精密掩膜板的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及半導體制造技術，特別是涉及一種精密掩膜板。
【背景技術】
[0002]AMOLED的制程工藝中，有機物通過精密掩膜板被蒸鍍到玻璃基板上，形成像素。精密掩膜板的制造精度直接決定蒸鍍的精度和每英寸像素數。這就要求精密掩膜板上的像素孔大小和位置必須盡可能準確，才能減少蒸鍍缺陷。
[0003]精密掩膜板是很薄的片狀結構，需要固定在框體上以保證其在蒸鍍時呈平面展開。如圖1所示，是精密掩膜板I固定在框體2上的示意圖，把精密掩膜板I固定在框體2上的過程稱為張網。為保證精密掩膜板I呈平面展開狀態，張網時需要將精密掩膜板I拉伸。
[0004]由于精密掩膜板I上開設有很多用于蒸鍍像素材料的孔，其在被拉伸時，可能在各處受力不均，導致精密掩膜板I上出現起伏，使得精密掩膜板I上的像素孔的大小和位置出現偏移。
[0005]傳統的精密掩膜板的結構中，為了解決上述問題，在除了蒸鍍像素的圖形區外的一個表面進行半刻蝕，以改變半刻蝕區域的應力，來消除在拉伸時精密掩膜板上的起伏。這種設計可以從一定程度上緩解問題，但是仍然很難將精密掩膜板的應力中性層保持在一個平面上。
【實用新型內容】
[0006]基于此，有必要提供一種減少拉伸時的起伏的精密掩膜板。
[0007]—種精密掩膜板，分為圖案區和應力緩沖區，所述應力緩沖區的兩面都設有半刻蝕的緩沖圖案。
[0008]在其中一個實施例中，所述應力緩沖區包括位于圖案區之間的第一應力緩沖區。
[0009]在其中一個實施例中，所述應力緩沖區包括位于所述精密掩膜板兩端的第二應力緩沖區。
[0010]在其中一個實施例中，所述精密掩膜板還包括固定區。
[0011 ]在其中一個實施例中，所述應力緩沖區兩面的緩沖圖案相同，且對應設置。
[0012]在其中一個實施例中，所述應力緩沖區兩面的緩沖圖案相同，且錯位相鄰設置。
[0013]在其中一個實施例中，所述緩沖圖案的刻蝕深度小于精密掩膜板厚度的1/4。
[0014]在其中一個實施例中，兩面的緩沖圖案的刻蝕深度之和小于精密掩膜板厚度的1/2。
[0015]在其中一個實施例中，所述緩沖圖案為沿拉伸方向依次排列的兩個以上的矩形凹槽。
[0016]在其中一個實施例中，每個矩形凹槽在與拉伸方向垂直的方向上還分成兩段。
[0017]上述精密掩膜板，通過在應力緩沖區的兩面都形成緩沖圖案，可以使精密掩膜板的應力中性層兩側受力平衡，減少翹曲和起伏，可提高張網效率。
【附圖說明】
[0018]圖1為精密掩I旲板的固定不意圖；
[0019]圖2為一實施例的精密掩膜板的平面示意圖；
[0020]圖3為精密掩膜板的剖面示意圖；
[0021]圖4為像素孔的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0022]以下結合附圖和實施例進行進一步說明。
[0023]圖2為一實施例的精密掩膜板的平面示意圖，圖3是精密掩膜板的剖面示意圖。參考圖2和圖3，該精密掩膜板10分為圖案區100和應力緩沖區(包括第一應力緩沖區200和第二應力緩沖區300)。
[0024]圖案區100用于形成所需的層，例如在制作AMOLED時，用于制作像素的精密掩膜板，其圖案區是與像素對應的孔，像素材料通過蒸鍍的方式，按照精密掩膜板上的像素孔110(如圖3所示)蒸鍍到底層材料上，形成像素層。可以理解，精密掩膜板也可以在AMOLED制作工藝中形成其它層，或者在其他工藝中用來形成需要的層。
[0025]應力緩沖區用來調節精密掩膜板10內部應力，使得精密掩膜板10在被拉伸時，其應力中性層盡量保證在一個平面上。為了達到上述目的，使應力緩沖區在兩面都進行半刻蝕，形成緩沖圖案。所述緩沖圖案可以是沿拉伸方向依次排列的兩個以上的矩形凹槽。每個矩形凹槽可以在與拉伸方向垂直的方向上分成兩段或以上。
[0026]半刻蝕是指非穿透性刻蝕，即應力緩沖區的兩面的緩沖圖案被刻蝕的深度均小于精密掩膜板10的厚度，同時兩面的緩沖圖案被刻蝕的深度之和也小于精密掩膜板10的厚度。較佳的，兩面的緩沖圖案被刻蝕的深度之和也小于精密掩膜板10的厚度的一半。一種情況是，每一面的緩沖圖案的刻蝕深度均小于精密掩膜板10的厚度的1/4。另外的情況是，其中一面的緩沖圖案的刻蝕深度大于精密掩膜板10的厚度的1/4，但與另一面的緩沖圖案的刻蝕深度之和仍小于精密掩膜板10的厚度的一半。
[0027]應力緩沖區的兩面的緩沖圖案的形狀、位置以及刻蝕深度根據需要進行確定，通過調節兩面緩沖圖案的形狀、位置以及刻蝕深度，可將精密掩膜板10的應力中性層盡量控制在一個平面上，這樣就能夠避免精密掩膜板10在拉伸時，產生翹曲、起伏等問題，從而保證圖案區內圖案的位置和精度不發生偏移。
[0028]應力緩沖區可包括位于圖案區100之間的第一應力緩沖區200。第一應力緩沖區200可有多個，分布于圖案區100之間，或者圖案區100內部的間隙。基于圖案區100的圖案制作方式，圖案區100在精密掩膜板10的兩側刻蝕寬度可能不同。參考圖4，仍然以AMOLED制作工藝為例，在形成像素孔時，采用兩面刻蝕的方式形成通孔，其中上半部分的刻蝕孔寬度小于下半部分的刻蝕孔寬度，那么當精密掩膜板10被拉伸時，上下兩部分的內部應力則不相同，此時需要對上下兩部分進行對應的調節。
[0029]進一步地，應力緩沖區也可以包括位于精密掩膜板10兩端的第二應力緩沖區300。第二應力緩沖區300位于精密掩膜板10兩端，每端分別設置一個應力緩沖區300。在傳統的精密掩膜板10結構中，在精密掩膜板10兩端并不會設置應力緩沖區，也即不會在精密掩膜板10兩端刻蝕形成單面的緩沖圖案。本實施例中，在精密掩膜板10兩端形成具有兩面緩沖圖案的第二應力緩沖區300。精密掩膜板10的兩端一般設置固定區400，以將精密掩膜板10進行固定。精密掩膜板10的兩端位置首先承受拉伸的力，產生應力變化。因此，在這里設置第二應力緩沖區300，能夠起到更好的應力調節效果。
[0030]固定區400與外部的框架連接，可將精密掩膜板10進行固定。一般地，固定區400可設置內凹的缺口或者通孔輔助固定。
[0031]應力緩沖區兩面的緩沖圖案可以相同，且對應設置。基于圖案區100的圖案制作方式，圖案區100在精密掩膜板10的兩側刻蝕寬度可以相同。當精密掩膜板10被拉伸時，上下兩部分的內部應力大致相同，上下兩部分需要利用相同的緩沖圖案進行對應的調節。
[0032]應力緩沖區兩面的緩沖圖案相同，且錯位相鄰設置。錯位是指兩面的緩沖圖案并沒有在同一位置上對應設置，而是有所偏移。基于圖案區100的圖案制作方式，圖案區100在精密掩膜板10的兩側刻蝕寬度可能不同(參考圖4)。當精密掩膜板10被拉伸時，上下兩部分的內部應力則不相同，此時需要對上下兩部分進行對應的調節。例如使下部的圖案更靠外一些。
[0033]可以理解，應力緩沖區兩面的緩沖圖案也可以不同，因而對應力的調節效果也不相同。此時可以通過調節緩沖圖案的形狀、位置以及刻蝕深度中的其他影響因子保證應力中性層在一個平面上。
[0034]上述精密掩膜板，通過在應力緩沖區的兩面都形成緩沖圖案，可以使精密掩膜板的應力中性層兩側受力平衡，減少翹曲和起伏，提高張網效率。
[0035]以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。
[0036]以上所述實施例僅表達了本實用新型的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對實用新型專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本實用新型的保護范圍。因此，本實用新型專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
【主權項】
1.一種精密掩膜板，分為圖案區和應力緩沖區，其特征在于，所述應力緩沖區的兩面都設有半刻蝕的緩沖圖案。2.根據權利要求1所述的精密掩膜板，其特征在于，所述應力緩沖區包括位于圖案區之間的第一應力緩沖區。3.根據權利要求1所述的精密掩膜板，其特征在于，所述應力緩沖區包括位于所述精密掩膜板兩端的第二應力緩沖區。4.根據權利要求1所述的精密掩膜板，其特征在于，所述精密掩膜板還包括位于兩端的固定區。5.根據權利要求1所述的精密掩膜板，其特征在于，所述應力緩沖區兩面的緩沖圖案相同，且對應設置。6.根據權利要求1所述的精密掩膜板，其特征在于，所述應力緩沖區兩面的緩沖圖案相同，且錯位相鄰設置。7.根據權利要求1所述的精密掩膜板，其特征在于，所述緩沖圖案的刻蝕深度小于精密掩膜板厚度的1/4。8.根據權利要求1所述的精密掩膜板，其特征在于，兩面的緩沖圖案的刻蝕深度之和小于精密掩膜板厚度的1/2。9.根據權利要求1所述的精密掩膜板，其特征在于，所述緩沖圖案為沿拉伸方向依次排列的兩個以上的矩形凹槽。10.根據權利要求9所述的精密掩膜板，其特征在于，每個矩形凹槽在與拉伸方向垂直的方向上還分成兩段。
【專利摘要】本實用新型涉及一種精密掩膜板，分為圖案區和應力緩沖區，所述應力緩沖區的兩面都設有半刻蝕的緩沖圖案。上述精密掩膜板，通過在應力緩沖區的兩面都形成緩沖圖案，可以使精密掩膜板的應力中性層兩側受力平衡，減少翹曲和起伏，可提高張網效率。
【IPC分類】C23C14/04, C23C14/24
【公開號】CN204803392
【申請號】CN201520549771
【發明人】范波濤, 王水俊
【申請人】昆山國顯光電有限公司
【公開日】2015年11月25日
【申請日】2015年7月27日