專利名稱：制備金屬和陶瓷復合膜的真空離子鍍膜機的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及用于金屬表面處理的真空離子鍍膜設備。
目前，常規應用于金屬表面離子鍍膜的真空離子鍍膜機、一般是由若干個電弧蒸發靶和直流(D.C)磁控濺射靶組成，只能形成金屬復合膜，因而其耐磨損度和耐腐蝕性也難以有顯著的提高；還有的是通過多個連續真空室來完成多種多層復合膜、但成本高，質量難以控制，尤其是無法制備透明陶瓷保護膜。
本實用新型的目的是提供一種制備金屬和陶瓷復合膜的真空離子鍍膜機，使之不僅可以實現多種多層的金屬復合膜，而且還可以實現金屬和陶瓷材料(例如石英晶體SiO2、藍寶石Al2O3)的離子彌散復合，以形成新的高耐磨損、強耐腐蝕的具有金屬相和陶瓷相的多種多層復合膜、尤其是還可以在其表層制備出透明的陶瓷保護膜。
本實用新型的目的是這樣實現的將電弧蒸發靶、直流(D.C)磁控濺射靶和射頻(R.F)磁控濺射靶有機地組合在一個單獨的真空室內，分別啟動各裝有不同金屬材料的電弧靶、直流磋控濺射靶與裝有陶瓷材料的射頻磁控濺射靶進行離子的彌散復合、使之形成既有金屬相又有陶瓷相的復合膜，直至在表層形成透明的陶瓷保護膜。
采用上述技術方案，按照不同的膜系設計，就能使多種金屬(或貴金屬)與陶瓷材料實現高品質的多種復合膜，而且成本低廉，無環境污染，能節省大量的貴金屬材料。
以下結合附圖
和實施例對本實用新型作進一步說明。
附圖一是本實用新型真空離子鍍膜機第一個實施例各弧靶的組合結構側視圖。
附圖二是本實用新型真空離子鍍膜機第二個實施例各弧靶的組合結構側視圖。
圖中1.工件2.電弧靶
3.鍍膜室4.平面形直流磁控濺射靶5.工件架6.機架7.平面形射頻磋控濺射靶8.圓柱形直流磁控濺射靶9.射頻匹配器附圖一與附圖二的區別是前者是四個或四個以上呈螺旋型分布的圓形平面直流磁控濺射靶；后者是一個矩形平面直流磁控濺射靶。用圓形平面磁控濺射靶的主要優點是靶材選取比較容易，且方便于小樣試驗，但鍍膜的均勻度不如矩形平面直流磁控濺射靶好，此外，附圖二中的矩形平面磁控濺射靶也可改成圓柱形(空心)直流磁控濺射靶，這樣不僅均勻度好而且靶材的利用率高，但是在單一真空室里如果要裝置兩個圓柱體形的磁控濺射靶，其真空室一般為非圓體形。
在附圖一或附圖二中，開啟裝有陶瓷(Ceramies)等非金屬靶材的射頻磁控濺射靶(7)，并開啟裝有金屬靶材的電弧靶(2)可實現其陶瓷相和金屬相離子的彌散復合；同理，同時開啟射頻磁控濺射靶(7)和直流磁控濺射靶(4)或(8)(或同時開(4)和(8))也同樣可實現陶瓷相和金屬相的離子彌散復合。由于該復合膜同時兼有陶瓷相和金屬相的特性，故具有更耐熱、耐磨、耐蝕等良好的特性，加之該機裝有一組電弧靶、多組多個直流磁控濺射靶和射頻靶，從而為金屬基體表面處理制備多層復合膜的膜系設計提供了寬容量更大、選擇余地更多的設備條件。
權利要求1.一種制備金屬和陶瓷復合膜的真空離子鍍膜機，在單獨的真空室內，配置裝有金屬靶材的電弧靶和兩種以上形式的直流(D.C)磁控濺射靶，其特征是分別與裝有陶瓷等非金屬靶材的射頻(R.F)磁控濺射靶相組合進行離子彌散復合，制備出既有金屬相又有陶瓷相的復合膜。
2.根據權利要求1所述的制備金屬和陶瓷復合膜的真空離子鍍膜機，其特征是射頻磁控濺射靶是裝置在真空室門上，射頻匹配器緊連在射頻靶上。
3.根據權利要求1所述的制備金屬和陶瓷復合膜的真空離子鍍膜機，其特征是在同一個真空室內、與射頻(R.F)磁控濺射靶相組合的有裝有不同金屬靶材的圓形平面(或矩形平面)直流(D.C)磁控濺射靶、圓柱體直流(D.C)磁控濺射靶以及四個以上的電弧靶等三種形式的多個弧靶。
4.根據權利要求1所述的制備金屬和陶瓷復合膜的真空離子鍍膜機，其特征是射頻(R.F)磁控濺射靶通過置換電源插頭又可改作直流(D.C)磁控濺射靶。
專利摘要一種用于金屬表面處理可制備金屬和陶瓷復合膜的真空離子鍍膜機。它是在常規的真空離子鍍膜機上再配置射頻(R.F)磁控濺射靶，將其與多個電弧蒸發靶、多個多種直流(D.C)磁控濺射靶有機地組合在一個真空室內，制備出既有金屬相又有陶瓷相特性的多層多種復合膜，尤其是能鍍制出透明陶瓷保護膜，使金屬表面改性達到高耐磨損、強耐腐蝕的目的。
文檔編號C23C14/35GK2356042SQ9824950
公開日1999年12月29日 申請日期1998年11月19日 優先權日1998年11月19日
發明者胡顯奇 申請人:深圳市黃金屋真空科技有限公司