渡底層。若用陰極電弧來完成這兩個步驟的話，離子轟擊清洗階段必須用較高負偏壓，增加離子能量轟擊(反濺)凈化基體，并非把靶材粒子鍍到基材表面，到打底層階段時再把負偏壓降下來，讓靶材粒子以適量能量飛到基材表面并沉積，與其生成結合力良好的過渡底層。鑒于貝殼片不能用高偏壓作離子清洗的，否則貝殼片會碎裂，本發明直接省去了“離子清洗”的步驟，而直接采用陰極電弧鍍底層，這是因為陰極電弧鍍粒子能量高，沉積速度快，表面較粗糙，鍍層結合力好。
[0025]上述步驟3)中鍍底層和表面層的具體步驟如下:
底層是貝殼基材與表面層之間的過渡層，它應與上下兩者都有互融性，才有良好的結合力。不同顏色的表面層所選用的材料不同，所以其底層材料也應不同，故鍍底層的靶材和工藝各異。底層一般為陰極電弧鍍的Ti或Cr層。
[0026]鍍底層:
向鍍膜室中充入氬氣至8.5110_2~3110_中&，采用低偏壓鍍底層，偏壓在-30V以下，占空比50%，底層膜厚在0.1微米以下，鍍膜溫度80°C以下。采用低溫低偏壓鍍膜工藝，以防止貝殼片碎裂，鍍層控制在0.1微米以下，使鍍層具有半透明效果。
[0027]a)金色和玫瑰金色:輪流開啟多個小圓型Ti陰極電弧鍍底層，弧流70A，共鍍3分鐘；
b)銀白色:開啟多個小圓型Ti陰極電弧鍍底層，弧流70A，鍍2分鐘；
c)槍黑色:開啟多個小圓型Cr陰極電弧鍍底層，弧流65A，鍍2分鐘；
鍍表面層:
向鍍膜室中充入氬氣至1.5~3乂10_中&，采用低偏壓鍍膜，偏壓在-30V以下，占空比50%，表面層膜厚在0.5微米以下，以使其具有半透明效果，鍍膜溫度80°C以下。
[0028]d)金色:采用Au靶直流磁控濺射鍍表面層，靶流為直流2A，配直流偏壓-30V以下，鍍15分鐘；
e)玫瑰金色:采用玫瑰金靶即Au和Cu的合金靶和Cu靶，以直流磁控濺射鍍表面層，玫瑰金靶流為直流2A，Cu靶流為直流0.5A以下，配直流偏壓-30V以下，共鍍15分鐘；
f)銀白色:開啟多個Cr陰極電弧，弧流65A，控制鍍膜溫升不超過80度，鍍20分鐘；
g)槍黑色:為多層復合膜結構，包括中間層和頂層，所述中間層由兩層以上膜層構成，控制鍍膜溫度不超過80°C:
g-1)中間層的第一層:偏壓-30V以下，占空比50%，開啟多個Cr陰極電弧，弧流65A，鍍Cr 3分鐘，關弧，獲得過渡層后，開啟Ti中頻磁控濺射靶，靶流30A，先鍍幾分鐘，隨后開啟石墨中頻磁控濺射靶，即摻入C使其反應合成TiC，石墨靶的靶流從5A梯度遞增至15A，鍍層從Ti到TiC，共鍍8分鐘，獲得由Ti到TiC的梯度層，停鍍冷卻；
g-2)重復步驟g-1)鍍中間層的第二層，重復次數越多，鍍層黑度越深；g-3)鍍中間層的最上層，先重復步驟g-1前半段，即鍍Cr 3分鐘，關弧，獲得過渡層后，再開啟Ti中頻磁控濺射靶，靶流30A，先鍍幾分鐘，隨后開啟石墨中頻磁控濺射靶，即摻入C使其反應合成TiC，石墨靶的靶流從5A梯度遞增至15A，同時Ti靶從30A梯度遞降至5A，維持3分鐘后停Ti靶，獲得碳量梯度漸增而鈦量梯度漸降的TiC梯度層，最后只開石黑靶鍍純非晶碳膜，總共鍍8分鐘，停鍍冷卻；
g_4)頂層:開啟石墨中頻磁控濺射靶，靶流20A，鍍幾分鐘后，充入乙炔氣體，從10SCCM漸增至40SCCM，鍍含H的非晶碳膜，共鍍35分鐘。
[0029]鍍金色、玫瑰金色、銀白色后的貝殼手表刻度盤的結構示意圖如圖1所示，I為貝殼手表刻度盤，2為底層，3為鍍金色或玫瑰金色或銀白色表面層，鍍這些膜層使貝殼手表刻度盤呈現出相應色彩的金屬質感。
[0030]鍍槍黑色后的貝殼手表刻度盤的結構示意圖如圖2所示，I為貝殼手表刻度盤，2為底層，3為中間層的第一層，4為中間層的第二層，結構與第一層相同，5為中間層的第三層，也為中間層的最上層，6為頂層，是含氫非晶碳膜層。按本發明方法鍍本發明鍍槍黑色膜層后，能使貝殼手表刻度盤呈現出黑色的陶瓷質感，且還能透過槍黑色膜層看到貝殼表面特有的光澤和紋理。
【主權項】
1.一種在貝殼手表刻度盤上真空鍍膜的方法，其特征在于，包括在鍍膜前將干凈的貝殼手表刻度盤在80°c以下進行2個小時以上烘烤的步驟。
2.根據權利要求1所述的在貝殼手表刻度盤上真空鍍膜的方法，其特征在于，所述在貝殼手表刻度盤上真空鍍膜的方法具體包括如下步驟: 1)抽真空:將干凈干燥的貝殼手表刻度盤放入真空爐的鍍膜室內，并抽真空； 2)加熱:在真空爐中將貝殼手表刻度盤在80°C以下進行2個小時以上烘烤； 3)采用陰極電弧鍍底層，采用中頻濺射法，或中頻濺射法和/或陰極電弧鍍表面層，所述底層和表面層均采用低偏壓鍍膜； 4)出爐:貝殼手表刻度盤隨爐冷卻后出爐。
3.根據權利要求2所述的在貝殼手表刻度盤上真空鍍膜的方法，其特征在于， 步驟3)的具體過程如下: 向鍍膜室內充入惰性氣體，根據顏色需求，選擇相應顏色對應的方法鍍底層和表面層: 底層，底層膜厚在0.1微米以下，鍍膜溫度在80°C以下: a)金色和玫瑰金色:采用Ti陰極電弧鍍底層； b)銀白色:采用Ti陰極電弧鍍底層； c)槍黑色:采用Cr陰極電弧鍍底層； 表面層，表面層膜厚在0.5微米以下，鍍膜溫度在80°C以下: d)金色:采用Au靶直流磁控濺射鍍表面層； e)玫瑰金色:采用玫瑰金即Au和Cu的合金靶和Cu靶直流磁控濺射鍍表面層； f)銀白色:采用Cr陰極電弧鍍表面層； g)槍黑色:為多層復合膜結構，包括中間層和頂層，所述中間層由兩層以上膜層構成: g-1)中間層的第一層:采用Cr陰極電弧鍍過渡層后，采用Ti靶和石墨靶，用中頻磁控濺射鍍由Ti到TiC、碳量梯度漸增的梯度層； g-2)中間層的最上層:采用Cr陰極電弧鍍過渡層后，采用Ti靶和石墨靶，用中頻磁控濺射鍍由Ti到TiC的梯度層，獲得碳量梯度漸增而鈦量梯度漸降的梯度層，最后再鍍純非晶碳層； g_3)頂層:采用石墨中頻磁控濺射靶，并充入乙炔或甲烷反應氣體，鍍含H的非晶碳膜層O
4.根據權利要求3所述的在貝殼手表刻度盤上真空鍍膜的方法，其特征在于，在步驟g-Ι)與g_2)之間還包括重復步驟g-Ι) —次以上的步驟。
5.根據權利要求4所述的在貝殼手表刻度盤上真空鍍膜的方法，其特征在于，步驟3)中所述的低偏壓是指偏壓在-30V以下。
6.根據權利要求2所述的在貝殼手表刻度盤上真空鍍膜的方法，其特征在于，步驟4)中貝殼手表刻度盤隨爐冷卻到50°C以下后出爐。
【專利摘要】一種在貝殼手表刻度盤上真空鍍膜的方法，包括在鍍膜前將干凈的貝殼手表刻度盤在80℃以下進行2個小時以上烘烤的步驟；具體包括如下步驟：1）抽真空：將干凈干燥的貝殼手表刻度盤放入真空爐的鍍膜室內，并抽真空；2）加熱：在真空爐中將貝殼手表刻度盤在80℃以下進行2個小時以上烘烤；3）采用陰極電弧鍍底層，采用中頻濺射法，或中頻濺射法和/或陰極電弧鍍表面層，所述底層和表面層均采用低偏壓鍍膜；4）出爐：貝殼手表刻度盤隨爐冷卻后出爐。本發明方法能在貝殼手表刻度盤上鍍上金色、玫瑰金色、銀白色和槍黑色膜層等，使貝殼手表刻度盤呈現出金屬或陶瓷質感，且呈半透明狀，使貝殼基材上特有的光澤和紋理得以顯現，使刻度盤更顯高貴藝術美感。
【IPC分類】C23C28-02, C23C14-35, C23C14-32
【公開號】CN104746076
【申請號】CN201510068619
【發明人】張玉婷
【申請人】深圳金曜來科技有限公司
【公開日】2015年7月1日
【申請日】2015年2月10日