一種小晶片led封裝用微細銀合金鍵合線的制造方法
【專利摘要】本發明公開了一種小晶片LED封裝用微細銀合金鍵合線的制造方法，包括如下步驟：1銀合金鍵合線坯料的冶煉與連鑄：2銀合金線的拉制：3銀合金線的中間熱處理：4將經過中間熱處理的銀合金線經拉絲機拉制成直徑0.06?0.08mm的銀合金線。本發明通過優化合金成分消除了鍵合銀線及其它鍵合銀合金線強度低、抗氧化性能差的缺陷，并有效降低了成本。通過采用真空熔煉超生振動連鑄技術，改善了合金性能，提高了合金一致性，獲得了高品質合金線坯料，并通過適當中間熱處理控制加工過程中合金的組織結構，降低拉絲中的局部應力集中，并進一步優化拉絲模具入口角度，減少拉絲過程中的斷線，確保微細鍵合銀合金線了成品率。
【專利說明】
一種小晶片LED封裝用微細銀合金鍵合線的制造方法
技術領域
[0001] 本發明屬于半導體材料技術領域，主要涉及一種小晶片LED封裝用微細鍵合銀合金線 及其制造方法。
【背景技術】
[0002] 鍵合引線起聯結硅片電極與引線框架的外部引出端子的作用，并傳遞芯片的電信號、 散發芯片內產生的熱量，是集成電路封裝的關鍵材料。引線鍵合是半導體生產的極小特征 尺寸和極大產量的集中體現，前者表現為不斷縮小的引線間距上，后者則體現在逐步提高 的生產效率上。細間距鍵合需要強度和剛度更高的連線，通過對無空氣焊球（Free Air Ball)及熱影響區（Heat Affect Zone)長度的控制以滿足細間距鍵合的需要，在大規模集 成電路及LED封裝中對鍵合線的技術指標提出了越來越高的要求，高性能、超細鍵合線需 求量迅速增長，同時芯片密度的不斷提高，對鍵合材料的可靠性提出了更高的要求鍵合線 (鍵合金線、鍵合銅線、鍵合合金線等)起聯結硅片電極與引線框架的外部引出端子的作用， 并傳遞芯片的電信號、散發芯片內產生的熱量，是集成電路封裝的關鍵材料。鍵合銀線及鍵 合銀合金線由于其優秀的電學性能(可降低器件高頻噪聲、降低大功率LED發熱量等）、良 好的穩定性及適當的成本因素，開始應用于微電子封裝中，尤其在LED封裝中。但對于純銀 線來說，主要存在以下幾個方面的問題：l)Ag線鍵合過程中不采用N 2+H2氣體保護(Cu鍵合 線在使用過程中采用N2+H2氣體保護，成本較高且存在安全隱患），在鍵合過程中參數窗口 范圍較小，由于導熱率高、氧化速率高等原因，易導致Free Air Ball凝固不均勻容易形成 高爾夫球、球部變尖、波浪球等缺陷，影響第一焊點強度和形狀，降低了器件合格率和可靠 性;2)Ag線高溫強度低，高溫條件下失效幾率較高，無法滿足大功率LED等器件的使用;3) 苛刻條件下焊接Ag/Al界面易于產生Ag離子電迀移，導致焊點強度下降進而影響器件壽 命。對于鍵合銀合金線，目前多是通過添加 Pd、Au等元素的合金，該類銀合金具有良好的性 能，可以滿足部分LED封裝的需求，但該類銀合金存在如下幾個方面問題：1)由于Au和Pd與 Ag可以無限互溶，在Ag中添加 Au和Pd元素后合金強度增加有限，而對于小晶片LED，其焊盤 尺寸較小，通常為40*40um，需要超細(線徑為0.012-0.016mm)鍵合引線連接，這就要求鍵合 銀合金線具有足夠的連接強度，由此，添加 Au和Pd的銀合金線不能滿足小晶片LED封裝的要 求;2)純銀中添加 Au和Pd后，由于其原子排列方式及原子半徑相似，合金元素對銀的抗氧化 性能提高有限，使得鍵合過程中參數范圍較小，導致其生產效率降低；3)Au和Pd都是貴金 屬，大大增加了鍵合銀合金線的成本。Ni元素及稀土元素的加入能夠有效的提高銀合金的 強度、提高銀的抗氧化性能及高溫穩定性。此外，由于小晶片LED封裝用鍵合銀合金線線徑 較細(線徑為0.012-0.016mm)，對于微細線材加工而言，原材料的致密性和一致性是影響微 細拉絲的關鍵，拉絲過程的中間熱處理及拉絲模具是影響微細線材加工的重要因素。因此， 優化銀合金鍵合線的組份，提高銀合金鍵合線的強度及抗腐蝕性能，通過真空熔煉超生振 動連鑄技術確保銀合金組織及性能一致，采用適當中間熱處理并優化拉絲模具入口角度、 完善微細銀合金線制造方法，對于加快銀合金線在小晶片LED封裝中的應用具有重要意義。

【發明內容】

[0003] 本發明的目的在于提供一種小晶片LED封裝用微細鍵合銀合金線及其制造方法，其能 解決現有鍵合銀合金線的缺點，滿足小晶片LED封裝的使用要求。
[0004]為此，本發明提供如下技術方案:一種小晶片LED封裝用微細鍵合銀合金線及其制 造方法，包括如下步驟：（1)銀合金鍵合線坯料的冶煉與連鑄:a.制造 Ag/Ni中間合金:將質 量分數90%的Ag和質量分數10%的Ni分層放入真空爐氮化硼坩堝中，對真空爐的爐膛抽真 空，真空度高于3.0 X 10_2Pa后，開始升溫至1450-1850°C，熔化過程真空度高于5 X 10_2Pa， 然后靜置10-20分鐘，待Ag/Ni合金完全溶解且金屬液變清澈后，通過氮化硼管向Ag/Ni合金 液中充入Ar 2攪拌5-10分鐘，然后將合金澆注到水冷模具中冷卻，得到Ag/Ni中間合金；b . 制造 Ag/Ce、Ag/La中間合金:將質量分數95%的Ag放入真空爐石墨坩堝中，將質量分數5%的 Ce或La放入真空爐加料盒中，對真空爐的爐膛抽真空，真空度高于3.0 X l(T2Pa后，充入Ar2 至0.1-0.5Mpa，然后重新抽真空至真空度高于3.0 X l(T2Pa后，開始升溫，待溫度升至600-800°C后，停止抽真空并向真空爐中充入Ar2至0.1-0.51〇^;然后繼續升溫至1150-1250°(：， 待銀完全溶解且銀液變清澈后，移動加料盒將Ce或La加入到坩堝中，并向g/Ce、Ag/La合金 液中充入Ar2攪拌5-10分鐘，然后將合金恪體冷卻，得到Ag/Ce、Ag/La合金中間合金;C.在真 空冶煉爐中將Ag/Ni中間合金、Ag/Ce中間合金、Ag/La中間合金、Ag按下述比例稱量計算后， 其中鎳(Ni)為3-5wt% ;鈰(Ce)為0 · 3-0 · 5 wt%;鑭(La)為0 · 3-0 · 5 wt%，銀為余量，且銀合金 中鈰(Ce)和鑭(La)的質量分數相同，混合加入到真空冶煉爐中，抽真空至6.0 X 1 (^Pa以上， 開始升溫，待溫度升至600-800 °C后，停止抽真空并向真空冶煉爐中充入六〇至0.1-0.5MPa; 然后繼續升溫至1250-1450 °C，待合金完全溶解后，向銀合金液中充入Ar2攪拌5-10分鐘，將 合金熔體冷卻，得到銀合金坯料;d.將銀合金坯料加入到真空熔煉電磁攪拌合金連鑄機坩 堝中，坩堝為氮化硼坩堝，抽真空至e.OXK^Pa以上，開始升溫至1250-1450°C，待合金完全 溶解，采用氮化硼攪拌棒攪拌10-15分鐘，然后精煉靜置10-15分鐘后，充入高純六^至 1.0510^-1.110^，開始采用間歇方式拉鑄8-12111111銀合金桿 ；（2)銀合金桿的拉制：將上述直 徑8-12mm的銀合金桿經過拉絲機拉制成直徑為1.0-1.5mm的銀合金線，拉絲過程采用單 向拉制；（3)銀合金線的中間熱處理:將直徑1.0-1.5mm的銀合金線在管式爐中進行中間熱 處理，熱處理過程采用惰性氣體或N 2氣體保護，熱處理溫度為550-750°C，熱處理時間為2-5 分鐘；（4)將經過中間熱處理的銀合金線經拉絲機拉制成直徑0.06-0.08mm的銀合金線，然 后將直徑為0.06-0.08mm的銀合金線經過拉絲機連續拉拔成直徑為0.03-0.05mm細線， 再在微細拉絲機上通過多道拉拔，最終獲得直徑0.012-0.018mm微細銀合金鍵合線，拉絲 過程中，線材變形率為5%-7%。
[0005 ]進一步地，所述饒注Ag/Ni合金的水冷模具材料為純銅。
[0006] 更進一步地，所述連鑄機的結晶器上安裝有電磁攪拌機構;銀金合金桿牽引采用 間歇式牽引，牽引速度為50-300mm/分鐘，牽引時間1-5秒，停歇時間1-5秒。
[0007] 再進一步地，所述銀合金桿直徑大于1.0-1.5mm時，拉絲過程中采用單向方式拉 制，且拉絲速度為10-20m/分鐘。
[0008] 再更進一步地，所述銀合金線拉制過程中，拉絲模具的入口角度為11°-14°。
[0009] 此外，本發明還提供一種用所述的小晶片LED封裝用微細鍵合銀合金線的制造方 法制造的小晶片LED封裝用微細鍵合銀合金線，該銀合金鍵合線材料的各成分重量百分含 量是:Ni 3-5wt%，Ce 0.3-0.5wt%，La 0.3-0.5wt%，Ag余量，且Ce和La質量分數相同。
[0010] 本發明所述的小晶片LED封裝用微細鍵合銀合金線的制造方法制造的小晶片LED 封裝用微細鍵合銀合金線，通過優化合金成分消除了鍵合銀線及其它鍵合銀合金線強度 低、抗氧化性能差的缺陷，并有效降低了成本。通過采用真空熔煉超生振動連鑄技術，改善 了合金性能，提高了合金一致性，獲得了高品質合金線坯料，并通過適當中間熱處理控制加 工過程中合金的組織結構，降低拉絲中的局部應力集中，并進一步優化拉絲模具入口角度， 減少拉絲過程中的斷線，確保微細鍵合銀合金線了成品率。
【具體實施方式】
[0011] 實施例一： 微細鍵合銀合金鍵合線的制造方法如下： (1) 銀合金鍵合線坯料的冶煉與連鑄:a.制造 Ag/Ni中間合金:將質量分數90%的Ag和質 量分數10%的Ni分層放入真空爐氮化硼坩堝中，對真空爐的爐膛抽真空，真空度高于3.0 X 10_2Pa后，開始升溫至1450°C，恪化過程真空度高于3.0 X l(T2Pa，然后靜置10分鐘，待Ag/Ni 合金完全溶解且金屬液變清澈后，通過氮化硼管向Ag/Ni合金液中充入Ar2攪拌5分鐘，然后 將合金澆注到水冷模具中冷卻，得到Ag/Ni中間合金；b.制造 Ag/Ce、Ag/La中間合金:將質 量分數95%的Ag放入真空爐石墨坩堝中，將質量分數5%的Ce或La放入真空爐加料盒中，對真 空爐的爐膛抽真空，真空度高于3.0Xl(T 2Pa后，充入Ar2至O.IMpa，然后重新抽真空至真空 度高于3.0Xl(T2Pa后，開始升溫，待溫度升至600°C后，停止抽真空并向真空爐中充入Ar 2至 0.1 MPa;然后繼續升溫至1150°C，待銀完全溶解且銀液變清澈后，移動加料盒將Ce或La加入 至Iji甘堝中，并晃動坩堝攪拌5分鐘，然后將合金熔體隨爐冷卻，得至IjAg/Ce、Ag/La合金中間合 金;c.在真空冶煉爐中將Ag/Ni中間合金、Ag/Ce中間合金、Ag/La中間合金、Ag按下述比例稱 量計算后，其中鎳(Ni)為3wt%;鈰(Ce)為0.3wt%;鑭(La)為0.3 wt%，銀為余量，且銀合金中 鈰(Ce)和鑭(La)的質量分數相同，混合加入到真空冶煉爐中，抽真空至5.0 X 1 (^Pa以上，開 始升溫，待溫度升至600 °C后，停止抽真空并向真空冶煉爐中充入六〇至0.110^;然后繼續升 溫至1250 °C，待合金完全溶解后，向銀合金液中充入Ar2攪拌5分鐘，將合金熔體冷卻，得到 銀合金坯料;d.將銀合金坯料加入到真空熔煉電磁攪拌合金連鑄機坩堝中，坩堝為氮化硼 坩堝，抽真空至5.0X10^^以上，開始升溫至1250Γ，待合金完全溶解，采用氮化硼攪拌棒 攪拌10分鐘，然后精煉靜置15分鐘后，充入高純Ar 2至1.05MPa，開始采用間歇方式拉鑄8mm 銀合金桿； (2) 銀合金桿的拉制：將上述直徑8mm的銀合金桿經過拉絲機拉制成直徑為1.0mm的 銀合金線，拉絲過程采用單向拉制；（3)銀合金線的中間熱處理:將直徑1.0mm的銀合金線在 管式爐中進行中間熱處理，熱處理過程采用犯氣體保護，熱處理溫度為550°C，熱處理時間 為5分鐘；（4)將經過中間熱處理的銀合金線經拉絲機拉制成直徑0.06mm的銀合金線，然后 將直徑為0.06mm的銀合金線經過拉絲機連續拉拔成直徑為0.03mm細線，再在微細拉絲 機上通過多道拉拔，最終獲得直徑0.012mm微細銀合金鍵合線，拉絲過程中，線材變形率為 5%，模具入口角度為11°。
[0012] 實施例二： 微細銀金合金鍵合線的制造方法如下： (1) 銀合金鍵合線坯料的冶煉與連鑄:a.制造 Ag/Ni中間合金:將質量分數90%的Ag和質 量分數10%的Ni分層放入真空爐氮化硼坩堝中，對真空爐的爐膛抽真空，真空度高于3.0 X 10_2Pa后，開始升溫至1650°C，恪化過程真空度高于3.0 X l(T2Pa，然后靜置15分鐘，待Ag/Ni 合金完全溶解且金屬液變清澈后，通過氮化硼管向Ag/Ni合金液中充入Ar2攪拌8分鐘，然后 將合金澆注到水冷模具中冷卻，得到Ag/Ni中間合金；b.制造 Ag/Ce、Ag/La中間合金:將質 量分數95%的Ag放入真空爐石墨坩堝中，將質量分數5%的Ce或La放入真空爐加料盒中，對真 空爐的爐膛抽真空，真空度高于3.0Xl(T 2Pa后，充入Ar2至0.3Mpa，然后重新抽真空至真空 度高于3.0Xl(T2Pa后，開始升溫，待溫度升至700°C后，停止抽真空并向真空爐中充入Ar 2至 0.3MPa;然后繼續升溫至1200°C，待銀完全溶解且銀液變清澈后，移動加料盒將Ce或La加入 至Iji甘堝中，并晃動坩堝攪拌8分鐘，然后將合金熔體隨爐冷卻，得至IjAg/Ce、Ag/La合金中間合 金;c.在真空冶煉爐中將Ag/Ni中間合金、Ag/Ce中間合金、Ag/La中間合金、Ag按下述比例稱 量計算后，其中鎳(Ni)為4wt% ;鋪(Ce)為0.4wt%;鑭(La)為0.4 wt%，銀為余量，且銀合金中 鈰(Ce)和鑭(La)的質量分數相同，混合加入到真空冶煉爐中，抽真空至5.0 X 1 (^Pa以上，開 始升溫，待溫度升至700°C后，停止抽真空并向真空冶煉爐中充入六〇至0.3MPa;然后繼續升 溫至1350 °C，待合金完全溶解后，向銀合金液中充入Ar2攪拌8分鐘，將合金熔體冷卻，得到 銀合金坯料;d.將銀合金坯料加入到真空熔煉電磁攪拌合金連鑄機坩堝中，坩堝為氮化硼 坩堝，抽真空至5.0X10^^以上，開始升溫至1350Γ，待合金完全溶解，采用氮化硼攪拌棒 攪拌12分鐘，然后精煉靜置18分鐘后，充入高純Ar 2至1.07MPa，開始采用間歇方式拉鑄10mm 銀合金桿； (2) 銀合金桿的拉制:將上述直徑10mm的銀合金桿經過拉絲機拉制成直徑為1.2mm的 銀合金線，拉絲過程采用單向拉制；（3)銀合金線的中間熱處理:將直徑1.2mm的銀合金線在 管式爐中進行中間熱處理，熱處理過程采用惰性氣體Ar 2保護，熱處理溫度為650°C，熱處理 時間為4分鐘；（4)將經過中間熱處理的銀合金線經拉絲機拉制成直徑0.07mm的銀合金線， 然后將直徑為0.07mm的銀合金線經過拉絲機連續拉拔成直徑為0.04mm細線，再在微細 拉絲機上通過多道拉拔，最終獲得直徑0.016mm微細銀合金鍵合線，拉絲過程中，線材變形 率為6%，模具入口角度為13°。
[0013] 實施例三： 微細銀金合金鍵合線的制造方法如下： (1)銀合金鍵合線坯料的冶煉與連鑄:a.制造 Ag/Ni中間合金:將質量分數90%的Ag和質 量分數10%的Ni分層放入真空爐氮化硼坩堝中，對真空爐的爐膛抽真空，真空度高于3.0 X 10_2Pa后，開始升溫至1850°C，恪化過程真空度高于3.0 X l(T2Pa，然后靜置20分鐘，待Ag/Ni 合金完全溶解且金屬液變清澈后，通過氮化硼管向Ag/Ni合金液中充入Ar2攪拌10分鐘，然 后將合金澆注到水冷模具中冷卻，得到Ag/Ni中間合金；b.制造 Ag/Ce、Ag/La中間合金:將 質量分數95%的Ag放入真空爐石墨坩堝中，將質量分數5%的Ce或La放入真空爐加料盒中，對 真空爐的爐膛抽真空，真空度高于3.0 X l(T2Pa后，充入Ar2至0.5Mpa，然后重新抽真空至真 空度高于3.0X10_2Pa后，開始升溫，待溫度升至800°C后，停止抽真空并向真空爐中充入Ar2 至0.5MPa;然后繼續升溫至1250°C，待銀完全溶解且銀液變清澈后，移動加料盒將Ce或La加 入到坩堝中，并晃動坩堝攪拌10分鐘，然后將合金熔體隨爐冷卻，得至ljAg/Ce、Ag/La合金中 間合金;c.在真空冶煉爐中將Ag/Ni中間合金、Ag/Ce中間合金、Ag/La中間合金、Ag按下述比 例稱量計算后，其中鎳(Ni)為5wt%;鈰(Ce)為0.5 wt%;鑭(La)為0.5 wt%，銀為余量，且銀合 金中鈰(Ce)和鑭(La)的質量分數相同，混合加入到真空冶煉爐中，抽真空至5.0 X 1 (^Pa以 上，開始升溫，待溫度升至800°C后，停止抽真空并向真空冶煉爐中充入An至0.5MPa;然后 繼續升溫至1450°C，待合金完全溶解后，向銀合金液中充入Ar 2攪拌10分鐘，將合金熔體冷 卻，得到銀合金坯料;d.將銀合金坯料加入到真空熔煉電磁攪拌合金連鑄機坩堝中，坩堝為 氮化硼坩堝，抽真空至5.0 X H^Pa以上，開始升溫至1450°C，待合金完全溶解，采用氮化硼 攪拌棒攪拌15分鐘，然后精煉靜置20分鐘后，充入高純Ar 2至l.IMPa，開始采用間歇方式拉 鑄12mm銀合金桿；（2)銀合金桿的拉制：將上述直徑12mm的銀合金桿經過拉絲機拉制成直 徑為1.5mm的銀合金線，拉絲過程采用單向拉制；（3)銀合金線的中間熱處理:將直1.5mm的 銀合金線在管式爐中進行中間熱處理，熱處理過程采用犯氣體保護，熱處理溫度為750°C， 熱處理時間為2分鐘；（4)將經過中間熱處理的銀合金線經拉絲機拉制成直徑0.08mm的銀 合金線，然后將直徑為0.08mm的銀合金線經過拉絲機連續拉拔成直徑為0.05mm細線，再 在微細拉絲機上通過多道拉拔，最終獲得直徑0.018mm微細銀合金鍵合線，拉絲過程中，線 材變形率為7%，模具入口角度為14°。
[0014]從上表可以看出，本發明的低弧度LED封裝用微細鍵合銀合金線及其制造方法的 銀合金線可以在超低弧度LED封裝中使用，能夠滿足低弧度LED封裝的要求，且該銀合金線 及其制造方法可以拉制大長度的微細銀合金線材，能夠滿足工業化生產需求。
【主權項】
1. 一種小晶片LED封裝用微細銀合金鍵合線的制造方法，其特征在于:包括如下步驟： (1) 銀合金鍵合線坯料的冶煉與連鑄： a. 制造 Ag/Ni中間合金:將質量分數90%的Ag和質量分數10%的Ni分層放入真空爐的氮 化硼坩堝中，并在坩堝上放置中間開孔的氮化硼坩堝蓋，對真空爐的爐膛抽真空，真空度高 于3.0 X 10-2Pa后，開始升溫至1450-1850 °C，其中低于800 °C時升溫速率為20-40 °C/min，溫 度高于800°(：時升溫速率為30-50°(：/1^11，熔化過程種真空度高于3.0\10^^，然后靜置10-20分鐘，待Ag/Ni合金完全溶解且金屬液變清澈后，通過氮化硼管向Ag/Ni合金液中充入Ar 2 攪拌5-10分鐘，然后將合金澆注到水冷模具中冷卻，得到Ag/Ni中間合金； b. 制造 Ag/Ce和Ag/La中間合金:將質量分數90%的Ag放入真空爐的石墨坩堝中，將質量 分數10%的Ce或La放入真空爐的加料盒中，對真空爐的爐膛抽真空，真空度高于3.0 X KT2Pa 后，充入八〇至0.1-0.5Mpa，然后重新抽真空至真空度高于3.0 X KT2Pa后，開始升溫，待溫度 升至400-600 °C后，停止抽真空并向真空爐中充入Ar2至0.1-0.5MPa;然后繼續升溫至1150-1250°C，待銀完全溶解且銀液變清澈后，移動加料盒將Ce或La加入到坩堝中，并晃動坩堝攪 拌5-10分鐘，然后將合金熔體隨爐冷卻，得到Ag/Ce或Ag/La合金中間合金;采用相同的方法 制造 Ag/Ce和Ag/La中間合金中的另一種； c .在真空冶煉爐中將Ag/Ni中間合金、Ag/Ce中間合金、Ag/La中間合金、Ag按下述比例 稱量計算后，其中鎳(Ni)為3-5wt%;鈰(Ce)為0·5-1 ·0 wt%;鑭(La)為0·5-1 ·0 wt%，銀為余 量，且其中鈰(Ce)和鑭(La)的質量分數相同，混合加入到真空冶煉爐中，抽真空至5.OX 10一 1Pa以上，開始升溫，待溫度升至600-800°C后，停止抽真空并向真空冶煉爐中充入六〇至0. ΙΟ. 5MPa; 然后繼續升溫至 1250-1450°C ， 待合金完全溶解后 ，向銀合金液中充入 Ar2 攪拌 5-10 分鐘，將合金熔體冷卻，得到銀合金坯料； d.將銀合金坯料加入到真空熔煉電磁攪拌合金連鑄機的坩堝中，坩堝為氮化硼坩堝， 抽真空至5.OX HT1Pa以上，開始升溫至1250-1450°C，待合金完全溶解，采用氮化硼攪拌棒 攪拌10-15分鐘，然后精煉靜置15-20分鐘后，充入高純Ar 2Sl.05-1. IMPa，開始采用間歇方 式拉鑄，形成直徑為8-12mm的銀合金桿； (2) 銀合金線的拉制： 將上述直徑為8_12mm的銀合金桿經過拉絲機拉制成直徑為1.0-1.5mm的銀合金線， 拉絲過程采用單向拉制； (3) 銀合金線的中間熱處理： 將直徑1.0-1.5mm的銀合金線在管式爐中進行中間熱處理，熱處理過程采用惰性氣體 或N2氣體保護，熱處理溫度為550-750°C，熱處理時間為2-5分鐘； (4) 將經過中間熱處理的銀合金線經拉絲機拉制成直徑O .06-0.08mm的銀合金線，然 后將直徑為0.06-0.08mm的銀合金線經過拉絲機連續拉拔成直徑為0.03-0.05mm細線， 再在微細拉絲機上通過多道拉拔，最終獲得直徑0.012-0.018mm微細銀合金鍵合線，拉絲 過程中，線材變形率為5%-7%。2. 根據權利要求1所述的小晶片LED封裝用微細銀合金鍵合線的制造方法，其特征在 于:所述熔煉Ag/Ni合金坩堝為氮化硼坩堝，攪拌管為氮化硼管。3. 根據權利要求1所述的小晶片LED封裝用微細銀合金鍵合線的制造方法，其特征在 于:所述澆注Ag/Ni合金的水冷模具材料為純銅。4. 根據權利要求1所述的小晶片LED封裝用微細銀合金鍵合線的制造方法，其特征在 于:所述連鑄機的結晶器上安裝有電磁攪拌機構;銀金合金桿牽引采用間歇式牽引，牽引速 度為30-300mm/分鐘，牽引時間1 -5秒，停歇時間1 -5秒。5. 根據權利要求1所述的小晶片LED封裝用微細銀合金鍵合線的制造方法，其特征在 于:所述銀合金桿直徑大于1.0-1.5mm時，拉絲過程中采用單向方式拉制，且拉絲速度為10-20m/分鐘。6. 根據權利要求1所述的小晶片LED封裝用微細銀合金鍵合線的制造方法，其特征在 于:所述銀合金線拉制過程中，拉絲模具的入口角度為11°-14°。7. 采用權利要求1-4中任一項所述的小晶片LED封裝用微細銀合金鍵合線的制造方法 制造的小晶片LED封裝用微細銀合金鍵合線，其特征在于:所述銀合金鍵合線材料的各成分 重量百分含量是:Ni 3-5wt%，Ce 0.5-1 .Owt%，La 0.5-1 .Owt%，Ag余量，且Ce和La質量分數 相同。
【文檔編號】H01L33/62GK105950895SQ201610293480
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年5月6日
【發明人】李科, 曹軍, 湯爭爭, 呂長春
【申請人】河南優克電子材料有限公司