本申(shen)請要(yao)求2014年5月(yue)20日提(ti)交的名(ming)稱為“JETTABLE INKS FOR SOLAR CELL AND SEMICONDUCTOR FABRICATION”的美國臨時申(shen)請序(xu)列(lie)號62/000,706的優先權，其通(tong)過(guo)引用以(yi)其全文(wen)并入本文(wen)。

技術領域

一(yi)個(ge)或多(duo)個(ge)方(fang)面整體(ti)上涉及半(ban)導(dao)體(ti)制(zhi)(zhi)作(zuo)，并且(qie)更(geng)特別(bie)地涉及用(yong)于在半(ban)導(dao)體(ti)制(zhi)(zhi)作(zuo)中(zhong)使用(yong)的(de)(de)可噴射的(de)(de)油墨(mo)。

背景

印刷(shua)(shua)(shua)技術可以(yi)用于在各種襯底上(shang)產(chan)生電(dian)器件(jian)。噴墨(mo)印刷(shua)(shua)(shua)是一種非(fei)接觸(chu)沉積技術。絲網印刷(shua)(shua)(shua)、凹版(ban)印刷(shua)(shua)(shua)和膠版(ban)印刷(shua)(shua)(shua)也適用于生產(chan)印刷(shua)(shua)(shua)的(de)電(dian)子器件(jian)。

概要

本公開的(de)(de)(de)一(yi)(yi)個方面涉(she)及(ji)一(yi)(yi)種(zhong)可噴射的(de)(de)(de)蝕刻劑(ji)(ji)組(zu)(zu)合(he)(he)(he)物(wu)，包(bao)含(han)：1至(zhi)(zhi)90wt％的(de)(de)(de)活(huo)(huo)性(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)分(fen)(fen)(fen)；和(he)含(han)有(you)以(yi)下(xia)的(de)(de)(de)任何組(zu)(zu)合(he)(he)(he)的(de)(de)(de)余(yu)量：10至(zhi)(zhi)90wt％溶(rong)(rong)劑(ji)(ji)，0至(zhi)(zhi)10wt％還原(yuan)劑(ji)(ji)，<1至(zhi)(zhi)20wt％酸(suan)(suan)洗(xi)劑(ji)(ji)，0至(zhi)(zhi)5wt％表(biao)面活(huo)(huo)性(xing)劑(ji)(ji)，和(he)0至(zhi)(zhi)5wt％消泡劑(ji)(ji)。所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)組(zu)(zu)合(he)(he)(he)物(wu)的(de)(de)(de)實施方案還可以(yi)包(bao)括(kuo)(kuo)至(zhi)(zhi)少一(yi)(yi)種(zhong)化(hua)(hua)(hua)(hua)合(he)(he)(he)物(wu)，其(qi)來自至(zhi)(zhi)少一(yi)(yi)類(lei)(lei)活(huo)(huo)性(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)分(fen)(fen)(fen)，第(di)(di)一(yi)(yi)類(lei)(lei)活(huo)(huo)性(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)分(fen)(fen)(fen)被定義(yi)為(wei)將容(rong)易溶(rong)(rong)解在溶(rong)(rong)劑(ji)(ji)中并且在溶(rong)(rong)解時包(bao)含(han)具(ju)有(you)比其(qi)上沉(chen)積的(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬和(he)/或可溶(rong)(rong)性(xing)化(hua)(hua)(hua)(hua)合(he)(he)(he)物(wu)高(gao)的(de)(de)(de)標準(zhun)電(dian)極電(dian)勢(shi)(shi)的(de)(de)(de)元素的(de)(de)(de)任何可溶(rong)(rong)性(xing)化(hua)(hua)(hua)(hua)合(he)(he)(he)物(wu)。所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)類(lei)(lei)活(huo)(huo)性(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)分(fen)(fen)(fen)包(bao)括(kuo)(kuo)以(yi)下(xia)之一(yi)(yi)：硫(liu)酸(suan)(suan)銅(II)、氯(lv)(lv)(lv)化(hua)(hua)(hua)(hua)金(jin)(jin)(I)、氯(lv)(lv)(lv)化(hua)(hua)(hua)(hua)金(jin)(jin)(III)、氟化(hua)(hua)(hua)(hua)銨、硝(xiao)酸(suan)(suan)、硫(liu)酸(suan)(suan)、氯(lv)(lv)(lv)化(hua)(hua)(hua)(hua)鎳(II)、氯(lv)(lv)(lv)化(hua)(hua)(hua)(hua)鐵(II)、氯(lv)(lv)(lv)化(hua)(hua)(hua)(hua)鐵(III)、氯(lv)(lv)(lv)化(hua)(hua)(hua)(hua)鋅(xin)(II)、氫氧化(hua)(hua)(hua)(hua)鉀(jia)(jia)、氫氧化(hua)(hua)(hua)(hua)鈉(na)和(he)氫氧化(hua)(hua)(hua)(hua)鋰(li)。所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)一(yi)(yi)類(lei)(lei)活(huo)(huo)性(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)分(fen)(fen)(fen)的(de)(de)(de)范(fan)圍可為(wei)8.3至(zhi)(zhi)11.4摩爾(er)/升。權利(li)要求2的(de)(de)(de)組(zu)(zu)合(he)(he)(he)物(wu)，其(qi)中所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)活(huo)(huo)性(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)分(fen)(fen)(fen)進(jin)一(yi)(yi)步包(bao)括(kuo)(kuo)定義(yi)為(wei)具(ju)有(you)高(gao)電(dian)勢(shi)(shi)的(de)(de)(de)任何可溶(rong)(rong)性(xing)材料(liao)的(de)(de)(de)第(di)(di)二(er)類(lei)(lei)活(huo)(huo)性(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)分(fen)(fen)(fen)。所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)類(lei)(lei)活(huo)(huo)性(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)分(fen)(fen)(fen)可為(wei)含(han)有(you)鈀(ba)(ba)(ba)或鎳的(de)(de)(de)化(hua)(hua)(hua)(hua)合(he)(he)(he)物(wu)。所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第(di)(di)二(er)類(lei)(lei)活(huo)(huo)性(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)(cheng)分(fen)(fen)(fen)包(bao)括(kuo)(kuo)以(yi)下(xia)的(de)(de)(de)至(zhi)(zhi)少一(yi)(yi)種(zhong)：氯(lv)(lv)(lv)化(hua)(hua)(hua)(hua)鈀(ba)(ba)(ba)(II)，氯(lv)(lv)(lv)化(hua)(hua)(hua)(hua)鈀(ba)(ba)(ba)(IV)，乙酸(suan)(suan)鈀(ba)(ba)(ba)(II)，反(fan)式(shi)二(er)氯(lv)(lv)(lv)二(er)氨合(he)(he)(he)鈀(ba)(ba)(ba)(II)，順(shun)式(shi)二(er)氯(lv)(lv)(lv)二(er)氨合(he)(he)(he)鈀(ba)(ba)(ba)(II)，碳酸(suan)(suan)氫四(si)(si)氨合(he)(he)(he)鈀(ba)(ba)(ba)，二(er)氯(lv)(lv)(lv)四(si)(si)氨合(he)(he)(he)鈀(ba)(ba)(ba)(II)，四(si)(si)氯(lv)(lv)(lv)鈀(ba)(ba)(ba)(II)酸(suan)(suan)鈉(na)，四(si)(si)氯(lv)(lv)(lv)鈀(ba)(ba)(ba)(II)酸(suan)(suan)鉀(jia)(jia)，硝(xiao)酸(suan)(suan)鈀(ba)(ba)(ba)(II)，氧化(hua)(hua)(hua)(hua)鈀(ba)(ba)(ba)(II)，碘化(hua)(hua)(hua)(hua)鈀(ba)(ba)(ba)(II)和(he)二(er)硝(xiao)基二(er)氨合(he)(he)(he)鈀(ba)(ba)(ba)(II)。所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)酸(suan)(suan)洗(xi)劑(ji)(ji)可以(yi)被定義(yi)為(wei)容(rong)易去除金(jin)(jin)屬鈍(dun)化(hua)(hua)(hua)(hua)層的(de)(de)(de)任何化(hua)(hua)(hua)(hua)學品(pin)或化(hua)(hua)(hua)(hua)學品(pin)混合(he)(he)(he)物(wu)。所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)酸(suan)(suan)洗(xi)劑(ji)(ji)可以(yi)包(bao)括(kuo)(kuo)鹽酸(suan)(suan)、硫(liu)酸(suan)(suan)、硝(xiao)酸(suan)(suan)和(he)磷酸(suan)(suan)中的(de)(de)(de)至(zhi)(zhi)少一(yi)(yi)種(zhong)。

本公開的(de)另(ling)一(yi)個方(fang)面涉及一(yi)種用于銀、鋁或鎳釩(fan)的(de)可(ke)噴射的(de)蝕刻劑(ji)組合(he)物。所(suo)述(shu)組合(he)物包含(han)：含(han)有至少(shao)一(yi)種元素(su)的(de)可(ke)溶(rong)性(xing)(xing)化(hua)合(he)物，該可(ke)溶(rong)性(xing)(xing)化(hua)合(he)物在溶(rong)解時具有比待蝕刻的(de)金屬高的(de)標準電極電勢，或者含(han)有IA族(zu)元素(su)的(de)可(ke)溶(rong)性(xing)(xing)化(hua)合(he)物；和可(ke)溶(rong)性(xing)(xing)鉑族(zu)金屬。所(suo)述(shu)組合(he)物的(de)實(shi)施方(fang)案(an)可(ke)以進一(yi)步包括用于銀、鋁或鎳釩(fan)的(de)蝕刻劑(ji)。

本公開的(de)(de)又一(yi)(yi)(yi)(yi)個方面(mian)(mian)涉及一(yi)(yi)(yi)(yi)種油墨組(zu)合(he)(he)物(wu)，其(qi)包(bao)(bao)含：溶劑系統中(zhong)(zhong)的(de)(de)VA族(zu)(zu)化合(he)(he)物(wu)或(huo)IIIA族(zu)(zu)化合(he)(he)物(wu)，配制(zhi)成(cheng)以(yi)(yi)(yi)約(yue)5至(zhi)(zhi)約(yue)10皮升的(de)(de)液(ye)滴體積(ji)在表面(mian)(mian)上為(wei)可噴(pen)射的(de)(de)并且(qie)經過活化實(shi)現(xian)表面(mian)(mian)的(de)(de)小(xiao)(xiao)于約(yue)20Ω/□的(de)(de)最(zui)終薄層(ceng)電(dian)阻。所(suo)述(shu)組(zu)合(he)(he)物(wu)的(de)(de)實(shi)施方案可以(yi)(yi)(yi)包(bao)(bao)括(kuo)VA族(zu)(zu)化合(he)(he)物(wu)，所(suo)述(shu)VA族(zu)(zu)化合(he)(he)物(wu)包(bao)(bao)括(kuo)磷(lin)酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)和(he)五氧化二(er)磷(lin)中(zhong)(zhong)的(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)種。所(suo)述(shu)IIIA族(zu)(zu)化合(he)(he)物(wu)可以(yi)(yi)(yi)包(bao)(bao)括(kuo)硼、鋁、鎵(jia)和(he)銦中(zhong)(zhong)的(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)種。所(suo)述(shu)溶劑系統包(bao)(bao)括(kuo)至(zhi)(zhi)少一(yi)(yi)(yi)(yi)種醇(chun)、二(er)醇(chun)和(he)/或(huo)乙(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)酯(zhi)(zhi)(zhi)。所(suo)述(shu)乙(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)酯(zhi)(zhi)(zhi)可以(yi)(yi)(yi)包(bao)(bao)括(kuo)以(yi)(yi)(yi)下(xia)的(de)(de)至(zhi)(zhi)少一(yi)(yi)(yi)(yi)種：乙(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)甲酯(zhi)(zhi)(zhi)、乙(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)乙(yi)(yi)酯(zhi)(zhi)(zhi)、乙(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)丙酯(zhi)(zhi)(zhi)、乙(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)丁酯(zhi)(zhi)(zhi)、乙(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)戊酯(zhi)(zhi)(zhi)、乙(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)己酯(zhi)(zhi)(zhi)、乙(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)庚酯(zhi)(zhi)(zhi)和(he)乙(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)辛(xin)酯(zhi)(zhi)(zhi)。所(suo)述(shu)組(zu)合(he)(he)物(wu)被(bei)配制(zhi)成(cheng)同時(shi)催化用(yong)于非電(dian)解鎳沉積(ji)的(de)(de)表面(mian)(mian)、降低所(suo)述(shu)表面(mian)(mian)的(de)(de)最(zui)終薄層(ceng)電(dian)阻至(zhi)(zhi)小(xiao)(xiao)于約(yue)20Ω/□，并且(qie)蝕刻表面(mian)(mian)層(ceng)的(de)(de)至(zhi)(zhi)少一(yi)(yi)(yi)(yi)部分(fen)。

本公(gong)開還涉及一(yi)種(zhong)制造(zao)半導體或(huo)(huo)光伏(fu)(fu)器(qi)(qi)件(jian)的(de)方法(fa)。在(zai)(zai)一(yi)個實施方案(an)中，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)方法(fa)包(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)：提供(gong)包(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)表(biao)(biao)面(mian)層(ceng)(ceng)的(de)襯底(di)；在(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)表(biao)(biao)面(mian)層(ceng)(ceng)的(de)至(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)一(yi)部分(fen)(fen)(fen)(fen)上噴墨(mo)印(yin)刷(shua)(shua)具(ju)有活(huo)(huo)性(xing)(xing)成(cheng)(cheng)分(fen)(fen)(fen)(fen)的(de)組(zu)合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)；和(he)(he)活(huo)(huo)化所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)組(zu)合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)以(yi)(yi)(yi)(yi)促進(jin)所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)表(biao)(biao)面(mian)層(ceng)(ceng)的(de)蝕刻(ke)或(huo)(huo)摻雜的(de)至(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)一(yi)種(zhong)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)方法(fa)的(de)實施方案(an)還可(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)包(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)組(zu)合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)，所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)組(zu)合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)具(ju)有：1至(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)90wt％的(de)活(huo)(huo)性(xing)(xing)成(cheng)(cheng)分(fen)(fen)(fen)(fen)；和(he)(he)含(han)有以(yi)(yi)(yi)(yi)下的(de)任何組(zu)合(he)(he)(he)(he)(he)的(de)余量：10至(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)90wt％溶劑(ji)(ji)，0至(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)10wt％還原劑(ji)(ji)，<1至(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)20wt％酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)洗(xi)劑(ji)(ji)，0至(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)5wt％表(biao)(biao)面(mian)活(huo)(huo)性(xing)(xing)劑(ji)(ji)，和(he)(he)0至(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)5wt％消泡劑(ji)(ji)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)活(huo)(huo)性(xing)(xing)成(cheng)(cheng)分(fen)(fen)(fen)(fen)還可(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)包(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)至(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)一(yi)種(zhong)化合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)，其來(lai)自至(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)一(yi)類(lei)活(huo)(huo)性(xing)(xing)成(cheng)(cheng)分(fen)(fen)(fen)(fen)，第(di)一(yi)類(lei)活(huo)(huo)性(xing)(xing)成(cheng)(cheng)分(fen)(fen)(fen)(fen)被定(ding)義(yi)(yi)為將容易溶解在(zai)(zai)溶劑(ji)(ji)中并且在(zai)(zai)溶解時(shi)包(bao)含(han)具(ju)有比其上沉積的(de)金屬和(he)(he)/或(huo)(huo)可(ke)溶性(xing)(xing)化合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)高的(de)標準(zhun)電極(ji)電勢的(de)任何可(ke)溶性(xing)(xing)化合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)類(lei)活(huo)(huo)性(xing)(xing)成(cheng)(cheng)分(fen)(fen)(fen)(fen)可(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)包(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)以(yi)(yi)(yi)(yi)下之(zhi)一(yi)：硫(liu)酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)銅(II)、氯(lv)(lv)(lv)(lv)化金(I)、氯(lv)(lv)(lv)(lv)化金(III)、氟(fu)化銨、硝酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)、硫(liu)酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)、氯(lv)(lv)(lv)(lv)化鎳(nie)(nie)(II)、氯(lv)(lv)(lv)(lv)化鐵(II)、氯(lv)(lv)(lv)(lv)化鐵(III)、氯(lv)(lv)(lv)(lv)化鋅(II)、氫氧(yang)化鉀(jia)、氫氧(yang)化鈉和(he)(he)氫氧(yang)化鋰。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)一(yi)類(lei)活(huo)(huo)性(xing)(xing)成(cheng)(cheng)分(fen)(fen)(fen)(fen)的(de)范圍可(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)為8.3至(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)11.4摩爾(er)/升。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)活(huo)(huo)性(xing)(xing)成(cheng)(cheng)分(fen)(fen)(fen)(fen)進(jin)一(yi)步包(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)定(ding)義(yi)(yi)為具(ju)有高電勢的(de)任何可(ke)溶性(xing)(xing)材料的(de)第(di)二(er)類(lei)活(huo)(huo)性(xing)(xing)成(cheng)(cheng)分(fen)(fen)(fen)(fen)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)類(lei)活(huo)(huo)性(xing)(xing)成(cheng)(cheng)分(fen)(fen)(fen)(fen)可(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)為含(han)有鈀(ba)(ba)(ba)或(huo)(huo)鎳(nie)(nie)的(de)化合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)二(er)類(lei)活(huo)(huo)性(xing)(xing)成(cheng)(cheng)分(fen)(fen)(fen)(fen)可(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)包(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)以(yi)(yi)(yi)(yi)下的(de)至(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)一(yi)種(zhong)：氯(lv)(lv)(lv)(lv)化鈀(ba)(ba)(ba)(II)，氯(lv)(lv)(lv)(lv)化鈀(ba)(ba)(ba)(IV)，乙酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)鈀(ba)(ba)(ba)(II)，反式(shi)二(er)氯(lv)(lv)(lv)(lv)二(er)氨合(he)(he)(he)(he)(he)鈀(ba)(ba)(ba)(II)，順式(shi)二(er)氯(lv)(lv)(lv)(lv)二(er)氨合(he)(he)(he)(he)(he)鈀(ba)(ba)(ba)(II)，碳(tan)酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)氫四(si)氨合(he)(he)(he)(he)(he)鈀(ba)(ba)(ba)，二(er)氯(lv)(lv)(lv)(lv)四(si)氨合(he)(he)(he)(he)(he)鈀(ba)(ba)(ba)(II)，四(si)氯(lv)(lv)(lv)(lv)鈀(ba)(ba)(ba)(II)酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)鈉，四(si)氯(lv)(lv)(lv)(lv)鈀(ba)(ba)(ba)(II)酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)鉀(jia)，硝酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)鈀(ba)(ba)(ba)(II)，氧(yang)化鈀(ba)(ba)(ba)(II)，碘化鈀(ba)(ba)(ba)(II)和(he)(he)二(er)硝基二(er)氨合(he)(he)(he)(he)(he)鈀(ba)(ba)(ba)(II)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)洗(xi)劑(ji)(ji)可(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)被定(ding)義(yi)(yi)為容易去(qu)除金屬鈍(dun)化層(ceng)(ceng)的(de)任何化學品(pin)或(huo)(huo)化學品(pin)混(hun)合(he)(he)(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)洗(xi)劑(ji)(ji)可(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)包(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)鹽酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)、硫(liu)酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)、硝酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)和(he)(he)磷酸(suan)(suan)(suan)(suan)(suan)中的(de)至(zhi)(zhi)(zhi)(zhi)少(shao)(shao)一(yi)種(zhong)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)表(biao)(biao)面(mian)層(ceng)(ceng)可(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)包(bao)括(kuo)(kuo)(kuo)減反射涂層(ceng)(ceng)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)方法(fa)可(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)用于生產器(qi)(qi)件(jian)，例如光伏(fu)(fu)電池(chi)或(huo)(huo)印(yin)刷(shua)(shua)的(de)電子器(qi)(qi)件(jian)。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)器(qi)(qi)件(jian)可(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)具(ju)有小(xiao)(xiao)于約20Ω/□的(de)光伏(fu)(fu)電池(chi)的(de)最終薄層(ceng)(ceng)電阻。所(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)器(qi)(qi)件(jian)可(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)具(ju)有在(zai)(zai)寬度(du)上小(xiao)(xiao)于約50微米的(de)蝕刻(ke)線。

附圖簡要說明

附(fu)圖(tu)(tu)沒有打算按比(bi)例(li)繪制(zhi)。在圖(tu)(tu)中(zhong)(zhong)，在各個圖(tu)(tu)中(zhong)(zhong)說明的(de)每個相(xiang)同(tong)或(huo)近乎相(xiang)同(tong)的(de)部(bu)件由相(xiang)似的(de)數字表示。為了清楚(chu)的(de)目的(de)，在每個附(fu)圖(tu)(tu)中(zhong)(zhong)可能不是每一個部(bu)件都被標(biao)記。在圖(tu)(tu)中(zhong)(zhong)：

圖1.1是顯(xian)示對(dui)于采用20微米直徑印刷(shua)孔口(kou)的(de)(de)各種油(you)墨形成(cheng)物(wu)的(de)(de)Ohnesorge倒數對(dui)溫度的(de)(de)圖表(biao)。

圖1.2是(shi)顯示對于采用(yong)40微米直徑(jing)印刷孔口的(de)各種油墨形(xing)成物的(de)Ohnesorge倒(dao)數對溫度的(de)圖表。

圖1.3是(shi)顯示(shi)對(dui)于采用60微米直徑印刷孔口(kou)的各(ge)種油墨形成物的Ohnesorge倒數對(dui)溫(wen)度的圖表。

圖2是(shi)顯示Ohnesorge數(shu)對Reynolds數(shu)的圖表(biao)；

圖(tu)3是顯示對于在(zai)50℃和每秒12米液滴(di)速度(du)下(xia)印刷的(de)各種油墨的(de)Ohnesorge數(shu)對Reynolds數(shu)的(de)圖(tu)表；

圖4A是根據本公開的(de)(de)(de)一個實施方案(an)的(de)(de)(de)用于采用n-摻雜噴墨制劑在(zai)c-Si中產(chan)生選(xuan)擇性發射極結構的(de)(de)(de)方法的(de)(de)(de)示意圖；

圖4B是根據(ju)本公開的(de)一個實施(shi)方案的(de)用(yong)于采用(yong)雙功能噴墨(mo)制劑(ji)在c-Si中產生選擇(ze)性(xing)發射極(ji)結構的(de)方法(fa)的(de)示意圖；

圖4C是根據本公開的一個實施方(fang)案的用于采用三功能噴墨制劑(ji)在c-Si和鍍(du)覆接觸部中產生選擇性(xing)發射極結構的方(fang)法的示意圖；

圖(tu)4D是根據本(ben)公開的一個實施(shi)方案利用金(jin)屬噴墨制劑在金(jin)屬層(ceng)和金(jin)屬鈍化層(ceng)中蝕刻結(jie)構的方法的示意圖(tu)；

圖5是(shi)顯示磷濃度(du)對深(shen)度(du)的(de)圖表；

圖(tu)6A和6B是顯示(shi)晶片的非蝕刻區(qu)域(yu)中的氮(圖(tu)6A)并且顯示(shi)沿著蝕刻線(xian)無氮(圖(tu)6B)；

圖7A顯(xian)示(shi)單硅(gui)上的(de)(de)n-摻雜油墨印刷線的(de)(de)結果；

圖(tu)7B是圖(tu)7A中所示的結果的放大(da)圖(tu)；

圖8A顯示了在具有(you)氮化硅(gui)和(he)濺射的(de)(de)鋁層的(de)(de)單硅(gui)晶片(pian)上(shang)加工(gong)后(hou)的(de)(de)金(jin)屬蝕刻(ke)油墨圖案結果(guo)；

圖(tu)8B是圖(tu)8A中(zhong)所示(shi)的(de)結果(guo)的(de)放大圖(tu)；

圖9A顯示了在(zai)具有氮化硅和濺射的鎳釩層(ceng)的單硅晶片上加工后(hou)的金屬蝕刻油墨圖案結果；

圖(tu)(tu)9B是圖(tu)(tu)9A中所(suo)示(shi)的結(jie)果的放大圖(tu)(tu)；和(he)

圖10顯示了(le)在(zai)加工和在(zai)非電解鍍鎳(nie)浴中浸漬后在(zai)在(zai)印刷區域之(zhi)上(shang)用三功能油墨對鎳(nie)層的催化。

詳細描述

根據一(yi)個(ge)(ge)或(huo)(huo)多(duo)個(ge)(ge)實施(shi)方(fang)案(an)(an)，油墨(mo)(mo)(mo)制(zhi)劑可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)是(shi)可(ke)(ke)(ke)(ke)噴射(she)的(de)(de)(de)并且經由非(fei)接觸(chu)式(shi)的(de)(de)(de)方(fang)法(例如噴墨(mo)(mo)(mo)技術)通常是(shi)可(ke)(ke)(ke)(ke)印(yin)(yin)刷(shua)的(de)(de)(de)。這樣的(de)(de)(de)制(zhi)劑的(de)(de)(de)噴墨(mo)(mo)(mo)印(yin)(yin)刷(shua)可(ke)(ke)(ke)(ke)有(you)利于各(ge)種(zhong)功(gong)能(neng)(neng)(neng)，包括(kuo)催化劑和(he)/或(huo)(huo)介電(dian)層的(de)(de)(de)沉積和(he)蝕刻、摻雜(za)。至(zhi)少一(yi)些(xie)所公開的(de)(de)(de)油墨(mo)(mo)(mo)制(zhi)劑可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)是(shi)雙功(gong)能(neng)(neng)(neng)、三功(gong)能(neng)(neng)(neng)或(huo)(huo)多(duo)功(gong)能(neng)(neng)(neng)的(de)(de)(de)。根據一(yi)個(ge)(ge)或(huo)(huo)多(duo)個(ge)(ge)實施(shi)方(fang)案(an)(an)的(de)(de)(de)油墨(mo)(mo)(mo)可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)在(zai)(zai)各(ge)種(zhong)電(dian)子器(qi)(qi)(qi)件(jian)的(de)(de)(de)制(zhi)造中(zhong)使(shi)用(yong)(yong)。所述組合(he)物(wu)和(he)方(fang)法可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)在(zai)(zai)包括(kuo)MEMS器(qi)(qi)(qi)件(jian)、光(guang)伏器(qi)(qi)(qi)件(jian)、顯示(shi)器(qi)(qi)(qi)件(jian)和(he)面(mian)板、太陽(yang)能(neng)(neng)(neng)電(dian)池面(mian)板、電(dian)化學電(dian)池、印(yin)(yin)刷(shua)電(dian)路、天線、屏蔽(bi)器(qi)(qi)(qi)件(jian)、微波電(dian)路、控制(zhi)模塊以(yi)(yi)(yi)及信息存儲器(qi)(qi)(qi)件(jian)的(de)(de)(de)制(zhi)品的(de)(de)(de)制(zhi)造中(zhong)使(shi)用(yong)(yong)。在(zai)(zai)至(zhi)少一(yi)些(xie)實施(shi)方(fang)案(an)(an)中(zhong)，所公開的(de)(de)(de)油墨(mo)(mo)(mo)可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)在(zai)(zai)各(ge)種(zhong)印(yin)(yin)刷(shua)電(dian)子器(qi)(qi)(qi)件(jian)的(de)(de)(de)制(zhi)造中(zhong)使(shi)用(yong)(yong)。一(yi)個(ge)(ge)或(huo)(huo)更多(duo)個(ge)(ge)實施(shi)方(fang)案(an)(an)可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)具有(you)在(zai)(zai)光(guang)伏電(dian)池應用(yong)(yong)中(zhong)的(de)(de)(de)特別(bie)的(de)(de)(de)可(ke)(ke)(ke)(ke)適用(yong)(yong)性(xing)。油墨(mo)(mo)(mo)組合(he)物(wu)可(ke)(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)沉積到各(ge)種(zhong)表面(mian)，例如與半(ban)導體和(he)光(guang)伏器(qi)(qi)(qi)件(jian)有(you)關的(de)(de)(de)那些(xie)。

可(ke)(ke)(ke)以(yi)使用各種襯底和表面(mian)材(cai)料。非限制性的(de)(de)襯底可(ke)(ke)(ke)以(yi)包(bao)括玻璃、陶瓷(ci)、金(jin)屬或(huo)塑料，并可(ke)(ke)(ke)以(yi)是(shi)剛(gang)性的(de)(de)或(huo)柔性的(de)(de)。在一些非限制性實施方案中，襯底可(ke)(ke)(ke)以(yi)是(shi)多晶(jing)硅、單晶(jing)硅、硅、氮(dan)化硅或(huo)氧氮(dan)化硅。襯底可(ke)(ke)(ke)以(yi)是(shi)紋理化的(de)(de)或(huo)非紋理化的(de)(de)。非限制性的(de)(de)表面(mian)材(cai)料可(ke)(ke)(ke)以(yi)包(bao)括金(jin)屬，例如(ru)金(jin)、銀、鈀、鉑、銅、鋁和鎳。

根據一(yi)個(ge)或(huo)(huo)(huo)多(duo)(duo)個(ge)實施方(fang)案，半導(dao)體(ti)例如(ru)太陽能(neng)電池(chi)(chi)可(ke)(ke)(ke)以(yi)包括(kuo)一(yi)個(ge)或(huo)(huo)(huo)多(duo)(duo)個(ge)功能(neng)層(ceng)(ceng)。這些可(ke)(ke)(ke)以(yi)包括(kuo)表(biao)面鈍(dun)(dun)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)層(ceng)(ceng)和/或(huo)(huo)(huo)減(jian)反(fan)射涂層(ceng)(ceng)。用于半導(dao)體(ti)的(de)表(biao)面鈍(dun)(dun)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)層(ceng)(ceng)通常包括(kuo)氮(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)、二(er)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)、氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋁或(huo)(huo)(huo)其交(jiao)替(ti)層(ceng)(ceng)的(de)堆疊體(ti)。其他(ta)表(biao)面鈍(dun)(dun)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)層(ceng)(ceng)可(ke)(ke)(ke)以(yi)包括(kuo)非晶硅(gui)、氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)和氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋁。可(ke)(ke)(ke)以(yi)通過各種技(ji)術(shu)包括(kuo)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)學氣(qi)相沉(chen)積(ji)(ji)(CVD)、等離(li)子體(ti)增強CVD、濺射和熱處理例如(ru)干燥(zao)和濕氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)來在半導(dao)體(ti)上沉(chen)積(ji)(ji)所述層(ceng)(ceng)。減(jian)反(fan)射涂層(ceng)(ceng)可(ke)(ke)(ke)以(yi)提(ti)高太陽能(neng)電池(chi)(chi)的(de)轉化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)效率，并且可(ke)(ke)(ke)以(yi)包括(kuo)氮(dan)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)、二(er)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅(gui)和氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦。根據一(yi)個(ge)或(huo)(huo)(huo)多(duo)(duo)個(ge)實施方(fang)案，可(ke)(ke)(ke)噴(pen)射的(de)油墨可(ke)(ke)(ke)以(yi)促(cu)進(jin)太陽能(neng)電池(chi)(chi)制作。該油墨可(ke)(ke)(ke)以(yi)使將與噴(pen)墨技(ji)術(shu)相關的(de)各種益處集成(cheng)到太陽能(neng)電池(chi)(chi)生產中成(cheng)為可(ke)(ke)(ke)能(neng)。

在至少(shao)一(yi)些(xie)實施方(fang)案(an)(an)中(zhong)，功(gong)(gong)(gong)(gong)能(neng)(neng)性(xing)和可(ke)(ke)(ke)印(yin)(yin)刷性(xing)可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)在各種油(you)(you)墨制(zhi)劑(ji)(ji)中(zhong)組合。單一(yi)的(de)油(you)(you)墨可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)是(shi)多功(gong)(gong)(gong)(gong)能(neng)(neng)的(de)從而(er)減少(shao)工藝(yi)步(bu)驟(zou)。在一(yi)些(xie)實施方(fang)案(an)(an)中(zhong)，可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)使用單一(yi)的(de)工藝(yi)步(bu)驟(zou)。根據一(yi)個(ge)或多個(ge)實施方(fang)案(an)(an)的(de)可(ke)(ke)(ke)噴(pen)(pen)射的(de)油(you)(you)墨可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)用作金屬(shu)蝕(shi)(shi)(shi)刻(ke)劑(ji)(ji)。至少(shao)一(yi)些(xie)可(ke)(ke)(ke)噴(pen)(pen)射的(de)油(you)(you)墨可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)是(shi)雙(shuang)功(gong)(gong)(gong)(gong)能(neng)(neng)或三功(gong)(gong)(gong)(gong)能(neng)(neng)的(de)。雙(shuang)功(gong)(gong)(gong)(gong)能(neng)(neng)油(you)(you)墨可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)促(cu)進(jin)蝕(shi)(shi)(shi)刻(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)及摻(chan)雜。在一(yi)些(xie)非限制(zhi)性(xing)實施方(fang)案(an)(an)中(zhong)，雙(shuang)功(gong)(gong)(gong)(gong)能(neng)(neng)p摻(chan)雜可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)促(cu)進(jin)p摻(chan)雜和催化用于(yu)鍍鎳的(de)表(biao)面。在其它非限制(zhi)性(xing)實施方(fang)案(an)(an)中(zhong)，雙(shuang)功(gong)(gong)(gong)(gong)能(neng)(neng)金屬(shu)蝕(shi)(shi)(shi)刻(ke)可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)促(cu)進(jin)金屬(shu)蝕(shi)(shi)(shi)刻(ke)且可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)催化用于(yu)鍍鎳的(de)表(biao)面。油(you)(you)墨可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)是(shi)單步(bu)蝕(shi)(shi)(shi)刻(ke)和n型摻(chan)雜劑(ji)(ji)噴(pen)(pen)墨式。如本文(wen)(wen)進(jin)一(yi)步(bu)討論的(de)，除了蝕(shi)(shi)(shi)刻(ke)和摻(chan)雜以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)外，三功(gong)(gong)(gong)(gong)能(neng)(neng)油(you)(you)墨還可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)促(cu)進(jin)沉積。三功(gong)(gong)(gong)(gong)能(neng)(neng)油(you)(you)墨可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)用銅(tong)替代銀，這可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)導(dao)致顯著的(de)成(cheng)本降低。根據一(yi)個(ge)或多個(ge)實施方(fang)案(an)(an)，添加劑(ji)(ji)、非接觸噴(pen)(pen)墨沉積技術可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)應(ying)用于(yu)光伏器件(jian)。本文(wen)(wen)所公開的(de)包(bao)括p摻(chan)雜劑(ji)(ji)、n-摻(chan)雜劑(ji)(ji)、電(dian)介質(zhi)、銀導(dao)電(dian)金屬(shu)性(xing)油(you)(you)墨、用于(yu)鍍覆的(de)催化劑(ji)(ji)和蝕(shi)(shi)(shi)刻(ke)劑(ji)(ji)的(de)油(you)(you)墨制(zhi)劑(ji)(ji)可(ke)(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)提供直接的(de)圖案(an)(an)印(yin)(yin)刷、蝕(shi)(shi)(shi)刻(ke)和/或摻(chan)雜。

與(yu)常規(gui)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)絲網印(yin)(yin)(yin)刷(shua)技術相比(bi)(bi)，可(ke)(ke)以(yi)實(shi)(shi)(shi)現高(gao)達(da)或大于(yu)0.5％的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)增(zeng)加的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)池(chi)效率(lv)(lv)和(he)增(zeng)強的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)生產(chan)產(chan)量(liang)。例如(ru)，所公開(kai)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)制劑可(ke)(ke)以(yi)蝕(shi)刻(ke)硅(gui)有(you)源層的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)谷和(he)峰(feng)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)光伏電(dian)池(chi)上的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)減反射(she)材料(liao)，從而(er)確保了(le)與(yu)硅(gui)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)接觸的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)最小電(dian)阻率(lv)(lv)。在一些實(shi)(shi)(shi)施(shi)方(fang)案中(zhong)(zhong)，可(ke)(ke)以(yi)蝕(shi)刻(ke)非(fei)常窄的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)特征線(xian)(xian)寬度(du)，例如(ru)小于(yu)100微米。在至少(shao)(shao)一些實(shi)(shi)(shi)施(shi)方(fang)案中(zhong)(zhong)，可(ke)(ke)以(yi)實(shi)(shi)(shi)現小于(yu)50微米的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)線(xian)(xian)寬度(du)。還(huan)可(ke)(ke)以(yi)噴(pen)射(she)導電(dian)金(jin)屬油墨(mo)以(yi)數字地生產(chan)接觸線(xian)(xian)，該(gai)接觸線(xian)(xian)具有(you)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)厚度(du)比(bi)(bi)可(ke)(ke)采(cai)用漿料(liao)和(he)旋轉絲網印(yin)(yin)(yin)刷(shua)常規(gui)地生產(chan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)細小二或三倍(bei)。降低的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)屬接觸線(xian)(xian)寬度(du)可(ke)(ke)以(yi)減少(shao)(shao)有(you)源層上的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)遮蔽，從而(er)實(shi)(shi)(shi)現增(zeng)加的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)池(chi)效率(lv)(lv)。高(gao)分辨率(lv)(lv)工藝可(ke)(ke)以(yi)通(tong)過自動化(hua)節省工藝步驟(zou)、加速設置時間、消除(chu)廢(fei)物和(he)降低成本。不(bu)接觸的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)印(yin)(yin)(yin)刷(shua)可(ke)(ke)以(yi)使用于(yu)薄的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)敏感(gan)襯底的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)噴(pen)墨(mo)印(yin)(yin)(yin)刷(shua)成為可(ke)(ke)能(neng)。與(yu)激光印(yin)(yin)(yin)刷(shua)相比(bi)(bi)，可(ke)(ke)以(yi)實(shi)(shi)(shi)現在蝕(shi)刻(ke)氮化(hua)硅(gui)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)高(gao)選擇性。可(ke)(ke)以(yi)在通(tong)常與(yu)激光印(yin)(yin)(yin)刷(shua)相關聯的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)紋理化(hua)硅(gui)結構沒有(you)損壞和(he)缺(que)陷的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)情況下(xia)來產(chan)生線(xian)(xian)和(he)孔。可(ke)(ke)以(yi)準(zhun)確地沉(chen)積材料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)精確量(liang)，從而(er)防止廢(fei)物。

根據一(yi)個或(huo)多個實(shi)施(shi)方(fang)(fang)案(an)(an)，與(yu)使(shi)(shi)用(yong)(yong)接(jie)觸選擇(ze)性發(fa)射(she)極(ji)工(gong)(gong)藝例如(ru)絲網蝕(shi)(shi)刻(ke)或(huo)激光(guang)蝕(shi)(shi)刻(ke)相比，涉及使(shi)(shi)用(yong)(yong)所公開的(de)(de)可(ke)(ke)噴射(she)的(de)(de)油墨的(de)(de)非(fei)接(jie)觸工(gong)(gong)藝可(ke)(ke)以(yi)導致(zhi)晶(jing)片廢料(liao)(liao)最高達(da)約十倍的(de)(de)減少(shao)。廢料(liao)(liao)率在(zai)一(yi)些實(shi)施(shi)方(fang)(fang)案(an)(an)中可(ke)(ke)以(yi)減少(shao)，因為(wei)接(jie)近式的(de)(de)印刷(shua)工(gong)(gong)藝可(ke)(ke)以(yi)使(shi)(shi)脆性硅(gui)(gui)的(de)(de)應力最小化(hua)和將適合較薄的(de)(de)硅(gui)(gui)襯底的(de)(de)工(gong)(gong)業使(shi)(shi)用(yong)(yong)。硅(gui)(gui)厚度(du)減少(shao)，與(yu)單步工(gong)(gong)藝的(de)(de)附加(jia)效率組合，可(ke)(ke)導致(zhi)相對于替代的(de)(de)選擇(ze)性發(fa)射(she)極(ji)方(fang)(fang)法高達(da)約15％或(huo)更高的(de)(de)成(cheng)本節(jie)(jie)省。例如(ru)，根據一(yi)些實(shi)施(shi)方(fang)(fang)案(an)(an)，可(ke)(ke)以(yi)促進除了銀以(yi)外的(de)(de)材料(liao)(liao)的(de)(de)使(shi)(shi)用(yong)(yong)來(lai)導致(zhi)成(cheng)本節(jie)(jie)省。組合蝕(shi)(shi)刻(ke)和摻(chan)雜(za)工(gong)(gong)藝還可(ke)(ke)以(yi)消除對于在(zai)單獨的(de)(de)工(gong)(gong)藝中蝕(shi)(shi)刻(ke)劑和摻(chan)雜(za)劑的(de)(de)非(fei)常精確(que)的(de)(de)對準的(de)(de)需要。在(zai)一(yi)些實(shi)施(shi)方(fang)(fang)案(an)(an)中還可(ke)(ke)以(yi)沉積用(yong)(yong)于非(fei)電解鍍覆的(de)(de)催化(hua)劑。

根(gen)據一(yi)個或(huo)多個實(shi)施(shi)方案(an)，可(ke)噴射的(de)油(you)墨可(ke)實(shi)現(xian)電(dian)池上的(de)導電(dian)線(xian)(xian)的(de)生(sheng)產，其具有比用(yong)于(yu)(yu)(yu)厚(hou)膜油(you)墨的(de)現(xian)有技術(平均為(wei)約100微(wei)(wei)米(mi))小(xiao)得多的(de)線(xian)(xian)寬(kuan)(kuan)度。在(zai)一(yi)些非限制性(xing)實(shi)施(shi)方案(an)中(zhong)，通過(guo)噴射所公開的(de)蝕刻劑/摻雜劑油(you)墨隨后鍍覆而生(sheng)產的(de)導電(dian)線(xian)(xian)可(ke)以小(xiao)于(yu)(yu)(yu)約100微(wei)(wei)米(mi)寬(kuan)(kuan)。在(zai)一(yi)些實(shi)施(shi)方案(an)中(zhong)，線(xian)(xian)寬(kuan)(kuan)度可(ke)以小(xiao)于(yu)(yu)(yu)約75微(wei)(wei)米(mi)，例(li)如小(xiao)于(yu)(yu)(yu)約50微(wei)(wei)米(mi)寬(kuan)(kuan)。在(zai)至少一(yi)個非限制性(xing)實(shi)施(shi)方案(an)中(zhong)，線(xian)(xian)寬(kuan)(kuan)度可(ke)以小(xiao)于(yu)(yu)(yu)約35微(wei)(wei)米(mi)寬(kuan)(kuan)。

根據(ju)一個或多個實施方(fang)(fang)案(an)，可(ke)以(yi)選擇性(xing)地蝕刻一個或多個功能層(ceng)以(yi)在(zai)襯(chen)(chen)底上形成有用的(de)(de)圖案(an)。蝕刻可(ke)以(yi)允(yun)許各種結構特征(zheng)的(de)(de)構建、設計(ji)、一定電性(xing)質的(de)(de)限(xian)定，或部件的(de)(de)連接(jie)。該工藝可(ke)以(yi)去除襯(chen)(chen)底表面上的(de)(de)材(cai)料的(de)(de)薄涂層(ceng)或層(ceng)，例(li)如但不(bu)限(xian)于十(shi)分(fen)(fen)之幾至幾微米(以(yi)厚度(du)計(ji))。根據(ju)一個或多個實施方(fang)(fang)案(an)蝕刻可(ke)通常是基(ji)本上無殘留物的(de)(de)。在(zai)一些(xie)實施方(fang)(fang)案(an)中，所公開的(de)(de)方(fang)(fang)法不(bu)需要掩蔽(bi)并且蝕刻劑僅施加到需要去除的(de)(de)那些(xie)部分(fen)(fen)。在(zai)其他實施方(fang)(fang)案(an)中，掩蔽(bi)可(ke)以(yi)與其它工藝結合(he)使用。

根據一個(ge)或多(duo)個(ge)實施(shi)方(fang)案(an)(an)，經由直接圖案(an)(an)化可(ke)(ke)以選(xuan)擇性(xing)(xing)地摻(chan)(chan)雜(za)(za)限定的(de)區域。摻(chan)(chan)雜(za)(za)劑(ji)組合物可(ke)(ke)以產生區域，例如在(zai)單晶和多(duo)晶硅晶片中。通(tong)常通(tong)過參數例如擴散時(shi)間(jian)和擴散溫度控制(zhi)摻(chan)(chan)雜(za)(za)劑(ji)的(de)滲透(tou)深(shen)度。最(zui)(zui)終(zhong)的(de)薄(bo)(bo)層(ceng)電(dian)(dian)阻值可(ke)(ke)與摻(chan)(chan)雜(za)(za)水平(ping)直接相關。在(zai)一些(xie)非限制(zhi)性(xing)(xing)實施(shi)方(fang)案(an)(an)中，當用具有約75Ω/□的(de)初始薄(bo)(bo)層(ceng)電(dian)(dian)阻的(de)單晶硅晶片開始時(shi)，可(ke)(ke)以用含磷噴墨制(zhi)劑(ji)(n-摻(chan)(chan)雜(za)(za))來實現(xian)小(xiao)于(yu)約15Ω/□的(de)最(zui)(zui)終(zhong)薄(bo)(bo)層(ceng)電(dian)(dian)阻和可(ke)(ke)以用含硼噴墨制(zhi)劑(ji)(n-摻(chan)(chan)雜(za)(za))來實現(xian)小(xiao)于(yu)約40Ω/□的(de)最(zui)(zui)終(zhong)薄(bo)(bo)層(ceng)電(dian)(dian)阻。在(zai)一些(xie)實施(shi)方(fang)案(an)(an)中，可(ke)(ke)以形(xing)成具有小(xiao)于(yu)約20Ω/□的(de)最(zui)(zui)終(zhong)薄(bo)(bo)層(ceng)電(dian)(dian)阻的(de)選(xuan)擇性(xing)(xing)發射極。

根據一個或多個實施方案，可以噴墨印刷蝕刻和/或摻雜組合物的。分辨率通常受到從印刷頭噴射的液滴的直徑以及受到液滴與表面(噴射液滴到其上)之間的表面相互作用的影響。可以用無接觸的局部沉積來實現工藝化學品的低消耗。可以經由計算機輔助設計(CAD)印刷各種布局。根據一個或多個實施方案，油墨組合物的流體性質必須是通常適合于印刷和噴射，包括其表面張力、流體密度、粘度和粘彈性。在一些實施方案中，表面張力可以在約30至約40達因/cm的范圍內。在一些實施方案中，流體密度可以在約0.8至約1.5kg/m³的(de)(de)范(fan)圍內(nei)。在一些實(shi)施(shi)方案(an)中，在約(yue)40℃下(xia)粘度可(ke)以(yi)在約(yue)7至(zhi)約(yue)15cP的(de)(de)范(fan)圍內(nei)。在一些非限制(zhi)性實(shi)施(shi)方案(an)中，關(guan)于流體性質的(de)(de)這些參數可(ke)以(yi)與Ohnesorge倒數相關(guan)，其一些優選的(de)(de)值在約(yue)1至(zhi)約(yue)10的(de)(de)范(fan)圍內(nei)。均勻的(de)(de)厚(hou)度也是可(ke)以(yi)實(shi)現的(de)(de)。

根據(ju)一個(ge)或多(duo)個(ge)實(shi)施(shi)方案(an)，可(ke)噴射的(de)(de)(de)油墨(mo)可(ke)以(yi)(yi)用(yong)作用(yong)于(yu)產生光伏電池的(de)(de)(de)催(cui)化劑、摻雜(za)劑、蝕刻(ke)劑和(he)電介質中的(de)(de)(de)一種或多(duo)種。在一些(xie)實(shi)施(shi)方案(an)中，可(ke)噴射的(de)(de)(de)油墨(mo)可(ke)以(yi)(yi)是(shi)三(san)功能(neng)的(de)(de)(de)以(yi)(yi)促進在一步一道次(ci)溶液(ye)中的(de)(de)(de)催(cui)化劑、摻雜(za)和(he)蝕刻(ke)。非(fei)限(xian)制性的(de)(de)(de)三(san)功能(neng)油墨(mo)可(ke)以(yi)(yi)同(tong)時催(cui)化用(yong)于(yu)非(fei)電解鎳沉積的(de)(de)(de)印刷(shua)區(qu)域，減少最終薄膜電阻至小于(yu)約20Ω/□和(he)蝕刻(ke)具(ju)有(you)極少或沒有(you)殘余物的(de)(de)(de)一個(ge)或多(duo)個(ge)各種不同(tong)的(de)(de)(de)層。可(ke)以(yi)(yi)實(shi)現細線(xian)能(neng)力，例(li)如(ru)小于(yu)約60μm。可(ke)用(yong)銅(tong)替代銀接觸部以(yi)(yi)降低成本。可(ke)以(yi)(yi)生產選擇性發射極結(jie)構。在一些(xie)非(fei)限(xian)制性實(shi)施(shi)方案(an)中，三(san)功能(neng)油墨(mo)可(ke)以(yi)(yi)具(ju)有(you)在21℃下約1.2的(de)(de)(de)pH、在77°F下約1.07g/cc的(de)(de)(de)比重、在40℃、100rpm下約12-14cp的(de)(de)(de)粘度和(he)在室溫下約35-37達因/cm的(de)(de)(de)表面(mian)張(zhang)力。

根據一個或(huo)多(duo)個實施方(fang)(fang)案(an)，可(ke)噴(pen)射(she)的(de)油(you)(you)墨可(ke)以促進(jin)各種金(jin)屬蝕(shi)刻(ke)工(gong)藝(yi)。可(ke)以在不使用掩模的(de)情況下(xia)(xia)蝕(shi)刻(ke)金(jin)屬化層中的(de)精細特征。例如(ru)，可(ke)以在不損(sun)害下(xia)(xia)面的(de)鈍化層的(de)情況下(xia)(xia)在鋁和(he)鎳釩中蝕(shi)刻(ke)結構。這樣的(de)蝕(shi)刻(ke)劑表現(xian)出具有(you)細線能力和(he)線邊(bian)緣(yuan)限定的(de)優異選擇性。還可(ke)以在低溫(wen)例如(ru)小于約(yue)80℃下(xia)(xia)加工(gong)可(ke)噴(pen)射(she)的(de)蝕(shi)刻(ke)劑油(you)(you)墨。在一些非限制性實施方(fang)(fang)案(an)中，蝕(shi)刻(ke)劑油(you)(you)墨可(ke)以具有(you)在21℃下(xia)(xia)約(yue)0.7的(de)pH、在77°F下(xia)(xia)約(yue)1.48g/cc的(de)比重、在40℃、100rpm下(xia)(xia)約(yue)12-14cp的(de)粘度和(he)在室溫(wen)下(xia)(xia)約(yue)35-37達因/cm的(de)表面張力。

根據一個或多(duo)個實施方案(an)，可(ke)(ke)噴射的(de)油(you)(you)墨(mo)可(ke)(ke)以(yi)(yi)是電(dian)介(jie)質(zhi)油(you)(you)墨(mo)，以(yi)(yi)允許用于生產背(bei)接觸電(dian)池或選擇性(xing)(xing)發(fa)射極的(de)選擇性(xing)(xing)擴散(san)或蝕(shi)刻。這樣的(de)阻擋油(you)(you)墨(mo)在(zai)(zai)(zai)具有(you)(you)優良粘附性(xing)(xing)的(de)單一道次中可(ke)(ke)以(yi)(yi)為有(you)(you)效的(de)。可(ke)(ke)以(yi)(yi)形成基本上無針孔(kong)或裂紋的(de)連續(xu)膜。可(ke)(ke)以(yi)(yi)在(zai)(zai)(zai)低溫例如小于約(yue)200℃下(xia)加(jia)工介(jie)電(dian)油(you)(you)墨(mo)。在(zai)(zai)(zai)一些非限制(zhi)性(xing)(xing)實施方案(an)中，電(dian)解質(zhi)油(you)(you)墨(mo)可(ke)(ke)以(yi)(yi)具有(you)(you)在(zai)(zai)(zai)22℃下(xia)約(yue)3.7的(de)pH、在(zai)(zai)(zai)77°F下(xia)約(yue)1.00g/cc的(de)比重、在(zai)(zai)(zai)40℃、100rpm下(xia)約(yue)12-14cp的(de)粘度和在(zai)(zai)(zai)室溫下(xia)約(yue)35-37達因/cm的(de)表面張力。

根(gen)據一(yi)個或多(duo)個實(shi)(shi)施方案(an)，可(ke)噴射的(de)(de)油(you)墨可(ke)以是摻(chan)雜劑油(you)墨，例(li)如(ru)p-摻(chan)雜劑或n-摻(chan)雜劑。所需(xu)的(de)(de)濃度(鑒于(yu)(yu)其可(ke)印(yin)刷(shua)性(xing)和(he)(he)(he)液滴形成(cheng))可(ke)以在(zai)單一(yi)道次印(yin)刷(shua)中(zhong)被輸送，以使(shi)背接觸電(dian)池和(he)(he)(he)選擇性(xing)發射極(ji)的(de)(de)制(zhi)造成(cheng)為(wei)可(ke)能(neng)。可(ke)以實(shi)(shi)現(xian)細(xi)線(xian)和(he)(he)(he)所需(xu)的(de)(de)線(xian)限(xian)定，例(li)如(ru)小(xiao)于(yu)(yu)約(yue)(yue)20μm。可(ke)以實(shi)(shi)現(xian)摻(chan)雜后(hou)的(de)(de)低薄層電(dian)阻，例(li)如(ru)小(xiao)于(yu)(yu)約(yue)(yue)20Ω/□。在(zai)一(yi)些(xie)非(fei)限(xian)制(zhi)性(xing)實(shi)(shi)施方案(an)中(zhong)，n-摻(chan)雜劑油(you)墨可(ke)以具(ju)(ju)有在(zai)21℃下(xia)(xia)約(yue)(yue)0.6的(de)(de)pH、在(zai)77°F下(xia)(xia)約(yue)(yue)1.03g/cc的(de)(de)比重、在(zai)40℃、100rpm下(xia)(xia)約(yue)(yue)12-14cp的(de)(de)粘度和(he)(he)(he)在(zai)室溫下(xia)(xia)約(yue)(yue)35-40達(da)因/cm的(de)(de)表(biao)(biao)面張力。在(zai)一(yi)些(xie)非(fei)限(xian)制(zhi)性(xing)實(shi)(shi)施方案(an)中(zhong)，p摻(chan)雜劑油(you)墨可(ke)以具(ju)(ju)有在(zai)22℃下(xia)(xia)約(yue)(yue)3.4的(de)(de)pH、在(zai)77°F下(xia)(xia)約(yue)(yue)1.07g/cc的(de)(de)比重、在(zai)40℃、100rpm下(xia)(xia)約(yue)(yue)10-12cp的(de)(de)粘度和(he)(he)(he)在(zai)室溫下(xia)(xia)約(yue)(yue)35-40達(da)因/cm的(de)(de)表(biao)(biao)面張力。

根據一(yi)個或多個實施方案(an)，受(shou)(shou)控制的(de)(de)(de)流(liu)體(ti)輸送可以(yi)受(shou)(shou)到待印刷(shua)的(de)(de)(de)流(liu)體(ti)的(de)(de)(de)能力(li)(li)影響。流(liu)體(ti)的(de)(de)(de)可噴射性與印刷(shua)流(liu)體(ti)的(de)(de)(de)動(dong)力(li)(li)學(xue)性質直接(jie)相關(guan)。Ohnesorge數通常是比較(jiao)(jiao)粘性力(li)(li)與慣性力(li)(li)和表(biao)面張力(li)(li)的(de)(de)(de)無量綱比較(jiao)(jiao)量。所述(shu)Ohnesorge數(Oh)可以(yi)用來(lai)預測流(liu)體(ti)的(de)(de)(de)可噴射性且(qie)可以(yi)表(biao)示為：

其中μ是流(liu)(liu)體的粘度，ρ是流(liu)(liu)體的密度，σ是流(liu)(liu)體的表面張力，且α是在噴射溫度下流(liu)(liu)體的液滴直徑(jing)(jing)(由印刷(shua)孔口直徑(jing)(jing)確定)。

已發現在1和10之間的Ohnesorge倒數(Oh^-1)對(dui)于印刷(shua)穩(wen)定的(de)液滴(di)是優化的(de)。參(can)見(jian)McKinley,Gareth H.,Dept.of Mech.E.MIT and Renardy,Michael,Dept.of Math.VA Tech.,Wolfgang von Ohnesorge(2011年8月24日)。

描繪(hui)了在表(biao)1.1至1.3中列出并(bing)在圖1.1至1.3中表(biao)示的用于根據一個(ge)或(huo)多個(ge)實施方案的各種噴墨制劑在25、40、50和(he)(he)60℃的典型(xing)印(yin)刷(shua)溫度(du)和(he)(he)20、40和(he)(he)60μm的印(yin)刷(shua)孔口直徑下計算的Ohnesorge倒數。

表1.1

表1.2

表1.3

在圖2中(zhong)繪制Ohnesorge數(shu)對(dui)Reynolds數(shu)。參(can)見McKinley,Gareth H.,Dept.of Mech.E.MIT and Renardy,Michael,Dept.of Math.VA Tech.,Wolfgang von Ohnesorge(2011年(nian)8月24日)。該示意圖演示了用(yong)于穩定的(de)液(ye)滴形成的(de)操作(zuo)制度。在圖3中(zhong)對(dui)于各種(zhong)噴墨制劑在50℃下且采用(yong)12m/s的(de)液(ye)滴速(su)度和20微米的(de)印(yin)刷頭孔(kong)口直徑，繪制了Ohnesorge對(dui)Reynolds數(shu)。當將圖3與圖2比較時，所有描述的(de)噴墨制劑在“可印(yin)刷的(de)流體”的(de)界(jie)限內。

在(zai)一些實施(shi)方案(an)中，油墨(mo)組合(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)可以(yi)包(bao)括(kuo)(kuo)含有(you)(you)(you)蝕(shi)刻(ke)劑(ji)的(de)溶劑(ji)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)蝕(shi)刻(ke)劑(ji)可以(yi)從表面(在(zai)其上(shang)沉(chen)積所(suo)述(shu)(shu)(shu)組合(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu))去除材料。油墨(mo)組合(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)可以(yi)替代地含有(you)(you)(you)改性(xing)劑(ji)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)改性(xing)劑(ji)可以(yi)改變襯底表面的(de)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)理性(xing)質。可以(yi)添(tian)加化合(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)例如表面活性(xing)劑(ji)、粘合(he)(he)(he)劑(ji)、載體(ti)溶劑(ji)或其它化合(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)以(yi)調節表面張(zhang)力、增強潤濕并促(cu)進蝕(shi)刻(ke)速率和膜干(gan)燥(zao)。因(yin)此，所(suo)述(shu)(shu)(shu)組合(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)可以(yi)包(bao)括(kuo)(kuo)有(you)(you)(you)助于所(suo)述(shu)(shu)(shu)組合(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)的(de)配制、所(suo)述(shu)(shu)(shu)組合(he)(he)(he)物(wu)(wu)(wu)(wu)(wu)的(de)印刷或它們(men)在(zai)最終用途(tu)應用中的(de)性(xing)能的(de)材料。

根據(ju)一(yi)個(ge)或(huo)多個(ge)實施方(fang)案，噴墨工藝的(de)(de)(de)溫度可以取決于溶劑(ji)系(xi)(xi)統。溶劑(ji)或(huo)溶劑(ji)系(xi)(xi)統一(yi)般應(ying)與蝕刻劑(ji)或(huo)改性(xing)(xing)劑(ji)兼(jian)容(rong)。溶劑(ji)應(ying)具有(you)足夠(gou)的(de)(de)(de)揮發(fa)性(xing)(xing)，使得它們將在(zai)(zai)大氣(qi)壓下在(zai)(zai)相對低(di)(di)水平的(de)(de)(de)熱下蒸發(fa)，但又不那么(me)有(you)揮發(fa)性(xing)(xing)而使得油墨在(zai)(zai)噴墨過(guo)程期間在(zai)(zai)正常室溫下迅速(su)干燥。在(zai)(zai)一(yi)些實施方(fang)案中，溶劑(ji)通常應(ying)具有(you)小于約175℃的(de)(de)(de)沸點和相對低(di)(di)的(de)(de)(de)蒸發(fa)速(su)率。

在(zai)本(ben)文中公開了(le)一(yi)系列可噴墨(mo)的(de)流體和它(ta)們用于生產在(zai)單晶(jing)硅和多晶(jing)硅兩者中的(de)選擇性發射極(ji)和/或(huo)背(bei)接觸太陽能電池的(de)相關加(jia)工參數。

根據一(yi)個(ge)或(huo)多個(ge)實施方案，可(ke)印刷(shua)的(de)(de)(de)油(you)墨可(ke)用作n-摻(chan)(chan)雜。該(gai)n-摻(chan)(chan)雜通常印刷(shua)在“裸”(非含氮化(hua)硅(gui)或(huo)氧氮化(hua)硅(gui)的(de)(de)(de))單晶(jing)或(huo)多晶(jing)硅(gui)襯(chen)底(di)上(shang)。印刷(shua)后，可(ke)以(yi)首(shou)先將(jiang)襯(chen)底(di)在低于約175℃的(de)(de)(de)溫度下干燥，或(huo)者直接放(fang)置到在約800℃至(zhi)大(da)于約1000℃的(de)(de)(de)溫度下的(de)(de)(de)擴(kuo)散(san)爐中(zhong)。擴(kuo)散(san)時間(jian)取決于所選擇的(de)(de)(de)擴(kuo)散(san)溫度，n層的(de)(de)(de)初始摻(chan)(chan)雜劑濃度(薄(bo)層電阻)和在n+區中(zhong)所需的(de)(de)(de)最終摻(chan)(chan)雜劑濃度(薄(bo)層電阻)。

圖4A呈現了根據一個或多個實施方案的(de)用(yong)(yong)(yong)于采(cai)用(yong)(yong)(yong)n-摻雜噴墨(mo)制(zhi)劑在c-Si中產(chan)生選擇性(xing)(xing)發射極結構的(de)非限制(zhi)性(xing)(xing)的(de)加工示意圖。該工藝采(cai)用(yong)(yong)(yong)隨后被紋理(li)化(hua)的(de)p型(xing)晶(jing)態硅襯底(di)開始。隨后使(n+)光發射極層擴散(san)，然后噴墨(mo)n-摻雜劑。所述噴墨(mo)的(de)n-摻雜擴散(san)以(yi)產(chan)生重(zhong)度摻雜的(de)(n++)區域。然后沉(chen)積減反(fan)射涂覆層。可以(yi)進行絲網印刷(shua)金屬化(hua)和(he)火(huo)法(fire)金屬化(hua)，以(yi)生產(chan)最終的(de)選擇性(xing)(xing)發射極結構。

非限制性的n-摻雜制劑可以含有1至90wt％的一種(或多種)活性成分，且余量含有下列的任何組合：10至90wt％的一種(或多種)溶劑，0至5wt％的一種(或多種)表面活性劑，0至5wt％的一種(或多種)消泡劑。一種(或多種)活性成分被定義為含有元素周期表VA族元素(典型地為磷或砷)的任何可溶性化合物。一種(或多種)示例性來源包括五氧化二磷(P₂O₅)、磷酸(H₃PO₄)、焦磷酸(H₄P₂O₇)、多(duo)磷酸(suan)(suan)(suan)(suan)、磷酸(suan)(suan)(suan)(suan)鹽等。溶(rong)劑被定義為任何(he)化學品或(huo)化學品混合物(wu)(wu)(wu)(有機或(huo)無機的(de)(de))，其(qi)容易溶(rong)解和(he)或(huo)產生與一(yi)種(或(huo)多(duo)種)活(huo)性(xing)成分的(de)(de)均勻混合物(wu)(wu)(wu)。表(biao)面活(huo)性(xing)劑被定義為具有控制所述(shu)制劑的(de)(de)表(biao)面張(zhang)力性(xing)質的(de)(de)唯一(yi)目而添加的(de)(de)任何(he)材料(liao)。消泡(pao)劑被定義為添加到(dao)制劑以減少(shao)或(huo)消除制劑的(de)(de)發泡(pao)的(de)(de)任何(he)材料(liao)。發現在“溶(rong)劑混合物(wu)(wu)(wu)”中包含乙(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)酯(zhi)例如(乙(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)甲(jia)酯(zhi)、乙(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)乙(yi)(yi)酯(zhi)、乙(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)丙(bing)酯(zhi)、乙(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)丁(ding)酯(zhi)、乙(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)戊酯(zhi)、乙(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)己(ji)酯(zhi)、乙(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)庚酯(zhi)和(he)乙(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)辛酯(zhi))的(de)(de)制劑最小化或(huo)消除所不希望的(de)(de)一(yi)種(或(huo)多(duo)種)殘(can)余物(wu)(wu)(wu)。

根據一個(ge)或多(duo)個(ge)實施方案，可(ke)印(yin)(yin)刷(shua)的(de)(de)油墨可(ke)以用作(zuo)p-摻雜(za)。P-摻雜(za)通常印(yin)(yin)在(zai)(zai)“裸”(非含(han)氮化硅(gui)或氧氮化硅(gui)的(de)(de))單晶(jing)或多(duo)晶(jing)硅(gui)襯(chen)(chen)底。印(yin)(yin)刷(shua)后，可(ke)以首(shou)先將襯(chen)(chen)底加熱到(dao)175℃至250℃的(de)(de)溫(wen)(wen)(wen)度以引發將在(zai)(zai)襯(chen)(chen)底之上(shang)產生包含(han)p摻雜(za)的(de)(de)膜的(de)(de)反應。這個(ge)初始加熱步驟不是強制性的(de)(de)，但(dan)確(que)實使(shi)p摻雜(za)材料的(de)(de)擴(kuo)展最(zui)小化且(qie)使(shi)印(yin)(yin)刷(shua)區域(yu)上(shang)方的(de)(de)摻雜(za)劑(ji)(ji)濃度最(zui)大化。接著可(ke)使(shi)襯(chen)(chen)底在(zai)(zai)約800℃到(dao)大于(yu)約1000℃的(de)(de)溫(wen)(wen)(wen)度下(xia)擴(kuo)散(san)(san)。擴(kuo)散(san)(san)時間取決于(yu)所選擇的(de)(de)擴(kuo)散(san)(san)溫(wen)(wen)(wen)度，p層的(de)(de)初始摻雜(za)劑(ji)(ji)濃度(薄層電阻)和在(zai)(zai)p+區域(yu)中所需(xu)的(de)(de)最(zui)終摻雜(za)劑(ji)(ji)濃度(薄層電阻)。

非限制性的p-摻雜制劑含有1至90wt％的一種(或多種)活性成分，且余量含有下列的任何組合：10至90wt％的一種(或多種)溶劑，0至5wt％的一種(或多種)表面活性劑，0至5wt％的一種(或多種)消泡劑。一種(或多種)活性成分被定義為含有元素周期表IIIA元素(典型地為硼或鋁)的任何可溶性化合物。一種(或多種)示例性來源包括三氧化二硼(B₂O₃)、硼酸(H₃BO₃)、硼酸三乙酯等。

在一些實施方案(an)中，油墨可(ke)以促進p-摻雜和提(ti)供(gong)用于(yu)鍍(du)覆(fu)的催(cui)化劑。因此(ci)根據一個或多個實施方案(an)油墨可(ke)以用作催(cui)化p-摻雜劑。

根據一(yi)個或多個實(shi)施方(fang)案，油墨可(ke)以是雙(shuang)(shuang)功(gong)(gong)能油墨。術語“雙(shuang)(shuang)功(gong)(gong)能”通常是指噴墨流體可(ke)容易蝕刻(ke)預沉(chen)積的(de)(de)(de)氮(dan)(dan)化(hua)(hua)硅(gui)或氧(yang)氮(dan)(dan)化(hua)(hua)硅(gui)層(ceng)(ceng)，同(tong)時還含有材料來摻雜(za)(za)下(xia)面的(de)(de)(de)硅(gui)中的(de)(de)(de)n+層(ceng)(ceng)。雙(shuang)(shuang)功(gong)(gong)能摻雜(za)(za)劑通常印刷在氮(dan)(dan)化(hua)(hua)硅(gui)或氧(yang)氮(dan)(dan)化(hua)(hua)硅(gui)涂覆(fu)的(de)(de)(de)單晶或多晶硅(gui)襯底上(shang)。印刷后，可(ke)以首先將氮(dan)(dan)化(hua)(hua)硅(gui)或氧(yang)氮(dan)(dan)化(hua)(hua)硅(gui)在約(yue)225℃至(zhi)約(yue)350℃的(de)(de)(de)溫(wen)(wen)度下(xia)蝕刻(ke)約(yue)30秒(miao)或更多。在蝕刻(ke)后，需要在約(yue)800℃至(zhi)約(yue)1000℃的(de)(de)(de)溫(wen)(wen)度下(xia)的(de)(de)(de)擴散(san)步驟(zou)。擴散(san)時間取決于所選擇的(de)(de)(de)擴散(san)溫(wen)(wen)度，n層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)初始(shi)摻雜(za)(za)劑濃(nong)度(薄(bo)層(ceng)(ceng)電(dian)阻)和在n+區域中所需的(de)(de)(de)最終摻雜(za)(za)劑濃(nong)度(薄(bo)層(ceng)(ceng)電(dian)阻)。

圖(tu)4B提出了用(yong)于采用(yong)雙(shuang)功能(neng)噴墨(mo)(mo)制(zhi)劑在c-Si中產(chan)生(sheng)選(xuan)擇性發(fa)射極結構的(de)非限制(zhi)性的(de)加工示意圖(tu)。p型晶態硅襯底可(ke)以(yi)是紋理化的(de)。可(ke)以(yi)在減反射涂覆層的(de)沉積之(zhi)前使(n+)光發(fa)射極層擴散。然后，可(ke)將雙(shuang)功能(neng)油墨(mo)(mo)噴墨(mo)(mo)。可(ke)以(yi)使用(yong)雙(shuang)功能(neng)油墨(mo)(mo)蝕刻減反射涂覆層。可(ke)以(yi)使剩(sheng)余的(de)n-摻雜來源擴散以(yi)產(chan)生(sheng)重(zhong)度摻雜(n++)區域。可(ke)以(yi)進行(xing)絲(si)網(wang)印(yin)刷(shua)或鍍覆接觸(chu)金屬(shu)化。還可(ke)以(yi)進行(xing)絲(si)網(wang)印(yin)刷(shua)背面金屬(shu)化和/或火法金屬(shu)化，以(yi)生(sheng)產(chan)最終的(de)選(xuan)擇性發(fa)射極結構。

非限制性的雙功能制劑可以含有1至90wt％的一種(或多種)活性成分，且余量含有下列的任何組合：10至90wt％的一種(或多種)溶劑，0至5wt％的一種(或多種)表面活性劑，0至5wt％的一種(或多種)消泡劑。一種(或多種)活性成分被定義為含有元素周期表VA族元素(典型地為磷或砷)的任何可溶性化合物。一種(或多種)示例性來源包括五氧化二磷(P₂O₅)、磷酸(H₃PO₄)、焦磷酸(H₄P₂O₇)、多(duo)磷(lin)酸(suan)(suan)(suan)(suan)、磷(lin)酸(suan)(suan)(suan)(suan)鹽等。發現(xian)在(zai)“溶劑(ji)混合物”中(zhong)包含乙(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)酯(zhi)(zhi)例如(ru)(乙(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)甲(jia)酯(zhi)(zhi)、乙(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)乙(yi)酯(zhi)(zhi)、乙(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)丙(bing)酯(zhi)(zhi)、乙(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)丁酯(zhi)(zhi)、乙(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)戊酯(zhi)(zhi)、乙(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)己酯(zhi)(zhi)、乙(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)庚酯(zhi)(zhi)和乙(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)辛酯(zhi)(zhi))的制(zhi)劑(ji)最小(xiao)化或(huo)消除所不(bu)希(xi)望的一(yi)種(或(huo)多(duo)種)殘余物。

根據一個或多個實施方案，油墨可以是三功能的。術語“三功能”，是指噴墨流體可容易蝕刻預沉積的氮化硅或氧氮化硅層同時含有材料來催化表面以引發非電解鍍鎳以及摻雜下面的硅中的n+層。三功能摻雜劑典型地印刷于以下之一上：硅、氮化硅或氧氮化硅涂覆的單晶或多晶硅襯底。在氮化硅或氧氮化硅涂覆的襯底的頂部上印刷后，可以首先在約225℃至大于約350℃的溫度下蝕刻襯底約30秒或更大。如果在硅之上印刷，可以首先在約175℃或更低的溫度下干燥襯底，或將其直接放置到擴散爐中。在蝕刻或干燥后，通過在約800℃至約1000℃的溫度下的擴散步驟來實現較低的接觸電阻。擴散時間取決于所選擇的擴散溫度，n層的初始摻雜劑濃度(薄層電阻)和在n+區中所需的最終摻雜劑濃度(薄層電阻)。然而，800℃至1000℃的擴散步驟對于引發在印刷區域上鍍鎳不是強制的。因此，如果只需要鍍鎳，可以跳過擴散步驟。然而，在印刷以促進鎳的良好粘附后，推薦在鍍覆之前襯底經歷約300℃或更多的溫度。在熱處理后，為了引發在印刷區域上鍍鎳，必須將晶片浸入在特性浴溫度下的酸性或堿性非電解鍍鎳浴中。襯底應保持在鎳浴中，持續對于沉積連續的鎳層所需的那樣長。然后必須將鎳層帶到約250℃至約300℃的溫度以形成低電阻率硅化鎳(Ni₂Si)，或帶到大于約300℃的溫度以形成更高電阻率硅化鎳(NiSi₂)。然后可(ke)以用(yong)選擇的金(jin)屬例如銅、銀(yin)和/或(huo)錫進一步(bu)鍍覆含鎳(nie)區域。

圖4C呈現了用(yong)于(yu)采(cai)用(yong)三功(gong)能噴墨(mo)制(zhi)(zhi)劑在c-Si和鍍(du)覆(fu)接觸(chu)部中(zhong)產生(sheng)選(xuan)擇性(xing)發射極(ji)結構的(de)非限(xian)制(zhi)(zhi)性(xing)的(de)加工示(shi)意圖。p型(xing)晶態(tai)硅襯(chen)底可(ke)以(yi)(yi)(yi)是紋理(li)化(hua)(hua)的(de)。可(ke)以(yi)(yi)(yi)在減反射涂覆(fu)層的(de)沉積之前使(n+)光(guang)發射極(ji)層擴散(san)。然(ran)后，可(ke)以(yi)(yi)(yi)將三功(gong)能油(you)墨(mo)噴墨(mo)。可(ke)以(yi)(yi)(yi)蝕刻減反射涂覆(fu)層同時(shi)沉積催化(hua)(hua)劑。可(ke)以(yi)(yi)(yi)使剩余的(de)n-摻(chan)雜來源(yuan)擴散(san)以(yi)(yi)(yi)產生(sheng)重度摻(chan)雜(n++)區域。隨后可(ke)以(yi)(yi)(yi)非電(dian)解(jie)鍍(du)覆(fu)Ni-P層。可(ke)以(yi)(yi)(yi)加熱Ni-P層以(yi)(yi)(yi)形(xing)成(cheng)硅化(hua)(hua)鎳。例如(ru)可(ke)以(yi)(yi)(yi)用(yong)銅、錫(xi)、銀或任何(he)所需(xu)(xu)的(de)組合鍍(du)覆(fu)所需(xu)(xu)的(de)接觸(chu)金屬(shu)化(hua)(hua)層。可(ke)以(yi)(yi)(yi)進行(xing)絲網印刷背(bei)面(mian)金屬(shu)化(hua)(hua)和/或火(huo)法金屬(shu)化(hua)(hua)，以(yi)(yi)(yi)產生(sheng)最(zui)終的(de)選(xuan)擇性(xing)發射極(ji)接觸(chu)結構。

非限制性的三功能制劑可以含有1至90wt％的活性成分，且余量含有下列的任何組合：10至90wt％的一種(或多種)溶劑，0至10wt％的一種(或多種)還原劑，0至5wt％的一種(或多種)表面活性劑，和/或0至5wt％的一種(或多種)消泡劑。三功能油墨含有至少一種來自兩類活性成分的每個的一種化合物。I類被定義為含有一種(或多種)元素周期表VA族元素(典型地為磷或砷)的任何可溶性化合物。II類被定義為當溶解時含有在被還原后形成將催化非電解鎳沉積的原子的組分的任何化合物。一種(或多種)I類活性成分的一種(或多種)示例性來源包括：五氧化二磷(P₂O₅)、磷酸(H₃PO₄)、焦磷酸(H₄P₂O₇)、多(duo)(duo)(duo)磷酸(suan)(suan)(suan)(suan)、磷酸(suan)(suan)(suan)(suan)鹽(yan)等。一(yi)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(或(huo)(huo)多(duo)(duo)(duo)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(zhong))II類活性(xing)成(cheng)分(fen)的(de)一(yi)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(或(huo)(huo)多(duo)(duo)(duo)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(zhong))示(shi)例性(xing)來源包(bao)(bao)括：氯化(hua)鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(II)，氯化(hua)鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(IV)，乙(yi)(yi)(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(II)，反(fan)式二(er)(er)氯二(er)(er)氨合(he)(he)鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(II)，順式二(er)(er)氯二(er)(er)氨合(he)(he)鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(II)，碳酸(suan)(suan)(suan)(suan)氫(qing)四(si)氨合(he)(he)鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，二(er)(er)氯四(si)氨合(he)(he)鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(II)，四(si)氯鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(II)酸(suan)(suan)(suan)(suan)鈉，四(si)氯鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(II)酸(suan)(suan)(suan)(suan)鉀，硝(xiao)酸(suan)(suan)(suan)(suan)鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(II)，氧化(hua)鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(II)，碘化(hua)鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(II)和二(er)(er)硝(xiao)基二(er)(er)氨合(he)(he)鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(II)。一(yi)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(或(huo)(huo)多(duo)(duo)(duo)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(zhong))還原劑被(bei)定義為任(ren)何(he)化(hua)學品(pin)或(huo)(huo)化(hua)學品(pin)化(hua)合(he)(he)物(wu)(wu)，其將容易溶(rong)(rong)解(jie)(jie)在一(yi)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(或(huo)(huo)多(duo)(duo)(duo)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(zhong))溶(rong)(rong)劑中并(bing)且含有在溶(rong)(rong)解(jie)(jie)時具有比溶(rong)(rong)解(jie)(jie)的(de)一(yi)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)或(huo)(huo)多(duo)(duo)(duo)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)催化(hua)組分(fen)更負(fu)性(xing)的(de)標準電極電勢(shi)的(de)元素。發現在“溶(rong)(rong)劑混合(he)(he)物(wu)(wu)”中包(bao)(bao)含乙(yi)(yi)(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)酯例如(乙(yi)(yi)(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)甲酯、乙(yi)(yi)(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)乙(yi)(yi)(yi)(yi)酯、乙(yi)(yi)(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)丙酯、乙(yi)(yi)(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)丁酯、乙(yi)(yi)(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)戊酯、乙(yi)(yi)(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)己酯、乙(yi)(yi)(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)庚酯和乙(yi)(yi)(yi)(yi)酸(suan)(suan)(suan)(suan)辛(xin)酯)的(de)制劑最小(xiao)化(hua)或(huo)(huo)消除所不(bu)希望的(de)一(yi)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(或(huo)(huo)多(duo)(duo)(duo)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(zhong))殘余(yu)物(wu)(wu)。

根據一個或多個實施方案，油墨可(ke)用(yong)作用(yong)于任何金屬(shu)的(de)蝕刻(ke)物。這些金屬(shu)包括但(dan)不限于鋁(lv)、鎳釩、金、銀、銅(tong)、鈀(ba)和鉑。

例如，根據一個或多個非限制性實施方案油墨可以是鋁蝕刻物或的鋁蝕刻物-鎳催化劑。鋁蝕刻物是指噴墨流體，其可容易蝕刻預沉積的鋁和鈍化層。鋁蝕刻物鎳催化劑版本包含的材料還在蝕刻后引發印刷區域上的非電解鍍鎳。鋁蝕刻物和鎳催化劑版本通常印刷在濺射或絲網印刷的鋁涂覆的單晶或多結晶硅襯底之上。印刷后，取決于鋁和鈍化層厚度和一種(或多種)活性成分，可在約25℃至約60℃或更高的溫度下蝕刻涂覆的晶片。蝕刻時間取決于鋁和鈍化層厚度和一種(或多種)活性成分。蝕刻之后，如果不需要鍍鎳，推薦蒸餾水沖洗。然而，在用鎳催化劑版本印刷后，為了增強的粘附，必須將晶片暴露于約350℃或更高的溫度。在熱處理后，為了引發在印刷區域上鍍鎳，必須將晶片浸入在特性浴溫度下的酸性或堿性非電解鍍鎳浴中。襯底應保持在鎳浴中，持續對于沉積連續的鎳層所需的那樣長。然后必須將鎳層帶到約250℃至約300℃的溫度以形成低電阻率硅化鎳(Ni₂Si)，或帶到大于約300℃的溫度以形成更高電阻率硅化鎳(NiSi₂)。然后可用選擇的金屬例如銅和/或(huo)錫進一步(bu)電鍍含鎳區域。

圖(tu)4D呈現了用于(yu)利(li)用金(jin)屬(shu)蝕刻噴墨制劑在金(jin)屬(shu)層和(he)(he)金(jin)屬(shu)鈍化層中蝕刻結(jie)構(gou)的非限制性的加工示(shi)意圖(tu)。用金(jin)屬(shu)和(he)(he)鈍化層涂覆襯(chen)底。然后(hou)將金(jin)屬(shu)蝕刻油墨噴墨。將襯(chen)底設置到蝕刻溫(wen)度。然后(hou)同時刻蝕金(jin)屬(shu)層和(he)(he)鈍化層。

非限制(zhi)性(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)鋁蝕刻制(zhi)劑(ji)可(ke)以(yi)含有(you)1至(zhi)(zhi)(zhi)90wt％的(de)(de)(de)(de)(de)活性(xing)成(cheng)分，且(qie)余(yu)量含有(you)下列(lie)的(de)(de)(de)(de)(de)任(ren)何(he)(he)組合(he)(he)(he)(he)：10至(zhi)(zhi)(zhi)90wt％的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(或(huo)多(duo)(duo)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong))溶(rong)劑(ji)，0至(zhi)(zhi)(zhi)10wt％的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(或(huo)多(duo)(duo)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong))還原劑(ji)，<1至(zhi)(zhi)(zhi)20wt％的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(或(huo)多(duo)(duo)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong))酸(suan)(suan)(suan)(suan)洗劑(ji)，0至(zhi)(zhi)(zhi)5wt％的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(或(huo)多(duo)(duo)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong))表(biao)面活性(xing)劑(ji)，和(he)(he)0至(zhi)(zhi)(zhi)5wt％的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(或(huo)多(duo)(duo)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong))消(xiao)泡劑(ji)。鋁和(he)(he)鈍(dun)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)層蝕刻鎳催(cui)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)劑(ji)油墨含有(you)至(zhi)(zhi)(zhi)少一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)來(lai)自兩類(lei)(lei)活性(xing)成(cheng)分的(de)(de)(de)(de)(de)每個的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)合(he)(he)(he)(he)物(wu)。I類(lei)(lei)被定義(yi)為(wei)含有(you)元素周期(qi)表(biao)IA族元素的(de)(de)(de)(de)(de)可(ke)溶(rong)性(xing)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)合(he)(he)(he)(he)物(wu)和(he)(he)/或(huo)將容易溶(rong)解在一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(或(huo)多(duo)(duo)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong))溶(rong)劑(ji)中并(bing)且(qie)含有(you)在溶(rong)解時具有(you)比沉(chen)積到其(qi)上的(de)(de)(de)(de)(de)金(jin)(jin)屬高(gao)的(de)(de)(de)(de)(de)標準電(dian)極電(dian)勢的(de)(de)(de)(de)(de)元素的(de)(de)(de)(de)(de)任(ren)何(he)(he)可(ke)溶(rong)性(xing)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)合(he)(he)(he)(he)物(wu)。II類(lei)(lei)被定義(yi)為(wei)任(ren)何(he)(he)可(ke)溶(rong)性(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)含鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)合(he)(he)(he)(he)物(wu)。一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(或(huo)多(duo)(duo)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong))I類(lei)(lei)活性(xing)成(cheng)份(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(或(huo)多(duo)(duo)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong))示(shi)例(li)(li)性(xing)來(lai)源(yuan)(yuan)包(bao)(bao)括(kuo)：硫酸(suan)(suan)(suan)(suan)銅(II)、氯化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)金(jin)(jin)(I)、氯化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)金(jin)(jin)(III)、氟化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)銨(an)、硝(xiao)酸(suan)(suan)(suan)(suan)、硫酸(suan)(suan)(suan)(suan)、氯化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鎳(II)、氯化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鐵(II)、氯化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鐵(III)、氯化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋅(II)、氫氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉀、氫氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈉和(he)(he)氫氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋰。一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(或(huo)多(duo)(duo)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong))II類(lei)(lei)活性(xing)成(cheng)份(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(或(huo)多(duo)(duo)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong))示(shi)例(li)(li)性(xing)來(lai)源(yuan)(yuan)包(bao)(bao)括(kuo)：氯化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(II)，氯化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(IV)，乙酸(suan)(suan)(suan)(suan)鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(II)，反式(shi)(shi)二(er)(er)氯二(er)(er)氨(an)合(he)(he)(he)(he)鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(II)，順式(shi)(shi)二(er)(er)氯二(er)(er)氨(an)合(he)(he)(he)(he)鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(II)，碳酸(suan)(suan)(suan)(suan)氫四氨(an)合(he)(he)(he)(he)鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)，二(er)(er)氯四氨(an)合(he)(he)(he)(he)鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(II)，四氯鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(II)酸(suan)(suan)(suan)(suan)鈉，四氯鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(II)酸(suan)(suan)(suan)(suan)鉀，硝(xiao)酸(suan)(suan)(suan)(suan)鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(II)，氧(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(II)，碘化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(II)和(he)(he)二(er)(er)硝(xiao)基(ji)二(er)(er)氨(an)合(he)(he)(he)(he)鈀(ba)(ba)(ba)(ba)(ba)(II)。酸(suan)(suan)(suan)(suan)洗劑(ji)被定義(yi)為(wei)任(ren)何(he)(he)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)學品或(huo)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)學品化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)合(he)(he)(he)(he)物(wu)，其(qi)將容易去除金(jin)(jin)屬鈍(dun)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)層。酸(suan)(suan)(suan)(suan)洗劑(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)示(shi)例(li)(li)性(xing)來(lai)源(yuan)(yuan)是(shi)：鹽(yan)酸(suan)(suan)(suan)(suan)、硫酸(suan)(suan)(suan)(suan)、硝(xiao)酸(suan)(suan)(suan)(suan)和(he)(he)磷酸(suan)(suan)(suan)(suan)。發現在“溶(rong)劑(ji)混合(he)(he)(he)(he)物(wu)”中包(bao)(bao)含乙酸(suan)(suan)(suan)(suan)酯(zhi)例(li)(li)如(ru)(乙酸(suan)(suan)(suan)(suan)甲酯(zhi)、乙酸(suan)(suan)(suan)(suan)乙酯(zhi)、乙酸(suan)(suan)(suan)(suan)丙酯(zhi)、乙酸(suan)(suan)(suan)(suan)丁酯(zhi)、乙酸(suan)(suan)(suan)(suan)戊酯(zhi)、乙酸(suan)(suan)(suan)(suan)己(ji)酯(zhi)、乙酸(suan)(suan)(suan)(suan)庚(geng)酯(zhi)和(he)(he)乙酸(suan)(suan)(suan)(suan)辛酯(zhi))的(de)(de)(de)(de)(de)制(zhi)劑(ji)最小化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)或(huo)消(xiao)除所不(bu)希(xi)望的(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)(或(huo)多(duo)(duo)種(zhong)(zhong)(zhong)(zhong))殘余(yu)物(wu)。

在另一個例子中，根據一個或多個實施方案油墨可以是鎳釩蝕刻物或鎳釩蝕刻物-鎳催化劑。鎳釩蝕刻物是指噴墨流體，其可容易蝕刻預沉積的鎳釩和鈍化層。鎳釩蝕刻物鎳催化劑版本包含的材料在蝕刻后引發在印刷區域上的非電解鍍鎳。鎳釩蝕刻物和鎳催化劑版本通常印刷在濺射的鎳釩涂覆的單晶或多晶硅襯底上。印刷后，取決于鎳釩厚度以及一種(或多種)活性成分，可在約25℃至約60℃或更高的溫度下蝕刻涂覆的晶片。蝕刻之后，如果不需要鍍鎳，推薦蒸餾水沖洗。然而，在用鎳催化劑版本印刷后，為了增強的鎳粘附，必須將晶片暴露于約350℃或更高的溫度。在熱處理后，為了引發在印刷區域上鍍鎳，必須將晶片浸入在特性浴溫度下的酸性或堿性非電解鍍鎳浴中。襯底應保持在鎳浴中，持續對于沉積連續的鎳層所需的那樣長。然后必須將鎳層帶到約250℃至約300℃的溫度以形成低電阻率硅化鎳(Ni₂Si)，或帶到大于約300℃的溫度以形成更高電阻率硅化鎳(NiSi₂)。然后例如可以用選擇的金屬例如銅和/或(huo)錫(xi)進一步鍍覆含鎳區域。

表2呈現了根(gen)據一(yi)個(ge)(ge)或多個(ge)(ge)非限制(zhi)性實(shi)施方案的(de)(de)一(yi)些優選的(de)(de)噴墨流體制(zhi)劑(ji)。

表2

與上面溶劑2相關的N^*代表具有C_xH_y0₂分子式的(de)任何(he)單一乙酸酯或乙酸酯混(hun)合物(wu)的(de)重量百分比范(fan)圍內，其中x的(de)最優選的(de)值是3至10，y為6至20。

根據(ju)一(yi)(yi)個(ge)或(huo)多(duo)(duo)個(ge)實施(shi)方案，可以通過(guo)在室溫(wen)下(xia)將組(zu)分混(hun)合在一(yi)(yi)起然(ran)后經過(guo)過(guo)濾器(qi)(例如0.2微米過(guo)濾器(qi))過(guo)濾油(you)墨來制作油(you)墨。通常，可以預先混(hun)合非酸油(you)墨組(zu)分(醇(chun)、二醇(chun)、乙酸酯和其它溶劑(ji))，然(ran)后可以將一(yi)(yi)種(zhong)(zhong)(或(huo)多(duo)(duo)種(zhong)(zhong))酸添(tian)加到該溶劑(ji)混(hun)合物。

在一些實施方案中，可以在用于太陽能前接觸部(c-Si)的非接觸噴墨選擇性發射極溶液中使用油墨。這樣的方法通常可以是單步、高純度、非接觸和成本有效的。高純度組分可以最小化高移動性陽離子(金屬性)污染擴散到硅中。在一些實施方案中，可以實現約0.5％至約0.6％或更高的增強電池效率。可以通過蝕刻穿過SiN_x ARC層接(jie)著用所公開的(de)(de)油墨制(zhi)劑(ji)擴散摻雜硅發(fa)(fa)射極來使(shi)更有(you)效(xiao)的(de)(de)前接(jie)觸部成(cheng)為可(ke)(ke)能。選擇性(xing)發(fa)(fa)射極方法可(ke)(ke)從蝕刻/摻雜工藝分離金屬(shu)化(hua)工藝以(yi)使(shi)兩者的(de)(de)結果(guo)最大化(hua)。還可(ke)(ke)以(yi)實(shi)(shi)(shi)現精(jing)確沉積性(xing)能，用50微(wei)米(mi)印刷證實(shi)(shi)(shi)。蝕刻精(jing)確的(de)(de)50微(wei)米(mi)特(te)(te)征(zheng)的(de)(de)能力已被證實(shi)(shi)(shi)。在(zai)一些(xie)實(shi)(shi)(shi)施(shi)方案(an)中，可(ke)(ke)以(yi)實(shi)(shi)(shi)現低于50微(wei)米(mi)的(de)(de)蝕刻特(te)(te)征(zheng)。在(zai)至少一個實(shi)(shi)(shi)施(shi)方案(an)中，可(ke)(ke)以(yi)實(shi)(shi)(shi)現35微(wei)米(mi)或更小的(de)(de)蝕刻特(te)(te)征(zheng)。

根據(ju)一個(ge)或多(duo)個(ge)實施(shi)(shi)方案(an)，可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)從印刷(shua)頭(tou)噴(pen)射(she)噴(pen)墨材(cai)料(liao)。在(zai)至(zhi)(zhi)少一些實施(shi)(shi)方案(an)中(zhong)，可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)將用(yong)(yong)于噴(pen)墨沉積(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)印刷(shua)頭(tou)設(she)計為基(ji)本上惰性的(de)(de)(de)(de)(de)，并(bing)且與所公開的(de)(de)(de)(de)(de)油墨制劑(例如(ru)用(yong)(yong)于在(zai)太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)技術(shu)中(zhong)使用(yong)(yong)的(de)(de)(de)(de)(de))一起表現可(ke)(ke)靠。該(gai)印刷(shua)頭(tou)通常可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)能(neng)(neng)夠適(shi)合包括酸性摻雜劑和(he)堿性蝕刻劑的(de)(de)(de)(de)(de)太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)工(gong)藝(yi)流體(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)沉積(ji)。根據(ju)一個(ge)或多(duo)個(ge)實施(shi)(shi)方案(an)，使用(yong)(yong)這(zhe)樣的(de)(de)(de)(de)(de)設(she)備如(ru)Dimatix的(de)(de)(de)(de)(de)DMP 2800(10pl或1pl)和(he)Trident Pixel Jet或256Jet-S噴(pen)墨頭(tou)(7和(he)30pl兩者)在(zai)約(yue)25℃至(zhi)(zhi)約(yue)70℃的(de)(de)(de)(de)(de)頭(tou)溫(wen)度和(he)約(yue)室溫(wen)至(zhi)(zhi)大于約(yue)100℃的(de)(de)(de)(de)(de)壓板(ban)溫(wen)度下(xia)，油墨可(ke)(ke)為可(ke)(ke)噴(pen)射(she)的(de)(de)(de)(de)(de)。可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)使用(yong)(yong)其它噴(pen)墨印刷(shua)設(she)備。

表3呈現(xian)了根據一(yi)(yi)個或(huo)多個非限制(zhi)性實施方案的一(yi)(yi)些另(ling)外的優(you)選(xuan)噴墨流(liu)體制(zhi)劑。

表3

許多(duo)噴墨制(zhi)(zhi)劑(ji)(ji)是固有(you)地腐蝕(shi)性(xing)的(de)和(he)/或(huo)(huo)充當各(ge)種(zhong)金屬(shu)的(de)酸(suan)洗劑(ji)(ji)。因此，為了流體預期的(de)可噴射性(xing)，與特定(ding)制(zhi)(zhi)劑(ji)(ji)接(jie)觸的(de)印(yin)刷頭(tou)和(he)任何其它材(cai)料例(li)(li)如(ru)管道、貯存器(qi)和(he)內部(bu)零(ling)件對該(gai)制(zhi)(zhi)劑(ji)(ji)必(bi)須是“惰(duo)性(xing)的(de)”。惰(duo)性(xing)可通常(chang)通過這樣的(de)材(cai)料來(lai)定(ding)義：該(gai)材(cai)料在(zai)對于印(yin)刷常(chang)見的(de)提高溫度(約(yue)20℃至約(yue)90℃或(huo)(huo)更高)下與制(zhi)(zhi)劑(ji)(ji)接(jie)觸時，不容易溶解(jie)、反應或(huo)(huo)分解(jie)。此外(wai)，由(you)容易鈍化的(de)材(cai)料例(li)(li)如(ru)一(yi)種(zhong)(或(huo)(huo)多(duo)種(zhong))奧氏(shi)體、鐵素體、馬(ma)氏(shi)體和(he)/或(huo)(huo)雙相(“不銹”或(huo)(huo)“耐腐蝕(shi)”)鋼(gang)構造的(de)印(yin)刷頭(tou)在(zai)與制(zhi)(zhi)劑(ji)(ji)接(jie)觸的(de)區(qu)域中應沉積有(you)一(yi)種(zhong)(或(huo)(huo)多(duo)種(zhong))貴金屬(shu)例(li)(li)如(ru)金、銠、鉑、鈀、銀、銥、釕和(he)/或(huo)(huo)鋨的(de)外(wai)層。可以經(jing)由(you)通常(chang)稱作(zuo)電鍍的(de)技術來(lai)沉積該(gai)惰(duo)性(xing)層。

根據(ju)一些(xie)非(fei)限制性實(shi)(shi)施(shi)方案，可以(yi)通過在(zai)(zai)熱(re)板(ban)上(shang)或(huo)(huo)在(zai)(zai)爐(lu)中熱(re)處理噴墨印(yin)刷的(de)零件至(zhi)(zhi)約(yue)250℃到(dao)(dao)約(yue)400℃的(de)溫度持(chi)續(xu)約(yue)0至(zhi)(zhi)約(yue)120秒來實(shi)(shi)現蝕刻。當在(zai)(zai)空(kong)氣(qi)中或(huo)(huo)在(zai)(zai)箱式爐(lu)中將印(yin)刷的(de)樣(yang)品(pin)加(jia)熱(re)到(dao)(dao)約(yue)800℃至(zhi)(zhi)約(yue)1000℃的(de)溫度持(chi)續(xu)約(yue)0至(zhi)(zhi)約(yue)60分鐘時，這些(xie)磷(lin)酸基蝕刻劑(ji)將既(ji)蝕刻硅又(用磷(lin))摻(chan)雜硅。在(zai)(zai)蝕刻和/或(huo)(huo)摻(chan)雜前后可以(yi)洗(xi)滌樣(yang)品(pin)，例如在(zai)(zai)2wt％的(de)HF溶液(ye)中持(chi)續(xu)約(yue)1分鐘然后在(zai)(zai)DI水中沖洗(xi)并干(gan)燥。蝕刻和摻(chan)雜的(de)樣(yang)品(pin)的(de)EDS分析(xi)可以(yi)顯示磷(lin)，但在(zai)(zai)蝕刻/摻(chan)雜的(de)表(biao)面區(qu)域中沒有殘留的(de)碳或(huo)(huo)氮。

當加熱至約350℃時油墨可以蝕刻穿過該SiN_x ARC層。當加熱至約800℃時，n-摻雜劑可以擴散到硅有源發射極中。后水沖洗可以完成工藝。在一些實施方案中，可以通過出于選擇性摻雜和電鍍導體的目的而從硅去除SiN_x減反射涂層來增加硅PV電(dian)池(chi)效(xiao)率。

根據(ju)一個(ge)或(huo)多個(ge)實施方(fang)案(an)，工藝(yi)步驟可(ke)(ke)以(yi)包括(kuo)油墨(mo)沉(chen)(chen)積、蝕(shi)刻(ke)和襯底(di)(di)清(qing)潔。方(fang)法通(tong)常可(ke)(ke)以(yi)包括(kuo)提供具有表(biao)面(mian)層(ceng)(ceng)的襯底(di)(di)，將油墨(mo)液滴噴射(she)到(dao)表(biao)面(mian)層(ceng)(ceng)上，使(shi)油墨(mo)與表(biao)面(mian)層(ceng)(ceng)反應從而形成(cheng)蝕(shi)刻(ke)反應的產物(wu)，并(bing)且由此消除或(huo)以(yi)其(qi)他方(fang)式改變所需(xu)的圖案(an)中的表(biao)面(mian)層(ceng)(ceng)的物(wu)理性質。可(ke)(ke)需(xu)要在(zai)(zai)蝕(shi)刻(ke)后洗滌襯底(di)(di)以(yi)去(qu)除殘(can)余物(wu)。在(zai)(zai)一些實施方(fang)案(an)中，油墨(mo)還可(ke)(ke)以(yi)促(cu)進沉(chen)(chen)積和/或(huo)摻雜(za)。

從以下實施例將(jiang)更充分(fen)地(di)理解這(zhe)些(xie)和(he)其(qi)他實施方案的(de)功能(neng)和(he)優(you)點。這(zhe)些(xie)實施例意(yi)在本(ben)質上(shang)是說明(ming)性的(de)，并且(qie)不(bu)應被視為限制本(ben)文所討論的(de)實施方案的(de)范圍。

實施例1

采(cai)用10pl液(ye)滴體(ti)積(ji)和40微米液(ye)滴間距在(zai)單硅襯底(其具有約75Ω/□的(de)初始薄層電(dian)阻(zu))之上印(yin)刷n-摻(chan)雜印(yin)刷流體(ti)制劑，并在(zai)約950℃下在(zai)空氣中擴散(san)10分鐘。加工后，實現少于約20Ω/□的(de)最終薄層電(dian)阻(zu)。

實施例2

采用10pl液(ye)滴體積和(he)40微米液(ye)滴間(jian)距在(zai)(zai)單(dan)硅襯(chen)底(其具有(you)約75Ω/□的(de)(de)初始薄層電阻)之上印(yin)刷(shua)(shua)p-摻雜印(yin)刷(shua)(shua)流體制(zhi)劑，并(bing)將其加熱(re)至175℃持續約25秒(miao)隨后在(zai)(zai)1000℃下在(zai)(zai)空氣中擴(kuo)散15分鐘。加工后，實現(xian)少于約40Ω/□的(de)(de)最終薄層電阻。

實施例3

用10pl液(ye)滴體積和(he)40微米液(ye)滴間距在單硅襯底(其具(ju)有(you)約75Ω/□的(de)初始薄層(ceng)電阻(zu))上印刷雙功能(neng)印刷流(liu)體制劑，接著是(shi)在950℃下在空氣中的(de)20分(fen)鐘擴散步驟。加(jia)工后，實現少于約15Ω/□的(de)最終薄層(ceng)電阻(zu)。

實施例4

證實了SiN_x涂覆的mc-Si上的小于約50微米寬的油墨噴射的蝕刻線。采用雙功能油墨蝕刻然后在1000℃下熱處理的樣品上的SIMS分析顯示了磷擴散到硅中，由此產生n++重度摻雜的硅，以及硅表面電阻從約100歐姆/平方至低于約40歐姆/平方的相應降低。在圖5中顯示了重度摻雜蝕刻區域(沿著蝕刻線)和離開蝕刻線兩者的SIMS擴散分布圖。蝕刻樣品(使用雙功能油墨)的俄歇分析顯示了晶片的非蝕刻區域中的氮(圖6A)，但是顯示了沿著蝕刻線無氮(圖6B)，這表明采用蝕刻去除了SiN_x涂層。

實施例5

采用(yong)印刷在(zai)單(dan)和mc-硅(gui)上的n-摻(chan)雜油(you)墨證實了具有(you)優(you)良的邊緣(yuan)限定(小(xiao)于20微米(mi))的油(you)墨噴(pen)射線(xian)。圖7A說明了在(zai)單(dan)硅(gui)上的n-摻(chan)雜油(you)墨印刷線(xian)的結果。用(yong)Dimatix DMP 2800 10pl頭(tou)在(zai)1016DPI、25伏特和40℃下將該油(you)墨在(zai)一個(ge)道次中噴(pen)射。圖7B呈現了顯示(shi)308-313微米(mi)的線(xian)寬度(du)的更高放大倍(bei)數的圖像(xiang)。

實施例6

圖(tu)8A呈現了(le)在具(ju)有(you)氮(dan)化硅(gui)和濺(jian)射的(de)鋁層的(de)單硅(gui)晶片上(shang)加(jia)工后的(de)金(jin)屬蝕刻(ke)油墨圖(tu)案結果(guo)。圖(tu)8B說(shuo)明了(le)顯示具(ju)有(you)約87微米的(de)蝕刻(ke)線寬度的(de)鋁層的(de)更高放大倍數的(de)圖(tu)像。

實施例7

圖9A呈(cheng)現了在(zai)具有氮化硅和濺射的(de)鎳釩層的(de)單硅晶片(pian)上加工(gong)后的(de)金屬蝕(shi)刻油(you)墨圖案結果。圖9B說(shuo)明(ming)了顯示具有約70微(wei)米的(de)蝕(shi)刻線(xian)寬度(du)的(de)鎳釩層的(de)更(geng)高放大(da)倍數的(de)圖像。

實施例8

圖10證(zheng)實三(san)功(gong)能油墨在加工和在非(fei)電解鍍鎳(nie)浴(yu)中(zhong)浸漬之后(hou)在印刷(shua)區域之上催化(hua)鎳(nie)層的(de)能力。在氮化(hua)硅涂覆的(de)多硅襯(chen)底上加工之后(hou)，證(zheng)實了具有鎳(nie)層的(de)約142微米的(de)代表線。

應了(le)解，本文所(suo)討論(lun)的(de)制劑、方(fang)法和設備的(de)實(shi)施(shi)方(fang)案(an)(an)在應用中(zhong)(zhong)(zhong)并(bing)不(bu)限于在接下來(lai)的(de)描述(shu)(shu)中(zhong)(zhong)(zhong)闡述(shu)(shu)或在附圖中(zhong)(zhong)(zhong)說明的(de)構造(zao)和配置的(de)細(xi)節。所(suo)述(shu)(shu)方(fang)法和設備能夠(gou)在其它實(shi)施(shi)方(fang)案(an)(an)中(zhong)(zhong)(zhong)實(shi)施(shi)且能夠(gou)以各種(zhong)方(fang)式實(shi)踐或進(jin)行(xing)。具體實(shi)施(shi)的(de)實(shi)施(shi)例在本文中(zhong)(zhong)(zhong)僅出于說明性目的(de)而提供且并(bing)不(bu)意欲為限制性的(de)。特別地，與(yu)任何一(yi)個或多個實(shi)施(shi)方(fang)案(an)(an)相(xiang)關(guan)而討論(lun)的(de)行(xing)為、要素和特征(zheng)不(bu)旨在從任何其它實(shi)施(shi)方(fang)案(an)(an)中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)類(lei)似作用被排除。

另外(wai)，本(ben)(ben)(ben)文(wen)所(suo)(suo)使用(yong)的(de)(de)(de)(de)(de)措(cuo)辭和(he)術(shu)語(yu)是為(wei)了說(shuo)明的(de)(de)(de)(de)(de)目(mu)的(de)(de)(de)(de)(de)且不(bu)應(ying)視為(wei)限制。對以(yi)(yi)單數(shu)提到(dao)的(de)(de)(de)(de)(de)本(ben)(ben)(ben)文(wen)的(de)(de)(de)(de)(de)系(xi)統(tong)和(he)方(fang)法的(de)(de)(de)(de)(de)實施方(fang)案或(huo)元素(su)(su)或(huo)行(xing)為(wei)的(de)(de)(de)(de)(de)任(ren)何(he)(he)提及(ji)也可(ke)涵蓋(gai)包(bao)括(kuo)(kuo)多個這些要素(su)(su)的(de)(de)(de)(de)(de)實施方(fang)案，并(bing)且任(ren)何(he)(he)以(yi)(yi)復數(shu)提到(dao)本(ben)(ben)(ben)文(wen)的(de)(de)(de)(de)(de)任(ren)何(he)(he)實施方(fang)案或(huo)要素(su)(su)或(huo)行(xing)為(wei)也可(ke)涵蓋(gai)僅包(bao)括(kuo)(kuo)單一要素(su)(su)的(de)(de)(de)(de)(de)實施方(fang)案。本(ben)(ben)(ben)文(wen)中使用(yong)“包(bao)括(kuo)(kuo)”，“包(bao)含”，“具有”，“含有”，“包(bao)括(kuo)(kuo)有”及(ji)其變(bian)體(ti)是指(zhi)包(bao)含其后列出的(de)(de)(de)(de)(de)項(xiang)目(mu)及(ji)其等同(tong)物以(yi)(yi)及(ji)另外(wai)的(de)(de)(de)(de)(de)項(xiang)目(mu)。提到(dao)“或(huo)”可(ke)以(yi)(yi)解釋為(wei)包(bao)含式的(de)(de)(de)(de)(de)，因此(ci)使用(yong)“或(huo)”描述的(de)(de)(de)(de)(de)任(ren)何(he)(he)術(shu)語(yu)可(ke)表示(shi)任(ren)何(he)(he)單一、大(da)于一個、和(he)所(suo)(suo)有所(suo)(suo)描述的(de)(de)(de)(de)(de)術(shu)語(yu)。對前與后、左與右(you)、頂部(bu)與底部(bu)、上與下以(yi)(yi)及(ji)豎直與水(shui)平的(de)(de)(de)(de)(de)任(ren)何(he)(he)提及(ji)旨在方(fang)便描述，而不(bu)是將(jiang)本(ben)(ben)(ben)發明的(de)(de)(de)(de)(de)系(xi)統(tong)和(he)方(fang)法或(huo)它們(men)的(de)(de)(de)(de)(de)部(bu)件限制到(dao)任(ren)何(he)(he)一個位(wei)置或(huo)空間取向。

以上描述了至少(shao)一個(ge)實施(shi)方(fang)案的若干方(fang)面，應了解的是(shi)，本領域技術人(ren)員將易(yi)于做出各種變化、改(gai)變和(he)改(gai)進。這樣的變化、改(gai)變和(he)改(gai)進旨在作為(wei)本公開內(nei)容的一部分(fen)且旨在處于本發明的范圍內(nei)。因此，前述描述和(he)附圖僅是(shi)舉例。