專利名稱：納米ZnO粉體的制備技術的制作方法
技術領域：
本發明涉及納米ZnO粉體的制備技術，具體涉及沉淀法微波干燥方法制備ZnO粉體的制備技術、制備工藝及方法，其特征包括采用氯化鋅與草酸反應生成二水草酸鋅沉淀的工藝方法。
ZnO是用途十分廣泛的功能材料，大量用于電子、涂料、催化、氣敏器件和壓敏電阻器件等重要的工業技術應用領域。ZnO是化合物半導體，當材料的尺寸達到納米數量時，由于具有量子限域效應、尺寸效應、表面效應等重要的結構特征，它的物理特性于普通材料不同。基于以上原因，近年來，納米ZnO的制備成為納米材料制備領域的熱點。
沉淀法是制備納米ZnO粉體常用的一種合成方法，具有成本低、設備簡單、易放大工業化生產的優點。采用這種方法，可以獲得晶粒尺寸僅為10nm、分散性好的納米ZnO粉體。ZnO主要用來制造傳感器、熒光體、紫外線遮蔽材料(在整個200～400納米紫外光區有很強的吸光能力)、變阻器、圖象記錄材料、壓電材料、壓敏電阻器、高效催化劑、磁性材料和塑料薄膜等。也可用作天然橡膠、合成橡膠及乳膠的硫化活化劑和補強劑。還常用作陶瓷工業中的礦化劑。另外在涂料、醫藥、油墨、造紙、搪瓷、玻璃、火柴、化工和化妝品等工業行業也有廣泛的用途。工藝流程見說明書附圖
。
本發明的目的在于提供一種設備簡單、工藝流程短、投資少、成本低、最為常用的生產納米ZnO粉體的制備的新工藝。
本發明的技術特點沉淀法制備納米ZnO粉體最主要的一點是如何減少其團聚，本發明采用微波干燥減少其團聚、通過控制反應溶液的初始濃度、沉淀反應的速度、添加分散劑對ZnC2O4·2H2O溶液反應獲得前驅體二水草酸鋅沉淀。
本發明將通過以下制備新工藝作進一步說明將上述反應液分別加入潔凈的不銹鋼反應器中，攪拌反應，常溫下反應2小時，生成白色沉淀二水草酸鋅(ZnC2O4·2H2O)。
將反應液進行過濾。濾渣用去離子水沖洗數次后，在真空干燥箱中進行干燥，干燥溫度為110℃。
干燥后的二水草酸鋅在氧氣氣氛中，于350～450℃下煅燒0.5～2小時，得到白色(或淡黃色)納米氧化鋅。
權利要求
1.一種納米粉體的制備技術，其特征是采取沉淀法與微波干燥方法。
2.根據權利要求書1所述的沉淀法、微波干燥方法，制備ZnO粉體的制備技術、制備工藝及方法，其特征包括采用氯化鋅與草酸反應生成二水草酸鋅沉淀的工藝方法。常溫加熱反應沉淀、脫水、微波干燥、高溫煅燒制得粉體。
全文摘要
本發明涉及納米ZnO粉體的制備技術，其特征是采取沉淀法與微波干燥方法。ZnO粉體的制備技術、制備工藝及方法，其特征包括采用氯化鋅與草酸反應生成二水草酸鋅沉淀，通過常溫加熱反應、沉淀、脫水、微波干燥溫度為110℃、煅燒溫度為350～450℃制得ZnO納米粉體。
文檔編號C01G9/02GK1418818SQ0215796
公開日2003年5月21日 申請日期2002年12月23日 優先權日2002年12月23日
發明者崔春芳, 童忠良, 馮正宏 申請人:崔春芳, 童忠良, 馮正宏