本發明涉及固(gu)(gu)化(hua)(hua)性組(zu)合(he)物和(he)由該固(gu)(gu)化(hua)(hua)性組(zu)合(he)物形成的固(gu)(gu)化(hua)(hua)膜、以及包含該固(gu)(gu)化(hua)(hua)膜的顯示裝(zhuang)置。

背景技術：

1、作(zuo)為用于(yu)形成顯示裝置所包含的(de)波(bo)長(chang)轉換(huan)膜(mo)等(deng)固(gu)(gu)化膜(mo)的(de)固(gu)(gu)化性樹脂組合(he)(he)物(wu)(wu)，已知有含有量(liang)子點等(deng)發光性半導(dao)體粒子的(de)組合(he)(he)物(wu)(wu)(專利(li)文(wen)獻1)。另外，研究(jiu)了使用包含量(liang)子點的(de)油墨組合(he)(he)物(wu)(wu)利(li)用噴(pen)墨法來制造波(bo)長(chang)轉換(huan)膜(mo)等(deng)的(de)方法(專利(li)文(wen)獻2、3)。

2、現有技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本(ben)特開2016－71362號公報

5、專利文獻2：國際公開第2018/123821號

6、專利文獻3：國(guo)際公開第2018/123103號(hao)

技術實現思路

1、對使用含有(you)半(ban)(ban)導(dao)體粒子的固(gu)(gu)化(hua)性組合物(wu)而形成(cheng)(cheng)的波長轉換膜(mo)等固(gu)(gu)化(hua)膜(mo)賦(fu)予熱(re)的情(qing)況下，有(you)時會從(cong)該固(gu)(gu)化(hua)膜(mo)中(zhong)產生排氣(outgas)。排氣的產生在形成(cheng)(cheng)該固(gu)(gu)化(hua)膜(mo)之(zhi)后的工序中(zhong)會成(cheng)(cheng)為問題，因此希望減(jian)少。而且，希望由含有(you)半(ban)(ban)導(dao)體粒子的固(gu)(gu)化(hua)性組合物(wu)形成(cheng)(cheng)的固(gu)(gu)化(hua)膜(mo)即便賦(fu)予熱(re)也表現(xian)出良好的發光特性。

2、本(ben)(ben)發明(ming)(ming)的(de)一(yi)(yi)個(ge)目的(de)在于(yu)提供(gong)一(yi)(yi)種(zhong)固(gu)化(hua)性組(zu)(zu)合(he)物，其包(bao)含發光性半導體粒子，并且能夠抑(yi)制(zhi)上述排(pai)氣(qi)的(de)產(chan)(chan)生。本(ben)(ben)發明(ming)(ming)的(de)另一(yi)(yi)目的(de)在于(yu)提供(gong)一(yi)(yi)種(zhong)固(gu)化(hua)性組(zu)(zu)合(he)物，其能夠抑(yi)制(zhi)上述排(pai)氣(qi)的(de)產(chan)(chan)生，并且即便通(tong)過(guo)包(bao)含賦予熱的(de)制(zhi)造方法也能夠實現(xian)發光強度良(liang)好的(de)固(gu)化(hua)膜(mo)。本(ben)(ben)發明(ming)(ming)的(de)又一(yi)(yi)目的(de)在于(yu)提供(gong)由該(gai)固(gu)化(hua)性組(zu)(zu)合(he)物形成的(de)固(gu)化(hua)膜(mo)和(he)包(bao)含該(gai)固(gu)化(hua)膜(mo)的(de)顯示裝(zhuang)置。

3、本發(fa)明提供(gong)以下(xia)示出的固(gu)化性組合物、固(gu)化膜和顯示裝置。

4、[1]一(yi)種固(gu)化(hua)(hua)性組合物，包含半導體粒子(a)、聚合性化(hua)(hua)合物(b)、聚合引發劑(c)和抗氧(yang)化(hua)(hua)劑(d)，

5、將相對(dui)于(yu)上(shang)述固化性組合(he)(he)(he)物的總量的聚(ju)(ju)合(he)(he)(he)性化合(he)(he)(he)物(b)的含(han)有(you)率(lv)(質量％)設為mb，將聚(ju)(ju)合(he)(he)(he)引發劑(c)的含(han)有(you)率(lv)(質量％)設為mc時(shi)，滿足式(shi)(i)：11.5≤mb/mc≤150(i)。

6、[2]根據[1]所述的(de)固(gu)化性組(zu)合物，其中，將相對于上述固(gu)化性組(zu)合物的(de)總(zong)量(liang)的(de)半導體粒子(a)的(de)含(han)有(you)率(lv)(質量(liang)％)設為(wei)ma，將抗(kang)氧(yang)化劑(d)的(de)含(han)有(you)率(lv)(質量(liang)％)設為(wei)md時，進一步(bu)滿(man)足式(ii)：0.01≤md/ma≤0.6(ii)。

7、[3]根據[1]或[2]所述(shu)的(de)固化性組合物，其中，進一步滿足式(iii)：0.5≤(mb×md)/(mc×ma)≤7.5(iii)。

8、[4]一種(zhong)固化(hua)(hua)性組合(he)物，包含(han)半(ban)導體粒子(a)、聚(ju)合(he)性化(hua)(hua)合(he)物(b)、聚(ju)合(he)引發劑(c)和抗(kang)氧化(hua)(hua)劑(d)，

9、將(jiang)相對于上(shang)述(shu)固(gu)化(hua)(hua)性組(zu)合(he)物的總量(liang)的半導體粒子(a)的含(han)(han)有(you)率(lv)(質(zhi)量(liang)％)設為ma，將(jiang)聚(ju)合(he)性化(hua)(hua)合(he)物(b)的含(han)(han)有(you)率(lv)(質(zhi)量(liang)％)設為mb，將(jiang)聚(ju)合(he)引(yin)發(fa)劑(c)的含(han)(han)有(you)率(lv)(質(zhi)量(liang)％)設為mc，將(jiang)抗(kang)氧(yang)化(hua)(hua)劑(d)的含(han)(han)有(you)率(lv)(質(zhi)量(liang)％)設為md時，滿足式(iii)：0.5≤(mb×md)/(mc×ma)≤7.5(iii)。

10、[5]根(gen)據[1]～[4]中(zhong)(zhong)任一項(xiang)所述的固化性組合物，其中(zhong)(zhong)，進一步包含(han)光散射劑(e)。

11、[6]根據(ju)[1]～[5]中(zhong)(zhong)任一(yi)項所述的固化(hua)(hua)性組(zu)合物，其中(zhong)(zhong)，聚(ju)合性化(hua)(hua)合物(b)包含在80℃下加(jia)熱1小時時的揮發量為7質(zhi)量％以下的聚(ju)合性化(hua)(hua)合物。

12、[7]根據[1]～[6]中(zhong)任一項所(suo)述(shu)的(de)固化性(xing)組合(he)物，其中(zhong)，聚合(he)性(xing)化合(he)物(b)包(bao)含其均(jun)聚物的(de)玻(bo)璃化轉變(bian)溫度為－50℃以上的(de)聚合(he)性(xing)化合(he)物。

13、[8]根據(ju)[1]～[7]中任一項(xiang)所述的固化(hua)性(xing)組合(he)物，其中，聚(ju)(ju)合(he)性(xing)化(hua)合(he)物(b)相(xiang)對于聚(ju)(ju)合(he)性(xing)化(hua)合(he)物(b)的總量包(bao)含40質量％以(yi)上的偶極矩為3d以(yi)上的聚(ju)(ju)合(he)性(xing)化(hua)合(he)物。

14、[9]根據[8]所述(shu)的固(gu)化(hua)性(xing)組合(he)(he)(he)物(wu)，其中(zhong)，聚(ju)合(he)(he)(he)性(xing)化(hua)合(he)(he)(he)物(wu)(b)相對于聚(ju)合(he)(he)(he)性(xing)化(hua)合(he)(he)(he)物(wu)(b)的總量包(bao)含40質量％以上的偶(ou)極矩為(wei)3d以上的二官能聚(ju)合(he)(he)(he)性(xing)化(hua)合(he)(he)(he)物(wu)。

15、[10]根據[8]或[9]所述的固化性組合物(wu)，其中，聚(ju)合性化合物(wu)(b)包含偶極矩為3d～4d的三官能聚(ju)合性化合物(wu)。

16、[11]根據(ju)[1]～[7]中(zhong)(zhong)任一項所述(shu)的固化(hua)性(xing)(xing)組合(he)(he)物，其中(zhong)(zhong)，聚合(he)(he)性(xing)(xing)化(hua)合(he)(he)物(b)相對于上(shang)(shang)述(shu)固化(hua)性(xing)(xing)組合(he)(he)物的總量(liang)包含20質(zhi)量(liang)％以(yi)上(shang)(shang)的偶(ou)極矩為(wei)3d以(yi)上(shang)(shang)的聚合(he)(he)性(xing)(xing)化(hua)合(he)(he)物。

17、[12]根據[11]所述的(de)(de)固(gu)化(hua)性(xing)組合(he)物，其中(zhong)，聚(ju)合(he)性(xing)化(hua)合(he)物(b)相對于上述固(gu)化(hua)性(xing)組合(he)物的(de)(de)總量(liang)包含20質量(liang)％以(yi)上的(de)(de)偶極矩為3d以(yi)上的(de)(de)二官(guan)能聚(ju)合(he)性(xing)化(hua)合(he)物。

18、[13]根據(ju)[11]或(huo)[12]所述(shu)的(de)固(gu)化(hua)性組合(he)物(wu)，其中，聚合(he)性化(hua)合(he)物(wu)(b)包含偶極(ji)矩為(wei)3d～4d的(de)三官能(neng)聚合(he)性化(hua)合(he)物(wu)。

19、[14]根(gen)據[1]～[13]中任一項所述(shu)的固(gu)化性(xing)組(zu)合物，其中，相對于上述(shu)固(gu)化性(xing)組(zu)合物的總量(liang)(liang)，溶劑(f)的含有率為1質量(liang)(liang)％以下。

20、[15]根據[1]～[14]中(zhong)任一項(xiang)所述(shu)的固化(hua)性(xing)組(zu)合物(wu)，其中(zhong)，相(xiang)對(dui)于上述(shu)固化(hua)性(xing)組(zu)合物(wu)的總量(liang)，樹脂(i)的含有率為1質量(liang)％以下。

21、[16]根據[1]～[15]中任一(yi)項所述的固化性組(zu)合(he)物，其中，40℃的粘度(du)為20cp以下。

22、[17]一(yi)種(zhong)固化膜，由[1]～[16]中任(ren)一(yi)項所述的固化性組(zu)合(he)物形成。

23、[18]一種顯示(shi)裝置(zhi)，包含(han)[17]所述的固化膜。

24、本發明可以(yi)提供一(yi)種固(gu)化性組合(he)(he)物(wu)，其包含(han)發光(guang)性半導體粒子，并(bing)且能(neng)(neng)夠(gou)抑(yi)制上述排(pai)氣的(de)(de)產生(sheng)。另外，可以(yi)提供一(yi)種固(gu)化性組合(he)(he)物(wu)，其能(neng)(neng)夠(gou)抑(yi)制上述排(pai)氣的(de)(de)產生(sheng)，并(bing)且即便通過(guo)包含(han)賦(fu)予熱的(de)(de)制造方法也能(neng)(neng)夠(gou)實現發光(guang)強度良(liang)好的(de)(de)固(gu)化膜(mo)。此(ci)外，可以(yi)提供由該(gai)固(gu)化性組合(he)(he)物(wu)形(xing)成的(de)(de)固(gu)化膜(mo)和包含(han)該(gai)固(gu)化膜(mo)的(de)(de)顯示裝置。

技術特征：

1.一種固化性(xing)組合(he)物，包含半(ban)導體(ti)粒(li)子(a)、聚合(he)性(xing)化合(he)物(b)、聚合(he)引(yin)發(fa)劑(ji)(c)和抗氧(yang)化劑(ji)(d)，

2.根據(ju)權(quan)利要求1所述的(de)固化性組合物(wu)，其中，將(jiang)相對于所述固化性組合物(wu)的(de)總(zong)量的(de)半導體(ti)粒子(a)的(de)含(han)有(you)率(lv)(lv)設(she)為ma，將(jiang)抗氧化劑(d)的(de)含(han)有(you)率(lv)(lv)設(she)為md時，進一步(bu)滿(man)足(zu)式(ii)，含(han)有(you)率(lv)(lv)的(de)單(dan)位為質(zhi)量％，

3.根據權利要求1所述的(de)固化性組合物，其中，進一步(bu)滿足(zu)式(iii)，0.5≤(mb×md)/(mc×ma)≤7.5(iii)。

4.一種固化(hua)性組合物，包含半導體粒(li)子(zi)(a)、聚合性化(hua)合物(b)、聚合引(yin)發劑(c)和抗氧化(hua)劑(d)，

5.根據權(quan)利(li)要(yao)求1～4中任一(yi)(yi)項所述的固化性(xing)組(zu)合(he)物，其中，進一(yi)(yi)步包含(han)光散射劑(e)。

6.根據權利要求1～4中(zhong)任一(yi)項(xiang)所述的固(gu)化性(xing)組合物(wu)，其中(zhong)，聚(ju)合性(xing)化合物(wu)(b)包(bao)含(han)在80℃加熱1小時時的揮(hui)發量(liang)為7質量(liang)％以下(xia)的聚(ju)合性(xing)化合物(wu)。

7.根據權利要求1～4中任一項所述的固化(hua)性(xing)組合物，其(qi)中，聚合性(xing)化(hua)合物(b)包含其(qi)均聚物的玻璃化(hua)轉變溫度(du)為(wei)－50℃以上的聚合性(xing)化(hua)合物。

8.根(gen)據權利要求1～4中(zhong)任一(yi)項所述的(de)(de)固化(hua)性組(zu)合(he)物，其中(zhong)，聚合(he)性化(hua)合(he)物(b)包(bao)含相對于聚合(he)性化(hua)合(he)物(b)的(de)(de)總量為(wei)40質量％以(yi)上的(de)(de)偶(ou)極矩為(wei)3d以(yi)上的(de)(de)聚合(he)性化(hua)合(he)物。

9.根據權利要求(qiu)8所述的固(gu)化(hua)性(xing)組合(he)物(wu)，其中，聚合(he)性(xing)化(hua)合(he)物(wu)(b)包(bao)含相(xiang)對于(yu)聚合(he)性(xing)化(hua)合(he)物(wu)(b)的總(zong)量為40質量％以(yi)上(shang)的偶極矩為3d以(yi)上(shang)的二官能(neng)聚合(he)性(xing)化(hua)合(he)物(wu)。

10.根據權利要求8所述(shu)的固化(hua)性(xing)(xing)組合(he)(he)物，其中(zhong)，聚合(he)(he)性(xing)(xing)化(hua)合(he)(he)物(b)包含偶極(ji)矩為3d～4d的三官能聚合(he)(he)性(xing)(xing)化(hua)合(he)(he)物。

11.根(gen)據權利要求(qiu)1～4中(zhong)(zhong)任一項(xiang)所(suo)述的(de)固化性(xing)組合物，其中(zhong)(zhong)，聚(ju)合性(xing)化合物(b)包含相(xiang)對于所(suo)述固化性(xing)組合物的(de)總量為20質量％以(yi)上的(de)偶極矩為3d以(yi)上的(de)聚(ju)合性(xing)化合物。

12.根據權利要(yao)求11所述的(de)固(gu)化(hua)(hua)性(xing)組(zu)合(he)物(wu)，其中，聚(ju)合(he)性(xing)化(hua)(hua)合(he)物(wu)(b)包含相對(dui)于(yu)所述固(gu)化(hua)(hua)性(xing)組(zu)合(he)物(wu)的(de)總量(liang)為20質量(liang)％以上的(de)偶極矩為3d以上的(de)二官能聚(ju)合(he)性(xing)化(hua)(hua)合(he)物(wu)。

13.根據權(quan)利要(yao)求(qiu)11所述(shu)的(de)固化性組(zu)合(he)(he)物(wu)，其(qi)中，聚合(he)(he)性化合(he)(he)物(wu)(b)包含偶極矩為3d～4d的(de)三(san)官能聚合(he)(he)性化合(he)(he)物(wu)。

14.根據權利要求1～4中任一項(xiang)所述的固化性(xing)組(zu)合物(wu)，其中，相對于所述固化性(xing)組(zu)合物(wu)的總(zong)量，溶(rong)劑(f)的含(han)有率(lv)為1質量％以下。

15.根據權(quan)利要(yao)求1～4中(zhong)任一項所述的固(gu)化性(xing)組合(he)物(wu)，其中(zhong)，相對于所述固(gu)化性(xing)組合(he)物(wu)的總量(liang)，樹脂(i)的含有率為1質量(liang)％以下。

16.根據權利要求1～4中任一項所(suo)述的固化性組合物，其中，40℃的粘度為20cp以下。

17.一種固(gu)化膜，是由權(quan)利要求1～4中(zhong)任(ren)一項(xiang)所述的固(gu)化性組合物形成(cheng)的。

18.一種顯示裝置，包含權利要求17所(suo)述的固化膜(mo)。

技術總結
本發明提供一種固化性組合物，包含半導體粒子(A)、聚合性化合物(B)、聚合引發劑(C)和抗氧化劑(D)，將相對于該固化性組合物的總量的聚合性化合物(B)的含有率(質量％)設為MB，將聚合引發劑(C)的含有率(質量％)設為MC時，滿足式：11.5≤MB/MC≤150。

技術研發人員：德田真芳,巖脅寬,土谷崇夫,早坂駒田惠美,西川良永裕佳子
受保護的技術使用者：住友化學株式會社
技術研發日：
技術公布日：2024/9/29