多源蒸鍍裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種多源蒸鍍裝置。
【背景技術】
[0002]蒸鍍法是一種在半導體或太陽能等產業中已經被廣泛使用的鍍膜技術，如圖1所示，一般常見的蒸鍍裝置通常包含一個真空腔體91，以及一個安裝于所述真空腔體91內且可對一膜料93加熱的加熱件92。
[0003]在使用時，先將一個欲進行鍍膜的工件94放入所述真空腔體91內，接著令所述真空腔體91內抽真空，然后通過所述加熱件92將所述膜料93加熱達到熔化，使所述膜料93蒸發產生蒸氣原子，并通過蒸氣原子沉積凝結在所述工件94之一表面941而生成膜層，便完成鍍膜作業。
[0004]然而所述蒸鍍裝置在實際應用上，由于所述膜料93加熱蒸發時，其蒸氣原子的動作路徑有一定的范圍，如圖1所示地，越靠近所述膜料93則可蒸鍍之面積越小，越遠離所述膜料93則可蒸鍍之面積越大。換句話說，當所述工件94的尺寸越大時，所述工件94的表面941之面積也越大，因此所述2工件94就必須要相當遠離所述膜料93，才能使所述表面941完全蒸鍍。不過，為了能讓工件94有足夠的空間與所述膜料93間隔，在拉長所述工件94與所述膜料93之間的距離的同時，所述真空腔體91的體積也需要隨著變大改變。
[0005]如此一來，將會增加所述真空腔體91抽真空的時間，進而降低工作效率、生產效率與使用方便性，若為了增加抽真空的速度而采用抽氣速率較高的泵浦，又不可避免地會增加設備成本。
【實用新型內容】
[0006]本實用新型所要解決的技術問題是克服現有技術的不足，提供一種可在近距離處均勻鍍膜，并能維持較佳的制造質量、工作效率與生產效率且方便使用的多源蒸鍍裝置。
[0007]本實用新型所采用的技術方案是:本實用新型多源蒸鍍裝置可在一個工件的一個加工面上蒸鍍膜層，所述加工面包括第一面部、第二面部與第三面部，而所述多源蒸鍍裝置包含:
[0008]一中空腔體，包括一個可被抽真空且可供所述工件容置的容置空間；
[0009]一蒸鍍源機構，包括一個位于所述容置空間內且可被加熱而朝所述工件的加工面上蒸鍍膜層的膜料單元，所述膜料單元具有一個可在所述第一面部與所述第二面部上蒸鍍膜層的第一膜料以及一個可在所述第二面部與所述第三面部上蒸鍍膜層的第二膜料；及
[0010]一遮擋機構，包括一個可遮擋所述第一膜料與所述第二膜料的其中一個蒸鍍膜層于所述第二面部上的遮擋件。
[0011]進一步的，所述遮擋機構還包括一個與所述中空腔體結合安裝而可驅動所述遮擋件繞一軸線旋轉的驅動單元。
[0012]進一步的，所述遮擋機構的驅動單元具有一個與所述中空腔體結合安裝的驅動件以及一個連接于所述驅動件與所述遮擋件之間的傳動件，所述傳動件可被所述驅動件驅動而繞所述軸線轉動，進而帶動所述遮擋件旋轉。
[0013]進一步的，所述蒸鍍源機構還包括一個與所述中空腔體結合安裝的加熱單元，所述加熱單元具有數個安裝于所述容置空間內而分別用于加熱所述第一膜料與所述第二膜料的加熱座。
[0014]進一步的，每一個所述加熱座皆具有一個電子槍，所述電子槍分別可對所述第一膜料與所述第二膜料轟擊電子。
[0015]進一步的，所述中空腔體內設置有一個安裝于所述容置空間內而用于承載所述工件的承載單元。
[0016]進一步的，所述中空腔體還設置有數個安裝于所述容置空間內的離子槍，所述離子槍分別可對所述工件的加工面轟擊離子。
[0017]本實用新型的有益效果是:在所述中空腔體內設置所述第一膜料與所述第二膜料的多源蒸鍍結構，使得所述多源蒸鍍裝置可應用于較大尺寸的工件，并可在近距離處均勻鍍膜，且所述容置空間的容積不需增大，故不會增長抽真空的時間而能維持較佳的工作效率與生產效率，并方便使用。此外，所述遮擋機構的遮擋件可遮擋所述第一膜料與所述第二膜料的其中一個蒸鍍膜層于所述第二面部上，前述嶄新的設計使所述加工面的膜層的厚度均勻，因而能維持較佳的制造質量。
【附圖說明】
[0018]圖1是現有技術的局部剖視圖；
[0019]圖2是本實用新型前視剖視示意圖；
[0020]圖3是本實用新型側視剖視示意圖。
【具體實施方式】
[0021]如圖1、圖2、圖3所示，本實用新型可在一個工件8的一個朝下的加工面81上蒸鍍膜層，所述工件8的加工面81包括依序連接設置的一個第一面部811、一個第二面部812與一個第三面部813。而所述多源蒸鍍裝置包含:一個中空腔體1、一個蒸鍍源機構2以及一個遮擋機構3，其中，所述蒸鍍源機構2及所述遮擋機構3皆與所述中空腔體I結合安裝。
[0022]所述中空腔體I包括一個基座單元11、一個由所述基座單元11界定而成且可供所述工件8容置的容置空間12、一個安裝于所述容置空間12內而用于承載固定所述工件8的承載單元13以及數個安裝于所述容置空間12內且間隔地位于所述承載單元13之下方的離子槍14。所述離子槍14分別可將氬氣解離成氬離子與電子，并將所述氬離子轟擊所述工件8的加工面81，不僅可作為清潔用途，帶有的高能量所述氬離子轟擊所述工件8之后，可增加所述加工面81的熱能，進而有助于后續所述蒸鍍源機構2蒸鍍膜層的附著度與均勻度。
[0023]在實施上，所述基座單元11具有一個可被驅動而對所述容置空間12抽氣的泵浦，通過所述泵浦維持所述容置空間12在預定的真空壓力值下，前述預定的真空壓力值可依實際需求調整，不需限制。至于所述中空腔體I的細部結構、所述容置空間12如何被抽真空、所述承載單元13如何承載固定所述工件8，以及所述離子槍14的細部構造，皆非本新型改良之重點，不再各別詳述。
[0024]所述蒸鍍源機構2位于所述工件8的下方，并包括一個與所述中空腔體I結合安裝的加熱單元21以及一個位于所述容置空間12內且位于所述承載單元13下方的膜料單元22。所述膜料單元22可被所述加熱單元21加熱，而朝所述工件8的加工面81上蒸鍍膜層。所述膜料單元22具有一個可在所述第一面部811與所述第二面部812上蒸鍍膜層的第一膜料221以及一個可在所述第二面部812與所述第三面部813上蒸鍍膜層的第二膜料 222。
[0025]所述加熱單元21具有數個安裝于所述容置空間12內而分別用于加熱所述第一膜料221與所述第二膜料222的加熱座211，其中，所述第一膜料221與所述第二膜料222可為金屬或有機材料等，而所述等加熱座211可通過電阻加熱、電感加熱或以電子束加熱等方式，不需限制。
[0026]在本實施例中，所述等加熱座211是采用電子束加熱的方式來加熱所述第一膜料221與所述第二膜料222，并相較其他加熱方式具有較佳的加熱效率。每一個加熱座211皆具有一個電子槍212，所述電子槍212分別可對所述第一膜料221與所述第二膜料222轟擊電子，藉此加熱所述第一膜料221與所述第二膜料222以使其蒸發。
[0027]所述遮擋機構3包括一個位于所述工件8與所述膜料單元22之間的遮擋件31以及一個與所述中空腔體I結合安裝的驅動單元32。所述遮擋件31可遮擋所述第一膜料221與所述第二膜料222的其中一個蒸鍍膜層于所述第二面部812上，而所述驅動單元32可驅動所述遮擋件31繞一軸線7旋轉。所述驅動單元32具有一個與所述中空腔體I結合安裝的驅動件321以及一個連接于所述驅動件321與所述遮擋件31之間的傳動件322。所述第一膜料221與所述第二膜料222分別位于所述軸線7的左右側，所述等離子槍14則分別位于所述軸線7的前后側，