專利名稱：：激光加工用粘合片及激光加工方法
技術領域：
：本發明涉及一種激光加工用粘合片，其在利用波長為紫外光區域的激光或者能夠進行經由多光子吸收過程的紫外光區域的光吸收的激光對被加工物進行激光加工時使用。另外，本發明還涉及使用激光對例如各種片材材料、電路基板、半導體晶片、玻璃基板、陶瓷基板、金屬基板、半導體激光等的發光或受光元件基板、MEMS基板、半導體封裝體、布、皮或紙等被加工物進ff例如截斷、打孔、作記號、溝加工、劃線加工或^f務邊加工等形狀加工的激光加工方法。
背景技術：
：隨著最近的電和電子儀器的小型化等，部件的小型化和高精細化正在發展。因此，各種材料的截斷加工也要求高精細和高精度化。特別是，在強烈要求小型化和高密度化的半導體領域中，近年來，熱損害少、能夠進行高精細加工的使用激光的半導體晶片的加工方法備受關注。作為使用了激光的半導體晶片(被加工物)的加工方法，例如有將進行了各種電路形成和表面處理的半導體晶片固定在切割片材上，并利用激光對該半導體進行切割，從而形成半導體芯片的方法(例如專利文獻l)。另外，作為使用了激光的半導體晶片的截斷加工中所使用的切割片材，提出了由含有支撐片材的基材和形成于該基材表面的粘合劑層構成的、可利用激光截斷粘合劑層、但基材薄膜不會被截斷的切割片材(例如專利文獻2)。專利文獻l:日本特開2004-79746號7>凈艮專利文獻2:日本特開號7^才艮
發明內容但是，當在激光加工中使用現有的切割片材時，有激光透過切割片材，使基材的未設有粘合劑層的一側熱熔接或者改性的情況。結果，具有放置切割片材的吸附臺和基材熔接、切割后的半導體芯片無法搬送的問題。本發明鑒于前述現有問題而完成，其目的在于，提供在利用激光對被加工物進行激光加工時，能夠防止基材和吸附臺的熔接、生產效率良好且易于進行被加工物的激光加工的激光加工用粘合片及激光加工方法。本申請發明人等為了解決前述現有問題而對激光加工用粘合片和激光加工方法進行了研究。結果發現，著眼于激光加工用粘合片中的基材的未設置粘合劑層的面的物性，并通過采用以下技術方案而能夠實現前述目的，從而完成了本發明。即，為了解決前述課題，本發明的激光加工用粘合片，其特征在于，其為在利用波長為紫外光區域的激光或者能夠進行經由多光子吸收過程的紫外光區域的光吸收的激光對被加工物進行激光加工時使用的激光加工用粘合片，其中，具有基材和設于該基材的一個面上的粘合劑層，前述基材的另一個面的熔點為80。C以上、且對前述另一個面照射前述激光時的蝕刻率(蝕刻速度/能量密度)為O.l[(pm/pulse)/(J/cm2)]以下。根據前述技術方案，通過使基材的未設有粘合劑層的面(背面)的熔點為80。C以上，即便在激光透過激光加工用粘合片時，也可抑制基材的背面由于該熱引起的熱熔接。另外，由于使對基材的背面側照射前述激光時的蝕刻率為0.1[(nm/pulse)/(J/cm2)]以下，因此還可以抑制基材的背面由于激光而改性。由此，例如可以防止基材熔接在用于放置激光加工用粘合片的吸附臺上，提高制造的成品率、生產效率。另外，沒有必要為了防止基材熔接于吸附臺上而減小激光的能量。結果，激光的高功率化成為可能，可提高生產量(throughput)。予以說明，本發明中的蝕刻速度是指將波長為紫外光區域的激光或者能夠進行經由多光子吸收過程的紫外光區域的光吸收的激光在規定條件下照射于基材的未設有粘合劑層的面時，基材在每l脈沖下被蝕刻的厚度。另外，能量密度是指照射于基材表面的區域的每單位面積(平方厘米cm2)上，通過l脈沖投入的激光的能量(焦耳J)。在前述技術方案中，前述基材的吸光系數相對于規定振蕩波長的前述激光為10(1/cm)以下是優選的。基材的吸光系數相對于規定振蕩波長的前述激光為10(1/cm)以下時，可抑制基材對激光的吸收、難以引起燒蝕的發生。由此，可以防止基材的燒蝕所導致的基材的過度加熱、進一步防止基材背面的熱熔接。另外，在前述技術方案中，前述基材為層壓體，在前述另一個面側設有由聚乙烯形成的層是優選的。由聚乙烯形成的層對激光的蝕刻率極低。因此，通過在基材的背面側層壓由聚乙烯形成的層，可以使基材的背面更難以加工。另外，由于還抑制了聚乙烯分解物的發生，因此還可防止基材的背面側的污染。為了解決前述課題，本發明的激光加工方法，其特征在于，該激光加工方法使用前述激光加工用粘合片，將波長為紫外光區域的激光或者能夠進行經由多光子吸收過程的紫外光區域的光吸收的激光照射于^f皮加工物，利用燒蝕對該;波加工物進行加工，該方法包括以下工序在前述,皮加工物上借助前述粘合劑層粘貼激光加工用粘合片的工序；將至少前述被加工物引起燒蝕的臨界值的照射強度以上的前述激光照射于一皮加工物，對該-陂加工物進行加工的工序。本發明中，由于使用前述激光加工用粘合片，因此可防止基材的背面由于激光引起的熱熔接或者改性。結果，例如能夠防止基材熔接于用于放置激光加工用粘合片的吸附臺上，由此可提高成品率來進行—皮加工物的激光加工。另外，由于使用波長為紫外光區域的激光或者能夠進行經由多光子吸收過程的紫外光區域的光吸收的激光，因此可以不經由熱加工過程，而利用光化學的燒蝕進行加工。由此，沒有邊緣部分的熱損害，能夠更為銳利地加工截斷部、開口部，提高加工精度和可靠性。進而，與紅外區域的激光相比較，可以進行局部的聚光，沒有必要采用大的截斷寬度。由此，可以進行利用較以往更為細小的截斷寬度的激光加工。進而，本發明中，通過使用前述激光加工用粘合片，由于可防止基材熔接于吸附臺上，因此沒有必要減小激光的功率。由此，激光的高功率化成為可能，可提高生產量。前述方法中，前述被加工物為半導體晶片，通過前述激光的照射可以將前述半導體晶片單片化而形成半導體芯片。本發明的激光加工方法如前所述，作為粘合片，使用具備用于粘接固定被加工物的粘合劑層的粘合片。因此，例如在對被加工物的規定區域進行一次性的截斷加工時，加工物(截斷片)粘接固定在粘合劑層上。因此，可防止加工物的脫落，提高處理性。進而，沒有必要采用殘留部分未加工部分的所謂防止脫落的方法。結果，作為被加工物使用半導體晶片時，能抑制發生芯片飛散并制作半導體芯片。本發明通過前述說明的方法起到了以下所述的效果。即，根據本發明，基材的未設置粘合劑層的面(背面)的熔點為80。C以上，因此抑制了基材的背面由于激光的熱引起的熱熔接。另外，對基材的背面側照射前述激光時的蝕刻率為O.l[(pm/pulse)/(J/cm2)〗以下，因此還抑制了基材的背面由于激光引起的改性。由此，例如能夠防止基材熔接于用于放置激光加工用粘合片的吸附臺上，提高制造的成品率、生產效率。圖l為用于說明本發明實施方式的凈皮加工物的激光加工的截面示意圖。圖2為用于i兌明前述實施方式的激光加工方法的概略圖。圖3為用于i兌明前述實施方式的纟皮加工物的其他激光加工方法的一既略圖。圖4為用于i兌明前述實施方式的纟皮加工物的激光加工的截面示意圖。圖5為表示半導體晶片的切割方法的例子的概略圖。具體實施例方式參照圖1圖4i兌明本發明實施方式l的激光加工品的制造方法。其中，不需要說明的部分省略，為了使說明變得容易，有放大或縮小等來進行圖示的部分。首先說明本實施方式的激光加工用粘合片(以下稱作"粘合片")。如圖l所示，本實施方式的粘合片2為在基材2b上層壓有粘合劑層2a的結構。該粘合片2是使基材2b處于下側并載置于吸附臺上，且通過粘合劑層2a將被加工物l粘接固定，用于在激光加工時及之后的各工序中將被加工物l支撐固定在吸附臺上。前述基材2b的背面側、即未設有粘合劑層2a的面側的熔點為80。C以上、優選為90。C以上、更優選為95。C以上。通過使熔點為80。C以上，即便在激光透過粘合片2時，也可抑制基材2b的背面由于其熱引起的熱熔接。其中，考慮到成形性方面，優選熔點的上限值為150。C以下。另外，基材2b的背面側在規定條件下照射激光時的蝕刻率(蝕刻速度/能量密度)為O.l[(pm/pulse)/(J/cm2)]以下、優選為0.07[(jam/pulse)/(J/cm2)]以下、更優選為0.05[(—pulse)/(J/cm2)]以下。通過使蝕刻率為O.l[(pm/pulse)/(J/cm2)]以下，即便在激光透過粘合片2時，也可抑制基材2b的背面發生改性。予以說明，前述激光的照射條件例如如后述實施例所示。前述基材2b可以為單層，或者還可以是多層層壓的層壓體。為層壓體時，只要設置于基材2b背面側的最表層的熔點為80°C以上、且蝕刻率為O.l[(pm/pulse)/(J/cm2)]以下，則本發明并無特別限定。另外，基材2b可以選擇膜狀或網狀等各種形狀。特別是后述構成材料的纖維狀體、無紡布、織布、多孔的多孔體等空隙率大的基材是合適的。另外，前述基材2b的吸光系數對規定振蕩波長的前述激光優選為IO(1/cm)以下、優選為8(1/cm)以下、更優選為5(1/cm)以下。由此，可抑制基材所導致的激光吸收、難以發生燒蝕，結果，可以防止基材的過度加熱、進一步防止基材背面的熱熔接。另外，前述激光的振蕩波長并無特別限定，例如是指后述各種激光的振蕩波長。另外，作為基材2b的構成材料并無特別限定，例如可以舉出聚對苯二曱酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚酰亞胺、(曱基)丙烯酸系聚合物、聚氨酯系樹脂、聚降冰片烯系樹脂、聚乙二醇、聚四亞曱基二醇等聚亞烷基二醇系樹脂、硅酮系橡膠以及聚乙烯、聚丙烯、聚丁二烯、聚乙烯醇、聚甲基戊烯等聚烯烴系樹脂等。前述示例的構成材料中，本發明中優選使用聚烯烴系樹脂，特別優選聚乙烯。聚乙烯在側鏈沒有官能團，因此，對激光的蝕刻率極小。即，由于對激光加工表現特別難加工的性能，因此可以有效地抑制聚乙烯分解物的產生。結果，例如可以降低基材2b的背面側由于聚乙烯分解物的附著而被污染。予以說明，基材2b為層壓體時，至少背面側的樹脂層為由聚乙烯形成的層即可。使基材2b為層壓體時，作為在其背面側形成由聚乙烯等形成的層的方法并無特別限定，可以采用以往/>知的方法。具體地例如可以舉出干式層壓、澆鑄、共擠出、表面涂布等。基材2b的厚度(為層壓體時是指總厚。)可以在不損害與被加工物l的粘貼、-陂加工物l的截斷、截斷片的剝離、回收等各工序的操作性或作業性的范圍內適當選擇來進行設定。通常設定為500pm以下、優選為5300pm左右、更4尤選為10250|itm左右。基材2b為層壓體時，設置于其背面側的由聚乙烯等形成的層的厚度并無特別限定，適當根據需要進行設定。優選為5iim以上、更優選為10pm以上。為了提高與吸附臺等相鄰層的密合性、保持性等，基材2b的背面側可以進行常用的表面處理。作為這種表面處理，可以舉出鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化輻射線處理等化學或物理處理、利用底涂劑(例如后述的粘合物質)的涂布處理等。前述粘合劑層2a可以使用由含有(曱基)丙烯酸系聚合物、橡膠系聚合物等的公知粘合劑形成的層。丙烯酸系粘合劑例如可舉出(甲基)丙烯酸烷基酯的聚合物，根據需要為了改善粘合性、內聚力、耐熱性等而對(甲基)丙烯酸烷基酯共聚了共聚性單體的共聚物等(甲基)丙烯酸系聚合物。予以說明，前述(甲基)丙烯酸烷基酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本發明的(甲基)全部是同樣的含義。前述(甲基)丙烯酸系聚合物例如可以舉出具有甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、十二烷基等碳原子數30以下、優選318的直鏈或支鏈烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。這些(甲基)丙烯酸烷基酯可以單獨使用l種，還可以并用2種以上。上述以外的單體成分例如可以舉出丙烯酸、曱基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(曱基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等含羧基單體，馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體，(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(曱基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環己基)曱酯等含羥基單體，苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(曱基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺酸丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體，2-羥基乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基單體等。這些物質可以單獨使用l種，還可以并用2種以上。而且，以丙烯酸系聚合物的交聯處理等為目的，多官能單體等也可根據需要作為共聚用的單體成分使用。多官能單體例如可以舉出二(曱基)丙烯酸己二醇酯、二(甲基)丙烯酸(聚)乙二醇酯、二(甲基)丙烯酸(聚)丙二醇酯、二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯、二(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥曱基曱烷四(甲基)丙烯酸酯、三(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、四(曱基)丙烯酸季戊四醇酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、六(曱基)丙烯酸二季戊四醇酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(曱基)丙烯酸酯、尿烷(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能單體可以單獨使用l種，還可以并用2種以上。從粘合特性等觀點出發，多官能單體的用量優選為總單體的30重量％以下、更優選為20重量％以下。(曱基)丙烯酸系聚合物的調制例如如下進行對含有l種或2種以上單體成分的混合物適用溶液聚合方式、乳液聚合方式、本體聚合方式或懸浮聚合方式等適當的方式來進行。聚合引發劑并無特別限定，例如可以舉出過氧化氫、過氧化苯甲酰、叔丁基過氧化物等過氧化物系。這些聚合引發劑優選單獨使用，還可以與還原劑組合作為氧化還原(redox)系聚合引發劑使用。前述還原劑并無特別限定，例如可以舉出亞硫酸鹽、亞硫酸氫鹽、鐵、銅、鈷鹽等離子化的鹽，三乙醇胺等胺類，醛糖、酮糖等還原糖等。另外，偶氮化合物也可作為優選的聚合引發劑使用。偶氮化合物并無特別限定，例如可以使用2，2，-偶氮雙-2-曱基丙酰脒酸鹽、2，2，-偶氮雙-2，4-二曱基戊腈、2，2，-偶氮雙-N，N，-二亞曱基異丁基脒酸鹽、2，2，-偶氮雙異丁腈、2，2，-偶氮雙-2-甲基小-(2-羥基乙基)丙酰胺等。予以說明，這些聚合引發劑可以單獨使用l種，還可以并用2種以上。調制(甲基)丙烯酸系聚合物時的反應溫度并無特別限定，通常為5085。C左右。另外，反應時間也無特別限定，通常為18小時左右。另外，前述聚合方法中優選溶液聚合法。此時，作為(甲基)丙烯酸系聚合物的溶劑一般使用乙酸乙酯、甲苯等極性溶劑。另外，溶液溫度并無特別限定，通常為20~80重量％左右。為了提高作為基礎聚合物的(曱基)丙烯酸系聚合物的重均分子量，前述粘合劑中還可以適當加入交聯劑。前述交聯劑并無特別限定，例如可以舉出多異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、無水化合物、聚胺、含羧基聚合物等。考慮到剝離粘合力不會過度降低，一般相對于上述基礎聚合物100重量份，交聯劑的用量優選配合0.015重量份左右。另外，根據需要，前述粘合劑中除了上述成分之外還可含有以往公知的各種增粘劑、抗老化劑、填充劑、抗老化劑、著色劑等常用的添加劑。從防止對被加工物的污染等觀點出發，前述(甲基)丙烯酸系聚合物優選抑制了含有低分子量物質的聚合物，丙烯酸系聚合物的重均分子量優選為30萬以上、更優選為40300萬左右。為了防止激光引起的加工時的剝離，并提高之后剝離時從被加工物芯片上的剝離性，粘合劑還可制成通過紫外線、電子射線等發生固化的輻射線固化型粘合劑。予以說明，作為粘合劑使用輻射線固化型粘合劑時，由于在激光加工后對粘合劑層2a照射輻射線，因此前述基材2b優選具有充分的輻射線透過性。輻射線固化型粘合劑可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等輻射線固化型官能團、且顯示粘合性的粘合劑。輻射線固化型粘合劑例如可以舉出在前述(甲基)丙烯酸系聚合物中配合有輻射線固化性的單體成分或低聚物成分的輻射線固化性粘合劑。作為所配合的輻射線固化性的單體成分或低聚物成分，例如可以舉出尿烷(甲基)丙烯酸酯低聚物、三輕甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(曱基)丙烯酸酯、二(曱基)丙烯酸四乙二醇酯、三(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、四(甲基)丙烯酸季戊四醇酯、二季戊四醇單羥基五(曱基)丙烯酸酯、六(甲基)丙烯酸二季戊四醇酯、二(甲基)丙烯酸4-丁二醇酯、(甲基)丙烯酸l，6-己二醇酯等(甲基)丙烯酸與多元醇的酯化物；2-丙烯基-3-丁烯基氰脲酸酯、三(2-曱基丙烯酰氧乙基)異氰脲酸酯等異氰脲酸酯或異氰脲酸酯化合物等。這些物質可單獨使用l種，還可并用2種以上。前述輻射線固化性的單體成分或低聚物成分的配合量并無特別限定，考慮到粘合性，相對于構成粘合劑的(曱基)丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份，優選為5500重量份左右、更優選為70150重量^f分左右。另外，輻射線固化型粘合劑中，作為基礎聚合物，還可使用聚合物側鏈、主鏈或主鏈末端具有碳-碳雙鍵的物質。這種基礎聚合物優選以(甲基)丙烯酸系聚合物作為基本骨架。此時，可以不用特意添加輻射線固化性的單體成分或低聚物成分，其使用是任意的。在利用紫外線等使輻射線固化型粘合劑固化時，前述輻射線固化型粘合劑中可含有光聚合引發劑。前述光聚合引發劑例如可以舉出4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、a-羥基-a,a-甲基苯乙酮、曱氧基苯乙酮、2,2-二曱氧基-2-苯基苯乙酮、2，2-二乙氧基苯乙酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基-l-丙酮等苯乙酮系化合物，苯偶姻乙基醚、苯偶姻異丙基醚、茴香偶姻甲基醚等苯甲酰基醚系化合物，2-甲基-2-羥基丙基苯酮等a-酮醇系化合物，苯偶酰二曱基縮酮等縮酮系化合物，2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯系化合物，l-苯酮-l，l-丙二酮-2-(鄰-乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物，二苯甲酮、苯曱酰基苯曱酸、3,3，-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯曱酮系化合物，瘞噸酮、2-氯瘞噸酮、2-曱基瘞噸酮、2,4-二曱基p塞噸酮、異丙基p塞噸酮、2,4-二氯p塞噸酮、2,4-二乙基瘞噸酮、2，4-二異丙基瘞噸酮等瘞噸酮系化合物，樟腦醌、面化酮、酰基氧化膦、酰基膦酸酯等。相對于構成粘合劑的(甲基)丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份，前述光聚合引發劑的配合量優選為0.110重量份左右、更優選為0.55重量^f分左右。前述粘合劑層2a的交聯密度的控制例如可以通過借助多官能異氰酸酯系化合物、環氧系化合物、三聚氰胺系化合物、金屬鹽系化合物、金屬螯合劑系化合物、氨基樹脂系化合物、過氧化物等適當的交聯劑進行交聯處理的方式；混合具有2個以上碳-碳雙鍵的低分子化合物并利用能量射線的照射等進行交聯處理的方式等適當方式來進行。作為在基材2b上設置粘合劑層2a的方法，可以釆用公知的方法。例如使用直接涂布在基材2b上的方法、將設于涂布有脫模劑的片材上的粘合劑轉印到基材上的方法等適當方法。粘合劑層2a可以為l層或者層壓有2層以上。予以說明，粘合劑層2a的厚度可以在不從#:加工物和作為對象的祐^隻體上剝離的范圍內適當選擇。通常為2300(xm左右、優選為5100nm左右、更優選為1050,左右。另外，粘合劑層的粘接力優選為20N/20mm以下、更優選為0.00110N/20mm、進一步優選為0.01~8N/20mm。這些值基于對于SUS304的常溫(照射激光前)下的粘接力(90度剝離值、剝離速度300mm/分鐘)。本發明的粘合片2例如可以通過在前述基材2b的表面涂布粘合劑溶液并將其干燥(根據需要將其加熱交聯)而形成粘合劑層2a來制造。另外，還可以采用在剝離襯板上形成粘合劑層2a后，將其貼合到基材2b上的方法等。進而，為了進行標簽加工或者保護粘合劑層2a，還可根據需要在粘合劑層2a的表面設置隔離物。前述隔離物可以舉出紙、聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等合成樹脂薄膜等。為了提高對粘合劑層2a的剝離性，還可根據需要對隔離物的表面實施有機硅處理、長鏈烷基處理、氟處理等剝離處理。另外，為了防止粘合劑層2a由于環境紫外線而發生輻射線固化，還可根據需要實施防紫外線透過處理等。隔離物的厚度并無特別限定，通常為10200jiin、優選為25100拜。接著，說明本發明的激光加工方法。本實施方式的激光加工方法為使用粘合片2對4皮加工物照射激光，利用燒蝕對該凈皮加工物進行加工的激光加工方法。具體地說，包4舌在#皮加工物上借助粘合劑層2a粘貼粘合片2的工序；對被加工物照射至少被加工物引起燒蝕的臨界值的照射強度以上的激光，對該被加工物進行加工的工序。在前述4皮加工物1上粘貼粘合片2的工序可以通過輥層壓、壓制等以往公知的方法進行。在與被加工物的加工表面相反側的面上借助粘合劑層來進行粘貼。前述加工被加工物的工序為使用激光并利用燒蝕對被加工物進行激光加工的工序。本工序中，作為前述激光，使用波長為紫外線區域的激光或者能夠進行經由多光子吸收過程的紫外光區域的光吸收的激光。特別是，更優選使用不經由熱加工過程的、引起光化學燒蝕的激光。進而，更加優選使用能夠聚光成20^m以下的窄寬度來進行截斷等加工的激光。其原因在于，使用這種激光時，提高激光加工時熱損害所導致的孔的邊緣或截斷壁面的精度，外觀也變得良好。另外，前述激光優選使用被加工物引起燒蝕的臨界值的照射強度以上、且在該被加工物上形成貫通孔的照射強度的2倍以內的激光。另外，優選利用脈沖激光進行。進而，作為前述激光，優選能夠利用400nm以下紫外吸收進行燒蝕的激光。具體地說，例如可以舉出KrF準分子激光(ExcimerLaser)(振蕩波長248nm)、XeCl準分子激光(振蕩波長308nm)、YAG激光的第3高次諧波(振蕩波長355nm)或者第4高次諧波(振蕩波長266nm)或者YLP(釔-鋰-氟化物)或者YV04(釔-鈀酸鹽)等固體激光的第3高次諧波或第4高次諧波等的在400nm以下具有振蕩波長的激光。另外，即便是超過400nm的波長的激光，能夠進行經由多光子吸收過程的紫外線區域的光吸收、且利用多光子吸收燒蝕能夠進行20pm以下寬度截斷加工的波長為750nm800nm附近的4太藍寶石激光等脈沖寬度為1xe^秒(O.OOOOOOOOl秒)以下的激光等也是適合的。予以說明，^使用YAG激光的基波(波長1.06pm)或紅寶石激光(波長694nm)等激光時，即便將其聚光，光束徑也僅能集中至50nm左右。但是，使用本實施方式的紫外光區域的激光時，能夠進一步集中光束徑(例如20pm左右)。因此，在截斷時沒有必要采用大的截斷寬度。在本工序中進行的加工例如為截斷加工、打孑L力口工、作記號、溝力。工、劃線加工或j奮邊加工等形狀加工。為截斷加工時，如圖1或圖2所示進行。圖1為用于說明本實施方式的被加工物的截斷加工的概略圖。圖2為表示本實施方式的截斷加工的截面圖。圖1和圖2所示的被加工體3為被加工物1和粘合片2的層壓體。粘合片2為在基材2b上設有粘合劑層2a的結構。被加工物l和粘合片2的粘貼可以通過輥層壓、壓制等公知的方法進行。截斷加工為將被加工體3固定于吸附臺4的吸附板5上進行。使用透鏡將由規定激光振蕩器輸出的激光6聚光，照射于被加工物上。在照射的同時，使激光照射位置沿著規定加工線路移動，進行截斷加工。截斷加工利用使用了電流掃描或X-Y臺式掃描的激光加工方法、掩一莫成{象方式激光加工等7>知的激光加工方法。激光的加工條件只要是被加工物1完全被截斷的條件則無特別限定。即，可以根據被加工物材料的燒蝕臨界值決定其照射強度的最佳值。但是，為了避免粘合片2被截斷，優選為在被加工物1上形成貫通孔的加工條件的2倍以內。另外，通過集中激光的聚光部的光束徑而可以使截斷寬度(截斷溝)較細，為了得到截斷端面的精度，優選滿足以下關系。光束徑(fim)〉2x(激光移動速度(Am/sec)/激光的重復頻率數(Hz))當被加工物l的背面未粘有粘合片2時，來自于被加工物l和吸附臺4的分解飛散物附著在激光加工品的激光出射側的截斷端面附近。但是，這些污染可以通過粘貼本實施方式的粘合片2來防止。打孔加工時，如圖3所示進行。圖3為用于說明本實施方式被加工物1的打孔加工的概略圖。打孔加工利用<吏用了電流掃描或X-Y臺式掃描的激光加工方法、利用掩模成像的沖孔(punching)力口工等/>4口的；敫光力口工方法。予以-沈明，本工序中，還可以在激光入射側粘貼激光加工性良好的片材或其它粘合片來進行。另外，還可以對利用激光進行加工的部分吹拂氦氣、氮氣、氧氣等氣體。其原因在于，通過如此進行，可以容易地除去激光入射側的一皮加工物表面的殘渣。剝離前述粘合片2的工序為從加工后的被加工物(圖2和圖3所示的激光加工品9)上剝離粘合片2的工序。剝離的方法并無特別限定，可以采用以往>知的方法。^旦是，優選剝離時被加工物沒有受到永久變形的應力。因而，從排除所受應力的觀點出發，例如可以使用通過輻射線照射或加熱等使粘合力降低的粘合片。這是因為，這種粘合片兼具加工時的保持力和剝離時的容易性。粘合片2的粘合劑層2a中使用輻射線固化型粘合劑時，根據粘合劑的種類而通過輻射線照射將粘合劑層2a固化，使得粘合性降低。通過輻射線照射，粘合劑層2a的粘合性由于固化而降低，可以容易地進行剝離。輻射線照射的方法并無特別限定，例如通過紫外線照射等進行。另外，為半導體晶片的截斷加工(切割加工)時，如圖5所示，將半導體晶片(被加工物)7的單面粘貼在設于吸附臺4上的粘合片2上，將其固定在切割框8上。進而，使用透鏡將由規定激光振蕩器輸出的激光6集光照射于半導體晶片7上，同時使該激光照射位置沿著規定的加工路線移動，從而進行截斷加工。作為激光的移動方法，使用電流掃描或X-Y臺式掃描、掩模成像加工這樣的公知激光加工方法。該半導體晶片的加工條件只要是半導體晶片7被截斷、且粘合片2不被完全截斷的條件則無特別限定。予以說明，可以在半導體晶片7的激光入射面側設置保護片材。這種半導體晶片7的切割加工中，可以在截斷成各個半導體芯片(激光加工品)后，利用以往已知的芯片焊接機(DieBonder)等裝置，通過使用被稱作針(needle)的頂針進行拾取(pick-up)的方法或者日本特開號公報所公開的方式等公知方法將各個半導體晶片拾取進行回收。予以說明，本實施方式中，作為能夠激光加工的#:加工物，只要是能夠通過利用前述激光的燒蝕進行激光加工的被加工物則無特別限定。例如可以舉出各種片材材料、電路基板、半導體晶片、玻璃基板、陶瓷基板、金屬基板、半導體激光等的發光或受光元件基板、MEMS(微電子機械系統)基板、半導體封裝體、布、皮、紙等。各種片材材料例如可以舉出聚酰亞胺系樹脂、聚酯系樹脂、環氧系樹脂、尿烷系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚酰胺系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、硅酮系樹脂、氟系樹脂等的高分子薄膜或無紡布，利用拉伸加工、浸漬加工等對這些樹脂賦予物理或光學功能而獲得的物質，鋼、鋁、不銹鋼等金屬片材或者直接層壓或借助粘合劑層層壓上述聚合物片材和/或金屬片材而獲得的物質等。另外，作為電路基板可以舉出單面、雙面或多層柔性印刷基板，環氧玻璃、陶資、金屬芯基板等構成的剛性基板，形成于玻璃或聚合物上的光電路或光-電混成電路基板等。在與這樣準備的被加工物的激光照射面的相反面上粘貼特定的粘合片。以下使用實施例詳細地說明本發明，本發明只要不超過其主旨，并非限定于以下實施例。基材的蝕刻率的測定基材的背面側的蝕刻率測定如下進行。利用fe透鏡將光束整形為頂帽(tophat)形狀的YAG激光(最大輸出功率5W、重復頻率30kHz)的第三高次諧波(波長355nm)集光，在脈沖數200(pulse)的條件下，分別照射于基材和粘合劑層的表面。照射后，利用光學顯微鏡測定形成于基材和粘合劑層的孔穴深度(pm)。根據該測定值，利用下述式算出蝕刻速度。結果示于下述表l。蝕刻速度=孔穴深度(|im)/脈沖數(pulse)另外，蝕刻率由蝕刻速度和能量密度并利用下述式算出。結果示于下述表l。蝕刻率=蝕刻速度((pm)/pulse)/能量密度(J/cm2)吸光系#:的測定片材狀的粘合劑和基材在波長355nm下的吸光系數用以下方法測定。即，使用紫外可見分光光度計UV-2550(SHIMADZU(株)制)，將片材狀的粘合劑或基材安裝于模具上，測定對波長355nm激光的透射率T。/。和反射率R0/。，利用下式進行計算。結果示于下述表l。T，=T/(100-R)xlOO吸光系數[cm"hLN(1/T，)/片材狀的粘合劑或基材的厚度實施例1在由聚乙烯形成的基材(厚度100pm、基材背面側的蝕刻率0[((im/pulse)/(J/cm2)]、背面側的熔點98。C、基材的吸光系數5.7)上涂布丙烯酸系粘合劑溶液，干燥，形成粘合劑層(厚度lOpm),獲得激光加工用粘合片。予以說明，丙烯酸系粘合劑溶液利用以下方法調制。將IOO重量份以重量比60/40/4/l共聚丙烯酸丁酯/丙烯酸乙酯/丙烯酸2-羥乙酯/丙烯酸而成的重均分子量50萬的丙烯酸系聚合物、3重量份異氰酸酯系交聯劑(日本聚氨酯公司制造、CoronateHL)和2重量4分環氧系交聯劑(MitsubishiGasChemicalCompany,Inc.制造、TETRADC)添加于500重量^f分甲苯中，均勻地溶解混合，調制出丙烯酸系粘合劑。予以說明，合成的丙烯酸系聚合物的重均分子量用以下方法測定。即，將合成的丙烯酸系聚合物以0.1wto/。溶解于THF中，使用GPC(凝膠滲透色譜法)利用苯乙烯換算測定重均分子量。測定條件為GPC裝置TOSOHCORPORATION制造、HLC-8120GPC、柱TOSOHCORPORATION制造、(GMHHR-H)+(GMHHR-H)+(G2000HHR)、流量0.8ml/min、濃度0.1wt%、注入量100^1、柱溫度40°C、洗脫液THF。實施例2在本實施例2中，作為粘合片的基材，使用在乙烯乙酸乙烯酯共聚物(乙酸乙烯酯率10%、厚度50^im)的背面側層壓聚乙烯(厚度50)im)而成的基材(厚度100nm、基材背面側的蝕刻率0、背面樹脂的熔點98。C、基材的吸光系數6.3)，除此之外，與前述實施例l同樣制作激光加工用粘合片。實施例3在本實施例3中，作為粘合片的基材，使用在聚丙烯(厚度50pm)的背面側層壓聚乙烯(厚度50jim)而成的基材(厚度100pm、基材背面側的蝕刻率0、背面樹脂的熔點98。C、基材的吸光系數4.8),除此之外，與前述實施例l同樣制作激光加工用粘合片。比壽交例1在本比較例l中，作為粘合片的基材，使用在聚乙烯(厚度50pm)的背面側層壓聚丙烯(厚度50^im)而成的基材(厚度100jim、基材背面側的蝕刻率0.8、背面樹脂的熔點140°C、基材的吸光系數4.8),除此之外，與前述實施例l同樣制作激光加工用粘合片。比壽交例2在本比較例2中，作為粘合片的基材，使用在聚乙烯(厚度50|im)的背面側層壓乙烯乙酸乙烯酯共聚物(乙酸乙烯酯率10%、厚度50pm)而成的基材(厚度100pm、基材背面側的蝕刻率0、背面樹脂的熔點75°C、基材的吸光系數6.3),除此之外，與前述實施例l同樣制作激光加工用粘合片。激光加工作為被加工物使用厚度100nm的硅鏡面晶片。將前述實施例和比較例中分別制作的粘合片按照粘合劑層成為粘接面的方式使用輥層壓機進行粘貼。進而，將這些樣品靜置于加工裝置中裝有玻璃制桌的X-Y臺上，使得硅鏡面晶片為上側。接著，利用fe透鏡將平均輸出功率5W、重復頻率數30kHz的YAG激光的第3高次諧波(355nm)集光成25iim直徑，利用電流掃描器以20mm/秒的速度掃描激光進行截斷加工。此時，確認粘合片中的基材與玻璃桌之間有無熔接，沒有熔接時評價為良好、有熔接時評價為不良。結果示于下述表l。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>權利要求1.一種激光加工用粘合片，其特征在于，其為在利用波長為紫外光區域的激光或者能夠進行經由多光子吸收過程的紫外光區域的光吸收的激光對被加工物進行激光加工時使用的激光加工用粘合片，其中，具有基材和設于該基材的一個面上的粘合劑層，前述基材的另一個面的熔點為80℃以上，且對前述另一個面照射前述激光時的蝕刻率(蝕刻速度/能量密度)為0.1[(μm/pulse)/(J/cm2)]以下。2.根據權利要求l所述的激光加工用粘合片，其中前述基材的吸光系數相對于^L定振蕩波長的前述激光為10(1/cm)以下。3.根據權利要求l所述的激光加工用粘合片，其中前述基材為層壓體，在前述另一個面側設有由聚乙烯形成的層。4.根據權利要求3所述的激光加工用粘合片，其中前述由聚乙烯形成的層的厚度為5pm以上。5.根據權利要求l所述的激光加工用粘合片，其中前述基材由聚烯烴系樹脂形成。6.根據權利要求l所述的激光加工用粘合片，其中前述基材的厚度為500jim以下。7.根據權利要求l所述的激光加工用粘合片，其中前述粘合劑層由輻射線固化型粘合劑形成，且前述基材具有輻射線透過性。8.—種激光加工方法，該激光加工方法-使用纟又利要求l所述激光加工用粘合片，將波長為紫外光區域的激光或者能夠進行經由多光子吸收過程的紫外光區域的光吸收的激光照射于被加工物，利用燒蝕對該被加工物進行加工，該方法包括以下工序在前述被加工物上借助前述粘合劑層粘貼激光加工用粘合片的工序；將至少前述被加工物引起燒蝕的臨界值的照射強度以上的前述激光照射于#:加工物，對該凈皮加工物進4亍加工的工序。9.根據權利要求8所述的激光加工方法，其中前述被加工物為半導體晶片，通過前述激光的照射將前述半導體晶片單片化而形成半導體芯片。10.根據權利要求8所述的激光加工方法，其中作為前述激光，使用在前述被加工物上形成貫通孔的照射強度的2倍以內的激光。11.根據權利要求8所述的激光加工方法，其中照射于前述被加工物的激光的光束徑為20pm以下。12.根據權利要求8所述的激光加工方法，其中照射于前述被加工物的激光的照射條件為下述式所示的關系。光束徑(jim)〉2x(激光移動速度(Am/sec)/激光的重復頻率數(Hz))。13.根據權利要求8所述的激光加工方法，其中作為前述激光，使用^展蕩波長為400nm以下的激光。14.根據權利要求8所述的激光加工方法，其中作為前述激光，使用振蕩波長為750800nm、且脈沖寬度為1xe^秒以下的激光。全文摘要本發明提供一種激光加工用粘合片和激光加工方法，其在利用激光對被加工物進行激光加工時，可防止基材和吸附臺的熔接、生產效率良好且易于進行被加工物的激光加工。本發明的激光加工用粘合片，其特征在于，其為在利用波長為紫外光區域的激光或者能夠進行經由多光子吸收過程的紫外光區域的光吸收的激光對被加工物進行激光加工時使用的激光加工用粘合片，其中，具有基材和設于該基材的一個面上的粘合劑層，前述基材的另一個面的熔點為80℃以上，且對前述另一個面照射前述激光時的蝕刻率(蝕刻速度/能量密度)為0.1[(μm/pulse)/(J/cm²)]以下。文檔編號B23K26/00GK101602148SQ200910203670公開日2009年12月16日申請日期2009年6月9日優先權日2008年6月11日發明者東別府優樹,淺井文輝,高橋智一申請人:日東電工株式會社