本發明涉及燒成物的硬度(du)提高方法(fa)和硬度(du)提高了(le)的燒成物。

背景技術：

1、人們對聚合(he)(he)(he)物樹脂的聚合(he)(he)(he)進行了廣泛(fan)研(yan)究，其中酚(fen)醛(quan)(quan)(quan)清(qing)漆之類(lei)的包含環(huan)結構的聚合(he)(he)(he)物已被(bei)廣泛(fan)應用于(yu)從光致抗蝕(shi)劑(ji)等微(wei)細領域到汽車、住宅的構件等普通領域。另(ling)外(wai)，上(shang)述(shu)那樣的聚合(he)(he)(he)物還具有高耐(nai)熱性(xing)，也(ye)(ye)可(ke)以(yi)用于(yu)特殊的用途，因此現(xian)在(zai)于(yu)全世(shi)界范圍內也(ye)(ye)在(zai)進行開(kai)發。一般而言，若提及(ji)由環(huan)結構形成的單體(ti)，則已知(zhi)(zhi)苯(ben)、萘、蒽、芘和芴等結構體(ti)，已知(zhi)(zhi)這些(xie)單體(ti)與具有醛(quan)(quan)(quan)基的單體(ti)形成酚(fen)醛(quan)(quan)(quan)清(qing)漆。另(ling)一方(fang)面，具有與芴類(lei)似的結構的咔唑也(ye)(ye)顯示出同樣的特征，可(ke)知(zhi)(zhi)兩(liang)單體(ti)均是與五(wu)元環(huan)鄰接(jie)的苯(ben)環(huan)的一部(bu)分(fen)進行反應而形成聚合(he)(he)(he)物。

2、另一方(fang)面，以往在半(ban)導體器(qi)(qi)件的(de)制造(zao)中，通過使用光致(zhi)抗蝕劑組合物的(de)光刻(ke)進行(xing)微(wei)細加(jia)工(gong)(gong)。上(shang)述(shu)微(wei)細加(jia)工(gong)(gong)是在硅(gui)晶(jing)片等(deng)被加(jia)工(gong)(gong)基板上(shang)形成光致(zhi)抗蝕劑組合物的(de)薄膜，在其上(shang)隔著(zhu)描繪有半(ban)導體器(qi)(qi)件圖(tu)案的(de)掩(yan)模(mo)圖(tu)案照射紫外線(xian)等(deng)活(huo)性光線(xian)，進行(xing)顯(xian)影，將得(de)到(dao)的(de)光致(zhi)抗蝕劑圖(tu)案作(zuo)為保護膜對(dui)硅(gui)晶(jing)片等(deng)被加(jia)工(gong)(gong)基板進行(xing)蝕刻(ke)處(chu)理(li)的(de)加(jia)工(gong)(gong)法。然而，近年(nian)來，半(ban)導體器(qi)(qi)件的(de)集成度(du)越來越高，所(suo)使用的(de)活(huo)性光線(xian)也有從krf準分子激(ji)光(248nm)向arf準分子激(ji)光(193nm)短波長化(hua)的(de)傾(qing)向。與(yu)此相伴，活(huo)性光線(xian)在基板上(shang)的(de)漫反射、駐(zhu)波的(de)影響成了大問(wen)題。因此，人們廣泛研究了在光致(zhi)抗蝕劑與(yu)被加(jia)工(gong)(gong)基板之間設(she)置(zhi)防反射膜的(de)方(fang)法。

3、今后，如果抗(kang)(kang)(kang)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)劑(ji)圖(tu)案(an)(an)越來越微細，則會產生分辨率的(de)(de)(de)(de)(de)問(wen)題(ti)、抗(kang)(kang)(kang)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)劑(ji)圖(tu)案(an)(an)在顯影(ying)后倒塌(ta)的(de)(de)(de)(de)(de)問(wen)題(ti)，期待抗(kang)(kang)(kang)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)劑(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)薄膜(mo)(mo)化。因此，難以得(de)到(dao)對于基(ji)板(ban)(ban)加(jia)工(gong)而(er)言(yan)足夠的(de)(de)(de)(de)(de)抗(kang)(kang)(kang)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)劑(ji)圖(tu)案(an)(an)膜(mo)(mo)厚，需要(yao)不(bu)僅使抗(kang)(kang)(kang)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)劑(ji)圖(tu)案(an)(an)具(ju)有作(zuo)為基(ji)板(ban)(ban)加(jia)工(gong)時的(de)(de)(de)(de)(de)掩模的(de)(de)(de)(de)(de)功(gong)能，而(er)且使在抗(kang)(kang)(kang)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)劑(ji)與(yu)所加(jia)工(gong)的(de)(de)(de)(de)(de)半導(dao)(dao)體基(ji)板(ban)(ban)之間制成的(de)(de)(de)(de)(de)抗(kang)(kang)(kang)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)劑(ji)下(xia)(xia)層(ceng)膜(mo)(mo)也具(ju)有作(zuo)為基(ji)板(ban)(ban)加(jia)工(gong)時的(de)(de)(de)(de)(de)掩模的(de)(de)(de)(de)(de)功(gong)能的(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)藝(yi)。作(zuo)為用(yong)(yong)(yong)(yong)于這種工(gong)藝(yi)的(de)(de)(de)(de)(de)抗(kang)(kang)(kang)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)劑(ji)下(xia)(xia)層(ceng)膜(mo)(mo)，與(yu)以往的(de)(de)(de)(de)(de)高(gao)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)刻速率性(xing)(蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)刻速度快(kuai))抗(kang)(kang)(kang)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)劑(ji)下(xia)(xia)層(ceng)膜(mo)(mo)不(bu)同，要(yao)求具(ju)有與(yu)抗(kang)(kang)(kang)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)劑(ji)接近的(de)(de)(de)(de)(de)干蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)刻速度選擇(ze)比(bi)的(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)刻用(yong)(yong)(yong)(yong)抗(kang)(kang)(kang)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)劑(ji)下(xia)(xia)層(ceng)膜(mo)(mo)、具(ju)有比(bi)抗(kang)(kang)(kang)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)劑(ji)小的(de)(de)(de)(de)(de)干蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)刻速度選擇(ze)比(bi)的(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)刻用(yong)(yong)(yong)(yong)抗(kang)(kang)(kang)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)劑(ji)下(xia)(xia)層(ceng)膜(mo)(mo)、具(ju)有比(bi)半導(dao)(dao)體基(ji)板(ban)(ban)小的(de)(de)(de)(de)(de)干蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)刻速度選擇(ze)比(bi)的(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)刻用(yong)(yong)(yong)(yong)抗(kang)(kang)(kang)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)劑(ji)下(xia)(xia)層(ceng)膜(mo)(mo)、以及(ji)抑制蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)刻時圖(tu)案(an)(an)的(de)(de)(de)(de)(de)彎曲(qu)且具(ju)有低蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)刻速度的(de)(de)(de)(de)(de)光(guang)刻用(yong)(yong)(yong)(yong)抗(kang)(kang)(kang)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)劑(ji)下(xia)(xia)層(ceng)膜(mo)(mo)。

4、作為上述(shu)抗蝕劑下層膜用的(de)聚合(he)(he)物，例(li)如例(li)示(shi)以下的(de)聚合(he)(he)物。

5、例示使用(yong)咔唑(zuo)的(de)抗蝕劑下(xia)層膜形成用(yong)組合物(參見(jian)專(zhuan)利(li)文獻(xian)1、專(zhuan)利(li)文獻(xian)2、專(zhuan)利(li)文獻(xian)3、專(zhuan)利(li)文獻(xian)4及專(zhuan)利(li)文獻(xian)5)。

6、現有技術文獻

7、專利文獻

8、專利文獻1：國際公開wo2010/147155小(xiao)冊子

9、專利文(wen)獻2：國(guo)際公開(kai)wo2012/077640小(xiao)冊(ce)子

10、專利(li)文(wen)獻3：國際公開wo2013/005797小冊子(zi)

11、專(zhuan)利文獻(xian)4：國(guo)際公開wo2014/092155小冊子

12、專(zhuan)利文獻5：國際公(gong)開(kai)wo2017/188263小冊子

技術實現思路

1、發明所要(yao)解決的問題

2、本發明(ming)的(de)課題在于提(ti)供提(ti)高燒成物硬(ying)度(du)的(de)方(fang)法(fa)、通(tong)過該(gai)方(fang)法(fa)得(de)到的(de)硬(ying)度(du)提(ti)高了的(de)燒成物、由該(gai)燒成物形成的(de)用于光刻工藝的(de)抗蝕(shi)劑下(xia)層膜、該(gai)抗蝕(shi)劑下(xia)層膜的(de)制(zhi)造方(fang)法(fa)和半導體裝置的(de)制(zhi)造方(fang)法(fa)。

3、本發明是基于解決(jue)這樣的(de)問(wen)題而完成(cheng)的(de)，本技術(shu)發明人進行了(le)深入研(yan)究，結果發現(xian)比以往的(de)燒(shao)成(cheng)物的(de)硬度(du)(du)上升了(le)10％以上的(de)燒(shao)成(cheng)物的(de)硬度(du)(du)提(ti)高方法。

4、解決問題的手段

5、本發(fa)明包(bao)含以下(xia)內容。

6、1.一種燒(shao)(shao)成(cheng)物(wu)的(de)硬度(du)提高方法，將具有化合(he)物(wu)的(de)組合(he)物(wu)在(zai)惰性氣(qi)體的(de)氣(qi)氛中于(yu)400℃～600℃下(xia)(xia)進行燒(shao)(shao)成(cheng)，從而使得到的(de)燒(shao)(shao)成(cheng)物(wu)的(de)硬度(du)與在(zai)大(da)氣(qi)氣(qi)氛中于(yu)350℃下(xia)(xia)的(de)燒(shao)(shao)成(cheng)物(wu)的(de)硬度(du)相比上升10％以(yi)上，所述(shu)化合(he)物(wu)包含(han)下(xia)(xia)述(shu)式(1)表(biao)示的(de)結構中的(de)一個以(yi)上，

7、

8、*表示(shi)鍵(jian)合位置。

9、2.根據上述1所述的(de)燒成物(wu)的(de)硬度提高方法(fa)，所述化合物(wu)包含聚(ju)合物(wu)結構(gou)，所述聚(ju)合物(wu)結構(gou)具有至少一個下述式(2)表示的(de)重復單(dan)元，

10、

11、式中，r為具有芳香族環(huan)、稠合(he)芳香族環(huan)、或稠合(he)芳香族雜環(huan)的二價基團(tuan)，q為所(suo)述式(1)表示的結構(gou)中的一(yi)個。

12、3.根據上述2所(suo)(suo)述的(de)(de)燒成物的(de)(de)硬度提高(gao)方(fang)法，所(suo)(suo)述r為具有下述式(3)、式(4)或式(5)表示(shi)的(de)(de)結構且芳香環的(de)(de)氫被取代而得的(de)(de)二價基團(tuan)。

13、

14、

15、式(3)中，x和(he)(he)y至(zhi)少存(cun)在一(yi)個，x為(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)氮原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)或(huo)(huo)碳(tan)(tan)原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)，y為(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)單鍵(jian)(jian)、硫原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)或(huo)(huo)氧原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)；ar1、ar2各自獨立地表示(shi)可被(bei)(bei)r1、r2取(qu)代(dai)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)苯(ben)環(huan)或(huo)(huo)萘環(huan)，r1和(he)(he)r2分(fen)(fen)別為(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)氫原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)、鹵(lu)素(su)原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)、硝基(ji)(ji)、氨基(ji)(ji)、羥(qian)基(ji)(ji)、碳(tan)(tan)原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)數(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)為(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)1～10的(de)(de)(de)(de)(de)(de)烷基(ji)(ji)、碳(tan)(tan)原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)數(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)為(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)2～10的(de)(de)(de)(de)(de)(de)烯基(ji)(ji)、碳(tan)(tan)原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)數(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)為(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)2～10的(de)(de)(de)(de)(de)(de)炔基(ji)(ji)、或(huo)(huo)可以包(bao)(bao)含醚鍵(jian)(jian)、酮(tong)鍵(jian)(jian)或(huo)(huo)酯鍵(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)這(zhe)些基(ji)(ji)團的(de)(de)(de)(de)(de)(de)組(zu)合(he)；在ar1、ar2為(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)苯(ben)環(huan)時n1及n2分(fen)(fen)別為(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)1～3中的(de)(de)(de)(de)(de)(de)任一(yi)整(zheng)數(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)，在ar1、ar2為(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)萘環(huan)時n1及n2分(fen)(fen)別為(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)1～5中的(de)(de)(de)(de)(de)(de)任一(yi)整(zheng)數(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)；r3和(he)(he)r4分(fen)(fen)別為(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)氫原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)、鹵(lu)素(su)原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)、硝基(ji)(ji)、氨基(ji)(ji)、羥(qian)基(ji)(ji)、碳(tan)(tan)原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)數(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)為(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)1～10的(de)(de)(de)(de)(de)(de)烷基(ji)(ji)、碳(tan)(tan)原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)數(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)為(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)2～10的(de)(de)(de)(de)(de)(de)烯基(ji)(ji)、碳(tan)(tan)原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)數(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)為(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)2～10的(de)(de)(de)(de)(de)(de)炔基(ji)(ji)、苯(ben)基(ji)(ji)、被(bei)(bei)羥(qian)基(ji)(ji)取(qu)代(dai)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)苯(ben)基(ji)(ji)或(huo)(huo)可以包(bao)(bao)含醚鍵(jian)(jian)、酮(tong)鍵(jian)(jian)、或(huo)(huo)酯鍵(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)這(zhe)些基(ji)(ji)團的(de)(de)(de)(de)(de)(de)組(zu)合(he)；但是(shi)，在x為(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)氮原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)情況下，r4不(bu)存(cun)在；式(4)中，r5為(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)碳(tan)(tan)原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)數(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)為(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)1～3的(de)(de)(de)(de)(de)(de)烷基(ji)(ji)，n3為(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)0至(zhi)4的(de)(de)(de)(de)(de)(de)整(zheng)數(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)，n4為(wei)(wei)(wei)(wei)(wei)1至(zhi)4的(de)(de)(de)(de)(de)(de)整(zheng)數(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)，n5是(shi)0、1、2中的(de)(de)(de)(de)(de)(de)任意(yi)一(yi)個；式(5)中，ar1、ar2、r1、r2、r3、r4、n1和(he)(he)n2與上述相同，ar3表示(shi)可被(bei)(bei)r3、r4取(qu)代(dai)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)苯(ben)環(huan)或(huo)(huo)萘環(huan)；r3和(he)(he)r4與上述相同。

16、4.根據上(shang)述(shu)2或3所述(shu)的燒成物的硬(ying)度(du)提高方法，所述(shu)r為(wei)具有下述(shu)任一結構且芳香環的氫被取代而得的二(er)價(jia)基(ji)團。

17、

18、

19、5.根據上述1～4中(zhong)任一項所(suo)述的(de)燒成物(wu)(wu)(wu)的(de)硬度(du)提高方法，在惰(duo)性氣體的(de)氣氛(fen)中(zhong)于400℃～600℃下對所(suo)述組合物(wu)(wu)(wu)進(jin)行(xing)(xing)燒成之前，具有(you)在大氣氣氛(fen)中(zhong)于240℃～400℃下對所(suo)述組合物(wu)(wu)(wu)進(jin)行(xing)(xing)預烘烤的(de)工序。

20、6.一種燒成(cheng)物，其為具有化合(he)物的(de)組(zu)合(he)物的(de)燒成(cheng)物，所述(shu)化合(he)物包含下述(shu)式(1)表示(shi)的(de)結構中的(de)一個(ge)以上(shang)，該(gai)燒成(cheng)物的(de)硬度與在大氣(qi)氣(qi)氛中于350℃下的(de)燒成(cheng)物的(de)硬度相(xiang)比上(shang)升了10％以上(shang)，

21、

22、*表(biao)示鍵合位置(zhi)。

23、7.根據上述(shu)6所述(shu)的(de)燒成物，其為在(zai)惰性氣體的(de)氣氛(fen)中(zhong)于400℃～600℃下(xia)的(de)燒成物。

24、8.根(gen)據上述6所述的(de)燒(shao)成(cheng)物，其為在大(da)氣(qi)氣(qi)氛(fen)中(zhong)于240℃～400℃下(xia)，接著在惰性氣(qi)體(ti)的(de)氣(qi)氛(fen)中(zhong)于400℃～600℃下(xia)的(de)燒(shao)成(cheng)物。

25、9.根(gen)據上述(shu)(shu)(shu)6～8中任一(yi)項所(suo)述(shu)(shu)(shu)的燒成物(wu)(wu)，所(suo)述(shu)(shu)(shu)化合(he)物(wu)(wu)包含(han)聚合(he)物(wu)(wu)結構，所(suo)述(shu)(shu)(shu)聚合(he)物(wu)(wu)結構具有至少一(yi)個下述(shu)(shu)(shu)式(2)表示的重(zhong)復單(dan)元。

26、

27、式中(zhong)(zhong)，r為具有芳(fang)香(xiang)族(zu)環(huan)、稠合(he)芳(fang)香(xiang)族(zu)環(huan)、或稠合(he)芳(fang)香(xiang)族(zu)雜環(huan)的(de)有機基團，q為所述式(1)表示的(de)結(jie)構(gou)中(zhong)(zhong)的(de)一個。

28、10.根(gen)據(ju)上述(shu)(shu)9所述(shu)(shu)的燒成物，所述(shu)(shu)r為(wei)具有(you)下述(shu)(shu)式(3)、式(4)或式(5)表示結構且(qie)芳香環的氫(qing)被(bei)取代而得的二(er)價基團，

29、

30、

31、式(shi)(3)中(zhong)，x和(he)y至少存(cun)在(zai)一個，x為(wei)(wei)(wei)氮原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)或(huo)(huo)碳(tan)(tan)原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)，y為(wei)(wei)(wei)單鍵(jian)、硫原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)或(huo)(huo)氧原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)；ar1、ar2各(ge)自獨立地表示可(ke)被r1、r2取(qu)代(dai)的(de)(de)(de)(de)苯環或(huo)(huo)萘環，r1和(he)r2分(fen)(fen)別為(wei)(wei)(wei)氫原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)、鹵素原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)、硝(xiao)基(ji)(ji)、氨基(ji)(ji)、羥(qian)基(ji)(ji)、碳(tan)(tan)原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)數(shu)(shu)(shu)為(wei)(wei)(wei)1～10的(de)(de)(de)(de)烷基(ji)(ji)、碳(tan)(tan)原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)數(shu)(shu)(shu)為(wei)(wei)(wei)2～10的(de)(de)(de)(de)烯(xi)基(ji)(ji)、碳(tan)(tan)原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)數(shu)(shu)(shu)為(wei)(wei)(wei)2～10的(de)(de)(de)(de)炔基(ji)(ji)、或(huo)(huo)可(ke)以包(bao)含醚鍵(jian)、酮鍵(jian)或(huo)(huo)酯鍵(jian)的(de)(de)(de)(de)這些基(ji)(ji)團的(de)(de)(de)(de)組合；在(zai)ar1、ar2為(wei)(wei)(wei)苯環時n1及n2分(fen)(fen)別為(wei)(wei)(wei)1～3中(zhong)的(de)(de)(de)(de)任意整數(shu)(shu)(shu)，在(zai)ar1、ar2為(wei)(wei)(wei)萘環時n1及n2分(fen)(fen)別為(wei)(wei)(wei)1～5中(zhong)的(de)(de)(de)(de)任意整數(shu)(shu)(shu)；r3和(he)r4分(fen)(fen)別為(wei)(wei)(wei)氫原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)、鹵素原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)、硝(xiao)基(ji)(ji)、氨基(ji)(ji)、羥(qian)基(ji)(ji)、碳(tan)(tan)原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)數(shu)(shu)(shu)為(wei)(wei)(wei)1～10的(de)(de)(de)(de)烷基(ji)(ji)、碳(tan)(tan)原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)數(shu)(shu)(shu)為(wei)(wei)(wei)2～10的(de)(de)(de)(de)烯(xi)基(ji)(ji)、碳(tan)(tan)原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)數(shu)(shu)(shu)為(wei)(wei)(wei)2～10的(de)(de)(de)(de)炔基(ji)(ji)、苯基(ji)(ji)、被羥(qian)基(ji)(ji)取(qu)代(dai)的(de)(de)(de)(de)苯基(ji)(ji)或(huo)(huo)可(ke)以包(bao)含醚鍵(jian)、酮鍵(jian)、或(huo)(huo)酯鍵(jian)的(de)(de)(de)(de)這些基(ji)(ji)團的(de)(de)(de)(de)組合；但(dan)是，在(zai)x為(wei)(wei)(wei)氮原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)的(de)(de)(de)(de)情況(kuang)下，r4不存(cun)在(zai)；式(shi)(4)中(zhong)，r5為(wei)(wei)(wei)碳(tan)(tan)原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)數(shu)(shu)(shu)為(wei)(wei)(wei)1～3的(de)(de)(de)(de)烷基(ji)(ji)，n3為(wei)(wei)(wei)0至4的(de)(de)(de)(de)整數(shu)(shu)(shu)，n4為(wei)(wei)(wei)1至4的(de)(de)(de)(de)整數(shu)(shu)(shu)，n5是0、1、2中(zhong)的(de)(de)(de)(de)任意一個；式(shi)(5)中(zhong)，ar1、ar2、r1、r2、r3、r4、n1和(he)n2與(yu)上述相(xiang)同，ar3表示可(ke)被r3、r4取(qu)代(dai)的(de)(de)(de)(de)苯環或(huo)(huo)萘環；r3和(he)r4與(yu)上述相(xiang)同。

32、11.根(gen)據(ju)上述(shu)9或10所(suo)述(shu)的(de)燒成物，其中r為具有(you)下述(shu)任一結構且芳香環的(de)氫被取代而得的(de)二價基團。

33、

34、

35、

36、12.一種抗蝕劑下層膜，其是由上述6～11中任一項所述的燒成物(wu)形成。

37、13.一(yi)種抗蝕(shi)劑下(xia)層膜的制(zhi)造方法，其包含在(zai)半導體基板(ban)上形成上述(shu)(shu)12所述(shu)(shu)的抗蝕(shi)劑下(xia)層膜的工序。

38、14.一種(zhong)半(ban)導(dao)體裝置的(de)(de)制造方法，其包(bao)含(han)下述工(gong)(gong)序：在半(ban)導(dao)體基板上(shang)形成(cheng)上(shang)述12所述的(de)(de)抗蝕(shi)劑下層(ceng)(ceng)膜(mo)的(de)(de)工(gong)(gong)序、在其上(shang)形成(cheng)抗蝕(shi)劑膜(mo)的(de)(de)工(gong)(gong)序、通過光或電子束的(de)(de)照射和顯(xian)影而形成(cheng)抗蝕(shi)劑圖(tu)案(an)的(de)(de)工(gong)(gong)序、利(li)用(yong)形成(cheng)的(de)(de)抗蝕(shi)劑圖(tu)案(an)對該下層(ceng)(ceng)膜(mo)進行(xing)蝕(shi)刻的(de)(de)工(gong)(gong)序、及利(li)用(yong)已(yi)圖(tu)案(an)化的(de)(de)下層(ceng)(ceng)膜(mo)對半(ban)導(dao)體基板進行(xing)加工(gong)(gong)的(de)(de)工(gong)(gong)序。

39、15.一種半導(dao)體(ti)裝置的(de)(de)(de)(de)(de)制造方法，其包含下(xia)述(shu)工(gong)序：在半導(dao)體(ti)基(ji)板上形(xing)(xing)(xing)成上述(shu)12所述(shu)的(de)(de)(de)(de)(de)抗(kang)蝕劑(ji)下(xia)層膜(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)序、在其上形(xing)(xing)(xing)成硬掩(yan)模(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)序、進(jin)而在其上形(xing)(xing)(xing)成抗(kang)蝕劑(ji)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)序、通過光或電子束的(de)(de)(de)(de)(de)照射和顯影(ying)而形(xing)(xing)(xing)成抗(kang)蝕劑(ji)圖(tu)案(an)的(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)序、利用形(xing)(xing)(xing)成的(de)(de)(de)(de)(de)抗(kang)蝕劑(ji)圖(tu)案(an)對(dui)硬掩(yan)模(mo)進(jin)行蝕刻(ke)的(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)序、利用已(yi)圖(tu)案(an)化的(de)(de)(de)(de)(de)硬掩(yan)模(mo)對(dui)該下(xia)層膜(mo)進(jin)行蝕刻(ke)的(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)序、及利用已(yi)圖(tu)案(an)化的(de)(de)(de)(de)(de)抗(kang)蝕劑(ji)下(xia)層膜(mo)對(dui)半導(dao)體(ti)基(ji)板進(jin)行加工(gong)的(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)序。

40、發明效果

41、通過本發明的(de)(de)(de)(de)燒(shao)成物的(de)(de)(de)(de)硬度提高方法，可(ke)得到與(yu)將具有包(bao)含上述(shu)式(1)表示(shi)的(de)(de)(de)(de)結構之一的(de)(de)(de)(de)化(hua)合物的(de)(de)(de)(de)組合物在大氣氣氛(fen)中于350℃下燒(shao)成而形成的(de)(de)(de)(de)燒(shao)成物相比，具有更高硬度的(de)(de)(de)(de)燒(shao)成物。

42、此外，由該燒成物形(xing)成的(de)抗(kang)蝕劑(ji)下層膜(mo)(mo)，由于燒成物中(zhong)包含的(de)聚(ju)合物的(de)單元結(jie)(jie)構中(zhong)的(de)芳(fang)(fang)香族(zu)(zu)環(huan)(huan)、稠(chou)(chou)合芳(fang)(fang)香族(zu)(zu)環(huan)(huan)、或稠(chou)(chou)合芳(fang)(fang)香族(zu)(zu)雜(za)環(huan)(huan)(例如苯環(huan)(huan))上的(de)與(yu)碳原(yuan)子鍵合的(de)氫(qing)原(yuan)子被(bei)具(ju)有特(te)定(ding)功(gong)能的(de)化(hua)學基團(tuan)取代，因此與(yu)具(ju)有在單元結(jie)(jie)構中(zhong)包含未(wei)被(bei)這些(xie)化(hua)學基團(tuan)取代的(de)上述(shu)芳(fang)(fang)香族(zu)(zu)環(huan)(huan)、稠(chou)(chou)合芳(fang)(fang)香族(zu)(zu)環(huan)(huan)、或稠(chou)(chou)合芳(fang)(fang)香族(zu)(zu)雜(za)環(huan)(huan)的(de)聚(ju)合物的(de)抗(kang)蝕劑(ji)下層膜(mo)(mo)相比，膜(mo)(mo)密度和(he)硬度提(ti)高、圖案的(de)耐(nai)(nai)彎曲性(xing)(xing)高、耐(nai)(nai)蝕刻(ke)性(xing)(xing)也提(ti)高，可實(shi)現更(geng)微細(xi)的(de)基板加工。

43、而(er)且(qie)，上述(shu)抗(kang)蝕(shi)劑(ji)下層膜(mo)可以用作平坦化膜(mo)、抗(kang)蝕(shi)劑(ji)下層膜(mo)、抗(kang)蝕(shi)劑(ji)層的防(fang)污(wu)染膜(mo)、具有(you)干蝕(shi)刻選擇性(xing)的膜(mo)。由(you)此，能(neng)夠(gou)容易且(qie)精度良好地在半導體制造的光(guang)刻工藝中形成抗(kang)蝕(shi)劑(ji)圖案(an)。