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基于稠合二酮基吡咯并吡咯的聚合物的制作方法

文檔序號:9568194閱讀:345來源:國知局
基于稠合二酮基吡咯并吡咯的聚合物的制作方法
【專利說明】基于稠合二酮基吡咯并吡咯的聚合物
[0001] 本發明涉及包含一種或多種式(I)(重復)單元的聚合物及其作為IR吸收劑,在 有機器件中,尤其是在有機光伏器件和光電二極管中,或者在含有二極管和/或有機場效 應晶體管的器件中作為有機半導體的用途。本發明聚合物可具有在有機溶劑中的優異溶解 性和優異成膜性能。此外,當本發明聚合物用于有機場效應晶體管、有機光伏器件和光電二 極管時,可觀察到高能量轉換效率、優異的場效應迀移率、良好的開/關電流比和/或優異 的穩定性。
[0002] 近年來,二酮基吡咯并吡咯(DPP)已成為尤其在太陽能電池中具有有前景的光電 性能的低聚物和聚合物的一種廣泛研究的有機構筑嵌段。參見D. Chandran和Kwang-Sup Lee, Macromolecular Research 21 (2013)272〇
[0003] US2011/0004004涉及下式的化合物及其在有機器件如二極管、有機場效應晶體管 和/或太陽能電池中作為有機半導體的用途:
[0005] W02011/144566涉及包含一種或多種式
(重復)單元的聚合物, 式
的聚合物, 其中A為式
的基團,及其在有機器件, 尤其是有機光伏器件(太陽能電池)和光電二極管中,或者含有二極管和/或有機場效應 晶體管的器件中作為有機半導體的用途。
[0006] Daniel T Gryko 等,Organic Letters 14 (2012) 2670 公開了 π -膨脹二酮基吡略 并吡咯的合成方法。三步策略似乎非常普通且由制備二酮基吡咯并吡咯開始,隨后用溴乙 醛二乙縮醛進行Ν-烷基化并進行親電芳族取代。最后的反應區域選擇性地提供了熒光染 料。
[0007] TO2013/092474(PCT/EP2012/075762)(享有早于本發明的優先權日,但在本發明 的優先權日之后公布)涉及式(III)的化合物:
[0008]
[0009] 其中Ar表示同芳族或雜芳族體系。
[0010] PCT/EP2014/054060 (享有早于本發明的優先權日,但在本發明的優先權日之后公 布)涉及式
的新穎化合物,其可用作具有獨特結構和性質 的雜環染料。這些化合物可在三步合成中由簡單基質獲得。
[0011] 本發明的一個目的是提供聚合物,其在用于有機場效應晶體管、有機光伏器件 (太陽能電池)和光電二極管中時顯示出高能量轉換效率、優異的場效應迀移率、良好的開 /關電流比和/或優異的穩定性。本發明的另一目的是提供具有極低帶隙的聚合物,其也可 用作紅外(IR)吸收劑。
[0012] 所述目的由包含一種或多種式 (重復)單元的(共輒)聚合物解決,其中:
[0014] a 為 0、1、2 或 3 ;a' 為 0、1、2 或 3 ;b 為 0、1、2 或 3 山'為 0、1、2 或 3 ;c 為 0、1、2 或 3 ;c' 為 0、1、2 或 3 ;
[0015] Ar和Ar'表示同芳族或雜芳族體系,其可被取代或未被取代;
[0016] R1、R1'、R2和R2'可相同或不同且選自:氫、CfQ。。烷基,其可任選被C「C 12烷基、 c「c12烷氧基、鹵素 、c5-c12環烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、c6-c24芳基、c 2-c2。雜芳 基、硅烷基或硅氧烷基取代一次或多次;和/或可任選間隔有-0-、-s-、-NR39-、C0NR39-、 nr39co-、-coo-、-co-或-oco-,
[0017] CfQ。。鏈烯基,其可任選被c「c12烷基、c「c12烷氧基、鹵素、c 5-c12環烷基、硝基、氰 基、乙烯基、烯丙基、c6-c24芳基、c 2-c2。雜芳基、硅烷基或硅氧烷基取代一次或多次;和/或 可任選間隔有-0-、-S-、-NR39、CONR39-、NR39C0-、-coo-、-C0-或-0C0-,
[0018] 。。炔基,其可任選被C fC12烷基、C fC12烷氧基、鹵素 、c5-c12環烷基、硝基、氰 基、乙烯基、烯丙基、c6-c24芳基、c 2-c2。雜芳基、硅烷基或硅氧烷基取代一次或多次;和/或 可任選間隔有-0-、-S-、-NR39-、CONR39-、NR39C0-、-coo-、-C0-或-0C0-,
[0019] C3_C12環烷基,其可任選被C「C12烷基、C「(^烷氧基、1?素、C 5_C12環烷基、硝基、氛 基、乙烯基、烯丙基、c6-c24芳基、c 2-c2。雜芳基、硅烷基或硅氧烷基取代一次或多次;和/或 可任選間隔有-0-、-S-、-NR39-、CONR39-、NR39C0-、-coo-、-C0-或-0C0-,
[0020] c6-c24芳基,其可任選被c「c12烷基、c「c12烷氧基、鹵素 、c 5-c12環烷基、硝基、氰基、 乙烯基、烯丙基、c6-c24芳基、c 2-c2。雜芳基、硅烷基或硅氧烷基取代一次或多次;
[0021] c2-c2。雜芳基,其可任選被c「c12烷基、c「c12烷氧基、鹵素 、c 5-c12環烷基、硝基、氰 基、乙烯基、烯丙基、c6-c24芳基、c 2-c2。雜芳基、硅烷基或硅氧烷基取代一次或多次;
[0022] -CO-CfCw烷基、-C0-C 5_C12環烷基或-C00-C fC18烷基;
[0023] R39為氫、C「C1S烷基、C「C1S鹵代烷基、C 7_C25芳烷基或C「(:18燒酰基;
[0024] Ar1、Ar1、Ar2、Ar2、Ar3和 Ar 3 彼此獨立地為
[0028] R3和R3'彼此獨立地為氫過素過代C「C25烷基,尤其是CF 3;氰基;C「C25烷基,尤 其是c3-c25烷基,其可任選間隔有一個或多個氧或硫原子;c 7-c25芳烷基或C 氧基;
[0029] R4、R4'、R5、R5'、R6和R 6'彼此獨立地為氫過素過代C「C25烷基,尤其是CF 3;氰基; 烷基,尤其是C 3_C25烷基,其可任選間隔有一個或多個氧或硫原子;C 7_(:25芳烷基或 C「C25:^|氧基;
[0030] R7、R7'、R9和R9'彼此獨立地為氫;C「C 25烷基,尤其是C 3-C25烷基,其可任選間隔有 一個或多個氧或硫原子;或c7-c25#烷基;
[0031 ] R8和R8'彼此獨立地為氫;C 6_C1S芳基;被C「C1S烷基或C「C1S烷氧基取代的C 6_C1S 芳基;或烷基,尤其是C 3_C25烷基,其可任選間隔有一個或多個氧或硫原子;或C 7-c25芳烷基,
[0032] R11和R n'彼此獨立地為C「C25烷基,尤其是C烷基;C 7_(:25芳烷基;或苯基,其 可被Q-Cg烷基和/或C fCg烷氧基取代1-3次;
[0033] R12和R 12彼此獨立地為氫;鹵素;氛基;C「C25烷基,尤其是C 3_C25烷基,其可任 選間隔有一個或多個氧或硫原子4-(:25烷氧基;(:7_(:25芳烷基;或 =' R13,其中R13為 CfQ。烷基或三(C 烷基)硅烷基;
[0034] R1。4和R 1Q4'彼此獨立地為氫;C「C1S烷基;氰基;C00R 1Q3;C 6-Q。芳基,其可任選被G 取代;或c2-cs雜芳基,其可任選被G取代,
[0035] R103和R 1Q3'彼此獨立地為C。。烷基,尤其是C 3_C25烷基;被E取代和/或間隔有 D的C「C25烷基;C 7-C25芳烷基;C 6-C24芳基;被G取代的C 6-C24芳基;C 2-C2。雜芳基;或被G 取代的C2-C2。雜芳基,
[0036] R1Q5、R1Q5'、R106和R 1Q6'彼此獨立地為氫滷素;氰基;C「C25烷基,其可任選間隔有一 個或多個氧或硫原子;c7-c25#烷基;或C ^(^烷氧基,
[0037] R107為氫;C 7_C25芳烷基;C 6_C1S芳基;被C「C1S烷基或C「C1S烷氧基取代的C 6_C1S芳基全氟烷基;C「C25烷基;尤其是C 3-C25烷基,其可間隔有-0-或-S-;或-C00R 1Q3; R1Q3如上文所定義;
[0038] R108和R 109彼此獨立地為H ;C「C25烷基;被E取代和/或間隔有D的C「C25烷基; c7-c25芳烷基;C 6-C24芳基;被G取代的C 6-C24芳基;C 2-C2。雜芳基;被G取代的C 2-C2。雜芳 基心-(:18鏈烯基;C 2-Cls炔基;C「(:18烷氧基;被E取代和/或間隔有D的C「(: 18烷氧基;或 C7_C25芳烷基,或
[0039] R·和R109-起形成式=CRn°Rm的基團,其中:
[0040] Rn°和R 111彼此獨立地為H ;C「C1S烷基;被E取代和/或間隔有D的C「C1S烷基; C6-C24芳基;被G取代的C 6-C24芳基;或C 2-C2。雜芳基;或被G取代的C 2-C2。雜芳基,或
[0041] R1QS和R 109-起形成五或六員環,其任選可被如下基團取代:c「C1S烷基、被E取代 和/或間隔有D的C「C1S烷基、C 6-C24芳基、被G取代的C 6-C24芳基、C 2-C2。雜芳基、被G取 代的C2-C2。雜芳基、C 2-Cls鏈烯基、C 2-Cls炔基、C「C1S烷氧基、被E取代和/或間隔有D的 C「C1S烷氧基,或C 7-(:25芳烷基;
[0042] D 為-CO-、-COO-、-S-、-0-或-NR112-;
[0043] E 為 C「CS硫代烷氧基、C「心烷氧基、CN、-NR 112R113、-C0NR112R113或鹵素;
[0044] G為E或C「C1S烷基,且
[0045] R112和R113彼此獨立地為H ;C6-C1S芳基;被C「C1S烷基或C「C1S烷氧基取代的C 6-C1S芳基;c「cls烷基;或間隔有-〇-的C「C1S烷基;
[0046] 1?114為C「C25烷基,尤其是C 3_C25烷基,其可任選間隔有一個或多個氧或硫原子;
[0047] R115和R 115彼此獨立地為氫;1?素;氛基;C「C25烷基,尤其是C 3_C25烷基,其可任 選間隔有一個或多個氧或硫原子;CfC25烷氧基;c7-c25#烷基;或一^其中R 116為 CfCi。烷基或三(C 烷基)硅烷基;
[0048] Rm和R m'彼此獨立地為C「C25烷基,尤其是C「Cs烷基;C 7_(:25芳烷基;或苯基,其 可被Q-Cg烷基和/或C fCg烷氧基取代1-3次;
[0049] R118、R119、R12°和R 121彼此獨立地為氫々素;鹵代C「C25烷基,尤其是CF 3;氰基; 烷基,尤其是C 3_C25烷基,其可任選間隔有一個或多個氧或硫原子;C 7_(:25芳烷基;或 c「c25烷氧基;
[0050] R122和R 122'彼此獨立地為氫;C 6-Cls芳基;被C「C1S烷基或C「C1S烷氧基取代的 C6_C1S芳基;或(^-(:25烷基,尤其是(:3-(: 25烷基,其可任選間隔有一個或多個氧或硫原子;或 (:7_(:25芳烷基。
[0051] 本發明的聚合物優選為共輒聚合物。優選為包含式(I)重復單元的聚合物。
[0052] 在一個優選的實施方案中,本發明涉及包含式$
重復單元的聚合物,其中Υ為式 的基團,a為0或l,a'為0 : 或1,b為0, b'為0, C為0且C'為0 ;且Ar1和Ar 〃如上文所定義。
[0053] 在所述實施方案中,所述聚合物優選包含一種或多種式
的 (重復)單元,其中Y為式
的基團,其中a為0、1、2或3,尤 其為0或1 ;a'為0、1、2或3,尤其為0或1 ;其中Ar^Ar^Ar和Ar'以及R1、!?1'、!?2和R 2' 如權利要求1所定義。
[0054] 更優選地,a為0, a'為0, b為0, b'為0, c為0且c'為0。
[0055] 在一個優選的實施方案中,Ar1和Ar 彼此獨立地為下式基團:(XIa) ;(XIb); (XIc) ;(XIe) ;(XIf) ;(XIk) ; (Xlm) ; (XIn) ; (Xlq) ; (XIr) ; (XIu) ; (XIw) ; (XIx) ;(XIII), 例如(Xllla)及(Xlllb);或(XIV),例如(XlVb)。優選地,Ar1和Ar1'彼此獨立地為式XIa、 XIb、XIe、XIf、XIr或Xllla的基團。更優選地,Ar1和Ar 〃彼此獨立地為式XIa、XIb或Xlf 的基團,最優選為式XIa的基團。
[0056] 1?1、1?1'、1?2和1? 2'優選選自:氫;(:1-(:1。。烷基,其可任選被(:「(: 12烷基、(:「(:12烷氧基、 鹵素、c5-c12環烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、c6-c 24芳基或c2-c2。雜芳基取代一次或多 次;和 / 或可任選間隔有-〇-、-S-、-NR39-、-C00-、-C0-或-0C0-,
[0057] C2-C100鏈烯基,其可任選被C「C12烷基、C「C12烷氧基、鹵素 、C 5_C12環烷基、硝基、 氰基、乙烯基、烯丙基、c6-c24芳基或c2-c2。雜芳基取代一次或多次;和/或可任選間隔有-〇 -、-s-、-NR39-、-coo-、-C0-或-0C0-,
[0058] CfQ。。炔基,其可任選被C fC12烷基、C fC12烷氧基、鹵素 、C5_C12環烷基、硝基、氰 基、乙烯基、烯丙基、C6_C24芳基或C 2_C2。雜芳基取代一次或多次;和/或可任選間隔有-〇-、 -s-、-NR39-、-coo-、-C0-或-0C0-,
[0059] C3_C12環烷基,其可任選被C「C12烷基、C「012烷氧基、?'素 、C 5_C12環烷基、硝基、氛 基、乙烯基、烯丙基、c6-c24芳基或c 2-c2。雜芳基取代一次或多次;和/或可任選間隔有-〇-、 -s-、-NR39-、-coo-、-C0-或-0C0-,
[0060] c6-c24芳基,其可任選被c「c12烷基、c「c12烷氧基、鹵素 、c 5-c12環烷基、硝基、氰基、 乙烯基、烯丙基、c6-c24芳基或c 2-c2。雜芳基取代一次或多次;
[0061] c2-c2。雜芳基,其可任選被c「c12烷基、c「c12烷氧基、鹵素 、c 5-c12環烷基、硝基、氰 基、乙烯基、烯丙基、c6-c24芳基或c 2-c2。雜芳基取代一次或多次;
[0062] -CO-CfCw烷基、-C0-C 5_C12環烷基或-C00-C fC18烷基,
[0063] 其中R39為C「C1S烷基。
[0064] 本發明聚合物或包含本發明聚合物的有機半導電材料、層或組件可有利地用于有 機光伏器件(太陽能電池)中、光電二極管中、有機場效應晶體管(0FET)中,作為IR吸收 劑,用于薄膜晶體管(TFT)中、集成電路(1C)中、射頻識別(RFID)標記中、器件或組件中、 有機發光二極管(0LED)中、有機發光晶體管(0LET)中、平板顯示器中、顯示屏的背光中、激 光二極管中、光導體中、光檢測器中、電子照相器件中、電子照相記錄器件中、有機存儲器件 中、傳感器裝置中,聚合物發光二極管(PLEDs)中的電荷注入層、電荷傳輸層或夾層中,有 機等離子發射二極管(0ΡΗ))中、肖特基二極管中、平坦化層中、抗靜電膜中、聚合物電解質 膜(ΡΕΜ)中、導電基板中、導電圖案中、電池中的電極材料中、取向層中、生物傳感器中、生 物芯片中、安全標記中、安全裝置中以及用于檢測和鑒別DNA序列的組件或器件中。
[0065] 術語"聚合物"包括低聚物和聚合物。本發明低聚物的重均分子量為〈4, 000道爾 頓。本發明聚合物的重均分子量優選為4, 000道爾頓或更大,特別為4, 000-2, 000, 000道 爾頓,非常特別為10, 000-1,〇〇〇, 〇〇〇道爾頓,更優選為10, 000-100, 〇〇〇道爾頓,最優選為 20, 000-60, 000道爾頓。分子量根據高溫凝膠滲透色譜法(HT-GPC)使用聚苯乙烯標樣測 定。本發明聚合物的多分散性優選為1. 01-10,更優選為1. 1-3. 0,最優選為1. 5-2. 5。本發 明的聚合物優選為共輒的。
[0066] 本發明低聚物的重均分子量優選低于4, 000道爾頓。
[0067] 在本發明的一個實施方案中,所述聚合物為式
聚合物,其中η通常在4-1000,特別為4-200,非常特別為5-150。
[0068] 在R1、R1'、R2和R 2'的定義中,硅烷基或硅氧烷基意指-SiR 161R162R163 或-0-SiR161R162R163。
[0069] R161、R162和R 163彼此獨立地為氫、C「C25烷基、可任選被C「C4烷基取代的C 3_(:12環 烷基、C「C25鹵代烷基、(:2-(:25鏈烯基、-0-SiR 164R165R166、-(0-SiR164R 165)d-R166、C「C2J|氧基、 C3_C24(雜)芳氧基、NR167R168、鹵素、C「C 25酰氧基、苯基,被C「C25烷基、鹵素、氰基或C「C25烷氧基取代1-3次的苯基;優選為氫、烷基、可任選被C i-C4烷基取代的C 3-(:12環烷基、 C「C25 鹵代烷基、C 2-(:25鏈烯基、-0-SiR164R165R 166、- (0-SiR164R165) d-R166或苯基;更優選為 C「Cs烷基,可任選被烷基取代的C 5-(:6環烷基,C fCs鹵代烷基、C 2-(:8鏈烯基、-0-SiR 164R165R166、- (0-SiR164R165) d-R166或苯基;最優選為C「Cs烷基、C「心鹵代烷基,尤其是被氟原子取代 一次或多次的 CfCs烷基,-0-SiR 164R165R166或-(0-SiR 164R165)d-R166〇
[0070] R164、R165和R 166彼此獨立地為氫、C「C25烷基、任選被C「C4烷基取代的C 3-(:12環 烷基、C「C25^代烷基、(:2-(:25鏈烯基、-0-SiR 169R17°R171、-(〇-SiR169R 17°)d-R171、C「C2J|氧基、 C3_C24(雜)芳氧基、NR167R168、鹵素、C「C 25酰氧基、苯基,被C「C25烷基、鹵素、氰基或C「C25烷氧基取代1-3次的苯基;優選為氫、烷基、C i-C%鹵代烷基、C 2-(:25鏈烯基、-0-SiR 169Rl?Rm、_ (〇_SiRl69Rl?) d_Rm或苯基;更優選為c烷基、c「c通代烷基、 c鏈烯基、_〇_ 31尺16¥7°1?171、-((^^1691? 17°)3171或苯基;最優選為(:1-(:8烷基、(:「〇^代烷基,尤其為被氟 原子取代一次或多次的 CfCs烷基,-0-SiR 169R17°Rm或-(0-SiR 169R17°)d-R171。
[0071] R169、R1?和R m彼此獨立地為氫、C fC25烷基、可任選被C fC4烷基取代的C 3-C12環烷 基、C「C25 鹵代烷基、C 2-(:25鏈烯基、-Ο-si (CH 3) 3、c「c2JI氧基、c 3-c24 (雜)芳氧基、NR167R16S、 鹵素、C「C25酰氧基、苯基,被C「C25烷基、鹵素、氰基或C「C25烷氧基取代1-3次的苯基;優 選為氫、CfC25烷基、C fC%鹵代烷基、C 2-(:25鏈烯基、-0-Si (CH 3) 3或苯基;更優選為C廠心烷 基、Ci-C;鹵代烷基、C 2-(:8鏈烯基、-0-Si (CH 3) 3或苯基;最優選為C 烷基、C 鹵代烷基, 尤其是被氟原子取代一次或多次的CfCs烷基,或-0-Si (CH 3) 3。
[0072] d為1-50,優選1-40,甚至更優選1-30,仍更優選1-20,更優選1-15,仍更優選 1-10,甚至更優選1-5,最優選1-3的整數。
[0073] R167和R 168彼此獨立地為氫、C「C25烷基、C「C25鹵代烷基、C 3_(:25鏈烯基或苯基;優 選為Ci-Q烷基、C「(:25鹵代烷基或苯基;最優選為C「(:25烷基。
[0074] 在一個特別優選的實施方案中,R161、R162和R 163彼此獨立地為C 烷基,尤其 是C「CS烷基;C「C25^代烷基,尤其是C代烷基,例如-CF 3、_(CH2)2CF3、_(CH2) 2(CF2)5CF3和-(CH 2) 2 (CF2) 6CF3;C 2-C25鏈烯基,尤其是C 2-(:8鏈烯基;C 3-C12環烷基,尤其是C 5-C6環烷基,其可任選被C「C4烷基取代;苯基,-0-SiR 164R165R166或-(0-SiR 164R165)d-R166。在基 團-0-SiR164R165R166的情況下,R 164、R165和R 166彼此獨立地為C fCs烷基、C fCs鹵代烷基、C 2-Cs鏈烯基或苯基。在基團-(〇_SiR164R165) d_R166的情況下,R 164和R 165彼此獨立地為C fCs烷基, 尺166為C 烷基或苯基且d為2-5的整數。
[0075] 下文顯示了式-SiR161R162R163或-0-SiR 161R162R163基團的實例:
[0076]
(*表不與碳原子的鍵,其連接娃烷基或娃氧烷基)。
[0078] R1、R1'、R2和R2'可相同或不同且優選選自氫,
[0079] CfQ。。烷基,其可任選被C「C12烷基、C「C12烷氧基、鹵素 、C 5_C12環烷基、氰基、 Ce_C24芳基、C 2_C2。雜芳基取代一次或多次和/或可任選間隔有-S-、-C00-或-〇C〇-,
[0080] CfQ。。鏈烯基,其可任選被c「c12烷基、c「c12烷氧基、鹵素 、c 5-c12環烷基、氰基、 Ce_C24芳基、C 2_C2。雜芳基取代一次或多次和/或可任選間隔有-S-、-C00-或-〇C〇-,
[0081] c3-c1Q。炔基,其可任選被c「c12烷基、c「c12烷氧基、鹵素、c 5-c12環烷基、氰基、 Ce_C24芳基、C 2_C2。雜芳基取代一次或多次和/或可任選間隔有-S-、-C00-或-〇C〇-,
[0082] C4_C12環烷基,其可任選被C「C12烷基、C「C12烷氧基、鹵素、C 5_C12環烷基、氰基、 Ce_C24芳基、C 2_C2。雜芳基取代一次或多次和/或可任選間隔有-S-、-C00-或-〇C〇-,
[0083] c6-c24芳基,其可任選被c「c12烷基、c「c12烷氧基、鹵素 、c 5-c12環烷基、氰基、c 6-c24芳基、c2-c2。雜芳基取代一次或多次,
[0084] c2-c2。雜芳基,其可任選被c「c12烷基、c「c12烷氧基、鹵素、c 5-c12環烷基、氰基、 C6-C24芳基、C 2-C2。雜芳基、-C0-C f C18烷基、-C0-C 5-C12環烷基和-C00-C f 018烷基取代一次 或多次。
[0085] 更優選地,R1、R1'、R2和R 2'選自氫、C「C5。烷基、C「C5。鹵代烷基、C 7_C25芳烷基、C 2_C5。 鏈烯基、C2-C5。鹵代鏈烯基、烯丙基、C5-C12環烷基、苯基或萘基,其可任選被烷基或 (;-(:12烷氧基、-co-c「cls烷基、-co-c 5-(:12環烷基和-coo-c「C1S烷基取代一次或多次。甚 至更優選地,R1、R1'、R2和R2'為c「C 5。烷基。仍更優選地,R \ R1'、R2和R2'為C「C36烷基,例 如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、 2, 2-二甲基丙基、1,1,3, 3-四甲基戊基、正己基、1-甲基己基、1,1,3, 3, 5, 5-六甲基己基、 正庚基、異庚基、1,1,3, 3-四甲基丁基、1-甲基庚基、3-甲基庚基、正辛基、1,1,3, 3-四甲 基丁基和2-乙基己基、正壬基、癸基、十一烷基,尤其是正十二烷基,十三烷基、十四烷基、 十五烷基、十六烷基、2-乙基己基、2-丁基己基、2-丁基辛基、2-己基癸基、2-癸基十四烷 基、十七烷基、十八烷基、二十烷基、二十一烷基、二十二烷基或二十四烷基。優選地,R1和 R1'具有相同的含義且獨立地,R2和R2'具有相同的含義。
[0086] 更優選地
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