本(ben)技術涉及(ji)直拉(la)法生產單晶，更具體地說，本(ben)技術涉及(ji)一種直拉(la)法生產單晶用多(duo)瓣(ban)拼接降氧裝置。

背景技術：

1、直拉法(fa)又稱(cheng)(cheng)為切(qie)克勞斯(si)基法(fa)，它是(shi)1918年(nian)由切(qie)克勞斯(si)基（czochralski）建立起來的(de)一種晶(jing)(jing)體(ti)生(sheng)長方法(fa)，簡稱(cheng)(cheng)cz法(fa)。cz法(fa)的(de)特點是(shi)在(zai)(zai)一個(ge)直筒型的(de)熱(re)系統匯總，用石(shi)墨電阻加熱(re)，將(jiang)裝在(zai)(zai)高純度石(shi)英(ying)坩堝中的(de)多晶(jing)(jing)硅熔(rong)化，然后將(jiang)籽(zi)(zi)晶(jing)(jing)插(cha)入熔(rong)體(ti)表面進行熔(rong)接，將(jiang)旋轉(zhuan)的(de)籽(zi)(zi)晶(jing)(jing)下降與熔(rong)體(ti)浸(jin)潤接觸，逐步提(ti)升，經(jing)引(yin)頸(jing)、縮(suo)頸(jing)、放(fang)肩等徑控制、收(shou)尾等步驟完或拉晶(jing)(jing)。

2、中國專利(li)公開了一種新型單晶(jing)(jing)爐降氧(yang)上(shang)(shang)保溫(wen)筒(tong)(tong)（cn218969434u），其(qi)筒(tong)(tong)體(ti)內(nei)部(bu)(bu)是臺階通孔，形(xing)成上(shang)(shang)腔(qiang)4和下(xia)(xia)腔(qiang)，下(xia)(xia)腔(qiang)的(de)(de)(de)內(nei)徑(jing)與其(qi)下(xia)(xia)方的(de)(de)(de)中保溫(wen)筒(tong)(tong)的(de)(de)(de)內(nei)徑(jing)相同，大(da)于上(shang)(shang)腔(qiang)的(de)(de)(de)內(nei)徑(jing)，筒(tong)(tong)體(ti)的(de)(de)(de)側(ce)壁上(shang)(shang)設有一圈(quan)抽成真(zhen)空(kong)(kong)的(de)(de)(de)環(huan)形(xing)的(de)(de)(de)真(zhen)空(kong)(kong)槽，真(zhen)空(kong)(kong)槽的(de)(de)(de)頂(ding)部(bu)(bu)用(yong)頂(ding)塞封(feng)閉，筒(tong)(tong)體(ti)的(de)(de)(de)外(wai)側(ce)壁上(shang)(shang)包裹一層保溫(wen)材料，能使(shi)(shi)單晶(jing)(jing)爐熱場(chang)(chang)內(nei)部(bu)(bu)氬氣流(liu)向更加順暢(chang)，加快(kuai)帶(dai)走熱場(chang)(chang)內(nei)部(bu)(bu)產生揮發(fa)物以及氧(yang)原(yuan)子，防止揮發(fa)物在熱場(chang)(chang)石(shi)墨件殘留，有利(li)于改善單晶(jing)(jing)爐熱場(chang)(chang)內(nei)部(bu)(bu)拉晶(jing)(jing)的(de)(de)(de)高純(chun)環(huan)境且(qie)加大(da)縱向溫(wen)度(du)梯(ti)度(du)，從而減(jian)(jian)少(shao)斷(duan)線(xian)、降氧(yang)效果明顯，可以有效果保持上(shang)(shang)保溫(wen)筒(tong)(tong)的(de)(de)(de)溫(wen)度(du)，減(jian)(jian)少(shao)熱量(liang)散(san)失(shi)，但(dan)是在實際使(shi)(shi)用(yong)過(guo)程中，因(yin)為發(fa)熱區發(fa)熱集(ji)中、均(jun)布導致梯(ti)度(du)小、熱輻(fu)射(she)面(mian)積大(da)，導致坩(gan)堝中氧(yang)產生多導致單晶(jing)(jing)硅棒反切率高。

技術實現思路

1、為了克服現有技術的上述(shu)缺(que)陷，本實用新(xin)型提供一種(zhong)直(zhi)拉法生產單晶用多瓣拼(pin)接降氧裝置，以解決上述(shu)背景技術中提出的問題。

2、為實(shi)現上(shang)述目的，本實(shi)用(yong)新型提供如下技(ji)術方案：一種直拉法生產單(dan)晶用(yong)多(duo)瓣拼(pin)接降氧裝置，包括旋轉底座，所(suo)述旋轉底座頂部(bu)設有拼(pin)接降氧機構；

3、所述(shu)(shu)(shu)拼接降(jiang)氧(yang)(yang)(yang)機構包括兩個腳(jiao)板，所述(shu)(shu)(shu)腳(jiao)板與(yu)旋轉底(di)座(zuo)固定連接，所述(shu)(shu)(shu)腳(jiao)板橫截面(mian)設(she)(she)(she)(she)為l形，所述(shu)(shu)(shu)腳(jiao)板底(di)部(bu)(bu)開(kai)(kai)設(she)(she)(she)(she)有(you)(you)(you)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)貫(guan)穿孔，所述(shu)(shu)(shu)腳(jiao)板頂部(bu)(bu)開(kai)(kai)設(she)(she)(she)(she)有(you)(you)(you)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)凹槽(cao)，所述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)凹槽(cao)一(yi)(yi)(yi)側(ce)開(kai)(kai)設(she)(she)(she)(she)有(you)(you)(you)多個第(di)(di)(di)二(er)貫(guan)穿孔，所述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)凹槽(cao)頂部(bu)(bu)設(she)(she)(she)(she)有(you)(you)(you)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)加(jia)熱(re)(re)瓣(ban)(ban)(ban)，所述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)加(jia)熱(re)(re)瓣(ban)(ban)(ban)一(yi)(yi)(yi)側(ce)設(she)(she)(she)(she)有(you)(you)(you)第(di)(di)(di)二(er)加(jia)熱(re)(re)瓣(ban)(ban)(ban)，所述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)加(jia)熱(re)(re)瓣(ban)(ban)(ban)與(yu)第(di)(di)(di)二(er)加(jia)熱(re)(re)瓣(ban)(ban)(ban)一(yi)(yi)(yi)側(ce)均(jun)開(kai)(kai)設(she)(she)(she)(she)有(you)(you)(you)第(di)(di)(di)二(er)凹槽(cao)，所述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)二(er)凹槽(cao)內(nei)壁(bi)固定開(kai)(kai)設(she)(she)(she)(she)有(you)(you)(you)兩個第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)螺(luo)(luo)紋孔，所述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)加(jia)熱(re)(re)瓣(ban)(ban)(ban)與(yu)第(di)(di)(di)二(er)加(jia)熱(re)(re)瓣(ban)(ban)(ban)另一(yi)(yi)(yi)側(ce)設(she)(she)(she)(she)第(di)(di)(di)三凹槽(cao)，所述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)三凹槽(cao)內(nei)壁(bi)開(kai)(kai)設(she)(she)(she)(she)有(you)(you)(you)第(di)(di)(di)二(er)螺(luo)(luo)紋孔，所述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)三凹槽(cao)內(nei)壁(bi)一(yi)(yi)(yi)側(ce)設(she)(she)(she)(she)有(you)(you)(you)拼接塊，所述(shu)(shu)(shu)拼接塊一(yi)(yi)(yi)側(ce)開(kai)(kai)設(she)(she)(she)(she)有(you)(you)(you)多個第(di)(di)(di)三貫(guan)穿孔，通過拼接降(jiang)氧(yang)(yang)(yang)機構上(shang)移增大縱向(xiang)溫度梯(ti)度、減小熱(re)(re)輻射面(mian)積(ji)減少氧(yang)(yang)(yang)的產生、降(jiang)低熔體中(zhong)的氧(yang)(yang)(yang)含量從而降(jiang)低拉制晶(jing)棒中(zhong)的氧(yang)(yang)(yang)含量。

4、作為上述技術方案的進一步(bu)描述：

5、所(suo)述(shu)(shu)旋(xuan)轉(zhuan)底(di)(di)座頂部(bu)開設(she)有兩個第三(san)螺紋孔(kong)，所(suo)述(shu)(shu)旋(xuan)轉(zhuan)底(di)(di)座底(di)(di)部(bu)設(she)有旋(xuan)轉(zhuan)機(ji)構(gou)，所(suo)述(shu)(shu)旋(xuan)轉(zhuan)機(ji)構(gou)包括底(di)(di)板(ban)(ban)，所(suo)述(shu)(shu)底(di)(di)板(ban)(ban)頂部(bu)固定連接有支撐架，利用支撐架來支撐電(dian)機(ji)。

6、作為上(shang)述技(ji)術方案(an)的進(jin)一步(bu)描述：

7、所述(shu)支(zhi)撐架(jia)外壁頂(ding)部(bu)開設(she)有環(huan)形凹槽(cao)(cao)，所述(shu)支(zhi)撐架(jia)內壁頂(ding)部(bu)固定連(lian)接有電(dian)機(ji)，通過環(huan)形槽(cao)(cao)來輔助承(cheng)載板的旋轉。

8、作為上述技術方案的進一步描(miao)述：

9、所(suo)(suo)述(shu)電機輸出端固定連(lian)(lian)接有連(lian)(lian)接桿，所(suo)(suo)述(shu)連(lian)(lian)接桿穿過支撐架(jia)延伸至(zhi)支撐架(jia)外(wai)部(bu)，利(li)用連(lian)(lian)接桿帶動(dong)承載板轉動(dong)。

10、作為(wei)上(shang)述(shu)技術方案(an)的進一步描述(shu)：

11、所述(shu)連接桿一端固定(ding)連接有承(cheng)載板，所述(shu)承(cheng)載板底部固定(ding)連接有兩個支撐(cheng)(cheng)柱，支撐(cheng)(cheng)柱與環形滑槽(cao)滑動連接。

12、作為上述(shu)技術(shu)方案的進(jin)一步描述(shu)：

13、所述(shu)承載(zai)板頂(ding)(ding)部(bu)固(gu)定連接有底座，所述(shu)底座頂(ding)(ding)部(bu)固(gu)定連接有液壓(ya)伸(shen)縮(suo)桿，通(tong)過(guo)液壓(ya)伸(shen)縮(suo)桿伸(shen)縮(suo)改變加(jia)熱區域對拉(la)升下階(jie)段頁面變化而改變加(jia)熱位(wei)置。

14、作為上述技術方(fang)案的進一步描述：

15、所(suo)述(shu)第(di)(di)二(er)(er)貫穿孔(kong)與(yu)第(di)(di)一螺紋孔(kong)貫通連接(jie)(jie)，所(suo)述(shu)第(di)(di)三貫穿孔(kong)與(yu)第(di)(di)二(er)(er)螺紋孔(kong)貫通連接(jie)(jie)。

16、與(yu)現有技術相比，本實用新型的(de)技術效果和優點：

17、1、通(tong)過設置拼接降氧(yang)機(ji)構(gou)，利用(yong)第(di)(di)一(yi)加(jia)(jia)熱(re)(re)瓣與(yu)第(di)(di)二加(jia)(jia)熱(re)(re)瓣對其進行(xing)加(jia)(jia)熱(re)(re)，通(tong)過第(di)(di)一(yi)加(jia)(jia)熱(re)(re)瓣與(yu)第(di)(di)二加(jia)(jia)熱(re)(re)瓣對材(cai)料(liao)進行(xing)加(jia)(jia)熱(re)(re)，從而(er)將發熱(re)(re)區主要發熱(re)(re)位置整體(ti)上(shang)移增大縱向溫度(du)梯度(du)、減(jian)小(xiao)熱(re)(re)輻射(she)面積(ji)減(jian)少氧(yang)的(de)產(chan)生、降低(di)熔體(ti)中的(de)氧(yang)含(han)量從而(er)降低(di)拉制晶棒(bang)中的(de)氧(yang)含(han)量；

18、2、通(tong)過設(she)置旋(xuan)(xuan)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)機(ji)(ji)構(gou)，電(dian)機(ji)(ji)旋(xuan)(xuan)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)帶(dai)動(dong)(dong)連接(jie)桿旋(xuan)(xuan)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)，利用連接(jie)桿旋(xuan)(xuan)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)帶(dai)動(dong)(dong)承載板旋(xuan)(xuan)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)，通(tong)過承載板旋(xuan)(xuan)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)帶(dai)動(dong)(dong)液(ye)壓(ya)伸(shen)縮桿轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)動(dong)(dong)，利用液(ye)壓(ya)伸(shen)縮桿帶(dai)動(dong)(dong)旋(xuan)(xuan)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)底座轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)動(dong)(dong)，從(cong)(cong)而使拼接(jie)降氧機(ji)(ji)構(gou)轉(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)(zhuan)動(dong)(dong)，使材料受熱更加均勻(yun)，從(cong)(cong)而使拉(la)升的時候不會產生因為(wei)受熱不均而變(bian)形。

技術特征：

1.一種直拉法生產單晶用(yong)多(duo)瓣拼接降氧(yang)裝置，包括旋(xuan)轉底(di)座（1），其特征在(zai)于：所述旋(xuan)轉底(di)座（1）頂部(bu)設(she)有拼接降氧(yang)機構；

2.根據(ju)權(quan)利要求1所述(shu)的一種直拉(la)法生產單晶用多瓣拼接(jie)(jie)降(jiang)氧裝(zhuang)置，其特征(zheng)在于(yu)：所述(shu)旋轉底座（1）頂部開設有(you)(you)兩個第三(san)螺紋孔（14），所述(shu)旋轉底座（1）底部設有(you)(you)旋轉機構，所述(shu)旋轉機構包括底板(ban)（23），所述(shu)底板(ban)（23）頂部固定連接(jie)(jie)有(you)(you)支(zhi)撐架(jia)（16）。

3.根據(ju)權利要求2所(suo)述的一種直(zhi)拉法(fa)生(sheng)產單晶用(yong)多瓣拼(pin)接降氧裝置，其(qi)特征在(zai)于(yu)：所(suo)述支撐架（16）外壁(bi)頂(ding)部(bu)開設有(you)環形(xing)凹槽（17），所(suo)述支撐架（16）內壁(bi)頂(ding)部(bu)固定連接有(you)電機（18）。

4.根據權(quan)利要求3所述的一種直拉法生(sheng)產單(dan)晶(jing)用多瓣拼接(jie)降氧裝置，其(qi)特征在于：所述電機(ji)（18）輸出端(duan)固定連(lian)接(jie)有連(lian)接(jie)桿（19），所述連(lian)接(jie)桿（19）穿(chuan)過支撐(cheng)架（16）延(yan)伸(shen)至支撐(cheng)架（16）外部。

5.根(gen)據權利要求4所述的一種直拉法生產單晶用(yong)多(duo)瓣拼接(jie)降氧裝置，其特征在于：所述連(lian)(lian)接(jie)桿（19）一端固(gu)定(ding)連(lian)(lian)接(jie)有承載板(ban)（20），所述承載板(ban)（20）底部固(gu)定(ding)連(lian)(lian)接(jie)有兩根(gen)支(zhi)撐柱（21）。

6.根據權(quan)利要(yao)求5所述的一種(zhong)直拉(la)法生產單晶用(yong)多(duo)瓣拼接降(jiang)氧裝置，其(qi)特征在于：所述承載板（20）頂部(bu)固定(ding)(ding)連接有底(di)座(zuo)（15），所述底(di)座(zuo)（15）頂部(bu)固定(ding)(ding)連接有液壓伸(shen)縮桿(gan)（22）。

7.根(gen)據權利要求1所(suo)述的一種直拉法生(sheng)產單晶用多瓣拼接(jie)降氧裝置，其特征在于：所(suo)述第二貫(guan)穿孔與(yu)第一螺紋孔（9）貫(guan)通連(lian)接(jie)，所(suo)述第三貫(guan)穿孔（13）與(yu)第二螺紋孔（11）貫(guan)通連(lian)接(jie)。

技術總結
本技術公開了一種直拉法生產單晶用多瓣拼接降氧裝置，具體涉及直拉法生產單晶技術領域，包括旋轉底座，所述旋轉底座頂部設有拼接降氧機構；所述拼接降氧機構包括兩個腳板，所述腳板與旋轉底座固定連接，所述腳板橫截面設為L形，所述腳板底部開設有第一貫穿孔，所述腳板頂部開設有第一凹槽，所述第一凹槽一側開設有多個第二慣穿孔，所述第一凹槽頂部設有第一加熱瓣。本技術通過設置拼接降氧機構，利用第一加熱瓣與第二加熱瓣對其進行加熱，通過第一加熱瓣與第二加熱瓣對材料進行加熱，從而將發熱區主要發熱位置整體上移增大縱向溫度梯度、減小熱輻射面積減少氧的產生、降低熔體中的氧含量從而降低拉制晶棒中的氧含量。

技術研發人員：韓龍,王建利,郭嘉偉,董智慧
受保護的技術使用者：烏海市京運通新材料科技有限公司
技術研發日：20230905
技術公布日：2024/9/19