一種有機電致發光器件及其制備方法
【專利摘要】本發明實施例公開了一種有機電致發光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極導電膜、空穴傳輸層、電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層、電子傳輸層和陰極，空穴傳輸層的材質為空穴傳輸材料與摻雜劑形成的混合材料，所述摻雜劑為銻的鹵化物，在空穴傳輸層的材質中，摻雜劑的質量分數為2~20％。另，本發明實施例還公開了該有機電致發光器件的制備方法。本發明提供的有機電致發光器件，通過在空穴傳輸層中使用摻雜劑，提高了空穴注入能力，提高了器件的發光效率。
【專利說明】一種有機電致發光器件及其制備方法
【技術領域】[0001]本發明涉及電子器件相關領域，尤其涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。【背景技術】
[0002]1987年，美國Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke報道了有機電致發光研究中的突破性進展。利用超薄薄膜技術制備出了高亮度，高效率的雙層有機電致發光器件(0LED)。在該雙層結構的器件中，IOV下亮度達到lOOOcd/m2，其發光效率為1.511m/W、壽命大于100小時。
[0003]OLED的發光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUM0)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發光材料，并激發電子從基態躍遷到激發態，激發態能量通過輻射失活，產生光子，釋放光能。
[0004]到目前為止，盡管全世界各國的科研人員通過選擇合適的有機材料和合理的器件結構設計，已使器件性能的各項指標得到了很大的提升，但是目前由于驅動發光器件的電流較大，發光效率低，器件壽命低，為了實現有機電致發光器件的實用化，人們急于尋找一種驅動電流小，發光效率高的發光器件結構。

【發明內容】

[0005]鑒于此，本發明實施例所要解決的技術問題在于，提供一種有機電致發光器件及其制備方法，通過采用金屬銻的鹵化物作為空穴傳輸摻雜劑，提高空穴注入的能力，提高有機電致發光器件的發光效率，空穴傳輸層采用旋涂制備，方法簡單易行。
[0006]本發明實施例提供了一種有機電致發光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極導電膜、空穴傳輸層、電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層、電子傳輸層和陰極，所述空穴傳輸層的材質為空穴傳輸材料與摻雜劑形成的混合材料，所述摻雜劑為銻的鹵化物，在所述空穴傳輸層的材質中，所述摻雜劑與所述空穴傳輸材料的摩爾比為0.Ο1-Ο.5:1。
[0007]優選地，陽極導電膜的材質為銦錫氧化物(ΙΤ0)、摻鋅的氧化錫(ΙΖ0)或摻鋁的氧化鋅(AZO);更優選地，陽極導電膜的材質為銦錫氧化物(ΙΤ0)。
[0008]優選地，陽極導電膜的厚度為70-l00nm。
[0009]空穴傳輸層的材質為空穴傳輸材料與摻雜劑形成的混合材料，摻雜劑為鋪的鹵化物，在空穴傳輸層的材質中，摻雜劑與空穴傳輸材料的摩爾比為0.Ο1-Ο.5:1。空穴傳輸層采用摻雜結構，可以提高空穴注入能力。
[0010]優選地，銻的鹵化物為三氯化銻(SbCl3)或五氯化銻(SbCl5)。
[0011]優選地，空穴傳輸層的厚度為3(Tl00nm ;更優選地，空穴傳輸層的厚度為50nm。
[0012]優選地，空穴傳輸材料為N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)-對二氨基聯苯(MeO-Tro)、1，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環己烷(了六?0、隊^-二苯基州^’-二(3-甲基苯基)-1，I’-聯苯_4，4’-二胺(TPD)、4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)或N，N’ - (1-萘基)4，^ - 二苯基-4，4’ -聯苯二胺(NPB);更優選地，空穴傳輸層的空穴傳輸材料為N, N’ - (1-萘基)-N, N，- 二苯基-4，4，-聯苯二胺(NPB)。
[0013]優選地，電子阻擋層的材料為N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)_對二氨基聯苯(MeO-TPD)、1，1-二 [4-[N, N' - 二 (ρ-甲苯基)氨基]苯基]環己烷(TAPC)、N, N’- 二苯基-N，N’-二 (3-甲基苯基)-1，I’-聯苯-4，4’-二胺(TPD)、4，4’，4"-三(咔唑 _9_ 基)三苯胺(TCTA)或N，N’ - (1-萘基)4，N’ - 二苯基-4，4’ -聯苯二胺(NPB);更優選地，電子阻擋層的材料為1，1- 二 [4_[Ν，N' - 二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環己烷(TAPC )。
[0014]優選地，電子阻擋層的厚度為5~20nm ;更優選地，電子阻擋層的厚度為10nm。
[0015]電子阻擋層的材料與空穴傳輸材料屬于同一類材料,但一般來說，在同一發光器件中，電子阻擋層的材料與空穴傳輸材料選用不同材料。
[0016]優選地，發光層的材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2(acac))、三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)、4_ (二腈甲基)_2_ 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)_4H_吡喃(0(:1^)、8-羥基喹啉鋁(4193)或5，6，11，12-四苯基萘并萘(Rubrene)。
[0017]優選地，發光層的厚度為l(T30nm ;更優選地，發光層的厚度為20nm。
[0018]優選地，空穴阻擋層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen )、2，9_ 二甲基-4，7-聯苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ), N-芳基苯并咪唑(TPBI)或雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1，I’_聯苯_4_羥基)鋁(BAlq);更優選地，空穴阻擋層的材料為雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1, O8)-(I, I’ -聯苯-4-羥基)鋁(BAlq)。
[0019]優選地，空穴阻擋層的厚度為5~20nm ;更優選地，空穴阻擋層的厚度為10nm。
[0020]優選地，電子傳輸層的電子傳輸材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、2，9- 二甲基-4，7-聯苯-1, 10-鄰二氮雜菲(BCP)、I, 2，4-三唑衍生物(如TAZ),N-芳基苯并咪唑(TPBI)或雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1, O8)-(1，I’-聯苯-4-羥基)鋁(BAlq);更優選地，電子傳輸材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。
[0021]優選地，電子傳輸層的厚度為2(Tl00nm ;更優選地，電子傳輸層的厚度為50nm。
[0022]優選地，陰極為銀(Ag)、招(Al)、鉬(Pt)或金(Au);更優選地，陰極為銀(Ag)。
[0023]優選地，陰極的厚度為8(Tl20nm ;更優選地，陰極的厚度為IOOnm。
[0024]相應地，本發明實施例還提供了一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0025]提供清潔的玻璃基底，在經處理過的玻璃基底上采用電子束蒸鍍或磁控濺射的方法制備陽極導電膜；
[0026]在所述陽極導電膜上旋涂制備空穴傳輸層,所述空穴傳輸層的材質為空穴傳輸材料與摻雜劑形成的混合材料，所述摻雜劑為銻的鹵化物，在所述空穴傳輸層的材質中，所述摻雜劑與所述空穴傳輸材料的摩爾比為0.Ο1~Ο.5:1 ；
[0027]所述旋涂過程中的旋涂速度為100(T3000rpm，旋涂時間為20s ；
[0028]在所述空穴傳輸層上依次蒸鍍制備電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層、電子傳輸層和陰極，得到有機電致發光器件。
[0029]優選地，玻璃基底為市售普通玻璃。
[0030]具體地，玻璃基底的清潔操作為:將玻璃基底進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物。
[0031]優選地，陽極導電膜的材質為銦錫氧化物(ΙΤ0)、摻鋅的氧化錫(IZO)或摻鋁的氧化鋅(AZO);更優選地，陽極導電膜的材質為銦錫氧化物(ΙΤ0)。
[0032]優選地，陽極導電膜的厚度為7(Tl00nm。
[0033]陽極導電膜采用電子束蒸鍍或磁控濺射的方法設置在玻璃基底上。
[0034]優選地，磁控濺射過程中，真空度為4X 10_3Pa~2X 10_4Pa，濺射功率為5(T300W。
[0035]另外，還可對蒸鍍制備好導電膜的陽極基底進行氧等離子處理，處理時間為5min，功率為30W。氧等離子處理可以平滑陽極基底表面，使陽極基底平整度加強，提高功函數(約提高0.1-0.3eV)，使空穴注入能力加強，降低啟動電壓。
[0036]在陽極導電膜上旋涂制備空穴傳輸層，旋涂過程中的旋涂速度為100(T3000rpm，旋涂時間為20s。
[0037]空穴傳輸層的材質為空穴傳輸材料與摻雜劑形成的混合材料，摻雜劑為鋪的鹵化物，在空穴傳輸層的材質中，摻雜劑與空穴傳輸材料的摩爾比為0.Ο1-Ο.5:1。空穴傳輸層采用摻雜結構，可以提高空穴注入能力。
[0038]優選地，銻的鹵化物為三氯化銻(SbCl3)或五氯化銻(SbCl5)。
[0039]優選地，空穴傳輸層的厚度為3(Tl00nm ;更優選地，空穴傳輸層的厚度為50nm。
[0040]優選地，空穴傳輸材料為N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)-對二氨基聯苯(MeO-Tro)、1，1-二 [4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環己烷(了六?0、隊^-二苯基州^’-二(3-甲基苯基)-1，I’-聯苯_4，4’-二胺(TPD)、4，4’，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)或N，N’ - (1-萘基)4，^ - 二苯基-4，4’ -聯苯二胺(NPB);更優選地，空穴傳輸層的空穴傳輸材料為N, N’ - (1-萘基)-N, N，- 二苯基-4，4，-聯苯二胺(NPB)。
[0041]空穴傳輸層采用旋涂制備，由于五氯化銻(SbCl5)常溫下為液態，因此不適合用蒸鍍制備，而采用旋涂制備。
[0042]優選地，在旋涂操作之前，將摻雜劑與空穴傳輸材料加入到溶劑中，配制成總摩爾濃度為f lOmmol/L的均勻溶液。
[0043]優選地，溶劑為二氯甲烷，三氯甲烷或四氯化碳。
[0044]將配制好的摻雜劑與空穴傳輸材料的混合溶液通過旋涂的方法，覆蓋在具有陽極導電膜的玻璃基底上。旋涂過程中的旋涂速度為100(T3000rpm，旋涂時間為20s。
[0045]優選地，在旋涂操作之后，將制備好的覆蓋有所述空穴傳輸層的玻璃基底置于真空干燥箱中，室溫下真空干燥f5h。
[0046]經過干燥后，便可進行電子阻擋層的制備。
[0047]在空穴傳輸層上依次蒸鍍電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層、電子傳輸層和金屬陰極。
[0048]優選地，電子阻擋層的材料為N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)_對二氨基聯苯(MeO-TPD)、1，1-二 [4-[N, N' - 二 (ρ-甲苯基)氨基]苯基]環己烷(TAPC)、N, N’- 二苯基-N，N’-二 (3-甲基苯基)-1，I’-聯苯-4，4’-二胺(TPD)、4，4’，4"-三(咔唑 _9_ 基)三苯胺(TCTA)或N，N’ - (1-萘基)4，N’ - 二苯基-4，4’ -聯苯二胺(NPB);更優選地，電子阻擋層的材料為1，1- 二 [4_[Ν，N' - 二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環己烷(TAPC)。[0049]優選地，電子阻擋層的厚度為5~20nm ;更優選地，電子阻擋層的厚度為10nm。
[0050]電子阻擋層的材料與空穴傳輸材料屬于同一類材料,但一般來說，在同一發光器件中，電子阻擋層的材料與空穴傳輸材料選用不同材料。
[0051]優選地，發光層的材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2(acac))、三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)、4_ (二腈甲基)_2_ 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)_4H_吡喃(0(:1^)、8-羥基喹啉鋁(4193)或5，6，11，12-四苯基萘并萘(Rubrene)。
[0052]優選地，發光層的厚度為l(T30nm ;更優選地，發光層的厚度為20nm。[0053]優選地，空穴阻擋層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、2，9_ 二甲基-4，7-聯苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ), N-芳基苯并咪唑(TPBI)或雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1, I’-聯苯-4-羥基)鋁(BAlq);更優選地，空穴阻擋層的材料為雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1, O8)-(I, I’ -聯苯-4-羥基)鋁(BAlq)。
[0054]優選地，空穴阻擋層的厚度為5~20nm ;更優選地，空穴阻擋層的厚度為10nm。
[0055]優選地，電子傳輸層的電子傳輸材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、2，9- 二甲基-4，7-聯苯-1, 10-鄰二氮雜菲(BCP)、I, 2，4-三唑衍生物(如TAZ),N-芳基苯并咪唑(TPBI)或雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1, O8)-(1，I’-聯苯-4-羥基)鋁(BAlq);更優選地，電子傳輸材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。
[0056]優選地，電子傳輸層的厚度為2(Tl00nm ;更優選地，電子傳輸層的厚度為50nm。
[0057]優選地，電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層和電子傳輸層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為 10(T50(TC，真空度為 I X IO^3I X IO^5Pa0
[0058]優選地，陰極為銀(Ag)、招(Al)、鉬(Pt)或金(Au);更優選地，陰極為銀(Ag)。
[0059]優選地，陰極的厚度為8(Tl20nm ;更優選地，陰極的厚度為IOOnm。
[0060]優選地，陰極的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為50(Tl000 °C，真空度為I X IO^lX IO^5Pa0
[0061]實施本發明實施例，具有如下有益效果:本發明提供的有機電致發光器件，采用金屬銻的鹵化物作為空穴傳輸摻雜劑，提高了空穴注入能力，提高了載流子濃度，使陽極與有機傳輸材料之間形成歐姆接觸，從而有效調節，改善載流子濃度與平衡，提高有機電致發光器件的發光效率和壽命，制備出高效，長壽命，低啟動電壓的OLED器件；本發明提供的有機電致發光器件的制備方法工藝簡單，適合規模化生產。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0062]圖1是本發明實施例1提供的有機電致發光器件的結構圖；
[0063]圖2是本發明實施例f 4與對比實施例提供的有機電致發光器件電壓-電流密度特性曲線；
[0064]圖3是本發明實施例1與對比實施例提供的有機電致發光器件的亮度衰減曲線圖。
【具體實施方式】
[0065]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0066]實施例1
[0067]一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0068](I)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，采用磁控濺射的方法在散射層上制備陽極導電薄膜；
[0069]具體地，在磁控濺射過程中，真空度為4X 10_3Pa，濺射功率為150W，陽極導電膜的材質為ΙΤ0，陽極導電薄膜的厚度為lOOnm。
[0070](2)在陽極導電薄膜上旋涂制備空穴傳輸層；
[0071]在本實施例中，空穴傳輸層的材質為NPB摻雜三氯化銻(SbCl3)形成的混合材料(NPBiSbCl3), SbCl3與NPB的摩爾比為0.2:1，空穴傳輸層的厚度為30nm ；
[0072]具體地，將SbCl3與NPB按照摩爾比0.2:1溶解在四氯化碳溶液中，形成總摩爾濃度為5mmol/L的均勻溶液；將制備好的此混合溶液通過旋涂的方法，覆蓋在具有ITO膜的玻璃基底上，旋涂過程中的旋涂速度為lOOOrpm，旋涂時間為20s ;旋涂結束后，將制備好的覆蓋有空穴傳輸層的玻璃基底置于真空干燥箱中，室溫下真空干燥lh。
[0073](3)在空穴傳輸層上依次蒸鍍制備電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層、電子傳輸層和金屬陰極，得到有機電致發光器件。
[0074]電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層和電子傳輸層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400 °C，真空度為IX 10_5Pa。陰極的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為800 °C，真空度為I X KT4Pa。
[0075]其中，電子阻擋層的材質為TAPC,厚度為5nm ;發光層的材質為Alq3,厚度為20nm ;空穴阻擋層的材料為BAlq,厚度為IOnm ;電子傳輸層的材料為Bphen,厚度為20nm ;陰極為鋁(Al)，厚度為lOOnm。
[0076]圖1是本實施例的有機電致發光器件的結構示意圖。如圖1所示，該有機電致發光器件的結構包括，玻璃基底101，陽極導電膜102，空穴傳輸層103，電子阻擋層104，發光層105，空穴阻擋層106，電子傳輸層107和陰極108。其中，空穴傳輸層的材質為NPB摻雜三氯化銻(SbCl3)形成的混合材料(NPB: SbCl3), SbCl3與NPB的摩爾比為0.2:1，空穴傳輸層的厚度為20nm。該有機電致發光器件的結構為:玻璃基底/ITO/NPB:SbCl3/TAPC/Alq3/BAlq/Bphen/Al。
[0077]為了更好地證明本發明實施例的有益效果，特設置如下對比實施例:
[0078]參照實施例1的方法制備有機電致發光器件，其中空穴傳輸層不采用摻雜結構，有機電致發光器件中:玻璃基底、陽極導電膜(材料為IT0，厚度為lOOnm)、空穴傳輸層(材料為NPB，厚度為20nm)、電子阻擋層(材料為TAPC，厚度為5nm)、發光層(材料為Alq3 ;厚度20nm))、空穴阻擋層(材料為BAlq,厚度為10nm)、電子傳輸層(材料為Bphen,厚度為20nm)和陰極(材料為Al，厚度為lOOnm)，即結構為:玻璃基底/ITO/NPB/TAPC/Alq3/BAlq/Bphen/Al。
[0079]實施例2
[0080]一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:[0081](I)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，采用磁控濺射的方法在散射層上制備陽極導電薄膜；
[0082]具體地，在磁控濺射過程中，真空度為4X 10_3Pa，濺射功率為150W，陽極導電膜的材質為ΙΖ0，陽極導電薄膜的厚度為80nm。
[0083](2)在陽極導電薄膜上旋涂制備空穴傳輸層；
[0084]在本實施例中，空穴傳輸層的材質為TH)摻雜三氯化銻(SbCl3)形成的混合材料，表示為TPDiSbCl3, SbCl3與TPD的摩爾比為0.01: 1，空穴傳輸層的厚度為50nm ；
[0085]具體地，將SbCl3與TPD按照摩爾比0.01:1溶解在三氯甲烷溶液中，形成總摩爾濃度為lOmmol/L的均勻溶液；將制備好的此混合溶液通過旋涂的方法，覆蓋在具有IZO膜的玻璃基底上，旋涂過程中的旋涂速度為3000rpm，旋涂時間為20s ;旋涂結束后，將制備好的覆蓋有空穴傳輸層的玻璃基底置于真空干燥箱中，室溫下真空干燥2h。
[0086](3)在空穴傳輸層上依次蒸鍍制備電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層、電子傳輸層和金屬陰極，得到有機電致發光器件。
[0087]電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層和電子傳輸層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400 °C，真空度為IX 10_5Pa。陰極的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為800 °C，真空度為I X KT4Pa。
[0088]其中，電子阻擋層的材質為NPB,厚度為5nm ;發光層的材質為Alq3,厚度為20nm ;空穴阻擋層的材料為TAZ，厚度為IOnm ;電子傳輸層的材料為TPBi，厚度為20nm ;陰極為銀(Ag),厚度為 lOOnm。
[0089]本實施例提供的有機電致發光器件的結構為:玻璃基底/IZO/TPD:SbCl3/NPB/Alq3/TAZ/TPBi/Ag。
[0090]實施例3
[0091]一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0092](I)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，采用磁控濺射的方法在散射層上制備陽極導電薄膜；
[0093]具體地，在磁控濺射過程中，真空度為4X 10_3Pa，濺射功率為150W，陽極導電膜的材質為AZ0，陽極導電薄膜的厚度為70nm。
[0094](2)在陽極導電薄膜上旋涂制備空穴傳輸層；
[0095]在本實施例中，空穴傳輸層的材質為MeO-TH)摻雜三氯化銻(SbCl3)形成的混合材料，表示為MeO-TPD:SbCl3, SbCl3與MeO-TPD的摩爾比為0.5:1，空穴傳輸層的厚度為IOOnm ；
[0096]具體地，將SbCl3與MeO-TI3D按照摩爾比0.5:1溶解在二氯甲烷溶液中，形成總摩爾濃度為4mmol/L的均勻溶液；將制備好的此混合溶液通過旋涂的方法，覆蓋在具有AZO膜的玻璃基底上，旋涂過程中的旋涂速度為2000rpm，旋涂時間為20s ;旋涂結束后，將制備好的覆蓋有空穴傳輸層的玻璃基底置于真空干燥箱中，室溫下真空干燥3h。
[0097](3)在空穴傳輸層上依次蒸鍍制備電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層、電子傳輸層和金屬陰極，得到有機電致發光器件。
[0098]電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層和電子傳輸層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400 °C，真空度為IX 10_5Pa。陰極的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為800 °C，真空度為I X KT4Pa。
[0099]其中，電子阻擋層的材質為TPD,厚度為5nm ;發光層的材質為Alq3,厚度為20nm ；空穴阻擋層的材料為TPBi，厚度為IOnm ;電子傳輸層的材料為Bphen，厚度為20nm ;陰極為金(Au),厚度為lOOnm。
[0100]本實施例提供的有機電致發光器件的結構為:玻璃基底/AZO/MeO-Tro = SbCl3/TPD/Alq3/TPBi/Bphen/Al。
[0101]實施例4 [0102]一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0103](I)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，采用磁控濺射的方法在散射層上制備陽極導電薄膜；
[0104]具體地，在磁控濺射過程中，真空度為4X 10_3Pa，濺射功率為150W，陽極導電膜的材質為ΙΤ0，陽極導電薄膜的厚度為lOOnm。
[0105](2)在陽極導電薄膜上旋涂制備空穴傳輸層；
[0106]在本實施例中，空穴傳輸層的材質為TH)摻雜五氯化銻(SbCI5)形成的混合材料，表示為TPDiSbCl5, SbCl5與TPD的摩爾比為0.1: 1，空穴傳輸層的厚度為80nm ；
[0107]具體地，將Sbci5與Tro按照摩爾比0.1:1溶解在二氯甲烷溶液中，形成總摩爾濃度為lmmol/L的均勻溶液；將制備好的此混合溶液通過旋涂的方法，覆蓋在具有ITO膜的玻璃基底上，旋涂過程中的旋涂速度為2000rpm，旋涂時間為20s ;旋涂結束后，將制備好的覆蓋有空穴傳輸層的玻璃基底置于真空干燥箱中，室溫下真空干燥lh。
[0108](3)在空穴傳輸層上依次蒸鍍制備電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層、電子傳輸層和金屬陰極，得到有機電致發光器件。
[0109]電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層和電子傳輸層的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為400 °C，真空度為lX10_5Pa。陰極的蒸鍍為真空蒸鍍，蒸鍍溫度為800°C，真空度為I X KT4Pa。
[0110]其中，電子阻擋層的材質為m-MTDATA,厚度為5nm ;發光層的材質為Alq3,厚度為20nm ;空穴阻擋層的材料為Bphen，厚度為IOnm ；電子傳輸層的材料為TAZ，厚度為20nm ;陰極為鉬(Pt)，厚度為lOOnm。
[0111]本實施例提供的有機電致發光器件的結構為:玻璃基底/ITO
[0112]/TPD: SbCl5/m-MTDATA/Alq3/Bphen/TAZ/Al。
[0113]表1是實施例1~4和對比實施例所制作的器件的發光性能數據，從表中可以看出，本發明提供的方法制作的有機電致發光裝置與普通的發光器件相比，具備有較低的啟動電壓和較高的發光效率。由此說明，通過摻雜的空穴傳輸層，可以提高傳輸層內的空穴載流子濃度，進而提高了導電率，使陽極與空穴傳輸層之間形成了歐姆接觸，因而可降低發光器件的驅動電壓，有利于器件效率和壽命的提高。
[0114]表1實施例f 4和對比實施例有機電致發光器件的發光性能數據
[0115]
【權利要求】
1.一種有機電致發光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、陽極導電膜、空穴傳輸層、電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層、電子傳輸層和陰極，所述空穴傳輸層的材質為空穴傳輸材料與摻雜劑形成的混合材料，所述摻雜劑為銻的鹵化物，在所述空穴傳輸層的材質中，所述摻雜劑與所述空穴傳輸材料的摩爾比為0.0r0.5:1。
2.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述銻的鹵化物為三氯化銻或五氯化銻。
3.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述空穴傳輸材料為N，N，N’，N’-四甲氧基苯基)-對二氨基聯苯、I，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、N，N，- 二苯基-N，N，- 二 (3-甲基苯基)-1，I’-聯苯-4，4’-二胺、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺或N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯苯二胺，所述空穴傳輸層的厚度為3(Tl00nm。
4.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述電子阻擋層的材料為N，N，N’，N’-四甲氧基苯基)-對二氨基聯苯、I，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、N，N，- 二苯基-N，N，- 二 (3-甲基苯基)-1，I’-聯苯-4，4’-二胺、4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯苯二胺；所述電子阻擋層的厚度為5~20nm。
5.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述發光層的材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、三(2-苯基吡啶)合銥、4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、8-羥基喹啉鋁或5，6，11，12-四苯基萘并萘；所述發光層的厚度為 10~30nm。
6.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述空穴阻擋層的材料為4，7- 二苯基-1, 10-菲羅啉、2，9- 二甲基-4，7-聯苯-1, 10-鄰二氮雜菲、1，2，4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑或雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1, O8)-(I, I’ -聯苯-4-羥基)鋁；所述空穴阻擋層的厚度為5~20nm。
7.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的電子傳輸材料為4，7- 二苯基-1, 10-菲羅啉、2，9- 二甲基-4，7-聯苯-1, 10-鄰二氮雜菲、1，2，4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑或雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1, O8)-(1，I’-聯苯-4-羥基)鋁；所述電子傳輸層的厚度為2(Tl00nm。
8.如權利要求1所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供清潔的玻璃基底，在經處理過的玻璃基底上采用電子束蒸鍍或磁控濺射的方法制備陽極導電膜； 在所述陽極導電膜上旋涂制備空穴傳輸層，所述空穴傳輸層的材質為空穴傳輸材料與摻雜劑形成的混合材料，所述摻雜劑為銻的鹵化物，在所述空穴傳輸層的材質中，所述摻雜劑與所述空穴傳輸材料的摩爾比為0.0r0.5:1 ； 所述旋涂過程中的旋涂速度為100(T3000rpm，旋涂時間為20s ； 在所述空穴傳輸層上依次蒸鍍制備電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層、電子傳輸層和陰極，得到有機電致發光器件。
9.如權利要求8所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述旋涂操作之前，將所述摻雜劑與所述空穴傳輸材料加入到溶劑中，配制成總摩爾濃度為f lOmmol/L的均勻溶液，所述溶劑為二氯甲烷，三氯甲烷或四氯化碳。
10.如權利要求8所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述旋涂操作之后，將制備好的覆蓋有所述空穴傳輸層的玻璃基底置于真空干燥箱中，室溫下真空干燥·1 ~5h。
【文檔編號】C09K11/06GK103545450SQ201210243192
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2012年7月13日 優先權日:2012年7月13日
【發明者】周明杰, 王平, 馮小明, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司