一種上蠟工藝的制作方法
【專利摘要】本發明涉及一種上蠟工藝，其特征在于，所述工藝方法如下：將氮氣槍壓力調至0.6MPa，將氮氣槍槍口斜對芯片表面，打開氮氣槍，將芯片表面吹干凈；將蠟棒和陶瓷盤加熱至110℃，再將蠟滴涂在陶瓷盤上，每片消耗0.3g蠟；將芯片貼在陶瓷盤上，鋪蓋一定數量的無塵紙，壓盤加壓2min，壓力0.6MPa；冷卻至40℃，取出陶瓷盤，上蠟結束。發明工藝將上蠟溫度及壓力進一步精確保證上蠟的均勻性，同時能夠有效的降低裂片率，保證了芯片的質量，從而提高了產品的利潤。
【專利說明】—種上蠟工藝
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種上蠟工藝，屬于光電子領域。
【背景技術】
[0002]在LED生產領域中，為了提高芯片的散熱，往往需要將芯片進行減薄，而減薄非常容易將本來就易碎的芯片磨碎，目前，通常在減薄前，將芯片通過特定的減薄蠟黏貼在陶瓷盤上，而目前上蠟工藝通常不是很完善，因此在減薄過程中，仍然出現大量的碎片。

【發明內容】

[0003]本發明針對現有技術存在的不足，提供一種上蠟工藝。
[0004]本發明解決上述技術問題的技術方案如下:一種上蠟工藝，其特征在于，所述工藝方法如下:
[0005](I)將氮氣槍壓力調至0.6MPa，將氮氣槍槍口斜對芯片表面，打開氮氣槍，將芯片表面吹干凈；
[0006](2)將蠟棒和陶瓷盤加熱至110°C，再將蠟滴涂在陶瓷盤上，每片消耗0.3g蠟；
[0007](3)將wafer貼在陶瓷盤上，鋪蓋無塵紙，壓盤加壓2min，壓力0.6MPa ;
[0008](4)冷卻至40°C，取出陶瓷盤，上蠟結束。
[0009]本發明的有益效果是:本發明工藝將上蠟溫度及壓力進一步精確保證上蠟的均勻性，同時能夠有效的降低裂片率，保證了芯片的質量，從而提高了產品的利潤。
【具體實施方式】
[0010]以下對本發明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發明，并非用于限定本發明的范圍。
[0011]一種上蠟工藝，其特征在于，所述工藝方法如下:
[0012](I)將氮氣槍壓力調至0.6MPa，將氮氣槍槍口斜對芯片表面，打開氮氣槍，將芯片表面吹干凈；
[0013](2)將蠟棒和陶瓷盤加熱至110°C，再將蠟滴涂在陶瓷盤上，每片消耗0.3g蠟；
[0014](3)將wafer貼在陶瓷盤上，鋪蓋無塵紙，壓盤加壓2min，壓力0.6MPa ；
[0015](4)冷卻至40°C，取出陶瓷盤，上蠟結束。
[0016]以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種上蠟工藝，其特征在于，所述工藝方法如下: (1)將氮氣槍壓力調至0.6MPa，將氮氣槍槍口斜對芯片表面，打開氮氣槍，將芯片表面吹干凈； (2)將蠟棒和陶瓷盤加熱至110°C，再將蠟滴涂在陶瓷盤上，每片消耗0.3g蠟； (3)將芯片貼在陶瓷盤上，鋪蓋無塵紙，壓盤加壓2min，壓力0.6MPa ； (4)冷卻至40°C，取出陶瓷盤，上蠟結束。
【文檔編號】B05C1/02GK103811595SQ201210457559
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2012年11月15日 優先權日:2012年11月15日
【發明者】張恒 申請人:張恒