過2000次穩定性測試，其數據變化率小于10%。測試結果顯示該固體廢棄物檢測設備對氫氣具有良好的響應性能。
[0110](2)氨氣測試:25±2°C條件，分別通入空氣氨氣和含氨氣的氮氣，流速為100ml/min，負載電阻為200 Ω ;通空氣時，氣體傳感器信號值為O;通入500ppm氨氣，氣體傳感器信號值在2s內迅速變化到15.0mV，并于Imin內信號值趨于穩定；5min后通入空氣，信號值于1s內回到O值并于1.5min內趨于穩定;經過2000次穩定性測試，其數據變化率小于10%。測試結果顯示該固體廢棄物檢測設備對氨氣具有良好的響應性能。
[0111](3)硫化氫測試:25 ± 2°C條件，分別通入空氣和含硫化氫的氮氣，流速為100ml/min，負載電阻為200 Ω ;通空氣時，氣體傳感器信號值為O;通入Ippm氨氣，氣體傳感器信號值在3 s內迅速變化到20.0mV，并于Imin內信號值趨于穩定;5min后通入空氣，信號值于1s內回到O值并于Imin內趨于穩定;經過2000次穩定性測試，其數據變化率小于10%。測試結果顯示該固體廢棄物檢測設備對硫化氫氣體具有良好的響應性能。
[0112]實驗結果表明:該敏感模塊還對氨氣和硫化氫這種有毒有害的氣體的敏感性能增強了 10%和選擇性能提高了 16%，使該檢測設備對有毒有害氣體的敏感度和選擇性都得到提高，降低了生產的風險。
[0113]應用場景4
[0114]圖1是根據一示例性實施例示出的一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置，其特征在于，包括放置于腹板12—端的熱風機8;所述熱風機8連接有第一加熱管件9、第二加熱管件13和第三加熱管件14且所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14通過設置于葉片根部的一個熱風機擋板15;所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14從所述熱風機8延伸至葉片內；所述葉片邊緣為中空狀態形成葉片空腔16，所述葉片空腔內16放置有氣體檢測器11。
[0115]本發明的實施例提供的一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置，在葉片空腔內放置有氣體檢測器，解決了上述問題。
[0116]優選地，所述熱風機擋板15上設置有與所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14相匹配的小孔。
[0117]優選地，所述第二加熱管件13的前端距離所述腹板12的后端80cm?85cm。
[0118]優選地，所述第二加熱管件13的前端距離所述腹板12的后端83cm。
[0119]優選地，所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14沿縱向等間距設置。
[0120]優選地，所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14沿縱向互相間隔1cm0
[0121]圖2是根據一示例性實施例示出的本發明采用的氣體檢測器的結構示意圖。如圖2所示，所述氣體檢測器11包括敏感模塊10和數據讀取模塊20，所述敏感模塊10放置在中空結構帶有透氣孔的外殼中。
[0122]圖3根據一示例性實施例示出的本發明采用的敏感模塊的結構示意圖，如圖3所示，該敏感模塊1包括硅片襯底、PANI膜4、Ni膜5、HKUST-1膜6和BSP膜7;所述硅片襯底包括硅片1、氮化硅膜2和Cr膜層3，氮化硅膜2用作絕緣層，Cr膜層3用作叉指電極層;所述Ni膜5采用磁控濺射法制備，厚度為20nm;所述HKUST-1膜6的厚度約為40μπι;所述Cr膜層3與數據讀取模塊20導電連接。
[0123]圖4是根據一示例性實施例示出的本發明采用的敏感模塊的制備工藝流程框圖，如圖4所示，所述敏感模塊10的制作包括如下步驟:
[0124]步驟一，制備硅片襯底:
[0125]取N型硅片，裁剪尺寸為5cmX Icm，依次經過丙酮、乙醇、去離子水超聲清洗，超聲時間為30min，然后用氮氣槍吹干;將清洗過的硅片放入PECVD設備，沉積一層氮化硅薄膜，厚度約300nm;將硅片清洗，旋涂一層光刻膠，光刻膠參數為低速900rpm旋涂13s，高速4500rpm旋涂50s;然后覆蓋叉指電極掩模版，曝光7s，顯影65s;放入磁控派射儀中，磁控派射Cr膜，作為叉指電極層，厚度為600nm，隨后清洗掉硅片表面光刻膠；
[0126]步驟二，制備微腔:
[0127]將經步驟一處理的硅片襯底，先用75%乙醇溶液將其表面擦拭干凈，采用火焰加熱法，將硅片襯底置于火焰上，從一端開始，每間隔Icm拉制一次，以形成2個錐狀的微腔;微腔結構增強了敏感模塊的靈敏度，進而該檢測設備的檢測能力得到增強，使其對氫氣的吸附能力極強；
[0128]步驟三，制備PANI膜:
[0129]取一定量的聚苯胺溶解在二甲基甲酰胺中形成飽和溶液，采用旋涂-提拉法將飽和溶液旋涂到經步驟二處理過的硅片襯底的表面，旋涂的速度為3000rpm，旋涂10s，然后在100 0C的烘箱中干燥過夜，在硅片襯底表面得到PANI膜；
[0130]步驟四，制備HKUST-1膜:
[0131 ] I)將硅片襯底放入磁控濺射中，本底真空低于1.5 X 10—3Pa，磁控濺射1nm的Ni膜5，硅片取出待用；
[0132]2)稱取H3BTC 0.336g于另一個小燒杯中，用19.2mL乙醇完全溶解得無色透明溶液，稱取Cu(NO3)2.3H20 0.7g于小燒杯中，用19.2mL去離子水溶解，將H3BTC溶液沿燒杯壁倒入Cu (NO3) 2.3H20溶液中攪拌半小時，得到淺藍色的HKUST-1母液;將配制好的HKUST-1母液和硅片襯底置于50mL的反應釜中，利用水熱合成法合成MOF膜，反應溫度為135°C，反應2天后，用鑷子將硅片襯底取出后用甲醇反復沖洗幾次，于100°C烘干I小時，在硅片襯底上得至IJ藍色的HKUST-1膜，HKUST-1膜的厚度約為2?60μπι;由于采用Ni層作為金屬有機骨架材料成膜的催化劑，PANI表面的Ni膜會與HKUST-1膜反應，因此，一方面HKUST-1的成膜率提高了30%，另一方面PANI膜與HKUST-1膜的結合性能提高了20%，使結合膜層具有更強的穩定性，從而使得由此制備而成的氣體感測模塊的感測性能更加穩定；
[0133]步驟五，制備BSP膜:
[0134]1)BSP亞微米棒生長= In(NO3)3.x H20(0.08g)和H3BTC(0.068g)加入到混合溶劑H20/DMF(1:1，1mL)中，室溫下攪拌1min制成A溶液，將有機光致變色化合物BSP(0.057mmol)加入到A溶液中，暗處攪拌I小時；
[0135]2)成膜:將BSP溶液旋凃硅片/PANI/HKUST-1膜上成膜，旋凃的速度為5000rpm，旋凃時間為5秒；由于在其使用的氣體敏感模塊的制備過程中，在其表面加入了具有熒光性能的BSP變色分子，該變色分子在電磁激發下，可在存在易燃易爆的危險環境中發出熒光，使該檢測設備能夠實現定性和定量的檢測環境中包括氫氣在內的易燃易爆氣體，能使發生危險情況的可能性降低了 35%;
[0136]步驟五，敏感模塊組裝:
[0137]將硅片襯底放入中空結構外殼中，硅片部分朝下，敏感薄膜部分朝透氣小孔放置，金屬線連接硅片上叉指電極與數據讀取模塊。由于該敏感模塊的制作過程非常簡單方便且快捷，可節省大量的人力和物力，具有大規模工業生產的潛力。
[0138]實驗測試:
[0139](I)氫氣測試:25±2°C條件，分別通入空氣、氫氣和含氫氣的氮氣，流速為100ml/min，負載電阻為200 Ω ;通空氣時，氣體傳感器信號值為O;通入I OOppm氫氣，氣體傳感器信號值在3s內迅速變化到30.0mV，并于20s內信號值趨于穩定;5min后通入空氣，信號值于20s內回到O值并于2min內趨于穩定;經過2000次穩定性測試，其數據變化率小于10%。測試結果顯示該固體廢棄物檢測設備對氫氣具有良好的響應性能。
[0140](2)氨氣測試:25±2°C條件，分別通入空氣氨氣和含氨氣的氮氣，流速為100ml/min，負載電阻為200 Ω ;通空氣時，氣體傳感器信號值為O;通入100ppm氨氣，傳感器信號值在2s內迅速變化到10.0mV，并于2min內信號值趨于穩定；5min后通入空氣，信號值于1s內回到O值并于2min內趨于穩定;經過2000次穩定性測試，其數據變化率小于10%。測試結果顯示該固體廢棄物檢測設備對氨氣具有良好的響應性能。
[0141](3)硫化氫測試:25±2°C條件，分別通入空氣和含硫化氫的氮氣，流速為100ml/min，負載電阻為200 Ω ;通空氣時，氣體傳感器信號值為O;通入1ppm氨氣，傳感器信號值在2s內迅速變化到25.0mV，并于2min內信號值趨于穩定；5min后通入空氣，信號值于40s內回至IJO值并于2min內趨于穩定;經過2000次穩定性測試，其數據變化率小于10%。測試結果顯示該固體廢棄物檢測設備對硫化氫氣體具有良好的響應性能。
[0142]實驗結果表明:該敏感模塊還對氨氣和硫化氫這種有毒有害的氣體的敏感性能增強了 20%和選擇性能提高了 30%，使該檢測設備對有毒有害氣體的敏感度和選擇性都得到提高，降低了生產的風險。
[0143]應用場景5
[0144]圖1是根據一示例性實施例示出的一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置，其特征在于，包括放置于腹板12—端的熱風機8;所述熱風機8連接有第一加熱管件9、第二加熱管件13和第三加熱管件14且所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14通過設置于葉片根部的一個熱風機擋板15;所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14從所述熱風機8延伸至葉片內；所述葉片邊緣為中空狀態形成葉片空腔16，所述葉片空腔內16放置有氣體檢測器11。
[0145]本發明的實施例提供的一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置，在葉片空腔內放置有氣體檢測器，解決了上述問題。
[0146]優選地，所述熱風機擋板15上設置有與所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件
13、所述第三加熱管件14相匹配的小孔。
[0147]優選地，所述第二加熱管件13的前端距離所述腹板12的后端80cm?85cm。
[0148]優選地，所述第二加熱管件13的前端距離所述腹板12的后端83cm。
[0149]優選地，所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14沿縱向等間距設置。
[0150]優選地，所述第一加熱管件9、所述第二加熱管件13、所述第三加熱管件14沿縱向互相間隔1cm0
[0151]圖2是根據一示例性實施例示出的本發明采用的氣體檢測器的結構示意圖。如圖2所示，所述氣體檢測器11包括敏感模塊10和數據讀取模塊20，所述敏感模塊10放置在中空結構帶有透氣孔的外殼中。
[0152]圖3根據一示例性實施例示出的本發明采用的敏感模塊的結構示意圖，如圖3所示，該敏感模塊1包括硅片襯底、PANI膜4、Ni膜5、HKUST-1膜6和BSP膜7;所述硅片襯底包括硅片1、氮化硅膜2和Cr膜層3，氮化硅膜2用作絕緣層，Cr膜層3用作叉指電極層;所述Ni膜5采用磁控濺射法制備，厚度為30nm;所述HKUST-1膜6的厚度約為60μπι;所述Cr膜層3與數據讀取模塊20導電連接。
[0153]圖4是根據一示例性實施例示出的本發明采用的敏感模塊的制備工藝流程框圖，如圖4所示，所述敏感模塊10的制作包括如下步驟:
[0154]步驟一，制備硅片襯底:
[0155]取N型硅片，裁剪尺寸為5cmX Icm，依次經過丙酮、乙醇、去離子水超聲清洗，超聲時間為30min，然后用氮氣槍吹干;將清洗過的硅片放入PECVD設備，沉積一層氮化硅薄膜，厚度約400nm;將硅片清洗，旋涂一層光刻膠，光刻膠參數為低速900rpm旋涂13s，高速4500rpm旋涂50s;然后覆蓋叉指電極掩模版，曝光7s，顯影65s;放入磁控派射儀中，磁控派射Cr膜，作為叉指電極層，厚度為700nm，隨后清洗掉硅片表面光刻膠；
[0156]步驟二，制備微腔:
[0157]將經步驟一處理的硅片襯底，先用75%乙醇溶液將其表面擦拭干凈，采用火焰加熱法，將硅片襯底置于火焰上，從一端開始，每間隔Icm拉制一次，以形成2個錐狀的微腔;微腔結構增強了敏感模塊的靈敏度，進而該檢測設備的檢測能力得到增強，使其對氫氣的吸附能力極強；
[0158]步驟三，制備PANI膜:
[0159]取一定量的聚苯胺溶解在二甲基甲酰胺中形成飽和溶液，采用旋涂-提拉法將飽和溶液旋涂到經步驟二處理過的硅片襯底的表面，旋涂的速度為3000rpm，旋涂10s，然后在100 0C的烘箱中干燥過夜，在硅片襯底表面得到PANI膜；
[0160]步驟四，制備HKUST-1膜:
[0161 ] I)將硅片襯底放入磁控濺射中，本底真空低于1.5 X 10—3Pa,磁控濺射30nm的Ni膜5，硅片取出待用；
[0162]2)稱取H3BTC 0.336g于另一個小燒杯中，用19.2mL乙醇完全溶解得無色透明溶液，稱取Cu(NO3)2.3H20 0.7g于小燒杯中，用19.2mL去離子水溶解，將H3BTC溶液沿燒杯壁倒入Cu (NO3) 2.3H20溶液中攪拌半小時，得到淺藍色的HKUST-1母液;將配制好的HKUST-1母液和硅片襯底置于50mL的反應釜中，利用水熱合成法合成MOF膜，反應溫度為135°C，反應2天后，用鑷子將硅片襯底取出后用甲醇反復沖洗幾次，于100°C烘干I小時，在硅片襯底上得至IJ藍色的HKUST-1膜，HKUST-1膜的厚度約為2?60μπι;由于采用Ni層作為金屬有機骨架材料成膜的催化劑，PANI表面的Ni膜會與HKUST-1膜反應，因此，一方面HKUST-1的成膜率提高了30%，另一方面PANI膜與HKUST-1膜的結合性能提高了20%，使結合膜層具有更強的穩定性，從而使得由此制備而成的氣體感測模塊的感測性能更加穩定；
[0163]步驟五，制備BSP膜:
[0164]1)BSP亞微米棒生長= In(NO3)3.x H20(0.08g)和H3BTC(0.068g)加入到混合溶劑H20/DMF(1:1，1mL)中，室溫下攪拌1min制成A溶液，將有機光致變色化合物BSP(0.057mmol)加入到A溶液中，暗處攪拌I小時；
[0165]2)成膜:將BSP溶液旋凃硅片/PANI/HKUST-1膜上成膜，旋凃的速度為5000rpm，旋凃時間為5秒；由于在其使用的氣體敏感模塊的制備過程中，在其表面加入了具有熒光性能的BSP變色分子，該變色分子在電磁激發下，可在存在易燃易爆的危險環境中發出熒光，使該檢測設備能夠實現定性和定量的檢測環境中包括氫氣在內的易燃易爆氣體，能使發生危險情況的可能性降低了 50%;
[0166]步驟五，敏感模塊組裝:
[0167]將硅片襯底放入中空結構外殼中，硅片部分朝下，敏感薄膜部分朝透氣小孔放置，金屬線連接硅片上叉指電極與數據讀取模塊。由于該敏感模塊的制作過程非常簡單方便且快捷，可節省大量的人力和物力，具有大規模工業生產的潛力。
[0168]實驗測試:
[0169](I)氫氣測試:25±2°C條件，分別通入空氣、氫氣和含氫氣的氮氣，流速為100ml/min，負載電阻為200 Ω ;通空氣時，氣體傳感器信號值為O;通入500ppm氫氣，氣體傳感器信號值在2s內迅速變化到50.0mV，并于2min內信號值趨于穩定；5min后通入空氣，信號值于Imin內回到O值并于2min內趨于穩定;經過2000次穩定性測試，其數據變化率小于10%。測試結果顯示該固體廢棄物檢測設備對氫氣具有良好的響應性能。
[0170](2)氨氣測試:25±2°C條件，分別通入空氣氨氣和含氨氣的氮氣，流速為100ml/min，負載電阻為200 Ω ；通空氣時，氣體傳感器信號值為O ；通入2000ppm氨氣，氣體經過2000次穩定性測試，傳感器信號值在I s內迅速變化到15.0mV，并于2min內信號值趨于穩定;5min后通入空氣，信號值于20s內回到O值并于5min內趨于穩定；其數據變化率小于10%。經過2000次穩定性測試，其數據變化率小于10%。測試結果顯示該固體廢棄物檢測設備對氨氣具有良好的響應性能。
[0171](3)硫化氫測試:25±2°C條件，分別通入空氣和含硫化氫的氮氣，流速為100ml/min，負載電阻為200 Ω ;通空氣時，氣體傳感器信號值為O;通入10ppm氨氣，傳感器信號值在Is內迅速變化到30.0mV，并于3min內信號值趨于穩定;5min后通入空氣，信號值于2min內回到O值并于5min內趨于穩定;其數據變化率小于10%。經過2000次穩定性測試，其數據變化率小于10%。測試結果顯示該固體廢棄物檢測設備對硫化氫氣體具有良好的響應性能。
[0172]實驗結果表明:該敏感模塊還對氨氣和硫化氫這種有毒有害的氣體的敏感性能增強了40%，選擇性能提高了50%，使該檢測設備對有毒有害氣體的敏感度和選擇性都得到提高，降低了生產的風險。
[0173]結合應用場景I至應用場景5，本發明與現有技術相比，具有以下優勢:
[0174]1、本發明的實施例所提供的一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置，該設備采用的氣體感測模塊由于基于電阻型的金屬有機骨架材料，且金屬有機骨架材料成膜于聚苯胺膜上，由于聚苯胺具有強烈的導電性，因此，進一步增強了氣體感測模塊的靈敏度，進而使該檢測設備對氣體的敏感程度得到大幅度的加強。此外，由于采用Ni層作為金屬有機骨架材料成膜的催化劑，PANI表面的Ni膜會與HKUST-1膜反應，因此，一方面促進了HKUST-1的成膜，另一方面提高了PANI膜與HKUST-1膜的結合性能，使結合膜層具有更強的穩定性，從而使得由此制備而成的氣體感測模塊的感測性能更加穩定。
[0175]2、本發明的實施例所提供的一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置，由于在其使用的氣體敏感模塊的制備過程中，在其表面加入了具有熒光性能的BSP變色分子，該變色分子在電磁激發下，可在存在易燃易爆的危險環境中發出熒光，使該檢測設備能夠實現定性和定量的檢測環境中包括氫氣在內的易燃易爆氣體，能使發生危險情況的可能性降低。
[0176]3、本發明的實施例所提供的一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置，使用聚苯胺作為基底液旋涂硅片襯底，在制備過程中由于使硅片襯底制成了類似微腔的結構，且加入了包括BSP在內的材料，微腔結構增強了敏感模塊的靈敏度，進而該檢測設備的檢測能力得到增強，使其對氫氣的吸附能力極強;此外，該敏感模塊還對氨氣和硫化氫這種有毒有害的氣體具有很強的敏感和選擇性能，使該檢測設備對有毒有害氣體的敏感度和選擇性都得到提高，降低了生產的風險;最后，由于該敏感模塊的制作過程非常簡單方便且快捷，可節省大量的人力和物力，具有大規模工業生產的潛力，因此，本申請的實施例所提供的一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置具有極大的推廣價值。
[0177]最后應當說明的是，以上實施例僅用以說明本發明的技術方案，而非對本發明保護范圍的限制，盡管參照較佳實施例對本發明作了詳細地說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發明的技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發明技術方案的實質和范圍。
【主權項】
1.一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置，其特征在于，包括放置于腹板一端的熱風機;所述熱風機連接有第一加熱管件、第二加熱管件和第三加熱管件且所述第一加熱管件、所述第二加熱管件、所述第三加熱管件通過設置于葉片根部的一個熱風機擋板；所述第一加熱管件、所述第二加熱管件、所述第三加熱管件從所述熱風機延伸至葉片內；所述葉片邊緣為中空狀態形成葉片空腔，所述葉片空腔內放置有氣體檢測器。2.根據權利要求1所述的一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置，其特征在于，所述熱風機擋板上設置有與所述第一加熱管件、所述第二加熱管件、所述第三加熱管件相匹配的小孔。3.根據權利要求1所述的一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置，其特征在于，所述第二加熱管件的前端距離所述腹板的后端80cm?85cm ο4.根據權利要求1所述的一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置，其特征在于，所述第二加熱管件的前端距離所述腹板的后端83cm。5.根據權利要求1所述的一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置，其特征在于，所述第一加熱管件、所述第二加熱管件、所述第三加熱管件沿縱向等間距設置。6.根據權利要求1所述的一種用于電力領域的風力發電葉片輔助加熱裝置，其特征在于，所述第一加熱管件、所述第二加熱管件、所述第三加熱管件沿縱向互相間隔10cm。
【文檔編號】F03D1/06GK106014854SQ201610589131
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年7月25日
【發明人】楊林
【申請人】楊林