一種復合磨料及制備方法和在化學機械拋光中的用途
【專利摘要】本發明涉及一種無機磨料，特指一種復合磨料及制備方法和在化學機械拋光中的用途。所述復合磨料為同質異構的球形氧化硅復合微球，該磨料以單分散實體氧化硅微球為內核，表面包覆有序介孔氧化硅殼層；利用同質異構核殼結構，降低氧化硅磨粒的表面硬度和壓縮彈性模量，有利于改善磨料與晶片表面之間真實接觸區域內的接觸狀態，降低磨粒在晶片表面的壓痕深度，進而減少晶圓表面的機械損傷；借助其大的比表面積，提高磨料對拋光液中活性化學組分的吸附/釋放能力，以增強磨料與晶片表面局部真實接觸區域內的化學反應活性，從而提高材料去除率；含有所述復合磨料的拋光液能夠實現二氧化硅介質的高效無損傷拋光。
【專利說明】一種復合磨料及制備方法和在化學機械拋光中的用途

【技術領域】
[0001]本發明涉及一種無機磨料，特指一種球形同質異構氧化硅核殼復合磨料及制備方法和在化學機械拋光中的用途。

【背景技術】
[0002]隨著半導體工業技術的不斷進步，硅基超大集成電路(ULSI)正朝向集成度提高、晶片直徑增大、特征尺寸減少，以及互連線層數增多等方向發展；美國Intel公司已將14nm工藝投入量產，中國臺灣臺積電公司也在2013年底測試了 16 nm工藝；比利時微電子研究中心(IMEC)則嘗試通過納米線和石墨烯互連技術實現更細致的微結構,全力開發10 nm及以下制程技術；為了成功實現多層布線，要求晶圓表面必須具有極高的平整度、光滑度和潔凈度，化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)技術則被視為現階段實現晶圓全面平坦化的重要實現手段。
[0003]拋光液是CMP【技術領域】的重要組成部分，磨料則是化學機械拋光液的重要組分之一，磨料的種類、結構、尺寸和形貌的特性都將對拋光速率和拋光表面質量具有重要影響，且是出現劃痕等表面機械損傷的主要誘因，目前常規的磨料主要包括傳統的氧化硅、氧化鈰和氧化鋁等實體超微顆粒；然而傳統的實體無機顆粒通常具有較高的硬度，易于在拋光過程中使得被拋工件表面出現機械損傷，并造成拋光后表面粗糙度較大。


【發明內容】

[0004]本發明的目的是提供一種新型無機磨料的制備方法，將同質異構的球形氧化硅復合微球作為磨料，該磨料以實體氧化硅為內核，表面包覆有序介孔氧化硅殼層。
[0005]從機械角度看，利用這種特殊的同質異構核殼結構，降低氧化硅磨粒的表面硬度和壓縮彈性模量，這將有利于改善磨料與晶片表面之間真實接觸區域內的接觸狀態，降低磨粒在晶片表面的壓痕深度，進而減少晶圓表面的機械損傷。
[0006]從化學角度看，該復合磨粒還可以借助其較大的比表面積，提高磨粒對拋光液中活性化學組分的吸附/釋放能力，以增強磨粒與晶片表面局部真實接觸區域內的化學反應活性，從而提高材料去除率。
[0007]調控微觀接觸區域內的機械磨損作用和化學作用，最終在兩者的協同作用下實現高效無損傷拋光。
[0008]本發明首先利用改進的St0ber法，即利用正硅酸乙酯(TEOS)在堿性條件下的水解過程，制備單分散球形實體氧化硅顆粒作為內核，再以乙烯基三甲氧基硅烷(VTMS)為硅源、氨水為催化劑、十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)為導向模板劑，利用VTMS在醇水混合溶液中的水解過程在實體氧化硅內核表面原位包覆有序介孔氧化硅殼層前驅體；進一步利用煅燒去除導向模板劑CTAB，即可得到在實體氧化硅內核表面包覆有序介孔氧化硅殼層的核殼結構復合微球，從而得到一種具有同質異構的球形氧化娃核殼復合微球。
[0009]在具體實施中，通過控制實體氧化硅內核顆粒的尺寸，優化實體氧化硅內核與硅源乙烯基三甲氧基硅烷的用量比，體系中導向模板劑CTAB與硅源VTMS的用量比，反應時間和煅燒溫度等工藝參數來控制該類型復合微球的微觀結構，最終可控制備出具有不同內核粒徑、殼層厚度和殼層孔道尺寸的同質異構氧化硅核殼復合磨料。
[0010]進一步將該類型復合磨粒配制成拋光液用于二氧化硅介質層的化學機械拋光，與傳統的含有實體氧化硅磨料拋光液相比，該同質異構氧化硅核殼復合磨料能夠明顯改善拋光表面質量，可有效避免出劃痕等機械損傷，最終獲得了具有亞納米量級粗糙度的拋光表面，拋光試驗結果表明，含有同質異構氧化娃核殼復合磨料拋光液能夠實現二氧化娃介質的高效無損傷拋光。
[0011]本發明提供了一種單分散球形同質異構氧化硅核殼復合磨料的制備方法，其具體制備工藝過程是:向燒杯中依次加入一定量的去離子水、無水乙醇和CTAB得到懸浮液，用電磁攪拌器攪拌均勻后加入一定量用StSber法(W.Stober, A.Fink, E.Bohn,Controlled growth of monodisperse silica spheres in the micron size range, J.Colloid Interface Sc1.26 (1968) 62-69.)制備的單分散實體氧化娃微球,用電磁攪拌器繼續攪拌以強化氧化硅內核在液相中的分散、并使得體系均勻化；其中作為內核的單分散實體氧化硅微球在懸浮液中的質量濃度范圍為0.1?2%，去離子水與無水乙醇的體積比范圍在10: f 1:1，CTAB的濃度范圍在0.01 mol/Γθ.1 mol/1 ;隨后再依次向反應溶液中加入一定量的氨水和乙烯基三甲氧基硅烷，并將體系中氨水的濃度控制在0.05 mol/Γθ.5mol/1之間，乙烯基三甲氧基硅烷的濃度控制在0.1 mol/1 mol/1之間；將配制的反應溶液在電磁攪拌的條件下置于20?30°C的水浴中持續攪拌反應8?24 h，將沉淀物離心分離、洗滌、烘干、研磨，再經350°C?650°C煅燒，保溫I h飛h，將導向模板劑CTAB去除后即可得到以實體氧化硅微球為內核、介孔氧化硅為殼層的同質異構氧化硅核殼復合顆粒。
[0012]其中，氧化硅內核在懸浮液中的質量濃度范圍在0.1?1%之間，去離子水與無水乙醇的體積比范圍在5: f 2:1之間，CTAB的濃度在0.01 mol/Γθ.06 mol/1之間，氨水的濃度在0.05 mol/Γθ.2 mol/1之間，乙烯基三甲氧基硅烷的濃度控制在0.1 mol/1?0.5mol/1之間，煅燒溫度在400°C?600°C之間，保溫時間在2 h h之間效果較好。
[0013]所述的單分散實體氧化硅微球的直徑為180-220 nm。
[0014]所述的繼續攪拌的時間為30_60min。
[0015]所述的洗滌指去離子水洗3遍，無水乙醇洗I遍。
[0016]所述烘干指置于70 °C鼓風干燥箱中烘干。
[0017]透射電子顯微鏡和氮氣吸附-脫附測試結果顯示，本發明所制備的同質異構氧化硅核殼復合磨料呈規則球形，分散性良好，殼層中的氧化硅存在有序介孔。
[0018]將所制備的同質異構氧化硅核殼復合磨料配制成拋光液，使用高精密拋光機對硅熱氧化片(二氧化硅介質層)進行拋光試驗。
[0019]所述的拋光漿料采用所制備的同質異構氧化硅核殼復合磨料、去離子水和六偏磷酸鈉配制而成，將同質異構氧化硅核殼復合磨料加入到離子水中，配制成質量濃度為19Γ10%的漿料，加入質量分數為1% (相對于磨料的總質量)的六偏磷酸鈉作為分散劑，并用氨水將體系的PH值調至8?10，充分攪拌均勻后得到拋光液。
[0020]所述拋光的工藝條件為拋光壓力為2飛Ps1、上盤轉速為60 r/min、下盤轉速為90r/min、拋光時間為I min、拋光液流量為100?300 mL/min。
[0021]本發明以單分散球形實體氧化硅為內核，采用較為簡單的方法制備出了結構完整、包覆均勻的同質異構氧化硅核殼復合磨料。該復合磨料具有核殼結構，內核為實體氧化娃微球，殼層為介孔氧化娃。
[0022]本發明所提出的制備方法和工藝簡單，無須特殊的設備，成本低廉，實驗重復性好，可控性強。
[0023]本發明的所制備的復合磨料具有規則球形，由于殼層存在有序介孔氧化硅，一方面復合磨料具有較低的表面硬度和彈性模量，另一方面借助有序介孔氧化硅的高比面積增強了對拋光液中活性組分的吸附能力，同時從機械方面和化學方面改善了對二氧化硅介質層的拋光效果。
[0024]該類型復合磨料在實現單晶硅、砷化鎵、藍寶石和計算機硬盤等材料的超光滑表面加工方面具有重要的應用價值。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1為實體氧化硅內核的透射電鏡照片。
[0026]圖2為同質異構氧化硅核殼復合磨料樣品的場發射掃描電鏡照片。
[0027]圖3為同質異構氧化硅核殼復合磨料樣品的透射電鏡照片。
[0028]圖4為同質異構氧化硅核殼復合磨料樣品的氮氣吸附-脫附曲線。
[0029]圖5為同質異構氧化硅核殼復合磨料樣品的BJH孔分布曲線。
[0030]圖6為拋光后晶片表面的原子力顯微鏡二維形貌圖。
[0031]圖7為拋光后晶片表面的原子力顯微鏡三維形貌圖。

【具體實施方式】
[0032]本發明下面結合實施例作進一步詳述:
實施例1:
依次向燒杯中加入60 ml去離子水、25 ml無水乙醇和0.32 g十六燒基三甲基溴化銨，將體系中去離子水與無水乙醇的體積比控制在2.4: 1、十六烷基三甲基溴化銨的濃度控制在0.01 mol/1 ;用磁力攪拌器將反應液攪拌均勻,攪拌速度為300 r/min,攪拌時間為30min ;隨后加入0.2 g單分散實體氧化硅微球(180-220 nm)，該懸浮液中氧化硅的質量分數為0.23%，在攪拌速率為300 r/min的條件下持續攪拌30 min ;再加入氨水和乙烯基三甲氧基硅烷，使得體系中氨水的濃度在0.14 mol/1，乙烯基三甲氧基硅烷的濃度在0.3 mol/I ;將配制的反應液在電磁攪拌的條件下置于25°C恒溫水浴中持續攪拌反應16 h，攪拌速度為300 r/min,以8000 r/min的轉速將沉淀物離心分離,用去離子水洗3遍,無水乙醇洗I遍；再沉淀物置于70 °C鼓風干燥箱中烘干、研磨，再經550°C煅燒，保溫4 h，將導向模板劑CTAB去除，即可得到以實體氧化硅微球為內核、介孔氧化硅為殼層的同質異構氧化硅核殼復合磨料。
[0033]用透射電子顯微鏡用氮氣吸脫附儀對該復合磨料的結構進行表征。
[0034]實體氧化硅內核的透射電鏡照片如圖1所示，按實施例1的工藝參數所制同質異構氧化硅核殼復合磨料樣品的場發射掃描電鏡照片如圖2所示，圖3是所制備樣品的透射電鏡照片，圖4是所制備樣品的氮氣吸附-脫附曲線，圖5是樣品的BJH孔分布曲線。
[0035]從氧化硅同質異構核殼復合磨料樣品的掃描電鏡照片可以看出，所制備樣品呈規則球形，粒徑在400 nm左右，單分散性良好。
[0036]從樣品的透射電鏡照片可以發現，樣品的邊緣和中部區域之間存在明顯的襯度差，表明樣品具有核殼結構，從高倍的電鏡照片中可以直觀的觀察到殼層氧化娃存在放射狀介孔，介孔氧化硅的殼層厚度約為90 nm。
[0037]樣品的氮氣吸附-脫附曲線屬于非典型的IV型吸附-脫附等溫線，且存在H4型回滯環，在中比壓區轉折處出現孔的毛細管凝聚現象，其比表面積約為558.2 m2/g，明顯高于傳統的400 nm氧化娃實體顆粒(13.1 m2 /g);從相應的BJH孔分布曲線中可以看出，樣品的存在尺寸約在2.8 nm的介孔。
[0038]將按實施例1的工藝參數所制備的同質異構氧化硅核殼復合磨料用去離子水配制成質量濃度為2 %的拋光液，加入I wt%的六偏磷酸鈉作為分散劑，并用氨水將漿料的pH值調至8 ;在一定的拋光工藝條件下(拋光壓力為4Ps1、上盤轉速為60 r/min、下盤轉速為90 r/min、拋光時間為I min、拋光液流量為150 mL/min)，用高精密拋光機對硅熱氧化片進行拋光。
[0039]圖6和圖7分別給出了拋光后晶片表面的原子力顯微鏡二維和三維AFM形貌；測試結果表明，拋光后晶片的表面粗糙度M值為0.175 nm;稱量拋光前后晶片的質量損失，再換算成厚度差以表征材料去除率，經測定拋光速率達到263 nm/min。
[0040]實施例2:
本實施例與上述實施例1的步驟基本相同，不同之處在于:懸浮液中單分散實體氧化硅內核的質量分數為0.1%;溶液體系中去離子水與無水乙醇的體積比為1:1，十六烷基三甲基溴化銨的濃度為0.05mol/l，氨水的濃度在0.05 mol/Ι,乙烯基三甲氧基硅烷的濃度在
0.1 mol/Ι ;反應前懸浮液的攪拌時間為60 min ;反應溫度為20°C，反應時間為24h ;煅燒溫度為350°C，保溫6 h。
[0041]實施例2制備得到的同質異構氧化硅核殼復合磨料樣品的掃描電鏡照片、透射電鏡照片、氮氣吸脫附曲線和BJH孔分布曲線與實施例1類似，其介孔氧化硅殼層厚度約為30nm,殼層中介孔孔徑約為2.6 nm,比表面積約為340.2 m2 /g。
[0042]將按實施例2的工藝參數所制備的同質異構氧化硅核殼復合磨料配制成質量濃度為I wt%的拋光漿料，加入lwt%的六偏磷酸鈉作為分散劑，用氨水將拋光漿料的pH值調至9，拋光液流量為300 mL/min，拋光壓力為2 psi，使用高精密拋光機對硅熱氧化片進行拋光，其他拋光工藝參數同上。
[0043]拋光后晶片表面的原子力顯微鏡二維和三維AFM形貌與實施例1類似，測試結果表明，拋光后晶片的表面粗糙度M值為0.231 nm，稱量拋光前后晶片的質量損失，再換算成厚度差以表征材料去除率，經測定拋光速率達到166 nm/min。
[0044]實施例3:
本實施例與上述實施例1的步驟基本相同，不同之處在于:懸浮液中單分散實體氧化硅內核的質量分數為2% ;溶液體系中去離子水與無水乙醇的體積比為10:1，十六烷基三甲基溴化銨的濃度為0.lmol/1，氨水的濃度在0.5 mol/Ι,乙烯基三甲氧基硅烷的濃度在Imol/Ι ;反應溫度為30°C，反應時間為8 h ;煅燒溫度為650°C，保溫lh。
[0045]實施例3制備得到的同質異構氧化硅核殼復合磨料樣品的掃描電鏡照片、透射電鏡照片，氮氣吸脫附曲線和BJH孔分布曲線與實施例1類似，其介孔氧化硅殼層厚度約為140 nm，殼層中介孔孔徑約為3.3 nm,比表面積約為752.4 m2 /g。
[0046]將按實施例3的工藝參數所制備的同質異構氧化硅核殼復合磨料配制成質量濃度為10 wt%的拋光漿料，加入lwt%的六偏磷酸鈉作為分散劑，用氨水將拋光漿料的pH值調至10，拋光液流量為100 mL/min，拋光壓力為6 psi使用高精密拋光機對硅熱氧化片進行拋光，其他拋光工藝參數同實施例1。
[0047]拋光后晶片表面的原子力顯微鏡二維和三維AFM形貌與實施例1類似，測試結果表明，拋光后晶片的表面粗糙度M值為0.301 nm，稱量拋光前后晶片的質量損失，再換算成厚度差以表征材料去除率，經測定拋光速率達到402 nm/min。
[0048]實施例4:
本實施例與上述實施例1的步驟基本相同，不同之處在于:懸浮液中單分散實體氧化硅的質量分數為0.5 % ;溶液體系中去離子水與無水乙醇的體積比為4:1，十六烷基三甲基溴化銨的濃度為0.04mol/l，氨水的濃度在0.3 mol/Ι,乙烯基三甲氧基硅烷的濃度在0.5mol/Ι ;反應溫度為25°C，反應時間為16h ;煅燒溫度為500°C，保溫3 h。
[0049]實施例4制備得到的同質異構氧化硅核殼復合磨料樣品的掃描電鏡照片、透射電鏡照片，氮氣吸脫附曲線和BJH孔分布曲線與實施例1類似，其介孔氧化硅殼層厚度約為50nm,殼層中介孔孔徑約為2.5 nm,比表面積約為423.4m2 /g。
[0050]將按實施例4的工藝參數所制備的同質異構氧化硅核殼復合磨料配制成質量濃度為3 wt%的拋光漿料，加入I wt%的六偏磷酸鈉作為分散劑，用氨水將拋光漿料的pH值調至8.5，使用高精密拋光機對硅熱氧化片進行拋光，其他拋光工藝參數同實施例1。
[0051]拋光后晶片表面的原子力顯微鏡二維和三維AFM形貌與實施例1類似，測試結果表明，拋光后晶片的表面粗糙度M值為0.268 nm，稱量拋光前后晶片的質量損失，再換算成厚度差以表征材料去除率，經測定拋光速率達到232 nm/min。
[0052]實施例5:
本實施例與上述實施例1的步驟基本相同，不同之處在于:懸浮液中單分散實體氧化硅內核的質量分數為2%;溶液體系中去離子水與無水乙醇的體積比為2:1，十六烷基三甲基溴化銨的濃度為0.04 mol/1，氨水的濃度在0.2 mol/1，乙烯基三甲氧基硅烷的濃度在
0.5 mol/Ι ;反應溫度為20 °C，反應時間為24h ;煅燒溫度為500°C，保溫2 h。
[0053]實施例5制備得到的同質異構氧化硅核殼復合磨料樣品的掃描電鏡照片、透射電鏡照片，氮氣吸脫附曲線與實施例1類似，其介孔氧化硅殼層厚度約為70 nm，殼層中介孔孔徑約為3.6 nm,比表面積約為496.3m2 /g。
[0054]將按實施例5的工藝參數所制備的同質異構氧化硅核殼復合磨料配制成質量濃度為2 %的拋光漿料，加入I wt%的六偏磷酸鈉作為分散劑，用氨水將拋光漿料的pH值調至9，使用高精密拋光機對硅熱氧化片進行拋光，其他拋光工藝參數同實施例1。
[0055]拋光后晶片表面的原子力顯微鏡二維和三維AFM形貌與實施例1類似，測試結果表明，拋光后晶片的表面粗糙度M值為0.266 nm，稱量拋光前后晶片的質量損失，再換算成厚度差以表征材料去除率，經測定拋光速率達到215 nm/min。
【權利要求】
1.一種復合磨料，用于化學機械拋光的拋光液，其特征在于:所述復合磨料為同質異構的球形氧化硅復合微球，該磨料以單分散實體氧化硅微球為內核，表面包覆有序介孔氧化娃殼層；利用同質異構核殼結構，降低氧化娃磨粒的表面硬度和壓縮彈性模量，有利于改善磨料與晶片表面之間真實接觸區域內的接觸狀態，降低磨粒在晶片表面的壓痕深度，進而減少晶圓表面的機械損傷；借助其大的比表面積，提高磨料對拋光液中活性化學組分的吸附/釋放能力，以增強磨料與晶片表面局部真實接觸區域內的化學反應活性，從而提高材料去除率；含有所述復合磨料的拋光液能夠實現二氧化硅介質的高效無損傷拋光。
2.如權利要求1所述的一種復合磨料，其特征在于含有所述復合磨料的拋光液采用如下方法制備:采用同質異構氧化硅核殼復合磨料、去離子水和六偏磷酸鈉配制而成，將同質異構氧化硅核殼復合磨料加入到離子水中，配制成質量濃度為ι°/Γιο%的漿料，加入磨料質量分數1%的六偏磷酸鈉作為分散劑，并用氨水將體系的PH值調至8?10，充分攪拌均勻后得到拋光液。
3.如權利要求2所述的一種復合磨料，其特征在于:所述拋光液的拋光工藝條件為:拋光壓力為2飛Ps1、上盤轉速為60 r/min、下盤轉速為90 r/min、拋光時間為I min、拋光液流量為 100?300 mL/min。
4.如權利要求1所述的一種復合磨料的制備方法，其特征在于:以單分散球形實體氧化硅顆粒作為內核，再以乙烯基三甲氧基硅烷(VTMS)為硅源、氨水為催化劑、十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)為導向模板劑，利用VTMS在醇水混合溶液中的水解過程在實體氧化硅內核表面原位包覆有序介孔氧化硅殼層前驅體；進一步利用煅燒去除導向模板劑CTAB，即可得到在實體氧化娃內核表面包覆有序介孔氧化娃殼層的核殼結構復合微球，從而得到一種具有同質異構的球形氧化娃核殼復合微球。
5.如權利要求4所述的一種復合磨料的制備方法，其特征在于:通過控制單分散球形實體氧化硅內核顆粒的尺寸、單分散球形實體氧化硅內核與硅源乙烯基三甲氧基硅烷的用量比，體系中導向模板劑CTAB與硅源VTMS的用量比、反應時間和煅燒溫度來控制該類型復合微球的微觀結構，最終可控制備出具有不同內核粒徑、殼層厚度和殼層孔道尺寸的同質異構氧化硅核殼復合磨料。
6.如權利要求4所述的一種復合磨料的制備方法，其特征在于具體步驟如下:依次加入一定量的去離子水、無水乙醇和CTAB得到懸浮液，用電磁攪拌器攪拌均勻后加入一定量的單分散實體氧化硅微球，用電磁攪拌器繼續攪拌以強化氧化硅內核在液相中的分散、并使得體系均勻化；其中作為內核的單分散實體氧化硅微球在懸浮液中的質量濃度范圍為0.1?2%，去離子水與無水乙醇的體積比范圍在10: f 1:1，CTAB的濃度范圍在0.01 mol/Γ0.1 mol/Ι ;隨后再依次向反應溶液中加入一定量的氨水和乙烯基三甲氧基硅烷，并將體系中氨水的濃度控制在0.05 mol/Γθ.5 mol/1之間，乙烯基三甲氧基硅烷的濃度控制在0.1 mol/1 mol/1之間；將配制的反應溶液在電磁攪拌的條件下置于20?30°C的水浴中持續攪拌反應8?24 h，將沉淀物離心分離、洗滌、烘干、研磨，再經350°C?650°C煅燒，保溫I h飛h，將導向模板劑CTAB去除后即可得到以實體氧化硅微球為內核、介孔氧化硅為殼層的同質異構氧化娃核殼復合顆粒。
7.如權利要求6所述的一種復合磨料的制備方法，其特征在于:所述單分散實體氧化硅微球是采用St0ber法制備的，單分散實體氧化硅微球的直徑為180-220 nm。
8.如權利要求6所述的一種復合磨料的制備方法,其特征在于:單分散實體氧化娃內核在懸浮液中的質量濃度范圍在0.1?1%之間，去離子水與無水乙醇的體積比范圍在5:1?2:1之間，CTAB的濃度在0.0l mol/Ι?0.06 mol/Ι之間，氨水的濃度在0.05 mol/Ι?0.2mol/Ι之間，乙烯基三甲氧基硅烷的濃度控制在0.1 mol/15 mol/1之間，煅燒溫度在400°C?600°C之間，保溫時間在2 h h之間效果較好。
9.如權利要求6所述的一種復合磨料的制備方法，其特征在于:所述的繼續攪拌的時間為 30-60min。
10.如權利要求6所述的一種復合磨料的制備方法，其特征在于:所述的洗滌指去離子水洗3遍，無水乙醇洗I遍；所述烘干指置于70 °C鼓風干燥箱中烘干。
【文檔編號】C09G1/02GK104357012SQ201410594984
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年10月30日 優先權日:2014年10月30日
【發明者】陳楊, 汪亞運, 王永光, 秦佳偉 申請人:常州大學