本(ben)發(fa)明涉及(ji)一種用于(yu)切割GaAs基LED芯(xin)片(pian)的(de)刀片(pian)的(de)磨刀方法(fa)，屬(shu)于(yu)LED芯(xin)片(pian)加(jia)工的(de)技術(shu)領域(yu)。

背景技術：

由于LED芯片(pian)(pian)發光效率高，顏色(se)范圍廣，使(shi)用壽命長而受到半導(dao)體照明(ming)界(jie)的(de)廣泛重(zhong)視，已被(bei)廣泛應(ying)(ying)用于大屏(ping)顯示(shi)(shi)、景觀照明(ming)、交通信(xin)號(hao)燈(deng)、汽車(che)狀態顯示(shi)(shi)等各個領域(yu)。隨(sui)著集成電路技術的(de)進步和發展(zhan)，產品更(geng)(geng)趨向于小型(xing)化、多功能化，集成度要求越來(lai)越高，芯片(pian)(pian)尺(chi)寸減(jian)小、切割(ge)槽寬(kuan)度減(jian)小，芯片(pian)(pian)的(de)厚度越來(lai)越薄，制程中(zhong)應(ying)(ying)用到的(de)新(xin)材料越來(lai)越多，這些日新(xin)月(yue)異的(de)變化都對(dui)芯片(pian)(pian)的(de)切割(ge)工(gong)藝提出了更(geng)(geng)高的(de)要求。

在LED芯(xin)(xin)片(pian)制備(bei)工(gong)藝(yi)中，需(xu)要將經過光刻、鍍(du)膜、減(jian)薄等(deng)工(gong)藝(yi)制程后的(de)整個芯(xin)(xin)片(pian)分割(ge)成所需(xu)求尺寸的(de)單(dan)一(yi)晶粒(li)，是半導體發光二極管芯(xin)(xin)片(pian)制備(bei)工(gong)藝(yi)中不可(ke)或缺的(de)一(yi)道(dao)工(gong)序。現(xian)行(xing)的(de)LED芯(xin)(xin)片(pian)切(qie)割(ge)作業(ye)中，通(tong)常(chang)有(you)激光切(qie)割(ge)和鋸片(pian)切(qie)割(ge)兩種(zhong)切(qie)割(ge)作業(ye)方式。

激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)切(qie)(qie)割是(shi)(shi)隨著激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)技(ji)(ji)術的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)發展而(er)出(chu)(chu)(chu)現(xian)(xian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)種新型(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)切(qie)(qie)割技(ji)(ji)術，主(zhu)要(yao)有激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)表面切(qie)(qie)割和(he)(he)隱形切(qie)(qie)割兩種。激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)切(qie)(qie)割是(shi)(shi)通(tong)過一(yi)定(ding)能量(liang)密度和(he)(he)波長的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)束聚焦在(zai)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)表面或(huo)內部，通(tong)過激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)在(zai)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)表面或(huo)內部灼燒(shao)出(chu)(chu)(chu)劃(hua)痕，然(ran)后(hou)再用(yong)(yong)裂(lie)片(pian)機沿劃(hua)痕裂(lie)開。激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)切(qie)(qie)割具有產(chan)能高、成(cheng)品率高、自動化操(cao)作(zuo)、成(cheng)本低(di)等優(you)勢。但(dan)激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)切(qie)(qie)割本身(shen)也(ye)(ye)存在(zai)一(yi)些問題，激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)劃(hua)片(pian)時，激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)照(zhao)射會(hui)(hui)破壞(huai)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)有源區，需要(yao)在(zai)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)四周設置較寬的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)劃(hua)線(xian)槽，由于劃(hua)線(xian)槽里存在(zai)較厚的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)金屬層，激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)作(zuo)用(yong)(yong)后(hou)，會(hui)(hui)產(chan)生(sheng)大(da)量(liang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)碎(sui)屑，劃(hua)線(xian)槽邊(bian)緣會(hui)(hui)出(chu)(chu)(chu)現(xian)(xian)噴涂、燒(shao)蝕現(xian)(xian)象，也(ye)(ye)限制了產(chan)能的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)提升，同時裂(lie)片(pian)機裂(lie)片(pian)時也(ye)(ye)會(hui)(hui)因(yin)金屬材料的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)延展性出(chu)(chu)(chu)現(xian)(xian)難(nan)裂(lie)、雙胞等現(xian)(xian)象，再加上(shang)激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)直接(jie)作(zuo)用(yong)(yong)在(zai)GaAs材料上(shang)，很容易產(chan)生(sheng)一(yi)些有毒、污(wu)染性的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)粉塵。因(yin)此(ci)在(zai)GaAs基LED芯(xin)(xin)(xin)片(pian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)切(qie)(qie)割作(zuo)業(ye)中，激(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)切(qie)(qie)割應用(yong)(yong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)并不廣泛。

對于GaAs基LED芯片，傳統的鋸片切(qie)割仍然是應用(yong)最廣泛(fan)的切(qie)割方式(shi)。

鋸片(pian)(pian)切(qie)(qie)(qie)割(ge)(ge)是用高(gao)速旋轉(zhuan)(3-4r/min)的(de)(de)(de)金剛(gang)刀(dao)按(an)工藝(yi)需(xu)求設定好的(de)(de)(de)程(cheng)序(xu)將芯(xin)片(pian)(pian)完全鋸開成單一的(de)(de)(de)晶(jing)粒。金剛(gang)刀(dao)在(zai)(zai)高(gao)速旋轉(zhuan)切(qie)(qie)(qie)割(ge)(ge)時(shi)，其表面突起的(de)(de)(de)鋒利的(de)(de)(de)高(gao)硬度(du)金剛(gang)砂(sha)顆(ke)粒對(dui)切(qie)(qie)(qie)割(ge)(ge)部(bu)(bu)進(jin)行(xing)鏟(chan)挖。由于這(zhe)些機械(xie)力是直接作用在(zai)(zai)晶(jing)圓表面并在(zai)(zai)晶(jing)體內部(bu)(bu)產生應力損傷(shang)，再考慮到GaAs材(cai)(cai)料比較脆，而且芯(xin)片(pian)(pian)正背面會(hui)蒸鍍比較厚的(de)(de)(de)金屬材(cai)(cai)料，使得芯(xin)片(pian)(pian)本身的(de)(de)(de)應力加(jia)大，如(ru)果(guo)金剛(gang)刀(dao)在(zai)(zai)切(qie)(qie)(qie)割(ge)(ge)作業(ye)過(guo)程(cheng)中(zhong)的(de)(de)(de)刀(dao)刃狀況(kuang)處于不良狀態的(de)(de)(de)話，就會(hui)使得芯(xin)片(pian)(pian)被切(qie)(qie)(qie)割(ge)(ge)加(jia)工時(shi)容易(yi)(yi)破碎(sui)，芯(xin)片(pian)(pian)周圍邊緣容易(yi)(yi)產生崩(beng)邊、崩(beng)角(jiao)、裂紋等，影(ying)響(xiang)芯(xin)片(pian)(pian)外觀質(zhi)量(liang)，降低良率，這(zhe)也是鋸片(pian)(pian)切(qie)(qie)(qie)割(ge)(ge)存在(zai)(zai)一個(ge)不可避(bi)免的(de)(de)(de)問題。對(dui)于切(qie)(qie)(qie)割(ge)(ge)質(zhi)量(liang)要求的(de)(de)(de)越來越高(gao)，也對(dui)切(qie)(qie)(qie)割(ge)(ge)用的(de)(de)(de)主要工具(ju)金剛(gang)刀(dao)在(zai)(zai)切(qie)(qie)(qie)割(ge)(ge)過(guo)程(cheng)中(zhong)的(de)(de)(de)狀況(kuang)提出了更加(jia)嚴格的(de)(de)(de)需(xu)求。

目前(qian)，業界內鋸片機(ji)在磨(mo)削金(jin)剛刀(dao)(dao)時主要采用(yong)配套的磨(mo)刀(dao)(dao)板(ban)，磨(mo)刀(dao)(dao)板(ban)材(cai)質與金(jin)剛刀(dao)(dao)相同，價(jia)格比較(jiao)貴(gui)，可使用(yong)的磨(mo)刀(dao)(dao)次數也(ye)(ye)較(jiao)少，磨(mo)刀(dao)(dao)成(cheng)本較(jiao)高且磨(mo)刀(dao)(dao)質量也(ye)(ye)沒有達到比較(jiao)理想的效果。同時現(xian)暫無關于用(yong)于切割GaAs基LED芯片的刀(dao)(dao)片磨(mo)刀(dao)(dao)方法(fa)的相關專(zhuan)利、文獻報告。

技術實現要素：

針對現有技術的(de)不(bu)足，本發明(ming)提供一種用于切割GaAs基LED芯片(pian)的(de)刀(dao)片(pian)的(de)磨刀(dao)方(fang)法。

術語說明：

藍(lan)膜：藍(lan)膜全(quan)稱為太陽能選擇(ze)性吸(xi)收真(zhen)空(kong)(kong)鍍(du)膜，是利用pvd(物理氣相沉積)技術，采用真(zhen)空(kong)(kong)磁控濺射方法鍍(du)在金屬基材(cai)上，藍(lan)膜主(zhu)要吸(xi)收5-25um范圍內可見光及紅外線(xian)，是平(ping)板太陽能集熱(re)器的核心部件(jian)。

Frame：崩環(huan)，在硅片切割(ge)加工(gong)(gong)時，用(yong)于固定(ding)加工(gong)(gong)物(wu)的框架，是本領域技術人員所(suo)熟知的加工(gong)(gong)工(gong)(gong)具。

發明概述：

針(zhen)對現(xian)行磨刀(dao)(dao)(dao)方(fang)法(fa)中成本(ben)(ben)高(gao)且因金(jin)剛刀(dao)(dao)(dao)刀(dao)(dao)(dao)刃未磨好、刀(dao)(dao)(dao)況差造成的(de)(de)芯(xin)片(pian)崩邊問題(ti)，本(ben)(ben)發明提供(gong)一種操(cao)作簡單方(fang)便，成本(ben)(ben)低(di)廉(不使用價格昂貴的(de)(de)專用磨刀(dao)(dao)(dao)板)，且磨刀(dao)(dao)(dao)質量高(gao)的(de)(de)切割GaAs基(ji)LED芯(xin)片(pian)的(de)(de)刀(dao)(dao)(dao)片(pian)的(de)(de)磨刀(dao)(dao)(dao)方(fang)法(fa)。

本發(fa)明的技術方案(an)為：

一種用(yong)于切割GaAs基LED芯片(pian)(pian)的刀片(pian)(pian)的磨刀方法(fa)，包括如(ru)下(xia)步驟：

(1)選(xuan)取硬(ying)刀(dao)片(pian)(pian)，作為切(qie)(qie)割GaAs基(ji)LED芯(xin)片(pian)(pian)的(de)刀(dao)片(pian)(pian)；LED芯(xin)片(pian)(pian)切(qie)(qie)割中，硬(ying)刀(dao)片(pian)(pian)是指帶(dai)金屬輪(lun)轂(法蘭(lan))載(zai)體(ti)的(de)刀(dao)片(pian)(pian)，通體(ti)是一個由刀(dao)刃(ren)構成的(de)圓(yuan)環結(jie)構；軟刀(dao)沒(mei)有金屬輪(lun)轂(法蘭(lan))載(zai)體(ti)。半導體(ti)行業中，芯(xin)片(pian)(pian)類主(zhu)要(yao)用硬(ying)刀(dao)片(pian)(pian)切(qie)(qie)割，比如，硅片(pian)(pian)，GaAs、GaP基(ji)襯底芯(xin)片(pian)(pian)等。GaAs材質(zhi)硬(ying)脆，因(yin)此要(yao)選(xuan)取刀(dao)刃(ren)材質(zhi)偏硬(ying)的(de)硬(ying)刀(dao)片(pian)(pian)，并且要(yao)具有良好(hao)的(de)排(pai)屑、冷(leng)卻性能，刀(dao)片(pian)(pian)無(wu)飛邊、毛(mao)刺(ci)殘留(liu)，高(gao)韌性、高(gao)精度。

(2)選取生長(chang)晶向與待切割(ge)的(de)LED芯片的(de)生長(chang)晶向一致的(de)硅片,作為磨刀的(de)基板；

(3)將步驟(2)中選(xuan)取的硅片貼在藍膜(mo)上(shang)(shang)，并固定在Frame上(shang)(shang)；將硅片固定在Frame上(shang)(shang)，便于將硅片吸附(fu)在鋸(ju)片機切割盤上(shang)(shang)。

(4)根據(ju)刀片的參數，設定(ding)合適的進刀速度；刀片的參數包括刀刃(ren)(ren)厚度和刀刃(ren)(ren)伸出(chu)量；

(5)設定鋸(ju)(ju)片切割高度；鋸(ju)(ju)片切割高度＝硅(gui)(gui)片厚度+藍膜厚度+刀刃切入硅(gui)(gui)片的(de)深度；

(6)根據(ju)鋸(ju)片(pian)切(qie)割(ge)的(de)刀痕(hen)狀況，設定磨刀行程中的(de)磨刀速度和切(qie)割(ge)條數(shu)(shu)(shu)；切(qie)割(ge)條數(shu)(shu)(shu)是指刀片(pian)在硅片(pian)上切(qie)痕(hen)的(de)數(shu)(shu)(shu)量，是本領域(yu)技(ji)術(shu)人員所(suo)統(tong)稱的(de)概(gai)念(nian)，也(ye)是鋸(ju)片(pian)自身(shen)的(de)一個參數(shu)(shu)(shu)。

刀(dao)痕狀況與切(qie)割刀(dao)速、切(qie)割條(tiao)數(shu)的(de)對(dui)應關系為：

刀痕狀況：硅片(pian)表(biao)面切痕及(ji)藍膜(mo)上(shang)切痕痕跡，兩側(ce)邊(bian)緣是(shi)否平(ping)滑，有無(wu)毛刺、崩裂、彎(wan)曲，且硅片(pian)邊(bian)緣與藍膜(mo)接觸處刀痕是(shi)否呈橫(heng)放的金字塔形。

優選的(de)，所述步驟(1)中的(de)硬刀(dao)(dao)(dao)片包括(kuo)刀(dao)(dao)(dao)刃和(he)法蘭(lan)(lan)，刀(dao)(dao)(dao)刃由金剛(gang)石磨(mo)料(liao)顆粒(li)通(tong)過粘(zhan)(zhan)合(he)劑粘(zhan)(zhan)合(he)到法蘭(lan)(lan)上，金剛(gang)石磨(mo)料(liao)顆粒(li)通(tong)過電鍍工藝與法蘭(lan)(lan)一(yi)體(ti)(ti)化粘(zhan)(zhan)合(he)成(cheng)型。其中，一(yi)體(ti)(ti)化粘(zhan)(zhan)合(he)成(cheng)型，是一(yi)種(zhong)常見的(de)刀(dao)(dao)(dao)片生產工藝。刀(dao)(dao)(dao)刃呈鋸齒狀，法蘭(lan)(lan)是承載(zai)刀(dao)(dao)(dao)刃的(de)載(zai)體(ti)(ti)。結(jie)(jie)合(he)劑在刀(dao)(dao)(dao)片制成(cheng)工藝中起粘(zhan)(zhan)附的(de)作用，有超軟(ruan)結(jie)(jie)合(he)劑、軟(ruan)結(jie)(jie)合(he)劑、硬結(jie)(jie)合(he)劑等類型；是本領域(yu)技術人員(yuan)熟(shu)知的(de)概念。

優選(xuan)的(de)，所述步驟(1)中的(de)硬刀(dao)片為標(biao)準(zhun)集(ji)中度。集(ji)中度是指單位(wei)面積內金剛石顆(ke)粒的(de)數量。刀(dao)片分(fen)為高集(ji)中度(110)、標(biao)準(zhun)集(ji)中度(90)、低集(ji)中度(70)。各生產廠家(jia)標(biao)注方(fang)式不(bu)同(tong)，刀(dao)片參數中會出現不(bu)同(tong)的(de)標(biao)識。

金(jin)剛(gang)石粒度，是指構(gou)成刀(dao)刃的金(jin)剛(gang)石顆粒大(da)小，各刀(dao)片(pian)廠家都(dou)有各自相對(dui)應的粒度對(dui)應表，本專(zhuan)利用的刀(dao)片(pian)金(jin)剛(gang)石粒度為4800#。

優選(xuan)的，所述步驟(2)中待(dai)切割的LED芯片的直(zhi)徑為(50-100)±0.2mm，待(dai)切割的LED芯片的厚度為400±10mm。

優選(xuan)的，所述步驟(zou)(3)中藍(lan)膜的寬度為(wei)(wei)220cm，厚(hou)度為(wei)(wei)0.050-0.070mm。

優選的(de)，步驟(zou)(4)中(zhong)，刀片的(de)參(can)數與進刀速度的(de)對應關系如下(xia)：

刀(dao)(dao)(dao)(dao)片刀(dao)(dao)(dao)(dao)刃(ren)(ren)(ren)厚度(du)(du)與(yu)刀(dao)(dao)(dao)(dao)刃(ren)(ren)(ren)伸(shen)出(chu)量一般情況下是相對(dui)應(ying)(ying)的關系，刀(dao)(dao)(dao)(dao)刃(ren)(ren)(ren)厚度(du)(du)小的對(dui)應(ying)(ying)較長(chang)的刀(dao)(dao)(dao)(dao)刃(ren)(ren)(ren)伸(shen)出(chu)量；出(chu)現類似刀(dao)(dao)(dao)(dao)刃(ren)(ren)(ren)厚度(du)(du)為(wei)0.020，刀(dao)(dao)(dao)(dao)刃(ren)(ren)(ren)伸(shen)出(chu)量為(wei)0.560情況時，根據表格中對(dui)應(ying)(ying)的進(jin)刀(dao)(dao)(dao)(dao)速度(du)(du)，確定進(jin)刀(dao)(dao)(dao)(dao)速度(du)(du)為(wei)3-5mm/s，根據切痕狀況對(dui)應(ying)(ying)去嘗試不同的進(jin)刀(dao)(dao)(dao)(dao)速度(du)(du)確定。

優選的，所述步驟(5)設定(ding)的鋸片切割高(gao)度(du)為(wei)0.340-0.380mm。

優選的(de)，步(bu)驟(zou)(zou)(3)之(zhi)后，步(bu)驟(zou)(zou)(4)之(zhi)前，還(huan)包括對(dui)硅片進(jin)行烘烤的(de)步(bu)驟(zou)(zou)，將硅片貼附(fu)在藍(lan)膜上后，放置于平板加(jia)熱器上進(jin)行烘烤，烘烤時(shi)間為90-120s，烘烤溫度為50-55℃。烘烤的(de)目的(de)一方面是(shi)釋放硅片自身(shen)的(de)應力，避免磨(mo)刀過(guo)程(cheng)中的(de)崩裂提(ti)(ti)高對(dui)刀刃的(de)磨(mo)削效果，另一方面是(shi)提(ti)(ti)高藍(lan)膜的(de)延(yan)展(zhan)性，使膜徹底舒張開，減小藍(lan)膜帶來(lai)的(de)形變應力影響。

本發明的有益(yi)效果為：

(1)本發明所(suo)述(shu)用(yong)于切割(ge)GaAs基LED芯片的刀片的磨刀方法，選用(yong)價格低(di)廉的硅片代替昂貴的磨刀板，直接(jie)降低(di)生產成本；

(2)本發明所述用于切割(ge)GaAs基(ji)LED芯(xin)片的(de)刀片的(de)磨刀方(fang)法，選取的(de)硅片的(de)生(sheng)產晶向(xiang)與待切割(ge)的(de)LED芯(xin)片的(de)生(sheng)長晶向(xiang)一致(zhi)，利用金屬的(de)記憶(yi)性及延(yan)展性，增(zeng)強刀刃磨削時與切割(ge)物的(de)匹配度，提高磨削質量；

(3)本發(fa)明(ming)所(suo)述用于切割GaAs基LED芯片(pian)的(de)(de)(de)(de)刀片(pian)的(de)(de)(de)(de)磨(mo)刀方法，選取的(de)(de)(de)(de)硅(gui)片(pian)在(zai)磨(mo)刀作(zuo)業前進行烘烤操作(zuo)，釋(shi)放了硅(gui)片(pian)自身(shen)的(de)(de)(de)(de)應力，避免磨(mo)刀過程(cheng)中的(de)(de)(de)(de)崩裂，提高(gao)對刀刃的(de)(de)(de)(de)磨(mo)削效果；另一方面提高(gao)了藍(lan)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)延(yan)展性，使膜(mo)徹(che)底舒(shu)張開，減小藍(lan)膜(mo)帶來的(de)(de)(de)(de)形變應力影(ying)響；與切割物(wu)一致的(de)(de)(de)(de)生(sheng)產(chan)晶向及進行硅(gui)片(pian)烘烤是本發(fa)明(ming)的(de)(de)(de)(de)關鍵；

(4)本發明所述用(yong)于切(qie)(qie)割GaAs基LED芯片(pian)的(de)刀片(pian)的(de)磨(mo)刀方(fang)法，選取(qu)選用(yong)硅片(pian)磨(mo)刀，可(ke)以(yi)直接用(yong)于切(qie)(qie)割LED芯片(pian)，取(qu)消現有磨(mo)刀方(fang)式(shi)后續的(de)測高程序(xu)及試(shi)切(qie)(qie)割程序(xu)，提高作業效率(lv)；

(5)本發明(ming)所述用(yong)于切割GaAs基LED芯片的(de)刀(dao)(dao)片的(de)磨刀(dao)(dao)方法，極(ji)大的(de)提高了刀(dao)(dao)片刀(dao)(dao)刃的(de)磨削效(xiao)(xiao)果(guo)，磨刀(dao)(dao)后(hou)的(de)刀(dao)(dao)片可以直接按(an)照正常(chang)切割工藝進(jin)行(xing)生(sheng)產作業，不需要先試切芯片，觀察(cha)磨刀(dao)(dao)效(xiao)(xiao)果(guo)，提高了芯片切割的(de)質量，有效(xiao)(xiao)減少了崩邊、裂管芯現(xian)象的(de)發生(sheng)。

附圖說明

圖1為本發明所述刀片刀的結構示意圖；

其中，1、法蘭；2、刀刃；3、粘合劑。

具體實施方式

下面結(jie)合實施例和說(shuo)明(ming)書附圖對本發明(ming)做進一步說(shuo)明(ming)，但不限(xian)于此。

實施例1

一種用于切割GaAs基LED芯片(pian)的(de)刀(dao)片(pian)的(de)磨刀(dao)方(fang)法，包括如下步驟：

(1)選取硬(ying)刀(dao)(dao)片，作為(wei)切割GaAs基LED芯(xin)片的(de)刀(dao)(dao)片；LED芯(xin)片切割中，硬(ying)刀(dao)(dao)片是指帶金屬輪轂(法蘭)載體(ti)的(de)刀(dao)(dao)片，通(tong)體(ti)是一個由(you)刀(dao)(dao)刃構成(cheng)的(de)圓環結構；

(2)選取(qu)生長(chang)晶(jing)向(xiang)與(yu)待(dai)(dai)切割(ge)的(de)(de)LED芯片(pian)(pian)的(de)(de)生長(chang)晶(jing)向(xiang)一致的(de)(de)硅(gui)片(pian)(pian),作為(wei)磨刀的(de)(de)基板(ban)；待(dai)(dai)切割(ge)的(de)(de)LED芯片(pian)(pian)的(de)(de)生長(chang)晶(jing)向(xiang)為(wei)(類似＜100＞±0.5°)；

(3)選取(qu)(qu)日東系列SPV-224 220mm*100m的藍膜，將步驟(zou)(2)中選取(qu)(qu)的硅片貼在(zai)藍膜上，并固(gu)定(ding)在(zai)Frame上；將硅片固(gu)定(ding)在(zai)Frame上，便(bian)于(yu)將硅片吸附在(zai)鋸片機切割盤上。

(4)根據刀(dao)片的參(can)數(shu)，設定(ding)合(he)適(shi)的進刀(dao)速(su)度(du)；刀(dao)片的參(can)數(shu)包(bao)括刀(dao)刃厚(hou)度(du)和刀(dao)刃伸(shen)出量(liang)；

(5)設定(ding)鋸片(pian)(pian)切(qie)割(ge)高度；鋸片(pian)(pian)切(qie)割(ge)高度＝硅(gui)片(pian)(pian)厚度+藍膜厚度+刀刃切(qie)入硅(gui)片(pian)(pian)的深度；

(6)根據(ju)鋸(ju)片切割的刀痕(hen)狀(zhuang)況，設定磨刀行程中(zhong)的磨刀速度和切割條數；

當刀痕(hen)狀況為(wei)“毛(mao)刺”狀態(tai)時，切(qie)(qie)割條(tiao)數(shu)(shu)為(wei)30條(tiao)，切(qie)(qie)割刀速(su)(su)為(wei)7mm/s；當刀痕(hen)狀況為(wei)“毛(mao)刺”狀態(tai)時，切(qie)(qie)割條(tiao)數(shu)(shu)為(wei)50條(tiao)，切(qie)(qie)割刀速(su)(su)為(wei)11mm/s；當刀痕(hen)狀況為(wei)“毛(mao)刺”狀態(tai)時，切(qie)(qie)割條(tiao)數(shu)(shu)為(wei)60條(tiao)，切(qie)(qie)割刀速(su)(su)為(wei)4mm/s。

實施例2

根據實施例(li)1所(suo)(suo)述的用(yong)于切割GaAs基LED芯片(pian)(pian)的刀片(pian)(pian)的磨刀方法，所(suo)(suo)不(bu)同的是，所(suo)(suo)述步驟(1)中的刀片(pian)(pian)包括刀刃2和法蘭1(如圖1所(suo)(suo)示(shi))，刀刃由(you)金剛石磨料(liao)(liao)顆粒通過粘合(he)(he)劑3粘合(he)(he)到法蘭上，金剛石磨料(liao)(liao)顆粒通過電鍍工藝(yi)與法蘭一(yi)體化粘合(he)(he)成型。

所述(shu)步驟(zou)(1)中(zhong)的硬刀片為標(biao)準集中(zhong)度。

所述(shu)步驟(1)中硬刀片的金剛石(shi)粒度為4800#。

實施例3

根(gen)據實施例1所述(shu)的(de)用于切(qie)(qie)割GaAs基(ji)LED芯片(pian)的(de)刀(dao)片(pian)的(de)磨刀(dao)方(fang)法，所不(bu)同的(de)是(shi)，所述(shu)步(bu)驟(zou)(2)中待切(qie)(qie)割的(de)LED芯片(pian)的(de)直徑為(wei)70mm，待切(qie)(qie)割的(de)LED芯片(pian)的(de)厚(hou)度(du)為(wei)400mm。

實施例4

根據實(shi)施例1所述的用于切割(ge)GaAs基(ji)LED芯片的刀(dao)片的磨刀(dao)方法，所不同的是，所述步驟(3)中藍膜的寬(kuan)度為220cm，厚度為0.060mm。

實施例5

根據實施例1所(suo)述(shu)的(de)(de)用于切(qie)割GaAs基LED芯(xin)片(pian)(pian)的(de)(de)刀(dao)(dao)片(pian)(pian)的(de)(de)磨刀(dao)(dao)方法，所(suo)不(bu)同的(de)(de)是，步(bu)驟(4)中，刀(dao)(dao)刃(ren)厚度為(wei)0.020mm，刀(dao)(dao)刃(ren)伸出量為(wei)0.590mm，進刀(dao)(dao)速度為(wei)5mm/s。

實施例6

根據實施例5所述的(de)用于切割GaAs基LED芯片(pian)的(de)刀(dao)片(pian)的(de)磨刀(dao)方法，所不同(tong)的(de)是，步驟(4)中(zhong)，刀(dao)刃厚(hou)度為0.020mm，刀(dao)刃伸出量(liang)為0.560mm，進刀(dao)速度為3-5mm/s，根據切痕(hen)狀況(kuang)調整(zheng)不同(tong)的(de)進刀(dao)速度。

實施例7

根據實施(shi)例1所述的(de)(de)用于切(qie)割(ge)(ge)GaAs基LED芯片(pian)的(de)(de)刀片(pian)的(de)(de)磨刀方(fang)法，所不(bu)同的(de)(de)是，所述步驟(zou)(5)設定(ding)的(de)(de)鋸片(pian)切(qie)割(ge)(ge)高度為0.370mm。

實施例8

根據(ju)實施例(li)1所述的用(yong)于切割GaAs基(ji)LED芯片的刀片的磨(mo)刀方法，所不同的是，步(bu)驟(zou)(zou)(3)之后，步(bu)驟(zou)(zou)(4)之前，還包括對硅片進(jin)行(xing)(xing)烘烤(kao)的步(bu)驟(zou)(zou)，將(jiang)硅片貼附在藍膜上后，放置于平板(ban)加熱器(qi)上進(jin)行(xing)(xing)烘烤(kao)，烘烤(kao)時間為100s，烘烤(kao)溫(wen)度為52℃。