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一種透明陶瓷白光led及其制備方法

文檔(dang)序號:2945288閱讀(du):244來(lai)源:國知局
專利名稱:一種透明陶瓷白光led及其制備方法
技術領域
本發明涉及白光LED領域,特別涉及一種透明陶瓷白光LED及其制備方法。
背景技術
以發光二極管(LED)為主的半導體照明是21世紀最具有發展前景的高新技術領域。作為一種新穎的半導體光源,白光LED以其效率高、功耗小、壽命長、固態節能以及綠色環保等顯著優點,真正點燃了 “綠色照明的光輝”,這是許多傳統的光源無法比擬的,因而具有廣泛的應用前景。其應用領域包括液晶顯示器(LCD)背光源(汽車、音響儀表板、手機背光板)、交通信號燈、室內照明、廣場照明等。受手機、汽車產業等領域高速發展和普通照明市場的需求,人們對白光LED的需求量急劇增加。因此,白光LED的市場潛力可以說是相當巨大的。目前白光LED的主流技術仍是熒光粉轉換,即將熒光粉Y3Al5O12= Ce(YAG = Ce)與灌封膠混合,然后點涂在藍光LED芯片上,通過波長轉換形成白光,熒光粉涂層厚度約2_,夕卜面的保護透鏡常用聚碳酸酯(PC)或有機玻璃。由于現有白光LED的結構和熒光粉的性能,使得現有白光LED主要存以下問題I、光提取率不高。常用熒光粉粒徑在Ium以上,折射率大于或等于I. 85,而灌封硅膠折射率一般在I. 5左右,由于兩者間折射率不匹配,以及熒光粉粒徑遠大于光散射極限,因而在熒光粉顆粒表面存在光散射,降低了出光效率。2、耐熱性差。隨著溫度上升,熒光粉量子效率降低,出光減少,輻射波長也會發生變化,從而引起白光LED色溫、色度的變化,較高的溫度還會加速熒光粉的老化。原因在于熒光粉涂層是由環氧或硅膠與熒光粉調配而成,散熱性能較差,當受到紫光或紫外光的輻射時,易發生溫度猝滅和老化,使發光效率降低。3、散熱性能不佳。常用白光LED的透鏡外殼多用PC,其溫度不能超過110°C,且熱導率不高,為0. 1975ff/mK,因此散熱性能不佳。這些問題的解決是LED快速發展的關鍵。為了解決上述問題,有不少專利或專利申請問世CN1815765A公開了一種YAG晶片式白光發光二極管及其封裝方法,將稀土摻雜的YAG晶片用作熒光材料以替代熒光粉。但是由于晶體生長方面的限制,大尺寸的YAG單晶材料需要特殊的設備和復雜的工藝,與陶瓷相比,其制備周期長、成本較高、易于開裂,因此使該方法的應用受到限制。
CN101697367A公開了一種利用透明陶瓷制備LED的方法,該方法將定量的熒光粉加入到透明陶瓷粉體中,充分混合后按陶瓷制備工藝制備出熒光透明陶瓷。所述熒光粉包括黃色、紅色、綠色、橙色、藍色、紫色熒光粉中的一種或多種按比例混合而成,所述透明陶瓷粉體的材料為鎂鋁尖晶石、釔鋁石榴石、氧化釔、氮氧化鋁等中的一種。此種方法存在的問題是熒光粉與陶瓷粉體晶格常數、折射率等不匹配,因而在燒結過程中不能完全互溶,所制備的透明陶瓷均勻性、透光率不高,導致封裝的白光LED燈的出射光在空間分布不均勻,光提取率不高。
CN201576698U公開了一種透明陶瓷白光LED器件,包括作為發光材料的塊體透明陶瓷發光體,LED芯片以及承載LED芯片和透明陶瓷發光體的載體,LED芯片位于載體開設的凹槽底部,透明陶瓷發光體直接疊放在LED芯片上或鑲嵌在載體中。該專利用塊體透明陶瓷發光體取代熒光粉雖然有效減少了光的散射,有利于提高發光效率,相對于單晶材料的制備,工藝更為簡化,但該專利并未公開所述塊體透明陶瓷發光體的成分,也未公開其透明陶瓷白光LED器件的發光效率,而透明陶瓷發光體的成分對發光效率的提高是重要因素之一。此外,其LED芯片位于載體開設的凹槽底部,透明陶瓷發光體直接疊放在LED芯片上并不能實現它們在載體上的固定,對透明陶瓷白光LED器件的正常工作與使用壽命也會造成影響,LED芯片在載體上的鑲嵌會使載體的制備工序增加。

發明內容
本發明的目的是提供一種透明陶瓷白光LED及其制備方法,以進一步提高白光LED的發光效率,改善散熱條件、使其工作穩定、使用壽命長,封裝更簡單。本發明所述透明陶瓷白光LED,包括支架、藍光LED芯片和透明陶瓷熒光體,所述透明陶瓷熒光體為鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片,藍光LED芯片位于支架所設置的凹槽內且與支架底部安裝的電極連接,鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片覆蓋藍光LED芯片,通過填充在鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片與藍光LED芯片之間的硅膠將所述透明陶瓷片與所述LED芯片固定在支架上。本發明所述透明陶瓷白光LED,其鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片用化學式為(YhCex)3Al5O12 的材料制作,式中 0. 0005 彡 x 彡 0. 005。本發明所述透明陶瓷白光LED,其鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片的厚度為0. Imm I. Omm0上述鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片的制備方法為根據化學式(YhCex)3Al5O12O). 0005 ^ x ^ 0. 005)計量釔鹽、鋁鹽和鈰鹽,將釔鹽、鋁鹽和鈰鹽用去離子水溶解并混合均勻,配制成Al3+濃度為0. lmol/L 0. 2mol/L的混合鹽溶液;將NH4HCO3溶于乙醇-水復合溶劑中,配制NH4HCO3濃度為0. 5mol/L 2mol/L的沉淀劑溶液,所述乙醇與水的體積比為0. 5 : I I. 2 : I ;將所述混合鹽溶液在常壓、10°C 20°C下滴定到所述沉淀劑溶液中,滴定結束后陳化至少10小時,然后經真空抽濾、洗滌、烘干,得到前驅體;將所述前驅體在1100 1250°C焙燒2 3小時,得到鈰摻雜釔鋁石榴石粉體;將所述鈰摻雜釔鋁石榴石粉體經過干壓成型和冷等靜壓形成素坯,再將素坯放到真空燒結爐中在1700 1780°C燒結至少10小時,得到鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片。上述鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片的制備方法中,所述釔鹽為Y (NO3) 3或YCl3,所述鋁鹽為NH4Al (SO4) 2或Al (NO3) 3,所述鈰鹽為Ce (NO3) 3。本發明具有以下有益效果(I)由于本發明所述透明陶瓷白光LED的發光體是用化學式為(YhCex)3Al5O12O). 0005 ^ x ^ 0. 005)的材料制作的透明陶瓷片,所述透明陶瓷片的折射率為I. 85 (400nm處),因而可以提聞白光LED器件的發光性能,使其光提取效率聞(光效可達99. 481m/W,見實施例 2)。(2)本發明所述透明陶瓷白光LED的發光體中,其鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片的熱導率為12. 9ff/mK,是硅膠熱導率的5 40倍,是環氧樹脂和聚碳酸酯(PC)熱導率的的65倍(環氧樹脂的熱導率為0. 19W/mK,硅膠的熱導率為0. 3 2. 5W/mK,聚碳酸酯(PC)透鏡外殼的熱導率為0. 1975ff/mK),因而可以有效改善藍光LED芯片的散熱效果,提高白光LED的穩定性。(3)本發明所述透明陶瓷白光LED,其發光體鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片耐高溫、熱穩定性高、力學性能好、透明度高,因而無需再加透鏡外殼,使器件更耐磨損、抗沖擊,能在聞溫環境應用。(4)由于鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片在大小和形狀上可以精確控制,因而可簡化集成封裝工藝,提高制作功效。



圖I是本發明所述透明陶瓷白光LED的結構示意圖;圖2是圖I的俯視圖,圖中為去除鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片和硅膠的狀態;圖3是實施例I所述透明陶瓷白光LED的光譜能量分布圖;圖4是實施例2所述透明陶瓷白光LED的光譜能量分布圖;圖5是實施例3所述透明陶瓷白光LED的光譜能量分布圖。圖中,I-支架、2-藍光LED芯片、3_鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片、4_硅膠,5_金線,6-電極。
具體實施例方式下面通過實施例對本發明所述透明陶瓷白光LED及其制備方法作進一步說明。下述實施例中,藍光LED芯片的型號為晶元芯片ES-CADBV45H,購自深圳市順百科技有限公司;支架用聚酰胺(PPA)和銅材料制備,硅膠為透明硅膠。實施例I本實施例中,透明陶瓷白光LED的結構如圖I、圖2所示,包括支架I、藍光LED芯片2和鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片3,支架為設置有凹槽的圓臺體,鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片3為厚度Imm的圓片,用化學式為(Ya 995Ceacici5)3Al5O12的材料制作,制備方法如下按照上述化學式中的組成計量 Y (NO3) 3、NH4Al (SO4)2, Ce (NO3) 3,將 Y (NO3) 3、NH4Al (SO4)2,Ce(NO3)3用去離子水溶解并混合均勻,配制成Al3+濃度為0. lmol/L的混合鹽溶液。將NH4HCO3溶于乙醇-水復合溶劑中,配制NH4HCO3濃度為lmol/L的沉淀劑溶液,所述乙醇與水的體積比為0.5 I ;將所述混合鹽溶液在常壓、15°C下滴定到所述沉淀劑溶液中,滴定結束后陳化10小時;對陳化好的沉淀溶液進行真空抽濾,得到乳白色沉淀物,然后用去離子水將沉淀物清洗3次,除去雜質離子,再用無水乙醇清洗2次,除去水分;將洗滌后的白色沉淀物放入干燥箱中,在常壓、90°C干燥24小時得到前驅體;將前驅體在1100°C焙燒3小時,得到鈰摻雜釔鋁石榴石粉體。將所述鈰摻雜釔鋁石榴石粉體經過干壓成型和冷等靜壓形成厚度為Imm的圓形素坯,再將所述素坯放到真空燒結爐中在1730°C燒結10小時,得到鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片。將藍光LED芯片2放在支架I所設置的凹槽內,將藍光LED芯片2的金線5與安裝在支架底部的電極6焊接,然后將硅膠4填充到支架的凹槽內,填充厚度約0. 6_,再將鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片3覆蓋在硅膠4上完成各構件的組合,繼后將形成的的組合體放入烘箱,在120°C烘烤至硅膠固化(約4小時),當硅膠固化后,所述鈰摻雜釔鋁石榴石陶瓷片與藍光LED芯片被固定在支架上,即形成圖I、圖2所示的透明陶瓷白光LED。本實施例所制備的透明陶瓷白光LED在350mA恒流驅動下,其光譜能量分布圖如圖3所示。其性能指標如下光效96.861m/ff顯色指數56. 8 色溫4252K。實施例2本實施例中,透明陶瓷白光LED的結構如圖I、圖2所示,包括支架I、藍光LED芯片2和鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片3,支架為設置有凹槽的圓臺體,鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片3為厚度Imm的圓片,用化學式為(Ya 999Ceacm)3Al5O12的材料制作,制備方法如下按照上述化學式中的組成計量 Y (NO3) 3、NH4Al (SO4)2, Ce (NO3) 3,將 Y (NO3) 3、NH4Al (SO4)2,Ce(NO3)3用去離子水溶解并混合均勻,配制成Al3+濃度為0. 15mol/L的混合鹽溶液。將NH4HCO3溶于乙醇-水復合溶劑中,配制NH4HCO3濃度為0. 5mol/L的沉淀劑溶液,所述乙醇與水的體積比為I : I ;將所述混合鹽溶液在常壓、20°C下滴定到所述沉淀劑溶液中,滴定結束后陳化12小時;對陳化好的沉淀溶液進行真空抽濾,得到乳白色沉淀物,然后用去離子水將沉淀物清洗3次,除去雜質離子,再用無水乙醇清洗2次,除去水分;將洗滌后的白色沉淀物放入干燥箱中,在常壓、90°C干燥24小時得到前驅體;將前驅體在1250°C焙燒2小時,得到鈰摻雜釔鋁石榴石粉體。將所述鈰摻雜釔鋁石榴石粉體經過干壓成型和冷等靜壓形成厚度為1_的圓形素坯,再將所述素坯放到真空燒結爐中在1750°C燒結12小時,得到鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片。本實施例中,透明陶瓷白光LED各構件或器件的組合方式及封裝方法與實施例I相同。本實施例所制備的透明陶瓷白光LED在350mA恒流驅動下,其光譜能量分布圖如圖4所示。其性能指標如下光效99.481m/ff顯色指數60. 3色溫4804K。實施例3本實施例中,透明陶瓷白光LED的結構如圖I、圖2所示,包括支架I、藍光LED芯片2和鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片3,支架為設置有凹槽的圓臺體,鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片3為厚度Imm的圓片,用化學式為(Ya 9995Ceacicici5)3Al5O12的材料制作,制備方法如下按照上述化學式中的組成計量 Y (NO3) 3、A1 (NO3) 3>Ce (NO3) 3,將 Y (NO3) 3、A1 (NO3) 3、Ce (NO3) 3 用去離子水溶解并混合均勻,配制成Al3+濃度為0. 2mol/L的混合鹽溶液。將NH4HCO3溶于乙醇-水復合溶劑中,配制NH4HCO3濃度為2mol/L的沉淀劑溶液,所述乙醇與水的體積比為
1.2 I ;將所述混合鹽溶液在常壓、10°C下滴定到所述沉淀劑溶液中,滴定結束后陳化10小時;對陳化好的沉淀溶液進行真空抽濾,得到乳白色沉淀物,然后用去離子水將沉淀物清洗3次,除去雜質離子,再用無水乙醇清洗2次,除去水分;將洗滌后的白色沉淀物放入干燥箱中,在常壓、90°C干燥24小時得到前驅體;將前驅體在1200°C焙燒2. 5小時,得到鈰摻雜釔鋁石榴石粉體。將所述鈰摻雜釔鋁石榴石粉體經過干壓成型和冷等靜壓形成厚度為1_的圓形素坯,再將所述素坯放到真空燒結爐中在1780°C燒結10小時,得到鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片。本實施例中,透明陶瓷白光LED各構件或器件的組合方式及封裝方法與實施例I相同。本實施例所制備的透明陶瓷白光LED在350mA恒流驅動下,其光譜能量分布圖如圖5所示。其性能指標如下 光效85.111m/W顯色指數67. 4色溫6560K。實施例4本實施例中,透明陶瓷白光LED的結構如圖I、圖2所示,包括支架I、藍光LED芯片2和鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片3,支架為設置有凹槽的圓臺體,鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片3為厚度0. Imm的圓片,用化學式為(Ya 995Ceatltl5)3Al5O12的材料制作,制備方法如下:按照上述化學式中的組成計量YC13、Al (NO3) 3、Ce (NO3) 3,將YC13、Al (NO3) 3、Ce (NO3)3用去離子水溶解并混合均勻,配制成Al3+濃度為0. 15mol/L的混合鹽溶液。將NH4HCO3溶于乙醇-水復合溶劑中,配制NH4HCO3濃度為lmol/L的沉淀劑溶液,所述乙醇與水的體積比為0.5 I ;將所述混合鹽溶液在常壓、15°C下滴定到所述沉淀劑溶液中,滴定結束后陳化10小時;對陳化好的沉淀溶液進行真空抽濾,得到乳白色沉淀物,然后用去離子水將沉淀物清洗3次,除去雜質離子,再用無水乙醇清洗2次,除去水分;將洗滌后的白色沉淀物放入干燥箱中,在常壓、90°C干燥24小時得到前驅體;將前驅體在1100°C焙燒3小時,得到鈰摻雜釔鋁石榴石粉體。將所述鈰摻雜釔鋁石榴石粉體經過干壓成型和冷等靜壓形成厚度為0. Imm的圓形素坯,再將所述素坯放到真空燒結爐中在1750°C燒結10小時,得到鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片。將藍光LED芯片2放在支架I所設置的凹槽內,將藍光LED芯片2的金線5與安裝在支架底部的電極6焊接,然后將硅膠4填充到支架的凹槽內,填充厚度約0. 3_,再將鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片3覆蓋在硅膠4上完成各構件的組合,繼后將形成的的組合體放入烘箱,在100°C烘烤至硅膠固化(約3. 5小時),當硅膠固化后,所述鈰摻雜釔鋁石榴石陶瓷片與藍光LED芯片被固定在支架上,即形成圖I、圖2所示的透明陶瓷白光LED。本實施例所制備的透明陶瓷白光LED在350mA恒流驅動下,其光譜能量分布圖如圖3所示。其性能指標如下光效55.921m/ff顯色指數73. 4色溫8640K。實施例5本實施例中,透明陶瓷白光LED的結構如圖I、圖2所示,包括支架I、藍光LED芯片2和鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片3,支架為設置有凹槽的圓臺體,鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片3為厚度0. 4mm的圓片,用化學式為(Ya 999Ceatltll)3Al5O12的材料制作,制備方法如下:按照上述化學式中的組成計量YC13、Al (NO3) 3、Ce (NO3) 3,將YC13、Al (NO3) 3、Ce (NO3)3用去離子水溶解并混合均勻,配制成Al3+濃度為0. lmol/L的混合鹽溶液。將NH4HCO3溶于乙醇-水復合溶劑中,配制NH4HCO3濃度為0. 5mol/L的沉淀劑溶液,所述乙醇與水的體積比為I I;將所述混合鹽溶液在常壓、20°C下滴定到所述沉淀劑溶液中,滴定結束后陳化11小時;對陳化好的沉淀溶液進行真空抽濾,得到乳白色沉淀物,然后用去離子水將沉淀物清洗3次,除去雜質離子,再用無水乙醇清洗2次,除去水分;將洗滌后的白色沉淀物放入干燥箱中,在常壓、90°C干燥24小時得到前驅體;將前驅體在1250°C焙燒2小時,得到鈰摻雜釔鋁石榴石粉體。將所述鈰摻雜釔鋁石榴石粉體經過干壓成型和冷等靜壓形成厚度為0. 4mm的圓形素坯,再將所述素坯放到真空燒結爐中在1700°C燒結12小時,得到鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片。
將藍光LED芯片2放在支架I所設置的凹槽內,將藍光LED芯片2的金線5與安裝在支架底部的電極6焊接,然后將硅膠4填充到支架的凹槽內,填充厚度約0. 4_,再將鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片3覆蓋在硅膠4上完成各構件的組合,繼后將形成的的組合體放入烘箱,在110°C烘烤至硅膠固化(約3. 5小時),當硅膠固化后,所述鈰摻雜釔鋁石榴石陶瓷片與藍光LED芯片被固定在支架上,即形成圖I、圖2所示的透明陶瓷白光LED。本實施例所制備的透明陶瓷白光LED在350mA恒流驅動下,其光譜能量分布圖如圖4所示。其性能指標如下光效47.11m/W顯色指數73. 8色溫8316K。實施例6本實施例中,透明陶瓷白光LED的結構如圖I、圖2所示,包括支架I、藍光LED芯片2和鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片3,支架為設置有凹槽的圓臺體,鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片3為厚度0. 7mm的圓片,用化學式為(Ya 9995Ceacitltl5) 3A15012的材料制作,制備方法如下:按照上述化學式中的組成計量YC13、Al (NO3) 3、Ce (NO3) 3,將YC13、Al (NO3) 3、Ce (NO3)3用去離子水溶解并混合均勻,配制成Al3+濃度為0. 2mol/L的混合鹽溶液。將NH4HCO3溶于乙醇-水復合溶劑中,配制NH4HCO3濃度為2mol/L的沉淀劑溶液,所述乙醇與水的體積比為
1.2 I ;將所述混合鹽溶液在常壓、10°C下滴定到所述沉淀劑溶液中,滴定結束后陳化10小時;對陳化好的沉淀溶液進行真空抽濾,得到乳白色沉淀物,然后用去離子水將沉淀物清洗3次,除去雜質離子,再用無水乙醇清洗2次,除去水分;將洗滌后的白色沉淀物放入干燥箱中,在常壓、90°C干燥24小時得到前驅體;將前驅體在1200°C焙燒2. 5小時,得到鈰摻雜釔鋁石榴石粉體。將所述鈰摻雜釔鋁石榴石粉體經過干壓成型和冷等靜壓形成厚度為0. 7mm的圓形素坯,再將所述素坯放到真空燒結爐中在1780°C燒結10小時,得到鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片。將藍光LED芯片2放在支架I所設置的凹槽內,將藍光LED芯片2的金線5與安裝在支架底部的電極6焊接,然后將硅膠4填充到支架的凹槽內,填充厚度約0. 5_,再將鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片3覆蓋在硅膠4上完成各構件的組合,繼后將形成的的組合體放入烘箱,在120°C烘烤至硅膠固化(約4小時),當硅膠固化后,所述鈰摻雜釔鋁石榴石陶瓷片與藍光LED芯片被固定在支架上,即形成圖I、圖2所示的透明陶瓷白光LED。
本實施例所制備的透明陶瓷白光LED在350mA恒流驅動下,其光譜能量分布圖如圖5所示。其性能指標如下光效59.851m/ff
顯色指數76. 4色溫10084K。
權利要求
1.一種透明陶瓷白光LED,包括支架(I)、藍光LED芯片(2)和透明陶瓷熒光體,其特征在于所述透明陶瓷熒光體為鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片(3),藍光LED芯片(2)位于支架(I)所設置的凹槽內且與支架底部安裝的電極(6)連接,鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片(3)覆蓋藍光LED芯片(2),通過填充在鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片(3)與藍光LED芯片(2)之間的硅膠(4)將所述透明陶瓷片(3)與所述LED芯片(2)固定在支架上。
2.根據權利要求I所述的透明陶瓷白光LED,其特征在于所述鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片⑶材料的化學式為(YhCex)3Al5O12,式中O. 0005 ^ x ^ O. 005。
3.根據權利要求2所述的透明陶瓷白光LED,其特征在于所述鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片(3)的制備方法如下 根據化學式(YhCex)3Al5O12計量釔鹽、鋁鹽和鈰鹽,將釔鹽、鋁鹽和鈰鹽用去離子水溶解并混合均勻,配制成Al3+濃度為O. lmol/L O. 2mol/L的混合鹽溶液;將NH4HCO3溶于乙醇-水復合溶劑中,配制NH4HCO3濃度為O. 5mol/L 2mol/L的沉淀劑溶液,所述乙醇與水的體積比為O. 5 : I I. 2 : I ;將所述混合鹽溶液在常壓、10°C 20°C下滴定到所述沉淀劑溶液中,滴定結束后陳化至少10小時,然后經真空抽濾、洗滌、烘干,得到前驅體;將所述前驅體在1100 1250°C焙燒2 3小時,得到鈰摻雜釔鋁石榴石粉體;將所述鈰摻雜釔鋁石榴石粉體經過干壓成型和冷等靜壓形成素坯,再將素坯放到真空燒結爐中在1700 1780°C燒結至少10小時,得到鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片。
4.根據權利要求3所述的透明陶瓷白光LED,其特征在于所述釔鹽為Y(NO3)3或YCl3,所述鋁鹽為NH4Al (SO4) 2或Al (NO3) 3,所述鈰鹽為Ce (NO3) 3。
5.根據權利要求I至4中任一權利要求所述的透明陶瓷白光LED,其特征在于所述鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片(3)的厚度為O. Imm I. 0_。
6.一種透明陶瓷白光LED的封裝方法,其特征在于步驟如下 (1)將藍光LED芯片⑵放在支架⑴所設置的凹槽內; (2)將藍光LED芯片(2)的金線(5)與安裝在支架底部的電極(6)焊接; (3)向支架的凹槽內填充硅膠,將鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片(3)覆蓋在硅膠(4)上完成各構件的組合; (4)將步驟(3)形成的的組合體在100°C 120°C烘烤至硅膠固化,當硅膠固化后,所述鈰摻雜釔鋁石榴石陶瓷片與藍光LED芯片被固定在支架上,即形成透明陶瓷白光LED。
7.根據權利要求6所述透明陶瓷白光LED的封裝方法,其特征在于所述硅膠的填充厚度為 O. 3mm O. 6mm。
全文摘要
一種透明陶瓷白光LED,包括支架、藍光LED芯片和鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片,所述鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片材料的化學式為(Y1-xCex)3Al5O12,式中0.0005≤x≤0.005。其封裝方法如下(1)將藍光LED芯片放在支架所設置的凹槽內;(2)將藍光LED芯片的金線與安裝在支架底部的電極焊接;(3)向支架的凹槽內填充硅膠,將鈰摻雜釔鋁石榴石透明陶瓷片覆蓋在硅膠上完成各構件的組合;(4)將步驟(3)形成的的組合體在100℃~120℃烘烤至硅膠固化,當硅膠固化后,所述鈰摻雜釔鋁石榴石陶瓷片與藍光LED芯片被固定在支架上,即形成透明陶瓷白光LED。
文檔編號F21V15/00GK102620167SQ20121006589
公開日2012年8月1日 申請日期2012年3月14日 優先權日2012年3月14日
發明者盧忠文, 盧鐵城, 張偉, 馬奔原, 魏念, 黎峰, 齊建起 申請人:四川大學
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