本發(fa)明涉(she)及(ji)原子(zi)層沉積(ji)(atomiclayerdeposition,ald)，并(bing)且特(te)別地涉(she)及(ji)等離(li)子(zi)體(ti)增(zeng)強ald(plasma-enhancedald,pe-ald)，并(bing)且更特(te)別地涉(she)及(ji)以減少基(ji)于(yu)石(shi)英(ying)的污染物的方(fang)式執行pe-ald的方(fang)法(fa)，基(ji)于(yu)石(shi)英(ying)的污染物由等離(li)子(zi)體(ti)與(yu)用(yong)(yong)于(yu)感應(ying)耦合等離(li)子(zi)體(ti)源的石(shi)英(ying)等離(li)子(zi)體(ti)管的相(xiang)互作用(yong)(yong)所致。

背景技術：

原子層(ceng)(ceng)沉(chen)(chen)積(ji)(ald)是一(yi)(yi)種(zhong)在基材(cai)上(shang)以很受控制的(de)(de)方式沉(chen)(chen)積(ji)薄膜的(de)(de)方法。通過使用一(yi)(yi)種(zhong)或多種(zhong)蒸氣形(xing)式的(de)(de)化學(xue)物(wu)質(“前體(ti)”)并且使其在基材(cai)的(de)(de)表面以自限制的(de)(de)方式依(yi)序反應來控制沉(chen)(chen)積(ji)工(gong)藝。重復該依(yi)序的(de)(de)工(gong)藝以層(ceng)(ceng)層(ceng)(ceng)堆疊薄膜，其中(zhong)每一(yi)(yi)層(ceng)(ceng)為原子尺度。

ald被用來形成各種膜，例如用于(yu)(yu)先進柵(zha)極與(yu)電(dian)容器(qi)電(dian)介質(zhi)的(de)(de)二元(yuan)、三(san)元(yuan)及四元(yuan)氧化(hua)物，以及用于(yu)(yu)互連阻擋(dang)體(ti)(interconnectbarriers)與(yu)電(dian)容器(qi)電(dian)極的(de)(de)金屬基化(hua)合物。ald工藝的(de)(de)概述(shu)呈現在george的(de)(de)名(ming)為“atomiclayerdeposition:anoverview,”chem.rev.2010,110,pp111-113”的(de)(de)文章中(于(yu)(yu)2009年(nian)11月20日發(fa)表于(yu)(yu)網絡)。還(huan)在美(mei)國專(zhuan)利號(hao)7,128,787中描(miao)述(shu)ald工藝。在美(mei)國專(zhuan)利申請公(gong)開號(hao)us2006/0021573中公(gong)開實例ald系統。

ald的一(yi)種類型稱為等(deng)(deng)離(li)子(zi)體(ti)(ti)(ti)增強(qiang)ald或“pe-ald”，其中(zhong)由(you)(you)(you)等(deng)(deng)離(li)子(zi)體(ti)(ti)(ti)源產(chan)生等(deng)(deng)離(li)子(zi)體(ti)(ti)(ti)。等(deng)(deng)離(li)子(zi)體(ti)(ti)(ti)包含通過(guo)分(fen)子(zi)供(gong)應氣體(ti)(ti)(ti)的解(jie)離(li)所產(chan)生的自由(you)(you)(you)基。因此，pe-ald還可稱作自由(you)(you)(you)基增強(qiang)(radical-enhanced)ald或“re-ald”。自由(you)(you)(you)基通過(guo)反應器腔室中(zhong)的壓(ya)力差(cha)而被(bei)導向靶(ba)基材。在wo2015/080979中(zhong)描述實例pe-ald系統。

各種(zhong)等離(li)(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)源(yuan)(yuan)(yuan)能夠(gou)用于pe-ald。一(yi)種(zhong)實例等離(li)(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)源(yuan)(yuan)(yuan)為(wei)感應(ying)耦合(he)等離(li)(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)(inductivelycoupledplasma,icp)源(yuan)(yuan)(yuan)。一(yi)種(zhong)類型的icp源(yuan)(yuan)(yuan)利用介(jie)電(dian)(dian)等離(li)(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)管(guan)，工藝氣體(ti)(ti)(ti)(前(qian)體(ti)(ti)(ti))在減少(shao)的壓(ya)力(例如1毫乇至10乇)下(xia)流過該(gai)管(guan)。介(jie)電(dian)(dian)等離(li)(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)管(guan)典型地由石英(sio2)制成(cheng)。在介(jie)電(dian)(dian)等離(li)(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)管(guan)周圍纏繞(rao)感應(ying)線(xian)圈，并且將射頻(rf)能量由rf電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)(yuan)傳送至該(gai)線(xian)圈，由此從流過介(jie)電(dian)(dian)等離(li)(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)管(guan)的低壓(ya)供(gong)應(ying)氣體(ti)(ti)(ti)產生(sheng)高密度(du)等離(li)(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)。常見的等離(li)(li)(li)子(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)氣體(ti)(ti)(ti)包括：氬、氮(dan)、氧(yang)、氫(qing)、氨等。

當由(you)氫(qing)或氫(qing)與氬的(de)組(zu)合形(xing)(xing)成等(deng)離(li)子(zi)(zi)(zi)體時，并且當介電等(deng)離(li)子(zi)(zi)(zi)體管為石英時，由(you)于等(deng)離(li)子(zi)(zi)(zi)體與石英之間的(de)物(wu)(wu)理及化學相互(hu)作(zuo)用(yong)，石英的(de)硅(si)原子(zi)(zi)(zi)和氧(o)原子(zi)(zi)(zi)(單獨地或者(zhe)作(zuo)為sixoy團(tuan)簇)能夠(gou)以(yi)各種(zhong)形(xing)(xing)式(例如(ru)各種(zhong)分(fen)子(zi)(zi)(zi)化合物(wu)(wu)以(yi)及以(yi)原子(zi)(zi)(zi)形(xing)(xing)式)從石英等(deng)離(li)子(zi)(zi)(zi)體管的(de)內壁轉移至(zhi)靶(ba)基(ji)材(cai)。這種(zhong)基(ji)于石英的(de)污染物(wu)(wu)能夠(gou)消極(ji)地影響(xiang)在基(ji)材(cai)上形(xing)(xing)成的(de)膜的(de)性質。

技術實現要素：

本公開(kai)的(de)一(yi)個方面是執(zhi)行具有減少的(de)基于(yu)石(shi)英(ying)的(de)污染物的(de)pe-ald的(de)方法(fa)。該(gai)(gai)方法(fa)包括：使用前體(ti)(ti)氣(qi)(qi)體(ti)(ti)在(zai)基材(cai)上形成(cheng)初始膜；排(pai)除該(gai)(gai)前體(ti)(ti)氣(qi)(qi)體(ti)(ti)；在(zai)石(shi)英(ying)等離子體(ti)(ti)管(guan)中(zhong)，由(you)供應(ying)(ying)(ying)氣(qi)(qi)體(ti)(ti)感應(ying)(ying)(ying)地形成(cheng)基于(yu)氫(qing)(基于(yu)h)的(de)等離子體(ti)(ti)，該(gai)(gai)供應(ying)(ying)(ying)氣(qi)(qi)體(ti)(ti)主要由(you)氫(qing)與氮或者氫(qing)、氬(ya)與氮組成(cheng)，其中(zhong)氮構成(cheng)該(gai)(gai)供應(ying)(ying)(ying)氣(qi)(qi)體(ti)(ti)的(de)2體(ti)(ti)積％或更少，其中(zhong)該(gai)(gai)基于(yu)h的(de)等離子體(ti)(ti)包括一(yi)種(zhong)或多種(zhong)反(fan)應(ying)(ying)(ying)物質(zhi)；以及導引該(gai)(gai)一(yi)種(zhong)或多種(zhong)反(fan)應(ying)(ying)(ying)物質(zhi)至該(gai)(gai)基材(cai)從(cong)而引起(qi)該(gai)(gai)一(yi)種(zhong)或多種(zhong)反(fan)應(ying)(ying)(ying)物質(zhi)與該(gai)(gai)初始膜反(fan)應(ying)(ying)(ying)。

本公(gong)開的(de)(de)另(ling)一方(fang)面是(shi)上(shang)述方(fang)法，其(qi)(qi)中該(gai)(gai)基材位于(yu)反(fan)應器(qi)腔室的(de)(de)內(nei)部，在氣動式耦合至(zhi)該(gai)(gai)反(fan)應器(qi)腔室的(de)(de)內(nei)部的(de)(de)等離子(zi)體源(yuan)內(nei)形(xing)成(cheng)該(gai)(gai)基于(yu)h的(de)(de)等離子(zi)體，并且其(qi)(qi)中導引該(gai)(gai)一種或多(duo)種反(fan)應物質(zhi)至(zhi)該(gai)(gai)基材的(de)(de)行為包括在該(gai)(gai)基于(yu)h的(de)(de)等離子(zi)體與該(gai)(gai)反(fan)應器(qi)腔室的(de)(de)內(nei)部之間形(xing)成(cheng)壓力(li)差。

本公開的另一方面(mian)是上述方法，該(gai)方法還包括通過(guo)組合(he)氮(dan)與氫(qing)或者氮(dan)、氫(qing)與氬形(xing)成(cheng)該(gai)供應氣(qi)體(ti)(ti)，其中以n2氣(qi)體(ti)(ti)或nh3氣(qi)體(ti)(ti)的形(xing)式(shi)添(tian)加氮(dan)，并且其中以h2氣(qi)體(ti)(ti)的形(xing)式(shi)添(tian)加氫(qing)。

本(ben)公開的另一方(fang)面是上述方(fang)法，其(qi)中氮構成該供應氣體的0.1體積(ji)％和2體積(ji)％之(zhi)間。

本公開的另一方面是上述方法，其中氮構(gou)成(cheng)該供應氣(qi)體(ti)(ti)的0.5體(ti)(ti)積(ji)％和1.5體(ti)(ti)積(ji)％之間。

本公開的(de)另(ling)一方(fang)面是上述方(fang)法，其中氮(dan)構成該供應氣(qi)體的(de)1體積％或更少。

本公開的(de)另(ling)一(yi)方面是上述方法，其中(zhong)該前(qian)體氣體含有(you)以下的(de)至少一(yi)者(zhe)：鈮、鎢(wu)、鉬、鋁、鎵(jia)、銦、硼、銅(tong)、釓、鉿、硅、鉭(tan)、鈦(tai)、釩和鋯。

本公(gong)開的(de)(de)另一方面是(shi)上述方法，其中(zhong)該基于(yu)石英的(de)(de)污染(ran)物的(de)(de)減(jian)少(shao)量是(shi)與在(zai)該供(gong)應(ying)氣體中(zhong)沒有使用(yong)氮的(de)(de)情況下相(xiang)比的(de)(de)大(da)于(yu)50倍(bei)。

本(ben)公開的(de)(de)(de)另一方面是(shi)上述方法(fa)，其中該基于石英的(de)(de)(de)污染物的(de)(de)(de)減(jian)少量是(shi)與在該供應氣體中沒有使用氮的(de)(de)(de)情況下相比(bi)的(de)(de)(de)大(da)于20倍。

本公開的(de)另一方面是(shi)上(shang)述(shu)方法(fa)，其中(zhong)該基(ji)于石英的(de)污染(ran)物的(de)減(jian)少量是(shi)與(yu)在該供應氣體中(zhong)沒有使用氮的(de)情況下相比(bi)的(de)大于2倍。

本公開的另一方面是形成(cheng)基于(yu)氫(qing)(基于(yu)h)的等(deng)(deng)離(li)子(zi)體(ti)(ti)(ti)(ti)的方法，該(gai)(gai)基于(yu)氫(qing)的等(deng)(deng)離(li)子(zi)體(ti)(ti)(ti)(ti)用于(yu)包(bao)含石英等(deng)(deng)離(li)子(zi)體(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)的等(deng)(deng)離(li)子(zi)體(ti)(ti)(ti)(ti)反應(ying)(ying)器系統(tong)。該(gai)(gai)方法包(bao)括(kuo)：使供應(ying)(ying)氣體(ti)(ti)(ti)(ti)流(liu)過該(gai)(gai)石英等(deng)(deng)離(li)子(zi)體(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)，其(qi)中(zhong)該(gai)(gai)供應(ying)(ying)氣體(ti)(ti)(ti)(ti)由氫(qing)與(yu)(yu)氮或者(zhe)氫(qing)、氬與(yu)(yu)氮組成(cheng)；由流(liu)過該(gai)(gai)石英等(deng)(deng)離(li)子(zi)體(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)的供應(ying)(ying)氣體(ti)(ti)(ti)(ti)感(gan)應(ying)(ying)地形成(cheng)該(gai)(gai)基于(yu)h的等(deng)(deng)離(li)子(zi)體(ti)(ti)(ti)(ti)；并且其(qi)中(zhong)該(gai)(gai)供應(ying)(ying)氣體(ti)(ti)(ti)(ti)中(zhong)氮的量構(gou)成(cheng)該(gai)(gai)供應(ying)(ying)氣體(ti)(ti)(ti)(ti)的0.1體(ti)(ti)(ti)(ti)積(ji)％和2體(ti)(ti)(ti)(ti)積(ji)％之間。

本公開(kai)的(de)另一方面是上述方法，其中該供(gong)(gong)應氣體中氮構成該供(gong)(gong)應氣體的(de)0.5體積(ji)％和(he)1.5體積(ji)％之間。

本公開的另一方面是上述方法(fa)，其中(zhong)該供應(ying)氣體(ti)中(zhong)氮構成該供應(ying)氣體(ti)的0.1體(ti)積(ji)％和1體(ti)積(ji)％之間(jian)。

本(ben)公開的另(ling)一方(fang)面(mian)是上述方(fang)法，其(qi)中該(gai)基(ji)(ji)于h的等離(li)子體包(bao)括至(zhi)少一種反(fan)應物(wu)質，并且還包(bao)括在(zai)等離(li)子體增強原子層沉(chen)積(pe-ald)工藝中使用該(gai)至(zhi)少一種反(fan)應物(wu)質以在(zai)基(ji)(ji)材上形(xing)成(cheng)膜。

本公開的(de)(de)(de)(de)另一方面是上(shang)述(shu)方法，其中使用(yong)該(gai)基(ji)于h的(de)(de)(de)(de)等離子體(ti)(ti)導致在(zai)pe-ald工(gong)藝中形(xing)成的(de)(de)(de)(de)膜中基(ji)于石(shi)英(ying)的(de)(de)(de)(de)污染物的(de)(de)(de)(de)量(liang)的(de)(de)(de)(de)減(jian)少，該(gai)量(liang)的(de)(de)(de)(de)減(jian)少是與在(zai)該(gai)供應氣體(ti)(ti)中沒(mei)有使用(yong)氮(dan)的(de)(de)(de)(de)情況下相比(bi)的(de)(de)(de)(de)大于50倍。

本公開的(de)另(ling)一(yi)方面是上(shang)述(shu)方法，其中(zhong)使用該(gai)基(ji)于(yu)(yu)h的(de)等離子體導致在pe-ald工藝中(zhong)形成的(de)膜中(zhong)基(ji)于(yu)(yu)石英的(de)污染物的(de)量的(de)減少(shao)，該(gai)量的(de)減少(shao)是與在該(gai)供應氣體中(zhong)沒有使用氮(dan)的(de)情況下相比的(de)大于(yu)(yu)20倍。

本公開的另一方面是上述方法，其中(zhong)使用該基于h的等(deng)離子體導致在(zai)pe-ald工藝中(zhong)形成的膜中(zhong)基于石(shi)英的污染物的量的減少(shao)，該量的減少(shao)是與在(zai)該供應氣體中(zhong)沒有(you)使用氮的情況(kuang)下相(xiang)比的大于2倍。

本(ben)公(gong)開的另一方面(mian)是(shi)上述方法，其(qi)中(zhong)pe-ald工(gong)藝包(bao)括(kuo)使用具(ju)有以下(xia)至少(shao)一者的前體(ti)(ti)氣體(ti)(ti)：鈮、鎢、鉬(mu)、鋁(lv)、鎵、銦、硼(peng)、銅、釓、鉿、硅、鉭(tan)、鈦(tai)、釩和鋯。

本公開的(de)(de)(de)另一方面是上述(shu)方法(fa)(fa)，該方法(fa)(fa)還包括通過(guo)組合(he)氮(dan)與氫或者(zhe)氮(dan)、氫與氬(ya)而形(xing)成該供應氣(qi)體，其中以(yi)n2氣(qi)體或nh3氣(qi)體的(de)(de)(de)形(xing)式添加氮(dan)，并且其中以(yi)h2氣(qi)體的(de)(de)(de)形(xing)式添加氫。

本公開的另一方面是上述方法，其中該至少一種反應物質為氫自由基(h^*)，并且該方法還包括引起該氫自由基(h^*)與初始膜(mo)反應從(cong)而在該基材上(shang)形成膜(mo)。

本公開的另一方(fang)(fang)面是上述方(fang)(fang)法，其中該供應氣體(ti)主要由氫與(yu)氮或者氫、氮與(yu)氬組成。

本公開的另一方面是上述方法，其中該至少一種反應物質包含氫自由基(h^*)，和氧自由基(o^*)、碳自由基(c^*)及硫自由基(s^*)的至少一者。

在以下詳(xiang)細說(shuo)明(ming)(ming)中提出額外的(de)(de)(de)特(te)征與優(you)點，并且由該(gai)說(shuo)明(ming)(ming)其部分特(te)征及(ji)(ji)優(you)點對(dui)本(ben)領域技術(shu)人(ren)員將是容易(yi)明(ming)(ming)顯的(de)(de)(de)，或(huo)通過實踐如本(ben)文說(shuo)明(ming)(ming)書、權利(li)要求以及(ji)(ji)附圖(tu)描述(shu)的(de)(de)(de)實施方(fang)案認識到其部分特(te)征及(ji)(ji)優(you)點。應理解前述(shu)發明(ming)(ming)內容與下列詳(xiang)細說(shuo)明(ming)(ming)兩(liang)者僅是示例性(xing)的(de)(de)(de)，并且意(yi)圖(tu)提供用于理解權利(li)要求的(de)(de)(de)本(ben)質及(ji)(ji)特(te)性(xing)的(de)(de)(de)概述(shu)或(huo)框架。

附圖說明

包括(kuo)附(fu)圖(tu)以提供進一步的(de)理解并且附(fu)圖(tu)被納(na)入(ru)并且構(gou)成此說(shuo)(shuo)明書的(de)部分(fen)。附(fu)圖(tu)說(shuo)(shuo)明一個或多個實(shi)施方案(an)，并且連同詳(xiang)細(xi)說(shuo)(shuo)明起解釋(shi)各種實(shi)施方案(an)的(de)操作和原理的(de)作用。同樣，由(you)下列詳(xiang)細(xi)說(shuo)(shuo)明與附(fu)圖(tu)結合將(jiang)更加充分(fen)地(di)理解本公開，其中：

圖1為實(shi)例pe-ald系統(tong)的示意(yi)圖，使用(yong)該pe-ald系統(tong)以(yi)進(jin)行這里公開的減少(shao)由pe-ald工藝(yi)所形成的膜的基于石英(ying)的污(wu)染物的pe-ald方法；和(he)

圖2為圖1的(de)pe-ald系統的(de)等離子(zi)(zi)體(ti)系統的(de)特寫橫截面視圖，其說明添加至基于氫的(de)等離子(zi)(zi)體(ti)中以減少該(gai)膜的(de)基于石英的(de)污染物的(de)少量的(de)氮；

圖3為對于用于形成該基于氫的等離子體的供應氣體而言以埃每循環(/循(xun)環)測量(liang)的(de)sixoy沉積的(de)每循(xun)環生長(growth-per-cycle,gpc)對以標準(zhun)立(li)方(fang)厘米每分鐘(sccm)的(de)氫流量(liang)(hydrogenflowrate，h-fr)的(de)圖，其中該圖顯(xian)示當添加(jia)至(zhi)等離子體中的(de)氫的(de)量(liang)增加(jia)時，基(ji)(ji)材上的(de)基(ji)(ji)于(yu)石英的(de)污染物的(de)量(liang)增加(jia)；

圖4為對于基于氫的等離子體而言以埃每循環(/循(xun)環(huan))測(ce)量的(de)(de)sixoy沉積的(de)(de)每循(xun)環(huan)生長(gpc)對n2氣(qi)體流量n2-fr(sccm)的(de)(de)圖，其說明添(tian)加至形(xing)成該基于氫的(de)(de)等離子體的(de)(de)供應氣(qi)體中的(de)(de)痕量的(de)(de)n2如何減(jian)少該基材的(de)(de)基于石英(ying)的(de)(de)污染物的(de)(de)量。

詳細說明

現詳(xiang)細參(can)考(kao)本公開(kai)的各個實(shi)施方案，其實(shi)例(li)在附圖(tu)(tu)中說明(ming)。無論何時，在全部(bu)圖(tu)(tu)中相(xiang)同或相(xiang)似(si)(si)的參(can)考(kao)序號及標記(ji)用來意指相(xiang)同或相(xiang)似(si)(si)的部(bu)件(jian)。圖(tu)(tu)不(bu)必要按比例(li)，并(bing)且(qie)本領域技(ji)術人員將理(li)解圖(tu)(tu)中已經(jing)被簡化(hua)的地方以說明(ming)本公開(kai)的關鍵方面(mian)。

以下所列(lie)的權利(li)要求被納入并構成此詳細說明的部分。

在以(yi)下(xia)討論中，短語“基(ji)(ji)(ji)于(yu)(yu)石(shi)(shi)英的(de)(de)(de)污(wu)染(ran)(ran)物(wu)”或“基(ji)(ji)(ji)于(yu)(yu)石(shi)(shi)英的(de)(de)(de)污(wu)染(ran)(ran)”和(he)類似術語意為來自(zi)石(shi)(shi)英等離(li)子(zi)體管的(de)(de)(de)石(shi)(shi)英(sio2)的(de)(de)(de)污(wu)染(ran)(ran)物(wu)或污(wu)染(ran)(ran)，其源自(zi)基(ji)(ji)(ji)于(yu)(yu)氫(基(ji)(ji)(ji)于(yu)(yu)h)的(de)(de)(de)等離(li)子(zi)體與該石(shi)(shi)英等離(li)子(zi)體管的(de)(de)(de)相互作(zuo)用。該基(ji)(ji)(ji)于(yu)(yu)石(shi)(shi)英的(de)(de)(de)污(wu)染(ran)(ran)物(wu)能(neng)(neng)夠包含石(shi)(shi)英本身，以(yi)及(ji)組成石(shi)(shi)英的(de)(de)(de)si原(yuan)子(zi)與o原(yuan)子(zi)，以(yi)及(ji)基(ji)(ji)(ji)于(yu)(yu)這(zhe)些原(yuan)子(zi)的(de)(de)(de)組合(he)的(de)(de)(de)分(fen)子(zi)，例如由si和(he)o形成的(de)(de)(de)sio、o2、sixoy團簇等。基(ji)(ji)(ji)于(yu)(yu)石(shi)(shi)英的(de)(de)(de)污(wu)染(ran)(ran)物(wu)還(huan)能(neng)(neng)夠包括具(ju)有來自(zi)基(ji)(ji)(ji)于(yu)(yu)h的(de)(de)(de)等離(li)子(zi)體的(de)(de)(de)h的(de)(de)(de)分(fen)子(zi)。

相對于在基(ji)于h的等離(li)子(zi)體中沒有(you)使用氮的情況測量(liang)這里涉及的基(ji)于石英的污(wu)染物(或基(ji)于石英的污(wu)染)的“減(jian)少”。

供(gong)應(ying)(ying)氣(qi)體(ti)中(zhong)氮(dan)氣(qi)體(ti)的百分(fen)比是以供(gong)應(ying)(ying)氣(qi)體(ti)中(zhong)的氮(dan)原子(zi)(zi)數(shu)(shu)nn對(dui)供(gong)應(ying)(ying)氣(qi)體(ti)中(zhong)的原子(zi)(zi)總數(shu)(shu)na表(biao)示(shi)，即[nn/na]×100。在一個實例中(zhong)，氫原子(zi)(zi)數(shu)(shu)為nh，且氬原子(zi)(zi)數(shu)(shu)為nar，給出(chu)原子(zi)(zi)總數(shu)(shu)na為na＝nh+nn或na＝nh+nn+nar。

在(zai)以(yi)下說明書(shu)和(he)權(quan)利要求中(zhong)，如關于(yu)供(gong)應(ying)氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)使用的(de)術(shu)語(yu)“主要由···構成”意為將供(gong)應(ying)氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)限制為所述氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)以(yi)及那些不(bu)會(hui)實(shi)質(zhi)影(ying)響(xiang)供(gong)應(ying)氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)關于(yu)在(zai)pe-ald成膜工藝中(zhong)基于(yu)石英(ying)的(de)污染(ran)物(wu)的(de)減少(shao)的(de)基本特性(xing)與(yu)新穎特性(xing)的(de)氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)。在(zai)一(yi)個實(shi)例(li)中(zhong)，該(gai)供(gong)應(ying)氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)能夠由氮(dan)與(yu)氫或(huo)(huo)者氮(dan)、氫與(yu)氬(ya)組成。在(zai)另一(yi)個實(shi)例(li)中(zhong)，該(gai)供(gong)應(ying)氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)還能夠包括一(yi)種(zhong)或(huo)(huo)多(duo)種(zhong)氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)，該(gai)一(yi)種(zhong)或(huo)(huo)多(duo)種(zhong)氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)不(bu)會(hui)實(shi)質(zhi)影(ying)響(xiang)由該(gai)供(gong)應(ying)氣(qi)(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)形成的(de)等(deng)離子(zi)體(ti)(ti)的(de)形成，并(bing)且(qie)不(bu)會(hui)影(ying)響(xiang)pe-ald工藝和(he)所形成的(de)膜的(de)品質(zhi)，并(bing)且(qie)特別是不(bu)會(hui)實(shi)質(zhi)影(ying)響(xiang)提供(gong)用于(yu)減少(shao)基于(yu)石英(ying)的(de)污染(ran)物(wu)的(de)等(deng)離子(zi)體(ti)(ti)的(de)特性(xing)。

這里使用的術語“等離子體”包括反應物質或自由基，例如氫自由基h^*及氮自由基n^*(并且任選的氬自由基ar^*)，以及(ji)其他(ta)帶電(dian)粒子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)，例如離(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)與(yu)(yu)電(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)等。應(ying)(ying)理解等離(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)體(ti)與(yu)(yu)該(gai)(gai)(gai)基(ji)材(cai)(cai)(cai)表(biao)(biao)面或(huo)(huo)與(yu)(yu)該(gai)(gai)(gai)基(ji)材(cai)(cai)(cai)表(biao)(biao)面上(shang)的(de)(de)膜(mo)層反應(ying)(ying)，通常意(yi)(yi)為等離(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)體(ti)中的(de)(de)反應(ying)(ying)物質與(yu)(yu)該(gai)(gai)(gai)基(ji)材(cai)(cai)(cai)表(biao)(biao)面或(huo)(huo)者與(yu)(yu)該(gai)(gai)(gai)膜(mo)層反應(ying)(ying)。因此，一般執(zhi)行(xing)導引(yin)(yin)等離(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)體(ti)至該(gai)(gai)(gai)基(ji)材(cai)(cai)(cai)有引(yin)(yin)起等離(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)體(ti)的(de)(de)反應(ying)(ying)物質與(yu)(yu)該(gai)(gai)(gai)基(ji)材(cai)(cai)(cai)表(biao)(biao)面或(huo)(huo)者與(yu)(yu)該(gai)(gai)(gai)膜(mo)層反應(ying)(ying)的(de)(de)意(yi)(yi)圖(tu)，雖(sui)然(ran)等離(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)體(ti)的(de)(de)其他(ta)組分也可以到達該(gai)(gai)(gai)基(ji)材(cai)(cai)(cai)表(biao)(biao)面或(huo)(huo)者該(gai)(gai)(gai)膜(mo)層并且沒(mei)有引(yin)(yin)起實質上(shang)的(de)(de)反應(ying)(ying)。

pe-ald系統

圖(tu)1為(wei)實例(li)(li)pe-ald系(xi)(xi)統(tong)(tong)10的(de)(de)(de)(de)示意圖(tu)。用于(yu)pe-ald系(xi)(xi)統(tong)(tong)10的(de)(de)(de)(de)各種(zhong)配置是可能的(de)(de)(de)(de)，并且(qie)圖(tu)1的(de)(de)(de)(de)pe-ald系(xi)(xi)統(tong)(tong)10顯示能夠采用的(de)(de)(de)(de)一種(zhong)基本配置。pe-ald系(xi)(xi)統(tong)(tong)10包括反(fan)(fan)(fan)應(ying)器腔室(shi)20，其具(ju)有限(xian)定反(fan)(fan)(fan)應(ying)器腔室(shi)內(nei)部26的(de)(de)(de)(de)頂(ding)壁(bi)(bi)22、底壁(bi)(bi)23以及環(huan)狀側壁(bi)(bi)24。平(ping)臺(tai)30位于(yu)該(gai)反(fan)(fan)(fan)應(ying)器腔室(shi)內(nei)部26中。平(ping)臺(tai)30支(zhi)撐具(ju)有上表面(mian)42的(de)(de)(de)(de)基材40，在上表面(mian)42上通(tong)過以下討(tao)論的(de)(de)(de)(de)pe-ald工藝形成膜層(“膜”)142。實例(li)(li)的(de)(de)(de)(de)基材40是用于(yu)半導體(ti)制造的(de)(de)(de)(de)硅晶(jing)片。真空泵46氣動式連接(jie)至該(gai)反(fan)(fan)(fan)應(ying)器腔室(shi)內(nei)部26并且(qie)起(qi)控制該(gai)反(fan)(fan)(fan)應(ying)器腔室(shi)內(nei)部26的(de)(de)(de)(de)壓力(例(li)(li)如在約(yue)10毫乇至約(yue)500毫乇的(de)(de)(de)(de)范(fan)圍(wei)內(nei))的(de)(de)(de)(de)作用。真空泵46還用于(yu)限(xian)定在基材40的(de)(de)(de)(de)區(qu)域和靠近反(fan)(fan)(fan)應(ying)器腔室(shi)內(nei)部26的(de)(de)(de)(de)頂(ding)壁(bi)(bi)22的(de)(de)(de)(de)區(qu)域之間的(de)(de)(de)(de)壓力差。

pe-ald系統10還包括前(qian)(qian)體(ti)氣(qi)體(ti)源50，其氣(qi)動式(shi)連接至該反應(ying)器(qi)腔(qiang)室內(nei)部(bu)26并向(xiang)該反應(ying)器(qi)腔(qiang)室內(nei)部(bu)26提供前(qian)(qian)體(ti)氣(qi)體(ti)52作為部(bu)分pe-ald工藝。

pe-ald系(xi)統10還包(bao)括任選的第二(er)氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)源60，其氣(qi)(qi)(qi)動式連接(jie)至該反(fan)應(ying)器(qi)腔室(shi)內(nei)部(bu)(bu)26并向該反(fan)應(ying)器(qi)腔室(shi)內(nei)部(bu)(bu)26提供(gong)惰(duo)性氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)62。惰(duo)性氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)62充當工藝步驟(zou)之間(jian)的吹掃(sao)氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)，并且當形成膜142時起加速依序的層化工藝的作(zuo)用。注(zhu)意(yi)該第二(er)氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)源60能夠與該前體(ti)(ti)氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)源50組合使得前體(ti)(ti)氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)52以(yi)及(ji)惰(duo)性氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)62能夠通(tong)過相同的導管流進(jin)反(fan)應(ying)器(qi)腔室(shi)內(nei)部(bu)(bu)26。

pe-ald系統(tong)(tong)10還包(bao)括等離子體(ti)(ti)系統(tong)(tong)100，其(qi)氣(qi)(qi)(qi)動(dong)式耦合至該(gai)反應(ying)器腔室(shi)內部26的(de)頂(ding)壁22處。圖(tu)2為(wei)實(shi)例(li)(li)等離子體(ti)(ti)系統(tong)(tong)100的(de)一部分的(de)特寫橫截面視圖(tu)。實(shi)例(li)(li)等離子體(ti)(ti)系統(tong)(tong)100包(bao)括氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)源(yuan)(yuan)系統(tong)(tong)110。氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)源(yuan)(yuan)系統(tong)(tong)110含(han)有(you)氫(qing)氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)源(yuan)(yuan)110h、氮氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)源(yuan)(yuan)110n以(yi)(yi)及任選地(di)包(bao)括氬氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)源(yuan)(yuan)110ar。氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)源(yuan)(yuan)系統(tong)(tong)110排出供(gong)(gong)應(ying)氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)112，其(qi)在(zai)實(shi)例(li)(li)中能夠主要由如以(yi)(yi)下討論的(de)氫(qing)與氮或者氫(qing)、氬與氮組成。在(zai)一個實(shi)例(li)(li)中，來(lai)自氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)源(yuan)(yuan)110n的(de)氮作為(wei)n2提(ti)供(gong)(gong)，來(lai)自氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)源(yuan)(yuan)110h的(de)氫(qing)作為(wei)h2提(ti)供(gong)(gong)。在(zai)另一個實(shi)例(li)(li)中，來(lai)自氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)源(yuan)(yuan)110n的(de)氮氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)作為(wei)nh3提(ti)供(gong)(gong)。

等(deng)離(li)子(zi)體(ti)(ti)(ti)(ti)系統(tong)100包(bao)括具有輸(shu)入(ru)端(duan)122、輸(shu)出端(duan)123、外表面124、內表面125以及(ji)內部126的(de)等(deng)離(li)子(zi)體(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)120。等(deng)離(li)子(zi)體(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)120由石英(ying)制成并且(qie)(qie)基本上為(wei)圓柱狀(zhuang)。氣(qi)體(ti)(ti)(ti)(ti)源系統(tong)110氣(qi)動式耦(ou)合至等(deng)離(li)子(zi)體(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)120的(de)輸(shu)入(ru)端(duan)122。等(deng)離(li)子(zi)體(ti)(ti)(ti)(ti)系統(tong)100還(huan)包(bao)括多匝(za)線圈(quan)(multi-turncoil)130，其位于等(deng)離(li)子(zi)體(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)120的(de)外表面124的(de)周圍，并且(qie)(qie)可(ke)操作地連接(jie)至rf源134與(yu)rf匹配(pei)網絡。該等(deng)離(li)子(zi)體(ti)(ti)(ti)(ti)管(guan)120以及(ji)該多匝(za)線圈(quan)130限定(ding)該氣(qi)體(ti)(ti)(ti)(ti)源系統(tong)110作為(wei)感應耦(ou)合等(deng)離(li)子(zi)體(ti)(ti)(ti)(ti)源。

pe-ald系統10能夠包括多個閥150，其(qi)用(yong)以(yi)控(kong)制前體(ti)氣(qi)體(ti)52、惰性氣(qi)體(ti)(吹掃(sao)氣(qi)體(ti))62與(yu)供應氣(qi)體(ti)112的(de)(de)流動(dong)，以(yi)及(ji)控(kong)制真空泵(beng)46至(zhi)反(fan)應器(qi)(qi)腔(qiang)室(shi)內(nei)部26的(de)(de)氣(qi)動(dong)式連接。處于相鄰該(gai)反(fan)應器(qi)(qi)腔(qiang)室(shi)20的(de)(de)氣(qi)體(ti)源(yuan)系統110的(de)(de)輸(shu)出端123的(de)(de)閥150是任選的(de)(de)，并且考慮到反(fan)應器(qi)(qi)腔(qiang)室(shi)內(nei)部26中的(de)(de)低壓力，可(ke)以(yi)不需要該(gai)閥150。

pe-ald系(xi)統10還包(bao)(bao)括可操作(zuo)地(di)連(lian)接至(zhi)等(deng)(deng)離子(zi)(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)系(xi)統100及閥(fa)150的(de)(de)(de)控(kong)(kong)(kong)制(zhi)器(qi)200。配置(zhi)控(kong)(kong)(kong)制(zhi)器(qi)200以(yi)控(kong)(kong)(kong)制(zhi)pe-ald系(xi)統10的(de)(de)(de)操作(zuo)從而在基材(cai)40的(de)(de)(de)上表面(mian)42上形成(cheng)(cheng)膜142。特別地(di)，當(dang)需要執行將(jiang)前(qian)體(ti)(ti)(ti)氣(qi)(qi)體(ti)(ti)(ti)52與等(deng)(deng)離子(zi)(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)114的(de)(de)(de)依序(xu)導(dao)入反(fan)應(ying)(ying)(ying)器(qi)腔(qiang)室(shi)內(nei)部(bu)26(包(bao)(bao)含(han)在前(qian)體(ti)(ti)(ti)步(bu)驟(zou)與等(deng)(deng)離子(zi)(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)步(bu)驟(zou)之間使用惰(duo)性氣(qi)(qi)體(ti)(ti)(ti)62的(de)(de)(de)吹(chui)掃步(bu)驟(zou))時(shi)，配置(zhi)控(kong)(kong)(kong)制(zhi)器(qi)200以(yi)控(kong)(kong)(kong)制(zhi)閥(fa)150的(de)(de)(de)開啟與關閉。形成(cheng)(cheng)膜142的(de)(de)(de)工藝(yi)包(bao)(bao)含(han)通過(guo)將(jiang)前(qian)體(ti)(ti)(ti)氣(qi)(qi)體(ti)(ti)(ti)52與等(deng)(deng)離子(zi)(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)114依序(xu)導(dao)入(伴隨在這兩個步(bu)驟(zou)之間的(de)(de)(de)吹(chui)掃以(yi)去除反(fan)應(ying)(ying)(ying)副產(chan)物、未反(fan)應(ying)(ying)(ying)的(de)(de)(de)前(qian)體(ti)(ti)(ti)氣(qi)(qi)體(ti)(ti)(ti)52、未反(fan)應(ying)(ying)(ying)的(de)(de)(de)等(deng)(deng)離子(zi)(zi)(zi)體(ti)(ti)(ti)等(deng)(deng))來形成(cheng)(cheng)初(chu)始膜并(bing)且生長該膜142以(yi)形成(cheng)(cheng)所需厚度的(de)(de)(de)最終膜。

操作方法

參照圖2，供應氣體112進入等離子體管120的輸入端122作為供應氣體并且進入到等離子體管120的內部126。rf源134提供具有rf頻率信號的多匝線圈130，其在等離子體管120的內部126由供應氣體112感應地形成基于氫的等離子體114。更特別地，當該供應氣體112流向輸出端123時，來自多匝線圈130的rf能量在(稀薄化的)供應氣體112中驅動方位電流(azimuthalelectricalcurrents)，其使基于氫的等離子體114的形成初始化。基于氫的等離子體114包含進入反應器腔室內部26的一種或多種反應物質116，例如氫與氮的自由基(即h^*與n^*)或者氫、氬與氮的自由基(標示為h^*、ar^*與n^*)。在供應氣體112中氬典型地與氫組合使用以增強來自h2氣體的h^*的形成。因此，在一個實例中，在基于氫的等離子體114中的主要反應物(即反應物質)為h^*。n^*自由基不是實際上的反應物質116之一，并且在圖2中的括號“(n^*)”中顯示，因為n^*自由基實際上沒有以任何實質上的方式與基材40的上表面42或者膜142反應。通常ar^*也是一樣的，其是等離子體形成工藝的副產物，其中使用供應氣體112中的ar以增強h^*的形成，如以上所述，h^*是基于氫的等離子體114中即使不是唯一的也是主要的反應物質116。在其他實例中，供應氣體112能夠包括額外的氣體，例如o2、ch4或者h2s，以在基于氫的等離子體114中分別產生額外的反應物質o^*、c^*以及s^*。

因為等離子體管120的輸出端123氣動地連接至反應器腔室內部26，并且因為反應器腔室內部26具有相對低的壓力，所以基于氫的等離子體114和隨之而來的反應物質116以及其他帶電組分流進反應器腔室內部26。至少一種反應物質116(例如僅h^*)引起在基材40的上表面42上膜142的形成中的化學反應。例如，來自基于氫的等離子體114的反應物質116能夠與初始膜142反應，使用形成具有化學吸附的nb前體配位體的基于鈮(nb)的膜142的基于nb的前體氣體52(例如(叔丁基亞氨基)三(二乙基酰氨基)鈮(v)((t-butylimido)tris(diethylamido)niobium(v)),(tbun＝)nb(net2)3,tbtden)形成初始膜142。在此實例中，基于氫的等離子體114中的至少一種反應物質116為h^*，其能(neng)夠(gou)與nb前(qian)體(ti)(ti)配位體(ti)(ti)反應以(yi)將其由初始膜(mo)142移除(chu)從而形成更純(chun)的(de)(de)基于(yu)nb的(de)(de)膜(mo)142。在(zai)其他實(shi)例中，前(qian)體(ti)(ti)氣(qi)(qi)體(ti)(ti)52能(neng)夠(gou)包含鎢(w)或鉬(mo)，其能(neng)夠(gou)使(shi)用基于(yu)氫的(de)(de)等離子體(ti)(ti)114分別用于(yu)形成wn或者mon。在(zai)一(yi)個(ge)實(shi)例中，前(qian)體(ti)(ti)氣(qi)(qi)體(ti)(ti)52包含以(yi)下的(de)(de)至少一(yi)者：鈮(ni)、鎢、鉬、鋁、鎵、銦、硼、銅、釓、鉿、硅、鉭、鈦、釩和(he)鋯。

當用來形(xing)成(cheng)基(ji)于氫的等(deng)離子(zi)體(ti)114的供應(ying)氣體(ti)112主要(yao)由純(chun)氫組成(cheng)或(huo)主要(yao)由氫和氬組成(cheng)時，該基(ji)于氫的等(deng)離子(zi)體(ti)114能夠與等(deng)離子(zi)體(ti)管120的內表面125反應(ying)并且產(chan)生基(ji)于石英的污(wu)(wu)染(ran)物。這些基(ji)于石英的污(wu)(wu)染(ran)物經過該反應(ying)器腔室(shi)內部26并且沉積在(zai)基(ji)材40的上(shang)表面42上(shang)，或(huo)者沉積在(zai)形(xing)成(cheng)于基(ji)材40的上(shang)表面42的膜142上(shang)或(huo)以(yi)其他(ta)方式被(bei)納(na)入該膜142中。這導致膜142的污(wu)(wu)染(ran)。

圖3為對于用于形成基于氫的等離子體114的供應氣體112而言以埃每循環(/循環)測量(liang)的(de)(de)sio2沉積的(de)(de)每(mei)循環生長(gpc)對以標準立方厘米每(mei)分鐘(sccm)的(de)(de)氫流量(liang)h-fr的(de)(de)圖。在(zai)放置(zhi)在(zai)pe-ald系(xi)統例如圖1的(de)(de)pe-ald系(xi)統10中(zhong)的(de)(de)基材上(shang)進行生長測量(liang)。該(gai)基材暴露(lu)于(yu)系(xi)列的(de)(de)等離子體循環，其中(zhong)該(gai)供應(ying)氣(qi)體由200sccm的(de)(de)氬(ya)以及0至60sccm的(de)(de)氫組成。該(gai)pe-ald條件(jian)為(wei)300w持續20秒(miao)(miao)，等離子體暴露(lu)之間為(wei)6秒(miao)(miao)。

對于每次20秒的等離子體暴露，純氬等離子體導致的sixoy材料的沉積。向氬等離子體添加氫導致沉積率的由20sccm氫添加下的每循環至60sccm氫添加下的每循環的線性增加。的(de)沉(chen)積(ji)率(lv)在許多(duo)情(qing)況下大于所形(xing)成膜(mo)的(de)預(yu)期的(de)pe-ald生長率(lv)，其表明這(zhe)些種類的(de)沉(chen)積(ji)條件將導致顯著的(de)膜(mo)污染(ran)。

本(ben)發明(ming)發現向氫或者氫/氬供應氣(qi)體(ti)112添(tian)加相對少量的(de)氮氣(qi)體(ti)劇烈(lie)地減少了基于石(shi)英的(de)污(wu)染物的(de)沉積率。因(yin)此，所沉積的(de)膜(mo)142的(de)性質得到顯著改進并較接(jie)近理想狀況。

在(zai)各(ge)種實例中(zhong)(zhong)，供應氣體(ti)(ti)(ti)(ti)112中(zhong)(zhong)氮氣體(ti)(ti)(ti)(ti)的百(bai)分比在(zai)0.1體(ti)(ti)(ti)(ti)積(ji)％和2體(ti)(ti)(ti)(ti)積(ji)％之(zhi)間或(huo)者(zhe)在(zai)0.5體(ti)(ti)(ti)(ti)積(ji)％和1.5體(ti)(ti)(ti)(ti)積(ji)％之(zhi)間的范圍，或(huo)者(zhe)通常小于(yu)1體(ti)(ti)(ti)(ti)積(ji)％。

在實驗中，在供應氣體112中氮氣體的各種低添加下研究對于200sccmar/60sccmh的等離子體形成條件而言的sixoy沉積率。圖4為對于20/200/60的等離子體形成條件而言gpc(/循環)對氮流量n2-fr(sccm)的圖。向200sccmar/60sccmh中添加2.5sccm的氮將sixoy沉積率由每循環減少至每循環小于總氣流1％的(de)氮氣體添(tian)加導致83倍的(de)由等(deng)離子體管120至基材40的(de)硅和氧轉(zhuan)移的(de)減少。

未完全理解基于氫的等離子體114中的氮在減少基于石英的污染中的作用。然而，不被理論所束縛，認為等離子體管120的內表面125被基于氫的等離子體114中來自供應氣體112中的痕量的氮的氮自由基n^*鈍化，使內表面125表現更類似sinx或sion，其比sio2更不容易由來自基于氫的等離子體114的化學反應或能量反應被去除。在基于氫的等離子體114中的痕量的n^*通常基本上(shang)沒有不利地影響(xiang)pe-ald工(gong)藝(yi)，即不代表對于(yu)膜(mo)142而(er)言顯著的污染源。

在各種實例中，基于石英的污染的減少量為大于70倍或大于50倍，或大于大于20倍或大于10倍或大于5倍，或大于2倍。在一個實例中，用以形成基于氫的等離子體114的供應氣體112中的氮的精確量是基于：基于石英的污染物的所需減少量，以及任選地膜142對基于氫的等離子體114中痕量的n^*的存在的敏感度(如果存在)。如上所述，在許多情況(如果不是大多數情況)下，這里考慮的基于氫的等離子體114中痕量的n^*將對(dui)膜142的品質沒有顯著的影響。

各種pe-ald工藝(yi)能夠由這(zhe)里(li)公(gong)開(kai)的方法獲益，包括(kuo)但不限于形成(cheng)nbn、wn及mon的膜(mo)142。

能夠(gou)在(zai)沒有脫離如(ru)所附權利要求(qiu)中限定的(de)(de)(de)(de)(de)本公開(kai)的(de)(de)(de)(de)(de)精神和范圍的(de)(de)(de)(de)(de)情況(kuang)下對這里描述的(de)(de)(de)(de)(de)公開(kai)的(de)(de)(de)(de)(de)優選實施方案做出各種(zhong)修改(gai)對于本領域技(ji)術人(ren)員將是明(ming)顯的(de)(de)(de)(de)(de)。因此(ci)，如(ru)果修改(gai)和變化(hua)在(zai)所附權利要求(qiu)及其等同物的(de)(de)(de)(de)(de)范圍內，那么本公開(kai)覆蓋這樣的(de)(de)(de)(de)(de)修改(gai)和變化(hua)。