薄膜生長腔室和薄膜生長裝置的制造方法
【技術領域】
[0001 ]本發明涉及半導體材料技術領域，更具體地說，涉及一種薄膜生長腔室和薄膜生長裝置。
【背景技術】
[0002]MOCVD(MetaI Organic Chemical Vapor Deposit1n，金屬有機化合物化學氣相沉淀設備)，是制備發光二極管(LED)、半導體激光器(LD)和大功率電子器件的關鍵設備，尤其在制備GaN基LED方面具有廣泛的應用前景和市場需求。
[0003]現有技術中，大多數GaN基LED的薄膜生長都是利用MOCVD設備在藍寶石襯底上生長一層氮化鎵或氮化鋁緩沖層，然后再在緩沖層上生長摻雜(Mg、Al、In等元素W^InGaN/AIGaN異質結，來構成P-N結發光層。采用MOCVD設備生長薄膜時，需要向反應腔室內通入攜帶氣體以及各種源材料。其中，源材料包括金屬有機物(MO)和氣體源，這二者是參與化學反應且在生成物中含有該源材料成分的材料;攜帶氣體包括氮氣、氫氣及惰性氣體等，這些攜帶氣體只是攜帶源材料進入反應室中，本身并不參加化學反應。
[0004]但是，由于現有的MOCVD設備的圓形腔室最多能夠裝載70片到80片的2英寸基片，因此，會使得MOCVD設備的產能較低。雖然增大圓形腔室的體積能夠在一定程度上提高MOCVD設備的產能，但是，在氣體邊界條件的限制下，圓形腔室的體積不能無限制地擴大，否則會導致通入圓形腔室內的氣體不能在腔室內均勻分布，進而無法滿足薄膜均勻生長的需求。

【發明內容】

[0005]有鑒于此，本發明提供了一種薄膜生長腔室和薄膜生長裝置，以解決現有技術中圓形腔室的薄膜生長設備如MOCVD設備產能較低的問題。
[0006]為實現上述目的，本發明提供如下技術方案:
[0007]—種薄膜生長腔室，所述薄膜生長腔室為方形腔室；
[0008]所述方形腔室內具有至少一個托盤放置區，所述托盤放置區用于放置承載有至少一個待生長薄膜的基片的方形托盤；
[0009]所述方形腔室的頂面具有至少一個進氣結構，所述進氣結構包括進氣孔和與所述進氣孔連接的方形勻氣裝置，每一所述勻氣裝置位于至少一個所述托盤放置區的上方，所述勻氣裝置用于將所述進氣孔通入的氣體均勻噴放到下方的托盤放置區，以使所述托盤放置區放置的方形托盤承載的基片表面生成均勻的薄膜。
[0010]優選的，所述勻氣裝置包括多個圓形或方形的噴氣口，所述多個噴氣口均勻分布在所述勻氣裝置的底面，以將氣體均勻噴放到下方的方形托盤承載的基片表面。
[0011]優選的，所述進氣結構包括第一進氣孔和第二進氣孔，所述勻氣裝置包括與所述第一進氣孔連接的第一勻氣區域和與所述第二進氣孔連接的第二勻氣區域；
[0012]所述第一勻氣區域包括多個第一噴氣口，所述第二勻氣區域包括多個第二噴氣口，所述第一噴氣口和所述第二噴氣口間隔排列，且所述第一噴氣口和所述第二噴氣口均勻分布在所述勻氣裝置的底面。
[0013]優選的，所述第一噴氣口和第二噴氣口為條形結構，間隔排列的所述第一噴氣口和第二噴氣口構成梳狀結構或柵狀結構；
[0014]或者，所述第一噴氣口和第二噴氣口為圓形結構。
[0015]優選的，所述第一噴氣口或第二噴氣口的噴出面為傾斜面。
[0016]優選的，所述進氣結構包括第一進氣孔和第二進氣孔，所述勻氣裝置通過管路與所述第一進氣孔和第二進氣孔連接，所述管路上具有控制閥門，所述控制閥門用于在所述第一進氣孔通入的氣體和所述第二進氣孔通入的氣體混合均勻后，將所述混合氣體通入所述勻氣裝置中。
[0017]優選的，所述方形腔室的底部具有多個沿所述方形腔室的長度方向依次排列的排氣口，所述排氣口用于將所述方形腔室內反應后的氣體排放出去。
[0018]優選的，所述薄膜生長腔室還包括傳輸裝置，所述傳輸裝置用于在薄膜生長之前將所述方形托盤傳輸至所述勻氣裝置的下方，在薄膜生長的過程中控制所述方形托盤做往復運動，以使所述方形托盤上方的氣體均勻混合。
[0019]優選的，所述薄膜生長腔室還包括加熱裝置，所述加熱裝置包括多個加熱部件，至少一個所述加熱部件對應設置在一方形托盤的下方，以控制所述方形托盤內的基片的薄膜生長溫度。
[0020]一種薄膜生長裝置，包括如上任一項所述的薄膜生長腔室。
[0021 ]與現有技術相比，本發明所提供的技術方案具有以下優點:
[0022]本發明所提供的薄膜生長腔室和薄膜生長裝置，方形腔室頂面具有至少一個進氣結構，該進氣結構包括進氣孔和與該進氣孔連接的方形的勻氣裝置，每一勻氣裝置均位于至少一個托盤放置區的上方，該勻氣裝置用于將進氣孔通入的氣體均勻噴放到下方的托盤放置區，以使所述托盤放置區放置的方形托盤承載的基片表面生成均勻的薄膜，基于此，本發明中的方形腔室可以無限制地擴大，只要方形腔室擴大區域的頂面上設置有進氣結構，就能為下方的方形托盤內的基片提供滿足薄膜均勻生長需求的均勻氣體，從而能夠提高薄膜生長裝置的產能。
【附圖說明】
[0023]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。
[0024]圖1為本發明實施例提供的一種薄膜生長腔室的剖面結構示意圖；
[0025]圖2為本發明實施例提供的一種條形結構的噴氣口的結構示意圖；
[0026]圖3為本發明實施例提供的另一種條形結構的噴氣口的結構示意圖；
[0027]圖4為本發明實施例提供的一種圓形結構的噴氣口的結構示意圖；
[0028]圖5為本發明實施例提供的另一種圓形結構的噴氣口的結構示意圖；
[0029]圖6為本發明實施例提供的一種噴氣口噴出面的結構不意圖；
[0030]圖7為本發明實施例提供的一種方形托盤的結構示意圖；
[0031]圖8為本發明實施例提供的另一種方形托盤的結構示意圖；
[0032]圖9為本發明實施例提供的一種加熱部件的結構示意圖；
[0033]圖10為本發明實施例提供的薄膜生長腔室的俯視結構示意圖。
【具體實施方式】
[0034]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0035]本發明實施例提供了一種薄膜生長腔室，該薄膜生長腔室可以采用金屬有機化學氣相沉積方法來生長薄膜，當然，也可以采用物理氣相沉積等方法來生長薄膜，本發明并不僅限于此。本實施例僅以采用金屬有機化學氣相沉積方法生長薄膜的薄膜生長腔室為例來對薄膜生長腔室的具體結構進行說明。
[0036]本實施例中的薄膜生長腔室為方形腔室，該方形腔室內具有至少一個托盤放置區，該托盤放置區用于放置承載有至少一個待生長薄膜的基片的方形托盤，其中，該基片可以為娃晶片或監寶石晶片等。
[0037]并且，該方形腔室的頂面具有至少一個進氣結構，該進氣結構包括貫穿腔室頂面的進氣孔和與進氣孔連接且位于方形腔室頂面內側的方形勻氣裝置，每一勻氣裝置位于至少一個托盤放置區的上方，該勻氣裝置用于將進氣孔通入的氣體均勻噴放到下方的托盤放置區，以使托盤放置區放置的方形托盤承載的基片表面生成均勻的薄膜。
[0038]其中，勻氣裝置和進氣孔之間可以通過法蘭連接，以將