所公開及(ji)要求(qiu)保護(hu)的主(zhu)題(ti)涉(she)(she)及(ji)適用于(yu)將介(jie)電(dian)膜(mo)選擇性(xing)沉積于(yu)非(fei)金(jin)屬基(ji)板(ban)上的高(gao)純(chun)度炔烴。特別地，所公開及(ji)要求(qiu)保護(hu)的主(zhu)題(ti)涉(she)(she)及(ji)高(gao)純(chun)度炔烴及(ji)其用于(yu)增強金(jin)屬基(ji)板(ban)的鈍化的用途。

背景技術：

1、含(han)過渡(du)金(jin)屬(shu)膜(mo)(mo)用(yong)(yong)于(yu)(yu)(yu)半導(dao)體(ti)(ti)及電子應用(yong)(yong)中。化(hua)(hua)(hua)學氣(qi)相沉積(ji)(ji)(cvd)及原子層沉積(ji)(ji)(ald)已用(yong)(yong)作用(yong)(yong)于(yu)(yu)(yu)產生用(yong)(yong)于(yu)(yu)(yu)半導(dao)體(ti)(ti)裝置的(de)(de)(de)薄膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)主要沉積(ji)(ji)技術(shu)。這些(xie)方(fang)法可(ke)通過含(han)金(jin)屬(shu)化(hua)(hua)(hua)合物(前(qian)(qian)體(ti)(ti))的(de)(de)(de)化(hua)(hua)(hua)學反(fan)(fan)(fan)應實現保形(xing)膜(mo)(mo)(金(jin)屬(shu)、金(jin)屬(shu)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)物、金(jin)屬(shu)氮(dan)化(hua)(hua)(hua)物、金(jin)屬(shu)硅化(hua)(hua)(hua)物，及類似物)。該(gai)化(hua)(hua)(hua)學反(fan)(fan)(fan)應發生于(yu)(yu)(yu)可(ke)包括金(jin)屬(shu)、金(jin)屬(shu)氧(yang)化(hua)(hua)(hua)物、金(jin)屬(shu)氮(dan)化(hua)(hua)(hua)物、金(jin)屬(shu)硅化(hua)(hua)(hua)物及其他表面(mian)的(de)(de)(de)表面(mian)上(shang)。于(yu)(yu)(yu)cvd及ald中，前(qian)(qian)體(ti)(ti)分子于(yu)(yu)(yu)實現具有高(gao)保形(xing)性(xing)及低(di)雜(za)質的(de)(de)(de)高(gao)品質膜(mo)(mo)中發揮(hui)關鍵作用(yong)(yong)。cvd及ald工藝中基(ji)板(ban)的(de)(de)(de)溫(wen)度是(shi)選擇前(qian)(qian)體(ti)(ti)分子中重要的(de)(de)(de)考慮。于(yu)(yu)(yu)150至500攝氏度(℃)范(fan)圍內(nei)的(de)(de)(de)較高(gao)基(ji)板(ban)溫(wen)度促進(jin)較高(gao)膜(mo)(mo)生長速率。優選前(qian)(qian)體(ti)(ti)分子于(yu)(yu)(yu)此溫(wen)度范(fan)圍內(nei)必須穩定。該(gai)優選前(qian)(qian)體(ti)(ti)能(neng)夠以液相遞送(song)至反(fan)(fan)(fan)應容器。前(qian)(qian)體(ti)(ti)的(de)(de)(de)液相遞送(song)一般比固(gu)相前(qian)(qian)體(ti)(ti)對(dui)該(gai)反(fan)(fan)(fan)應容器提供更均(jun)勻的(de)(de)(de)前(qian)(qian)體(ti)(ti)遞送(song)。

2、越來(lai)越多地使(shi)用(yong)cvd及ald工藝，因為其(qi)具(ju)有增強的(de)(de)(de)組分控(kong)制、高膜均勻性及有效(xiao)控(kong)制摻雜的(de)(de)(de)優點。此外，cvd及ald工藝在與現代微電子(zi)裝(zhuang)置相關聯的(de)(de)(de)高度非平(ping)面幾何形狀上(shang)(shang)提供優異的(de)(de)(de)保形臺階(jie)覆蓋。cvd及ald對使(shi)用(yong)這些(xie)含金(jin)屬(shu)(shu)前體于(yu)基板(ban)(諸如硅(gui)、氧化(hua)硅(gui)、金(jin)屬(shu)(shu)氮化(hua)物(wu)、金(jin)屬(shu)(shu)氧化(hua)物(wu)及其(qi)他含金(jin)屬(shu)(shu)層)上(shang)(shang)制造含保形金(jin)屬(shu)(shu)膜而(er)言是特(te)別具(ju)有吸(xi)引力的(de)(de)(de)。于(yu)這些(xie)技術中，將(jiang)揮發性金(jin)屬(shu)(shu)絡(luo)合(he)物(wu)的(de)(de)(de)蒸氣引入處(chu)(chu)理室內(nei)，于(yu)該處(chu)(chu)理室中使(shi)其(qi)與硅(gui)晶圓(yuan)的(de)(de)(de)表面接觸，從而(er)發生化(hua)學反應，其(qi)沉(chen)積純金(jin)屬(shu)(shu)或金(jin)屬(shu)(shu)化(hua)合(he)物(wu)的(de)(de)(de)薄(bo)膜。

3、cvd是一種(zhong)化學工藝(yi)(yi)，通(tong)過(guo)該方法可(ke)(ke)(ke)使用(yong)前(qian)體(ti)(ti)(ti)以于(yu)基板表面上形成薄膜(mo)。于(yu)典(dian)型cvd工藝(yi)(yi)中，該前(qian)體(ti)(ti)(ti)是于(yu)低壓(ya)或環境壓(ya)力反(fan)應(ying)(ying)(ying)室中在基板(例如，晶圓(yuan)(yuan))的(de)(de)表面上通(tong)過(guo)。該前(qian)體(ti)(ti)(ti)于(yu)該基板表面上反(fan)應(ying)(ying)(ying)及(ji)/或分(fen)解產(chan)生(sheng)沉積(ji)材料的(de)(de)薄膜(mo)。等離(li)子體(ti)(ti)(ti)可(ke)(ke)(ke)用(yong)于(yu)輔助前(qian)體(ti)(ti)(ti)的(de)(de)反(fan)應(ying)(ying)(ying)或用(yong)于(yu)改良材料性質。揮發(fa)性副產(chan)物(wu)通(tong)過(guo)氣流通(tong)過(guo)該反(fan)應(ying)(ying)(ying)室來移(yi)除。沉積(ji)的(de)(de)膜(mo)厚度可(ke)(ke)(ke)難(nan)以控制(zhi)，因(yin)為(wei)其(qi)取決于(yu)許多參數(shu)(諸如溫度、壓(ya)力、氣流體(ti)(ti)(ti)積(ji)及(ji)均(jun)勻性、化學損耗效應(ying)(ying)(ying)及(ji)時間)的(de)(de)協調。因(yin)此，發(fa)生(sheng)cvd，其(qi)中該前(qian)體(ti)(ti)(ti)于(yu)晶圓(yuan)(yuan)表面處熱反(fan)應(ying)(ying)(ying)或與(yu)同時添加至處理室中的(de)(de)試劑反(fan)應(ying)(ying)(ying)及(ji)膜(mo)生(sheng)長(chang)以穩態沉積(ji)發(fa)生(sheng)。cvd可(ke)(ke)(ke)以連續(xu)或脈(mo)沖模式施(shi)加以實現所需(xu)的(de)(de)膜(mo)厚度。

4、ald是一種用(yong)(yong)于(yu)沉(chen)(chen)積薄膜(mo)的(de)(de)化學方(fang)法。其是一種基(ji)于(yu)表(biao)(biao)面反(fan)應(ying)的(de)(de)自(zi)限制、循(xun)序、獨特(te)的(de)(de)膜(mo)生長(chang)技術，其可提(ti)供精確的(de)(de)厚度控(kong)(kong)制并(bing)使由前(qian)(qian)體(ti)(ti)提(ti)供的(de)(de)材料的(de)(de)保形薄膜(mo)沉(chen)(chen)積于(yu)組成變化的(de)(de)表(biao)(biao)面基(ji)板(ban)(ban)(ban)上(shang)。于(yu)ald中(zhong)，在(zai)(zai)該(gai)(gai)反(fan)應(ying)期間分離該(gai)(gai)前(qian)(qian)體(ti)(ti)。第(di)一前(qian)(qian)體(ti)(ti)在(zai)(zai)該(gai)(gai)基(ji)板(ban)(ban)(ban)表(biao)(biao)面上(shang)通過(guo)，于(yu)該(gai)(gai)基(ji)板(ban)(ban)(ban)表(biao)(biao)面上(shang)產(chan)(chan)生單(dan)(dan)層。將任何過(guo)量的(de)(de)未反(fan)應(ying)的(de)(de)前(qian)(qian)體(ti)(ti)泵出該(gai)(gai)反(fan)應(ying)室。然后使第(di)二前(qian)(qian)體(ti)(ti)或(huo)(huo)共反(fan)應(ying)物通過(guo)該(gai)(gai)基(ji)板(ban)(ban)(ban)表(biao)(biao)面并(bing)與該(gai)(gai)第(di)一前(qian)(qian)體(ti)(ti)反(fan)應(ying)，于(yu)該(gai)(gai)基(ji)板(ban)(ban)(ban)表(biao)(biao)面上(shang)第(di)一形成的(de)(de)單(dan)(dan)層膜(mo)上(shang)形成第(di)二單(dan)(dan)層膜(mo)。等離子體(ti)(ti)可用(yong)(yong)于(yu)輔助前(qian)(qian)體(ti)(ti)或(huo)(huo)共反(fan)應(ying)物的(de)(de)反(fan)應(ying)或(huo)(huo)用(yong)(yong)于(yu)改(gai)良材料品質。重復此循(xun)環(huan)以產(chan)(chan)生所需厚度的(de)(de)膜(mo)。ald提(ti)供超薄但連續的(de)(de)含金(jin)屬膜(mo)的(de)(de)沉(chen)(chen)積及(ji)(ji)精確控(kong)(kong)制膜(mo)厚度、優(you)異的(de)(de)膜(mo)厚度均勻性(xing)及(ji)(ji)顯著的(de)(de)保形膜(mo)生長(chang)以均勻涂布深度蝕刻(ke)及(ji)(ji)高度旋繞的(de)(de)結(jie)構(諸如互(hu)連通孔(kong)及(ji)(ji)溝槽)。因此，ald通常優(you)選用(yong)(yong)于(yu)在(zai)(zai)具有高縱橫(heng)比的(de)(de)特(te)征上(shang)沉(chen)(chen)積薄膜(mo)。

5、薄(bo)膜(mo)(mo)且特(te)別(bie)(bie)地(di)含金(jin)屬(shu)薄(bo)膜(mo)(mo)具有各種重要的(de)(de)(de)(de)(de)應(ying)用，諸如(ru)于(yu)納米(mi)技術及(ji)半(ban)導體(ti)(ti)裝置的(de)(de)(de)(de)(de)制(zhi)造中(zhong)(zhong)。這(zhe)(zhe)樣(yang)的(de)(de)(de)(de)(de)應(ying)用的(de)(de)(de)(de)(de)實例包(bao)括(kuo)(kuo)電(dian)(dian)(dian)容(rong)器電(dian)(dian)(dian)極、柵電(dian)(dian)(dian)極、粘合劑(ji)擴(kuo)散(san)障壁及(ji)集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)路。然而，微電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)組(zu)件(諸如(ru)半(ban)導體(ti)(ti)裝置)尺寸(cun)的(de)(de)(de)(de)(de)持續減小(xiao)(xiao)存(cun)在數種技術挑戰且已(yi)增(zeng)加(jia)對經(jing)改(gai)良的(de)(de)(de)(de)(de)薄(bo)膜(mo)(mo)技術的(de)(de)(de)(de)(de)需求。特(te)別(bie)(bie)地(di)，微電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)組(zu)件可包(bao)括(kuo)(kuo)基(ji)板(ban)(ban)上或(huo)基(ji)板(ban)(ban)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)特(te)征(zheng)(zheng)(zheng)，該(gai)(gai)(gai)特(te)征(zheng)(zheng)(zheng)需填(tian)(tian)充(chong)，例如(ru)，以(yi)形(xing)成(cheng)導電(dian)(dian)(dian)通(tong)路或(huo)以(yi)形(xing)成(cheng)互連。填(tian)(tian)充(chong)這(zhe)(zhe)樣(yang)的(de)(de)(de)(de)(de)特(te)征(zheng)(zheng)(zheng)，尤(you)其于(yu)越(yue)來越(yue)小(xiao)(xiao)的(de)(de)(de)(de)(de)微電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)組(zu)件中(zhong)(zhong)，可具有挑戰，因為(wei)該(gai)(gai)(gai)特(te)征(zheng)(zheng)(zheng)可變(bian)得(de)越(yue)來越(yue)薄(bo)或(huo)越(yue)來越(yue)窄。因此(ci)，當(dang)該(gai)(gai)(gai)特(te)征(zheng)(zheng)(zheng)的(de)(de)(de)(de)(de)厚(hou)度(du)接近零時，完全填(tian)(tian)充(chong)該(gai)(gai)(gai)特(te)征(zheng)(zheng)(zheng)(例如(ru)，經(jing)由ald)將需無限長的(de)(de)(de)(de)(de)循(xun)環時間。此(ci)外，一(yi)旦(dan)該(gai)(gai)(gai)特(te)征(zheng)(zheng)(zheng)的(de)(de)(de)(de)(de)厚(hou)度(du)變(bian)得(de)比前體(ti)(ti)分(fen)子(zi)(zi)的(de)(de)(de)(de)(de)尺寸(cun)更(geng)窄，則無法(fa)完全填(tian)(tian)充(chong)該(gai)(gai)(gai)特(te)征(zheng)(zheng)(zheng)。因此(ci)，當(dang)進行ald時，中(zhong)(zhong)空接縫(feng)可留在該(gai)(gai)(gai)特(te)征(zheng)(zheng)(zheng)的(de)(de)(de)(de)(de)中(zhong)(zhong)間部分(fen)中(zhong)(zhong)。特(te)征(zheng)(zheng)(zheng)內這(zhe)(zhe)樣(yang)的(de)(de)(de)(de)(de)中(zhong)(zhong)空接縫(feng)的(de)(de)(de)(de)(de)存(cun)在是不期望的(de)(de)(de)(de)(de)，因為(wei)其可導致該(gai)(gai)(gai)裝置失效。因此(ci)，對開發(fa)薄(bo)膜(mo)(mo)沉積方(fang)法(fa)，特(te)別(bie)(bie)地(di)可于(yu)一(yi)個或(huo)多個基(ji)板(ban)(ban)上選擇性生長膜(mo)(mo)并于(yu)基(ji)板(ban)(ban)上或(huo)于(yu)基(ji)板(ban)(ban)中(zhong)(zhong)實現特(te)征(zheng)(zheng)(zheng)經(jing)改(gai)良的(de)(de)(de)(de)(de)填(tian)(tian)充(chong)，包(bao)括(kuo)(kuo)以(yi)大體(ti)(ti)上填(tian)(tian)充(chong)特(te)征(zheng)(zheng)(zheng)而無任何空隙的(de)(de)(de)(de)(de)方(fang)式沉積含金(jin)屬(shu)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)ald方(fang)法(fa)存(cun)在顯著興趣。

6、如(ru)上文(wen)暗示的，于常規半導體裝置(zhi)制造(zao)中(zhong)，圖(tu)案化(hua)是(shi)(shi)(shi)一種(zhong)主要基于光刻法及蝕刻的“自(zi)上而下”工藝(yi)，其是(shi)(shi)(shi)裝置(zhi)尺寸減小的主要瓶(ping)頸。相反，區域選擇(ze)性沉積(例(li)如(ru)，cvd及ald)為先(xian)進半導體制造(zao)提(ti)供一種(zhong)用(yong)于圖(tu)案化(hua)的替代“自(zi)下而上”方法，其中(zhong)金屬(shu)層(例(li)如(ru)，ru)是(shi)(shi)(shi)于靠近鈍化(hua)介(jie)(jie)電(dian)基板的底(di)部(bu)金屬(shu)表面(例(li)如(ru)，ru及tin)上生長(chang)，而非于介(jie)(jie)電(dian)(例(li)如(ru)，sio2)側壁上生長(chang)。例(li)如(ru)，參見圖(tu)1。還(huan)期望(wang)這些工藝(yi)是(shi)(shi)(shi)無氧的及/或具有(you)較低的電(dian)阻率。

7、在另(ling)一(yi)(yi)(yi)應(ying)用中，期望介電膜(mo)僅(jin)沉(chen)積于另(ling)一(yi)(yi)(yi)介電膜(mo)上而非沉(chen)積于金(jin)屬表(biao)(biao)面(mian)上。例如(ru)，參見圖2。此工藝的(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)種潛在應(ying)用是(shi)(shi)自(zi)對準(zhun)制造。實(shi)現選(xuan)擇性(xing)生長(chang)的(de)(de)(de)最常用策略是(shi)(shi)基(ji)于選(xuan)擇性(xing)鈍化(hua)(hua)(hua)(hua)非生長(chang)表(biao)(biao)面(mian)。鈍化(hua)(hua)(hua)(hua)極需(xu)小(xiao)揮發性(xing)分(fen)(fen)子，因為其可經由蒸氣相供(gong)應(ying)。具有高濃度羥基(ji)的(de)(de)(de)非金(jin)屬表(biao)(biao)面(mian)的(de)(de)(de)選(xuan)擇性(xing)鈍化(hua)(hua)(hua)(hua)被廣泛利用且(qie)包括與(yu)各(ge)種硅烷基(ji)化(hua)(hua)(hua)(hua)劑(諸(zhu)如(ru)rxsicly、rxsi(nr2)y等)反(fan)應(ying)。另(ling)一(yi)(yi)(yi)方面(mian)，金(jin)屬表(biao)(biao)面(mian)的(de)(de)(de)選(xuan)擇性(xing)鈍化(hua)(hua)(hua)(hua)更具挑戰且(qie)通(tong)過(guo)此方法(fa)的(de)(de)(de)選(xuan)擇性(xing)可容易(yi)因鈍化(hua)(hua)(hua)(hua)劑的(de)(de)(de)解吸及由于金(jin)屬膜(mo)表(biao)(biao)面(mian)上殘余的(de)(de)(de)雜質而導致的(de)(de)(de)不(bu)完全鈍化(hua)(hua)(hua)(hua)等喪失。通(tong)常，單組分(fen)(fen)試劑是(shi)(shi)用于鈍化(hua)(hua)(hua)(hua)非生長(chang)表(biao)(biao)面(mian)。然而，由于該金(jin)屬表(biao)(biao)面(mian)(例如(ru)，舉(ju)例而言(yan)“裸”金(jin)屬、氫原子封端的(de)(de)(de)金(jin)屬、氧(yang)原子或羥基(ji)封端的(de)(de)(de)金(jin)屬等)上存在不(bu)同位點，因此單組分(fen)(fen)試劑可能無法(fa)提供(gong)金(jin)屬表(biao)(biao)面(mian)的(de)(de)(de)完全表(biao)(biao)面(mian)覆蓋。

8、炔(gui)烴(jing)已用于鈍(dun)化(hua)(hua)金屬表面以大體上(shang)抑制(zhi)金屬非(fei)生(sheng)長表面上(shang)膜的生(sheng)長，同時使(shi)該膜沉積于生(sheng)長介電表面上(shang)。然而，由于受痕量(liang)(liang)水分(fen)、鹵(lu)(lu)化(hua)(hua)物(wu)(wu)及(ji)羧(suo)酸的污染(ran)，先前描述的炔(gui)烴(jing)于金屬位點(dian)上(shang)提供(gong)不充分(fen)的鈍(dun)化(hua)(hua)。通常，通過(guo)使(shi)金屬乙炔(gui)化(hua)(hua)物(wu)(wu)與烷基鹵(lu)(lu)化(hua)(hua)物(wu)(wu)反應，接著進行水性后(hou)處理制(zhi)備經取代的炔(gui)烴(jing)。例如(ru)，參見morr?ison及(ji)boyd，organic?chemi?s?try,558-560(1983)。因此，炔(gui)烴(jing)受痕量(liang)(liang)殘余(yu)的烷基鹵(lu)(lu)化(hua)(hua)物(wu)(wu)、水分(fen)及(ji)羧(suo)酸污染(ran)。

9、例(li)如(ru)，美(mei)國專利申請公(gong)開第2020/0347493號公(gong)開用于(yu)(yu)在(zai)非金屬(shu)(shu)表(biao)(biao)面(mian)上(shang)選擇性(xing)沉(chen)積介電膜(mo)的(de)(de)方(fang)法。所公(gong)開的(de)(de)方(fang)法需在(zai)沉(chen)積該(gai)介電膜(mo)前鈍(dun)(dun)化(hua)(hua)或阻(zu)斷金屬(shu)(shu)表(biao)(biao)面(mian)。在(zai)一(yi)些實施方(fang)案中(zhong)，該(gai)方(fang)法包括用具有至(zhi)少(shao)一(yi)個碳碳三鍵的(de)(de)不飽(bao)和烴(jing)類(例(li)如(ru)，3-己炔(gui)、4-辛炔(gui)、5-癸炔(gui)、6-十二炔(gui)及7-十四炔(gui))處(chu)理(li)金屬(shu)(shu)表(biao)(biao)面(mian)。根(gen)據(ju)本(ben)技術，據(ju)信該(gai)不飽(bao)和烴(jing)類抑制該(gai)金屬(shu)(shu)基(ji)板上(shang)的(de)(de)成(cheng)核及生長。盡管本(ben)技術提供一(yi)種阻(zu)斷金屬(shu)(shu)表(biao)(biao)面(mian)的(de)(de)方(fang)法，但其(qi)未教導或提出一(yi)種用于(yu)(yu)鈍(dun)(dun)化(hua)(hua)存(cun)在(zai)于(yu)(yu)該(gai)金屬(shu)(shu)表(biao)(biao)面(mian)上(shang)的(de)(de)殘余的(de)(de)金屬(shu)(shu)氧化(hua)(hua)物位點的(de)(de)工藝(yi)。

10、金(jin)(jin)屬表(biao)面的(de)可重復選擇(ze)性鈍(dun)化需(xu)仔細設計前體(ti)及沉積工藝。事實上，高(gao)度期望減少及/或消(xiao)除介電表(biao)面的(de)鈍(dun)化同(tong)時增(zeng)強金(jin)(jin)屬表(biao)面的(de)鈍(dun)化。所公開及要求保護的(de)主題提供用于增(zeng)強鈍(dun)化及/或阻斷金(jin)(jin)屬表(biao)面及相對(dui)于金(jin)(jin)屬表(biao)面強化非金(jin)(jin)屬表(biao)面的(de)選擇(ze)性沉積的(de)組合物及方(fang)法。

11、為在半導(dao)體(ti)制造(zao)期(qi)間(jian)實(shi)現選擇性(xing)表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)生(sheng)長(chang)(即，不(bu)(bu)(bu)同(tong)(tong)表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)上(shang)的同(tong)(tong)時(shi)(shi)或大(da)體(ti)上(shang)同(tong)(tong)時(shi)(shi)生(sheng)長(chang)及(ji)非(fei)生(sheng)長(chang))，通常(chang)期(qi)望利用(yong)(i)假定不(bu)(bu)(bu)含(han)或大(da)體(ti)上(shang)不(bu)(bu)(bu)含(han)羥基(ji)(ji)的金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)，及(ji)(ii)含(han)有高濃度羥基(ji)(ji)的非(fei)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)。合(he)適(shi)的金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)的實(shi)例(li)包(bao)(bao)括(kuo)但(dan)(dan)不(bu)(bu)(bu)限(xian)于(yu)銅、鈷、鎢(wu)、鉬、鎳、釕等。非(fei)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)的實(shi)例(li)包(bao)(bao)括(kuo)但(dan)(dan)不(bu)(bu)(bu)限(xian)于(yu)氧化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅、低k摻碳氧化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅、氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅、碳氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅，及(ji)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)氧化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)物，諸如氧化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋁、氧化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉭(tan)(tan)(tan)、氧化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉿(jia)、氧化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯等。沉(chen)積(ji)于(yu)非(fei)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)上(shang)的膜(mo)的實(shi)例(li)包(bao)(bao)括(kuo)但(dan)(dan)不(bu)(bu)(bu)限(xian)于(yu)氧化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)硅、氧化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋁、氧化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉭(tan)(tan)(tan)、氧化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦(tai)、氧化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉿(jia)、氧化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鋯、氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鉭(tan)(tan)(tan)、氮化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)鈦(tai)等。該膜(mo)是(shi)通過上(shang)文討論的化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)學氣相沉(chen)積(ji)及(ji)原(yuan)子層沉(chen)積(ji)工藝沉(chen)積(ji)于(yu)非(fei)金(jin)(jin)(jin)屬(shu)(shu)表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)上(shang)。適(shi)用(yong)于(yu)沉(chen)積(ji)該膜(mo)的前(qian)體(ti)包(bao)(bao)括(kuo)但(dan)(dan)不(bu)(bu)(bu)限(xian)于(yu)三甲(jia)基(ji)(ji)鋁、四(二甲(jia)基(ji)(ji)氨基(ji)(ji))鈦(tai)、五(二甲(jia)基(ji)(ji)氨基(ji)(ji))鉭(tan)(tan)(tan)、叔丁基(ji)(ji)亞(ya)氨基(ji)(ji)-三(二甲(jia)基(ji)(ji)氨基(ji)(ji))鉭(tan)(tan)(tan)、叔丁基(ji)(ji)亞(ya)氨基(ji)(ji)-三(二甲(jia)基(ji)(ji)氨基(ji)(ji))鈮等。共反(fan)應物包(bao)(bao)括(kuo)但(dan)(dan)不(bu)(bu)(bu)限(xian)于(yu)水、氨。

12、為實(shi)現選擇(ze)性(xing)沉(chen)(chen)積，金屬表面必須經(jing)鈍化且(qie)不含或大(da)體上不含對用于膜沉(chen)(chen)積的(de)下一工(gong)藝步驟中(zhong)使用的(de)前體及共(gong)反(fan)應(ying)物(wu)具有反(fan)應(ying)性(xing)的(de)化學基(ji)團，例如，舉例而言氨。另(ling)一方面，用于鈍化金屬表面的(de)反(fan)應(ying)物(wu)應(ying)不鈍化非金屬表面上所需的(de)生長。所公開及要求保(bao)護的(de)配(pei)制劑是經(jing)獨特設計以于選擇(ze)性(xing)沉(chen)(chen)積工(gong)藝中(zhong)平(ping)衡這些需求。

技術實現思路

1、所公開及要求保護的(de)主題涉及大體上不含殘余的(de)烷基鹵化(hua)物、水(shui)及/或羧酸的(de)高純度(du)炔烴及其(qi)用于(例如，于配制劑中)增強金屬基板的(de)鈍化(hua)的(de)用途。

2、在另一(yi)實施(shi)方案中，所公開(kai)及(ji)要求保護的主(zhu)題包(bao)括上文描(miao)述(shu)的配制劑于選擇性cvd沉積工藝中的用途。

3、在另一實施方案中，所公開及(ji)要(yao)求保護的主(zhu)題包括上文描述的配制劑于選擇(ze)性ald沉積工藝中的用(yong)途。