本(ben)發明涉及(ji)用于液晶顯示屏玻璃基板蝕刻預處理的組合(he)物(wu)。

背景技術：

在超薄(bo)(bo)(bo)液晶顯示屏(ping)生產時，需(xu)要(yao)對(dui)完成封(feng)裝的(de)(de)玻(bo)璃(li)基(ji)(ji)板(ban)進行(xing)(xing)薄(bo)(bo)(bo)化(hua)(hua)處(chu)(chu)(chu)理(li)，現(xian)有(you)技(ji)術中(zhong)一般采(cai)用的(de)(de)氫氟酸蝕(shi)刻進行(xing)(xing)薄(bo)(bo)(bo)化(hua)(hua)，往往產生局部過蝕(shi)凹(ao)坑，需(xu)要(yao)再進行(xing)(xing)長時間的(de)(de)拋光處(chu)(chu)(chu)理(li)，嚴重(zhong)的(de)(de)甚至導致(zhi)整個玻(bo)璃(li)基(ji)(ji)板(ban)報廢。隨(sui)著超薄(bo)(bo)(bo)TFT(Thin Film Transistor，薄(bo)(bo)(bo)膜晶體管)需(xu)求量(liang)的(de)(de)逐(zhu)漸增(zeng)大，這個問(wen)題在液晶顯示屏(ping)生產過程中(zhong)越來越突(tu)出(chu)，解(jie)決(jue)這個問(wen)題現(xian)有(you)技(ji)術中(zhong)采(cai)用以濃硫酸為基(ji)(ji)礎(chu)(chu)配(pei)制的(de)(de)預(yu)(yu)處(chu)(chu)(chu)理(li)液在薄(bo)(bo)(bo)化(hua)(hua)處(chu)(chu)(chu)理(li)前(qian)對(dui)液晶屏(ping)的(de)(de)玻(bo)璃(li)基(ji)(ji)板(ban)進行(xing)(xing)預(yu)(yu)處(chu)(chu)(chu)理(li)，由于加入(ru)了大量(liang)的(de)(de)濃硫酸，預(yu)(yu)處(chu)(chu)(chu)理(li)工序(xu)后產生的(de)(de)廢液難于進行(xing)(xing)處(chu)(chu)(chu)理(li)。因此提供一種(zhong)新(xin)的(de)(de)液晶顯示屏(ping)玻(bo)璃(li)基(ji)(ji)板(ban)薄(bo)(bo)(bo)化(hua)(hua)預(yu)(yu)處(chu)(chu)(chu)理(li)用產品，在提高處(chu)(chu)(chu)理(li)效果的(de)(de)基(ji)(ji)礎(chu)(chu)上(shang)降低污染排放，成為現(xian)有(you)技(ji)術中(zhong)亟待解(jie)決(jue)的(de)(de)問(wen)題。

技術實現要素：

為解決前(qian)述技術問(wen)題，本發明提供(gong)了(le)液晶顯(xian)示屏(ping)玻璃(li)基板薄化(hua)工藝預處(chu)理(li)組(zu)合物及其處(chu)理(li)工藝，通過優化(hua)處(chu)方和處(chu)理(li)工藝，成功的(de)實(shi)現了(le)避免了(le)濃硫酸等造成嚴重(zhong)污染且難于處(chu)理(li)的(de)原材(cai)料的(de)使用(yong)。

本發明(ming)提(ti)供了液晶(jing)顯(xian)示(shi)屏玻(bo)璃基板(ban)薄化工藝預處理組合物，其(qi)特征在于所述組合物由以下組分組成：

質(zhi)(zhi)量(liang)(liang)(liang)百(bai)分(fen)比(bi)含(han)(han)量(liang)(liang)(liang)5-8％的(de)(de)鹽酸(HCl)，質(zhi)(zhi)量(liang)(liang)(liang)百(bai)分(fen)比(bi)含(han)(han)量(liang)(liang)(liang)5-8％的(de)(de)硝(xiao)酸(HCl)質(zhi)(zhi)量(liang)(liang)(liang)百(bai)分(fen)比(bi)含(han)(han)量(liang)(liang)(liang)2％～5％的(de)(de)氫(qing)氟(fu)酸(HF)，質(zhi)(zhi)量(liang)(liang)(liang)百(bai)分(fen)比(bi)含(han)(han)量(liang)(liang)(liang)1～2％的(de)(de)吐(tu)溫-80，質(zhi)(zhi)量(liang)(liang)(liang)百(bai)分(fen)比(bi)含(han)(han)量(liang)(liang)(liang)0.2-0.4％的(de)(de)卡波姆940、質(zhi)(zhi)量(liang)(liang)(liang)百(bai)分(fen)比(bi)1-2％的(de)(de)羥丙基甲基纖維素(HPMC)及余量(liang)(liang)(liang)的(de)(de)水。

所(suo)述(shu)的(de)液晶顯示屏玻(bo)璃基板(ban)薄化(hua)工藝預處理組合(he)物，其(qi)特征(zheng)在于以如下方(fang)法配制，

1)將處方(fang)量鹽酸、氫氟酸和硝酸混(hun)合，并加入適量水稀釋(shi)，

2)將處方量HPMC溶于(yu)處方量30～40％的(de)水中(zhong)，加入處方量的(de)吐(tu)溫-80，

3)將處(chu)方量卡(ka)波姆940于適量水中溶(rong)解；

4)在(zai)步驟(zou)2)的(de)(de)(de)混合(he)(he)溶液中(zhong)，在(zai)劇烈攪拌下先后加(jia)(jia)(jia)入(ru)緩慢(man)加(jia)(jia)(jia)入(ru)步驟(zou)1)的(de)(de)(de)混合(he)(he)液，然(ran)后再將步驟(zou)3)的(de)(de)(de)混合(he)(he)液加(jia)(jia)(jia)入(ru)，補足(zu)余量的(de)(de)(de)水后攪拌至混合(he)(he)均勻。

在(zai)研(yan)究中我們意外的(de)(de)(de)發(fa)現(xian)(xian)，將原(yuan)本多用于(yu)制藥、化妝(zhuang)品生產(chan)的(de)(de)(de)卡波(bo)姆940與(yu)吐(tu)溫80及HPMC配合并加入混合稀酸(suan)后(hou)可以用于(yu)對液(ye)晶顯示(shi)屏玻璃基(ji)板(ban)薄化工(gong)藝(yi)的(de)(de)(de)預處理(li)(li)(li)，并能夠顯著降低后(hou)續(xu)的(de)(de)(de)氫(qing)氟(fu)酸(suan)蝕刻薄化工(gong)藝(yi)后(hou)基(ji)板(ban)表(biao)(biao)面(mian)的(de)(de)(de)凹坑，從(cong)而避免了現(xian)(xian)有(you)技術中采用濃硫(liu)酸(suan)為主(zhu)要成分的(de)(de)(de)預處理(li)(li)(li)劑在(zai)使用時的(de)(de)(de)不安全性和廢液(ye)難于(yu)處理(li)(li)(li)的(de)(de)(de)問題。本發(fa)明(ming)提供(gong)的(de)(de)(de)組(zu)合物對TFT玻璃基(ji)板(ban)的(de)(de)(de)CF面(mian)和TFT面(mian)均(jun)有(you)良(liang)(liang)好的(de)(de)(de)預處理(li)(li)(li)效果。且進(jin)一步(bu)研(yan)究發(fa)現(xian)(xian)，本發(fa)明(ming)采用的(de)(de)(de)預處理(li)(li)(li)工(gong)藝(yi)，優(you)選了溫度范圍與(yu)溫度變(bian)化程序。與(yu)本發(fa)明(ming)的(de)(de)(de)表(biao)(biao)面(mian)預處理(li)(li)(li)液(ye)配合能夠產(chan)生良(liang)(liang)好的(de)(de)(de)預處理(li)(li)(li)效果。

具體實施方式

本發明提供的液晶(jing)顯示屏玻璃(li)基板(ban)薄化工藝預(yu)處(chu)理組合物，以如(ru)下方法配制，

1)將處(chu)方(fang)量鹽(yan)酸(suan)、氫氟酸(suan)和(he)硝酸(suan)混合，并(bing)加入(ru)適量水(shui)稀(xi)釋，

2)將處方(fang)(fang)量HPMC溶于(yu)處方(fang)(fang)量30～40％的(de)(de)水中，加(jia)入處方(fang)(fang)量的(de)(de)吐溫-80，

3)將處方量卡波姆(mu)940于適(shi)量水(shui)中溶解；

4)在步驟2)的(de)混合(he)(he)溶液(ye)中(zhong)，在劇烈(lie)攪拌下先后(hou)加入(ru)(ru)緩慢加入(ru)(ru)步驟1)的(de)混合(he)(he)液(ye)，然后(hou)再講步驟3)的(de)混合(he)(he)液(ye)加入(ru)(ru)，補足余量(liang)的(de)水后(hou)攪拌至混合(he)(he)均(jun)勻。

實施例1～4配方見(jian)下表(質(zhi)量百(bai)分(fen)比wt％)

對實施例1～4得到的(de)組合物進行薄化(hua)預處理(li)的(de)方法如下

取用原材料為(wei)康(kang)寧(ning)公司(si)生產(chan)的(de)同批次的(de)用于TFT顯示屏的(de)玻(bo)璃(li)面板(ban)，其厚度(du)為(wei)1.000mm，尺寸為(wei)730mm×920mm。所(suo)采用的(de)蝕(shi)刻及拋(pao)光(guang)設備分別為(wei)東莞鴻(hong)村蝕(shi)刻機(ji)和湖南永創拋(pao)光(guang)機(ji)。先(xian)在CF面玻(bo)璃(li)基板(ban)和TFT面玻(bo)璃(li)基板(ban)四(si)周(zhou)間隙中滲透UV膠水，再(zai)用UV光(guang)照固化完(wan)成(cheng)玻(bo)璃(li)基板(ban)的(de)封裝，將封裝完(wan)成(cheng)的(de)玻(bo)璃(li)基板(ban)用于后續的(de)預處理及薄(bo)化工序

預處理方法為

1)液晶(jing)顯示(shi)屏(ping)玻(bo)璃基板薄化(hua)工藝預處理(li)組合物1000L(以下簡稱預處理(li)劑)

2)將(jiang)預(yu)處(chu)理(li)劑打入蝕(shi)刻機酸槽并將(jiang)預(yu)處(chu)理(li)劑溫度(du)控制在(zai)50℃±2℃，把作為(wei)實驗組樣(yang)品(pin)的(de)5片(pian)完(wan)成(cheng)封裝的(de)玻(bo)璃基板(編號為(wei)I～V)浸(jin)泡在(zai)預(yu)處(chu)理(li)劑中(zhong)，去除玻(bo)璃表面雙層20微(wei)米；然后將(jiang)預(yu)處(chu)理(li)劑溫度(du)將(jiang)至(zhi)35℃±2℃，繼續浸(jin)泡至(zhi)去除玻(bo)璃表面雙層60微(wei)米，，在(zai)預(yu)處(chu)理(li)時對預(yu)處(chu)理(li)劑進行鼓泡攪拌。

3)：用清水洗(xi)凈玻璃表(biao)面(mian)，在表(biao)面(mian)濕潤的條件(jian)下(xia)再(zai)進入(ru)氫氟(fu)酸(suan)蝕(shi)刻液(ye)中，濃度為(wei)9mol/L，溫度控(kong)制在30℃條件(jian)，薄化至0.5mm厚度。

另取5片(pian)完(wan)成封裝(zhuang)的玻璃基板(編號i～v)清(qing)水清(qing)洗后直接進入氫氟酸蝕刻液中濃度(du)(du)為(wei)9mol/L，溫(wen)度(du)(du)控(kong)制(zhi)在30℃條(tiao)件，薄化至0.5mm厚度(du)(du)，并作為(wei)對照組

在同一臺永創拋光機1300-3#上，壓力60g/cm²，下盤(pan)(pan)轉速50，上盤(pan)(pan)轉速40，研(yan)(yan)(yan)磨(mo)墊為(wei)環(huan)球(qiu)LP-66型(xing)號，拋光粉(fen)為(wei)德樂士101型(xing)號，吸附墊為(wei)FUJIBO BPE211型(xing)號，實(shi)驗(yan)(yan)(yan)組每研(yan)(yan)(yan)磨(mo)1分鐘檢驗(yan)(yan)(yan)一次(ci)表面效果(guo)(guo)，對照組每研(yan)(yan)(yan)磨(mo)5分鐘檢驗(yan)(yan)(yan)一次(ci)表明效果(guo)(guo)，記錄研(yan)(yan)(yan)磨(mo)后檢驗(yan)(yan)(yan)沒(mei)有凹(ao)坑的累計研(yan)(yan)(yan)磨(mo)時間(jian)如表1所示(shi)

實驗結果表明，采用本(ben)發(fa)明提供的預(yu)(yu)處(chu)理(li)液進(jin)行預(yu)(yu)處(chu)理(li)后的玻璃基(ji)板在(zai)進(jin)行薄(bo)化工(gong)藝處(chu)理(li)后可以顯著減少(shao)面板上(shang)的凹坑(keng)。