聚氟硅氧烷制備的防污氟硅涂料及其應用的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種氫基封端聚氟硅氧烷，其制備方法為氮氣保護下，在催化劑作用下進行100重量份三氟丙基甲基環三硅氧烷與8-25重量份四甲基二氫二硅氧烷的開環聚合反應；反應結束后，加入碳酸鈣，中和至PH為7，然后過濾固體，濾液再經減壓蒸餾，脫除低沸物，最終得氫基封端聚氟硅氧烷。并在此基礎上制備了一種防污氟硅涂料。本發明利用氟硅材料的低表面能，合成并制備涂層，起到防污效果。
【專利說明】聚氟硅氧烷制備的防污氟硅涂料及其應用
【技術領域】
[0001]本發明屬于涂料【技術領域】，具體涉及一種雙端含氫聚氟硅氧烷及其制備方法和利用該聚氟硅氧烷制得的防污氟硅涂料及其應用，用于改善電子器件的表面防污性能。
【背景技術】
[0002]當今電子科技的發展迅速，人們對電子器件的要求越來越高。在電子觸摸屏領域，觸摸屏技術給操作、控制帶來了諸多方便。隨著觸摸屏的普遍應用于推廣，對觸摸屏的防污性能提出了更高的要求。目前，為了提升產品的質量和檔次，采用高拋光金屬基材的手機、個人計算機、筆記本電腦以及個人數字助理等各種3C電子產品越來越多，其光亮如鏡的表面能給人以美好的感受。然而，由于電子產品在使用過程中經常要受到人的汗潰和/或油污等接觸，高亮的表面很容易被污染，影響產品的美觀度。因此迫切需要在電子產品表面涂覆一層具有較好防污能力的涂層，且由于電子產品本身的使用特點，長時間處于與各種物體摩擦的狀態，因此該涂層除了要求具有低表面能的特點外，還需高硬度、高耐磨和高耐刮擦。

【發明內容】

[0003]本發明所要解決的技術問題是提供一種雙端含氫聚氟硅氧烷及其制備方法和利用該聚氟硅氧烷制得的防污氟硅涂料。該防污氟硅涂料應用到電子器件表面后，能夠使得器件表面具有一定的防污性能。
[0004]本發明首先合成了一種氫基封端聚氟硅氧烷，其結構通式(I )如下所示:
【權利要求】
1.一種氫基封端聚氟硅氧烷，其結構通式(I )如下所示:
2.—種氫基封端聚氟硅氧烷的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: (1)在催化劑作用下，通過氮氣保護進行100重量份三氟丙基甲基環三硅氧烷與8-25重量份四甲基二氫二硅氧烷的開環聚合反應； (2)反應結束后，向體系中加入碳酸鈣，中和至PH為7，然后過濾固體，濾液再經減壓蒸餾，脫除低沸物，最終得氫基封端聚氟硅氧烷。
3.如權利要求2所述的一種氫基封端聚氟硅氧烷的制備方法，其特征在于所述的催化劑為三氟甲磺酸，所述聚合反應溫度為65°C。
4.一種防污氟硅涂料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: (1)制備防污氟硅涂料基料 氮氣保護下，將20-30重量份全氟丁基乙烯、10-20重量份乙烯基三甲氧基硅烷和鉬金催化劑混合體系在50°C下攪拌30min，再將100重量份前述的氫基封端聚氟硅氧烷在攪拌狀態下滴入體系中，然后升溫至80°C，攪拌I小時后停止反應，然后進行常壓、減壓蒸餾，再加入活性炭吸附，過濾后得防污氟硅涂料基料； (2)配制防污氟硅涂料 將防污氟硅涂料基料溶于正庚烷中，配制成固含量為40%的溶液，并加入0.1%的二月桂酸二丁基錫作為濕固化催化劑，得防污氟硅涂料。
5.如權利要求4中所述的一種防污氟硅涂料的制備方法，其特征在于步驟(2)中所述鉬金催化劑為卡斯特型，含鉬量為20000ppm。
6.一種如權利要求4或5所述的防污氟硅涂料的應用方法，其特征在于:將所述涂料均勻刮涂于器件表面，并將器件置于80°C的烘箱4小時，降溫取出即可。
【文檔編號】C07F7/08GK103709186SQ201310731950
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年12月27日 優先權日:2013年12月27日
【發明者】陳維, 吳軍, 王建斌, 陳田安 申請人:煙臺德邦先進硅材料有限公司