一種tft基板的清洗工藝的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及液晶顯示技術領域，具體的說是涉及一種新型TFT基板的清洗工藝。
【背景技術】
[0002]TFT技術是二十世紀九十年代發展起來的，采用新材料和新工藝的大規模半導體全集成電路制造技術，是液晶(LC)、無機和有機薄膜電致發光(EL和0EL)平板顯示器的基礎。TFT是在玻璃或塑料基板等非單晶片上(當然也可以在晶片上)通過濺射、化學沉積工藝形成制造電路必需的各種膜，通過對膜的加工制作大規模半導體集成電路(LSIC)。采用非單晶基板可以大幅度地降低成本，是傳統大規模集成電路向大面積、多功能、低成本方向的延伸，是現代大生產的頂尖技術。
[0003]薄膜場效應晶體管是指液晶顯示器上的每一液晶像素點都是由集成在其后的薄膜晶體管來驅動，從而可以做到高速度高亮度高對比度顯示屏幕信息，TFT-LCD (薄膜晶體管液晶顯示器)是多數液晶顯示器的一種，可以做到高速度、高亮度、高對比度顯示屏幕信息，是最好的LCD彩色顯示設備之一，其效果接近CRT顯示器，是筆記本電腦和臺式機上的主流顯示設備。TFT的每個像素點都是由集成在自身上的TFT來控制，是有源像素點。
[0004]TFT基板的后期去除殘余雜質的清洗工藝，對TFT基板的使用效果以及使用壽命有較大影響。

【發明內容】

[0005]鑒于已有技術存在的缺陷，本發明的目的是要提供一種新型的TFT基板的清洗工藝。
[0006]為了實現上述目的，本發明的技術方案:
[0007]一種TFT基板的清洗工藝，其特征在于:
[0008]將異丙酮水溶液均勻噴灑在TFT基板上進行雜質的初步清洗工序；
[0009]利用去離子水沖洗含雜質的異丙酮水溶液并利用海綿吸除殘余水分，反復清洗三次；
[0010]將所述TFT基板置于40°C恒溫條件下進行烘干處理；
[0011]在所述TFT基板上均勻噴灑低濃度氫氧化鈉溶液后，利用去離子水沖洗并用海綿吸除殘余水分；
[0012]將所述TFT基板置于100°C恒溫條件下進行烘干處理。
[0013]所述的清洗方法在進行初步清洗工序處理的過程中，照射UV光線，輔助去除有機雜質。
[0014]所述的初步清洗工序還使用將醋酸鈉水溶液均勻噴灑在TFT基板上進行雜質的初步清洗工序。
[0015]與現有技術相比，本發明的有益效果:
[0016]本發明工藝簡單，能夠有效清除TFT基板加工過程中殘余的雜質，提高TFT基板固體化使用安全性和可靠性提高。
【具體實施方式】
[0017]為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖，對本發明進行進一步詳細說明。
[0018]一種TFT基板的清洗工藝，其特征在于:
[0019]將異丙酮水溶液均勻噴灑在TFT基板上進行雜質的初步清洗工序；
[0020]利用去離子水沖洗含雜質的異丙酮水溶液并利用海綿吸除殘余水分，反復清洗三次；
[0021 ] 將所述TFT基板置于40°C恒溫條件下進行烘干處理；
[0022]在所述TFT基板上均勻噴灑低濃度氫氧化鈉溶液后，利用去離子水沖洗并用海綿吸除殘余水分；
[0023]將所述TFT基板置于100°C恒溫條件下進行烘干處理。
[0024]所述的清洗方法在進行初步清洗工序處理的過程中，照射UV光線，輔助去除有機雜質。
[0025]所述的初步清洗工序還使用將醋酸鈉水溶液均勻噴灑在TFT基板上進行雜質的初步清洗工序。
[0026]所述的醋酸鈉水溶液可以使用醋酸鈉與去離子水體積比例為1:100的水溶液進行清洗。
[0027]以上所述，僅為本發明較佳的【具體實施方式】，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術范圍內，根據本發明的技術方案及其發明構思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種TFT基板的清洗工藝，其特征在于: 將異丙酮水溶液均勻噴灑在TFT基板上進行雜質的初步清洗工序； 利用去離子水沖洗含雜質的異丙酮水溶液并利用海綿吸除殘余水分，反復清洗三次； 將所述TFT基板置于40°C恒溫條件下進行烘干處理； 在所述TFT基板上均勻噴灑低濃度氫氧化鈉溶液后，利用去離子水沖洗并用海綿吸除殘余水分； 將所述TFT基板置于100°C恒溫條件下進行烘干處理。
2.根據權利要求1所述的一種TFT基板的清洗工藝，其特征在于:所述的清洗方法在進行初步清洗工序處理的過程中，照射UV光線，輔助去除有機雜質。
3.根據權利要求1所述的一種TFT基板的清洗工藝，其特征在于:所述的初步清洗工序還使用將醋酸鈉水溶液均勻噴灑在TFT基板上進行雜質的初步清洗工序。
【專利摘要】本發明公開了一種TFT基板的清洗工藝，其特征在于：將異丙酮水溶液均勻噴灑在TFT基板上進行雜質的初步清洗工序；利用去離子水沖洗含雜質的異丙酮水溶液并利用海綿吸除殘余水分，反復清洗三次；將所述TFT基板置于40℃恒溫條件下進行烘干處理；在所述TFT基板上均勻噴灑低濃度氫氧化鈉溶液后，利用去離子水沖洗并用海綿吸除殘余水分；將所述TFT基板置于100℃恒溫條件下進行烘干處理。本發明工藝簡單，能夠有效清除TFT基板加工過程中殘余的雜質，提高TFT基板固體化使用安全性和可靠性提高。
【IPC分類】B08B3-08, B08B3-02, B08B7-04
【公開號】CN104690040
【申請號】CN201310667247
【發明人】王東巍
【申請人】大連鑫永工業制造有限公司
【公開日】2015年6月10日
【申請日】2013年12月9日