顯示面板及顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發明提供一種顯示面板及顯示裝置。顯示面板的一像素具有一第一晶體管、一第二晶體管、一第一電極圖案及一第二電極圖案，第一晶體管的一第一漏極與第一電極圖案電連接，第二晶體管的一第二漏極與第二電極圖案電連接，第一電極圖案具有一個第一連接部及一個第一突出部，第二電極圖案具有一個第二連接部及兩個第二突出部，該些第二突出部連接于第二連接部的兩側，并分別往第一連接部延伸，第一突出部連接第一連接部，并往第二連接部延伸至該些第二突出部之間。其中，第一突出部與該些第二突出部的末端寬度較小。本發明的顯示面板與顯示裝置不會因顯示區的共同電壓的電性不均而產生Mura現象，可改善顯示面板及顯示裝置的顯示品質。
【專利說明】
顯示面板及顯示裝置
技術領域
[0001]本發明是關于一種顯示面板及顯示裝置，特別關于一種具有較高顯示品質的顯示面板及顯示裝置。
【背景技術】
[0002]隨著科技的進步，平面顯示面板已經廣泛地被運用在各種領域，因具有體型輕薄、低功率消耗及無輻射等優越特性，已經漸漸地取代傳統陰極射線管顯示裝置，而應用至許多種類的電子產品中，例如移動電話、便攜式多媒體裝置、筆記本電腦、液晶電視及液晶屏苗雄雄
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[0003]以液晶顯示面板為例，現有的一種液晶顯示面板包含一薄膜晶體管基板、一彩色濾光基板及一液晶層，薄膜晶體管基板與彩色濾光基板相對而設，而液晶層則夾置于兩基板之間。薄膜晶體管基板具有多個薄膜晶體管及多個像素電極設置于一基板上，其中，可通過控制薄膜晶體管而將數據電壓輸入對應的像素電極，以通過像素電極與共同電極之間的電壓差所形成的電場來控制液晶分子的轉向，藉此顯示圖像。
[0004]當顯示面板的尺寸越做越大時，理論上，顯示區不同位置的像素所具有的共同電壓必須為相同的電壓值，但是，于實際情況下，共同電壓可能會因電阻-電容負載(RCloading)或工藝變異等問題造成不同位置的共同電壓值不相同，使得顯示區的共同電壓值產生電性不均的現象，進而導致顯示面板與電性相關的光學特性不佳而產生了亮暗紋(俗稱Mura現象)，例如因液晶分子跨壓的不同所產生的閃爍(flicker)或串音(cross talk)現象等，而且此現象在顯示低灰階畫面時更加明顯。
[0005]因此，如何提供一種顯示面板及顯示裝置，可改善共同電壓電性不均所產生的Mura現象，進而改善顯示品質，已成為重要課題之一。

【發明內容】

[0006]有鑒于上述課題，本發明的目的為提供一種可改善共同電壓電性不均所產生的Mura現象，進而改善顯示品質的顯示面板及顯示裝置。
[0007]為達上述目的，依據本發明的一種顯示面板包括一第一基板、一第二基板以及至少一像素。第二基板與第一基板相對而設。像素配置于第一基板與第二基板之間，并具有一第一晶體管、一第二晶體管、一第一電極圖案及一第二電極圖案設置于第一基板上，第一晶體管具有一第一漏極，第一漏極與第一電極圖案電連接，第二晶體管具有一第二漏極，第二漏極與第二電極圖案電連接；其中，第一電極圖案具有一個第一連接部及一個第一突出部，第二電極圖案具有一個第二連接部及兩個第二突出部，該些第二突出部連接于第二連接部的兩側，并分別往第一連接部的方向延伸，第一突出部連接第一連接部，并往第二連接部的方向延伸至該些第二突出部之間；其中，第一突出部具有與第一連接部連接的一第一連接端及一第一末端，該些第二突出部的其中之一具有與第二連接部連接的一第二連接端及一第二末端，且第一連接端的寬度大于第一末端的寬度，第二連接端的寬度大于第二末端的寬度。
[0008]為達上述目的，依據本發明的一種顯示裝置包括一背光模塊以及一顯示面板。顯示面板與背光模塊相對而設，并包含一第一基板、一第二基板及至少一像素，第二基板與第一基板相對而設，像素配置于第一基板與第二基板之間，并具有一第一晶體管、一第二晶體管、一第一電極圖案及一第二電極圖案設置于第一基板上，第一晶體管具有一第一漏極，第一漏極與第一電極圖案電連接，第二晶體管具有一第二漏極，第二漏極與第二電極圖案電連接，第一電極圖案具有一個第一連接部及一個第一突出部，第二電極圖案具有一個第二連接部及兩個第二突出部，該些第二突出部連接于第二連接部的兩側，并分別往第一連接部的方向延伸，第一突出部連接第一連接部，并往第二連接部的方向延伸至該些第二突出部之間；其中，第一突出部具有與第一連接部連接的一第一連接端及一第一末端，該些第二突出部的其中之一具有與第二連接部連接的一第二連接端及一第二末端，且第一連接端的寬度大于第一末端的寬度，第二連接端的寬度大于第二末端的寬度。
[0009]在一實施例中，第一突出部與該些第二突出部其中之一的間距大于或等于8微米，且小于或等于30微米。
[0010]在一實施例中，第一晶體管與第二晶體管互為鏡像。
[0011 ] 在一實施例中，第一漏極通過一第一通孔與第一電極圖案電連接，第二漏極通過兩個第二通孔與第二電極圖案電連接。
[0012]在一實施例中，該些第二通孔分別與該些第二突出部對應設置。
[0013]在一實施例中，像素更具有一掃描線、一第一數據線及一第二數據線，第一晶體管更具有一第一柵極及一第一源極，第二晶體管更具有一第二柵極及一第二源極，掃描線分別與第一柵極及第二柵極連接，第一數據線與第一源極連接，且第二數據線與第二源極連接。
[0014]在一實施例中，像素更具有一第三電極圖案，第三電極圖案環設于第一電極圖案及第二電極圖案的外圍。
[0015]在一實施例中，像素更具有一第三電極圖案及一第一數據線，第一數據線位于像素的一側，第三電極圖案配置于像素的周緣，且部分的第三電極圖案與第一電極圖案及第一數據線為重疊設置。
[0016]在一實施例中，第一電極圖案的第一連接部具有一第一缺口，第三電極圖案具有一第二缺口，第一缺口與第三電極圖案重疊，且第二缺口鄰近于第一缺口，并與第一連接部部分重疊。
[0017]在一實施例中，顯示面板包括多個像素，每一個該些像素分別具有兩條數據線位于像素的兩側，且于相鄰兩個該些像素中，驅動相鄰兩條該些數據線的電壓信號為同極性。
[0018]在一實施例中，像素沿第一突出部的延伸方向的兩側的一開口區的形狀為鏡像對稱。
[0019]承上所述，因本發明的顯示面板及顯示裝置中，像素的第一電極圖案具有一個第一連接部及一個第一突出部，像素的第二電極圖案具有一個第二連接部及兩個第二突出部，而該些第二突出部連接于第二連接部的兩側，并分別往第一連接部的方向延伸，且第一突出部連接第一連接部，并往第二連接部的方向延伸至該些第二突出部之間。其中，第一突出部具有與第一連接部連接的一第一連接端及一第一末端，該些第二突出部的其中之一具有與第二連接部連接的一第二連接端及一第二末端，且第一連接端的寬度大于第一末端的寬度，第二連接端的寬度大于第二末端的寬度。通過本發明的像素布局設計，并通過第一數據線傳送第一數據電壓至第一電極圖案，且通過第二數據線傳送第二數據電壓至第二電極圖案，使得第一電極圖案與第二電極圖案之間具有電壓差而形成驅動像素的液晶分子的電場，使像素可對應顯示圖像，進而使顯示面板顯示圖像畫面。藉此與現有技術相較，由于本發明的顯示面板與顯示裝置的像素并不通過像素電極與共同電極來建立驅動液晶分子的跨壓，因此，不會因顯示區的共同電壓的電性不均而產生Mura現象，故可改善顯示面板及顯示裝置的顯示品質。
【附圖說明】
[0020]圖1為本發明較佳實施例的一種顯示面板的示意圖；
[0021]圖2A為圖1的顯示面板中，一個像素的布局示意圖；
[0022]圖2B為圖2A中，沿直線A-A的剖視示意圖；
[0023]圖3為圖2A的像素的驅動波形示意圖；
[0024]圖4為一實施例的像素陣列的示意圖；
[0025]圖5A為本發明不同實施態樣的顯示面板的像素的布局示意圖；
[0026]圖5B為圖5A中，沿直線B-B的剖視示意圖；
[0027]圖5C為圖5A的像素的另一示意圖；
[0028]圖6為本發明較佳實施例的一種顯示裝置的示意圖。
【具體實施方式】
[0029]以下將參照相關圖式，說明依本發明較佳實施例的顯示面板及顯示裝置，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。
[0030]請參照圖1、圖2A及圖2B所示，其中，圖1為本發明較佳實施例的一種顯示面板I的不意圖，圖2A為圖1的顯不面板I中，一個像素P的布局不意圖，而圖2B為圖2A中，沿直線A-A的剖視示意圖。
[0031]本實施例的顯示面板I可為邊緣電場切換(Fringe Field Switching，FFS)型液晶顯示面板，或者為水平切換型(In Plane Switching，IPS)或者為扭轉向列型(TwistedNematic，TN)液晶顯示面板，或者為垂直配向型(Vertical Alignment, VA)型液晶顯示面板，于此，并不加以限定。另外，為了幫助了解圖示，于圖示中顯示一第一方向X、一第二方向Y及一第三方向Z，第一方向X、第二方向Y及第三方向Z實質上是兩兩相互垂直。其中，第一方向X可與顯示面板I的掃描線的延伸方向實質上平行，第二方向Y可與顯示面板I的數據線的延伸方向實質上平行，而第三方向Z為垂直第一方向X與第二方向Y的另一方向。
[0032]如圖1所示，顯示面板I包括一第一基板11與第二基板12，兩者相對而設。第一基板11或第二基板12可為可透光材質所制成，其材料例如是玻璃、石英或類似物、塑膠、橡膠、玻璃纖維或其他高分子材料；或者，第一基板11或第二基板12也可為不透光材質所制成，并例如是金屬-玻璃纖維復合板、金屬-陶瓷復合板，或印刷電路板，或其它材料。在本實施例中，第一基板11與第二基板12的材質皆以可透光的玻璃為例。另外，顯示面板I更包括一液晶層13、一薄膜晶體管陣列14及一彩色濾光陣列15，薄膜晶體管陣列14設置于第一基板11面向第二基板12的一側，而彩色濾光陣列15可設置于第二基板12面向第一基板11的一側，或設置于第一基板11面向第二基板12的一側。于此，彩色濾光陣列15是設置于第二基板12面向第一基板11的一側。不過，當彩色濾光陣列15設置于第一基板11時，可使第一基板11成為一 COA (color filter on array)基板。另外，液晶層13夾置于第一基板11與第二基板12之間，并位于薄膜晶體管陣列14與彩色濾光陣列15之間。其中，薄膜晶體管陣列14、彩色濾光陣列15及液晶層13可形成一像素陣列，而像素陣列包含至少一像素(Pixel，或稱次像素，sub-pixel)P。于此，是以多個像素P，并配置成矩陣狀為例。
[0033]如圖2A及圖2B所示，像素P具有一第一晶體管Tl、一第二晶體管T2、一第一電極圖案El及一第二電極圖案E2，而第一晶體管Tl、第二晶體管T2、第一電極圖案El及第二電極圖案E2是設置于第一基板11上。另外，本實施例的像素P更具有一掃描線SLa、一第一數據線DLl及一第二數據線DL2，第一數據線DLl及第二數據線DL2分別位于像素P的兩偵U，并分別與掃描線SLa及相鄰像素(未顯示)的掃描線SLb交錯設置。在本實施例中，第一晶體管Tl與第二晶體管T2分別為一薄膜晶體管(TFT)，且第一晶體管Tl與第二晶體管T2為同向。換言之，于像素P中，第一晶體管Tl與第二晶體管T2互為鏡像。通過互為鏡像的第一晶體管Tl與第二晶體管T2，可使第一晶體管Tl與第二晶體管T2各自具有的儲存電容量相同(由工藝的金屬層重疊(overlay)區域所產生)，使得因工藝變異時，像素P的第一晶體管Tl與第二晶體管T2所各自產生的前饋電壓(feedthrough voltage)亦相同。
[0034]其中，第一晶體管Tl具有一第一柵極G1、一第一源極SI及一第一漏極D1，第二晶體管T2具有一第二柵極G2、一第二源極S2及一第二漏極D2。第一柵極Gl與第二柵極G2的材質為金屬(例如為鋁、銅、銀、鉬、或鈦)或其合金所構成的單層或多層結構，并不限定。本實施例的第一柵極Gl與第二柵極G2是使用與掃描線SLa同層且同一工藝的結構(俗稱的第一金屬層Ml)，并彼此連接。第一晶體管Tl的第一源極SI與第一漏極Dl分別設置于一第一主動層(圖未顯示)上，而且第一源極SI和第一漏極Dl分別與第一主動層接觸。于薄膜晶體管Tl的第一主動層未導通時，第一源極SI和第一漏極Dl是電性分離。另外，第二晶體管T2的第二源極S2與第二漏極D2分別設置于一第二主動層(圖未顯示)上，而且第二源極S2和第二漏極D2分別與第二主動層接觸。于薄膜晶體管T2的第二主動層未導通時，第二源極S2和第二漏極D2是電性分離。其中，第一源極S1、第一漏極D1、第二源極S2與第二漏極D2的材質可為金屬(例如鋁、銅、銀、鉬、或鈦)或其合金所構成的單層或多層結構，亦不限定。于此，第一源極S1、第一漏極D1、第二源極S2與第二漏極D2是使用與第一數據線DLl與第二數據線DL2同層(俗稱的第二金屬層M2)且同一工藝的結構，并且第一數據線DLl與第一源極SI連接，而第二數據線DL2與第二源極S2連接。
[0035]第一漏極Dl與第一電極圖案El電連接，且第二漏極D2與第二電極圖案E2電連接。第一電極圖案El與第二電極圖案E2為可透光的電極層，其材質例如可為銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁鋅氧化物(AZO)、鎘錫氧化物(CTO)、氧化錫(Sn02)、或氧化鋅(ZnO)等透明導電材料，并不限定。其中，第一電極圖案El具有一個第一連接部Ell及一個第一突出部E12，第二電極圖案E2具有一個第二連接部E21及兩個第二突出部E22、E23，且該些第二突出部E22、E23連接于第二連接部E21的兩側，并分別往第一連接部Ell的方向延伸，而第一突出部E12連接第一連接部Ell，并往第二連接部E21的方向延伸至該些第二突出部E22、E23之間。于此，第二突出部E22、E23分別位于第二連接部E21的兩側，并分別往第一連接部Ell的方向延伸，而第一突出部E12連接第一連接部Ell的中間位置，并往第二連接部E21的方向延伸至該些第二突出部E22、E23之間。另外，第一突出部E12具有與第一連接部Ell連接的一第一連接端及一第一末端(為免圖面太復雜，未標示)，且該些第二突出部E22、E23的其中之一具有與第二連接部E21連接的一第二連接端及一第二末端(為免圖面太復雜，未標示)。其中，第一連接端的寬度大于第一末端的寬度，第二連接端的寬度大于第二末端的寬度。換言之，如圖2A所示，本實施例的第一突出部E12與第一連接部E11連接之處較寬，而第一突出部E12的尾端相對連接處而言則較細，且兩個第二突出部E22、E23與第二連接部E21連接之處亦較寬，而第二突出部E22、E23的尾端相對其連接處而言亦較細。
[0036]另外，本實施例中，第一漏極Dl通過一第一通孔Vl與第一電極圖案El電連接，且第二漏極D2通過兩個第二通孔V2、V3與第二電極圖案E2電連接。于此，第一通孔Vl鄰近于第一突出部E12與第一連接部Ell的連接處，且兩個第二通孔V2、V3位于第二連接部E21的兩側，并分別鄰近于第二突出部E22、E23與第二連接部E21的連接處。通過兩個第二通孔V2、V3位于第二連接部E21的兩側，可避免第二連接部E21因故斷線時產生對應的暗紋。其原因是:第二連接部E21若因故斷線時，第二漏極D2可通過上述的第二通孔V2、V3分別與斷線后的兩部分第二連接部E21電連接，因此，不會有對應的暗紋產生。
[0037]另外，第一突出部E12與該些第二突出部E22、E23其中之一的間距d是大于或等于8微米，且小于或等于30微米。于此，如圖所示，第一突出部E12位于第二突出部E22、E23的中間位置，使得第一突出部E12與第二突出部E22之間、第一突出部E12與第二突出部E23之間的間距d大于或等于8微米，且小于或等于30微米(8 μπι蘭d蘭30 μπι)。相較于現有的像素的像素電極通常具有相當多條的突出部(或稱分支電極)的設計，本實施例因具有較少的突出部(共只有三條)，使得突出部之間(第一突出部Ε12與第二突出部Ε22之間、第一突出部Ε12與第二突出部Ε23之間)的間距d較大(現有的間距一般只有8 μπι?16 μπι)，因此，當于制作工藝中，電極的線寬或線距產生了局部變異(俗稱⑶，critical dimens1n)時，對應產生的Pin Mura現象較少(較不容易出現Pin Mura)。另夕卜，本實施例也因具有較少的突出部，相對產生的暗紋數量也較少(光線通過像素P時，有電極之處會產生對應的暗紋)，穿透率也較高。此外，相較于現有技術，本實施例的像素P的電極轉折處較少(轉折處常發生液晶分子的不連續區域)，因此，液晶分子可具有較少的不連續區域，進而使得液晶的效率較高，相對的其對比性及穿透率也較高。
[0038]另外，本實施例的像素P沿第一突出部E12的延伸方向的兩側的一開口區的形狀為鏡像對稱。于此，“開口區”為:第一電極圖案El與第二電極圖案E2之間沒有設置電極的區域(空的區域)。換言之，于本實施例的像素P中，一直線L實質上平行第一方向X且通過第一突出部E12的中心，使得第一突出部E12的上、下兩側為鏡射對稱圖案，且位于直線L兩側的開口區的形狀亦為鏡像對稱。
[0039]本實施例的像素P更具有一第三電極圖案E3，第三電極圖案E3環設于第一電極圖案El及第二電極圖案E2的外圍。其中，第三電極圖案E3可與第一電極圖案El及第二電極圖案E2為同工藝及同材料制作(同一層)。可通過驅動顯示面板I的控制電路提供一共同電壓(Vcom)給第三電極圖案E3，但是本實施例并不通過該共同電壓與第一電極圖案El的電壓或第二電極圖案E2的電壓形成跨壓來驅動液晶分子，以下將再說明。
[0040]此外，如圖2B所示，像素P更包含一柵極介電層G1、一絕緣層IN及一平坦化層FL(為避免圖2A的布局太復雜，圖2A并未顯示)。柵極介電層GI設置并覆蓋第一金屬層Ml (掃描線SLa、第一柵極Gl、第二柵極G2)，且第二金屬層M2 (第一數據線DLl、第二數據線DL2、第一漏極D1、第二漏極D2…)設置于柵極介電層GI上。另外，絕緣層IN設置于第二金屬層M2上，且平坦化層FL設置于絕緣層IN。其中，柵極介電層G1、絕緣層IN及平坦化層FL的材料可為光阻材料、樹脂材料或是無機材料(例如S1x/SiNx)等。通過柵極介電層G1、絕緣層IN及平坦化層FL的設置，可避免第一金屬層Ml、第二金屬層M2與第一電極圖案El (或第二電極圖案E2，或第三電極圖案E3)之間的電性導通。
[0041]因此，如圖3所示，當顯示面板I所有的像素P的掃描線SLa分別接收一掃描信號時可分別使對應的第一晶體管Tl與第二晶體管T2導通，并將對應像素P的一第一數據電壓Vei通過第一數據線DLl傳送至第一電極圖案El，且將對應像素P的一第二數據電壓V E2通過第二數據線DL2傳送至第二電極圖案E2，使得第一電極圖案El與第二電極圖案E2之間具有一電壓差而形成驅動像素P的液晶分子的電場，使像素P可對應顯示圖像，進而使顯示面板I可顯示圖像畫面。其中，由于像素P的第一晶體管Tl與第二晶體管T2為同向，因此，第一數據電壓Vei的正半周與負半周的前饋現象所造成的電壓降的和(Vthl+Vth2)與第二數據電壓Ve2的負半周與正半周的前饋現象所造成的電壓降的和(Vth3+Vth4)相等，使得的第一電極圖案El與第二電極圖案E2的正半周的電壓差Va與負半周的電壓差Vb亦相等，故像素P不會因前饋電壓的不均而產生Mura現象。另外，由于本實施例的顯示面板I的所有像素P并不通過現有的像素電極與共同電極來建立驅動液晶分子的跨壓，因此，相較于現有技術，顯示面板I也不會因顯示區的共同電壓的電性不均而產生Mura現象，故可改善顯示品質。
[0042]另外，請參照圖4所示，其為一實施例的像素陣列的示意圖。于此，特別標示兩相鄰的像素P1、P2，不過，像素P1、P2并未如上述一樣顯示完整的布局，要了解其完整布局可參照圖2A。
[0043]就液晶顯示面板而言，由于液晶分子的特性是不能夠一直固定在某一個電壓不變，否則時間一長，即使將電壓取消，液晶分子也會因為特性的破壞而無法再因應電場的變化來轉動以形成不同的灰階。因此每隔一段時間，就必須將電壓恢復原狀，以避免液晶分子的特性遭到破壞。于驅動技術中，一般可用列反轉(column invers1n)(列反轉較省電)的驅動方式驅動，以使面板內等效成點反轉(dot invers1n)的效果，從而得到較好的顯示品質。
[0044]在圖4的多個像素中，上下兩像素與左右兩像素都是水平翻轉設置(稱為flippixel) ο然而，當以現有技術驅動像素時，例如以1+2行反轉(row invers1n)的驅動方式來驅動時會發現，像素會有局部位置較亮的情況。因此，本實施例是利用1+2列反轉(第一條數據線為正極性，第二、三條數據線為負極性，第四、五條數據線為正極性…，以此類推)來達到面板有點反轉的驅動效果。其中，每一個像素分別具有兩條數據線位于像素的兩側(例如圖4中的第一數據線DLl及第二數據線DL2位于像素Pl的兩側，第三數據線DL3及第四數據線DL4位于像素P2的兩側，且于相鄰的該些像素中，驅動相鄰兩條該些數據線的電壓信號為同極性，亦即驅動相鄰像素P1、P2的數據信號中，輸入第二數據線DL2與第三數據線DL3同樣為負極性(也可為正極性)的電壓信號，藉此可淡化像素陣列中局部較亮的狀況。其原因是:當因工藝變異而例如使第二金屬層M2往右側偏移時，位置A處的第二數據線DL2將往右偏離底下的第一金屬層M1，故施加于第二數據線DL2的數據信號對第一金屬層Ml的耦合效應將變小；但是，位置B處的第三數據線DL3亦往右偏離，使得施加于第三數據線DL3的數據信號對第一金屬層Ml的耦合效應變大。因為位置A、B的數據信號為相同極性，故整體而言，同一個極性偶合量總和不變，因此，像素就比較不易造成局部較亮的現象(較平衡)。
[0045]再一提的是，上述是利用1+2列反轉的驅動方式來達到面板有點反轉的效果。不過，本發明并不限定只可利用1+2列反轉來驅動，在其他的實施例中，也可利用列反轉或是利用1+2行反轉等驅動方式來驅動像素，故可具有較大的驅動彈性。
[0046]另外，請參照圖5A所示，其為本發明不同實施態樣的顯示面板Ia的像素Pa的布局示意圖，而圖5B為圖5A中，沿直線B-B的剖視示意圖。
[0047]如圖5A及圖5B所示，像素Pa與圖2A的像素P主要的不同在于，像素Pa的第二電極圖案E2的兩個第二突出部E22、E23是由下往上，并往第一連接部Ell的方向延伸，且第一電極圖案El的第一突出部E12是由上往下，并往第二連接部E21的方向延伸至第二突出部E22、E23之間。
[0048]另外，像素Pa的第三電極圖案E3配置于像素Pa的周緣(中間鏤空)，而且部分位于第一電極圖案El與第一數據線DLl之間，使得部分的第三電極圖案E3與第一電極圖案El及第一數據線DLl于第三方向Z上為重疊設置。于此，第三電極圖案E3可部分位于第一電極圖案El與第一數據線DLl之間、第二電極圖案E2與第二數據線DL2之間，且通過一鈍化層PS隔開第三電極圖案E3與第一電極圖案El及第二電極圖案E2。其中，第三電極圖案E3的作用是遮蔽(shielding)其下方的數據線(或掃描線)所產生的電場，不要讓數據線或掃描線的信號影響到第一電極圖案El及第二電極圖案E2的跨壓，而且可當像素的儲存電容之用。另外，本實施例亦將部分的第一電極圖案El與第一數據線DLl重疊，部分的第二電極圖案E2與第二數據線DL2重疊，以提高像素Pa的開口率(可適用于高PPI時)。
[0049]另外，本實施例的像素Pa沿第一突出部E12的延伸方向的兩側的開口區的形狀亦為鏡像對稱。換言之，于本實施例的像素Pa中，直線L實質上平行第二方向Y且通過第一突出部E12的中心，使得第一突出部E12的左、右兩側為鏡射對稱圖案，且位于直線L兩側的開口區的形狀亦為鏡像對稱。
[0050]此外，顯示面板Ia的像素Pa的其它技術特征可參照顯示面板I的像素P的相同元件，不再贅述。
[0051]另外，請參照圖5C所示，其為圖5A的像素Pa的另一示意圖。為了清楚說明其特點，圖5C只顯示第一電極圖案E1、第二電極圖案E2及第三電極圖案E3的布局。
[0052]于液晶顯示面板中，為了達到較佳的顯示品質，亦須減少像素中前饋現象所造成的電性不佳現象。其中，像素的前饋電壓可正比于Cgs/ (Cst+Clc+Cgs)，Cst為儲存電容值，Clc為液晶電容值，而Cgs為薄膜晶體管的柵極與源極所形成的電容值。當像素布局完成后，因金屬層的重疊面積已固定，電容值亦決定，故Cgs/(Cst+Clc+Cgs)的比值亦固定。另夕卜，工藝變異時則Cgs/(Cst+Clc+Cgs)的比值亦產生變異。若要將前饋現象的變異減小的話，相對地也要降低Cgs/(Cst+Clc+Cgs)比值的變異。而要降低Cgs/(Cst+Clc+Cgs)比值的變異，則要降低金屬層重疊面積的變異才可達到。因此，可通過降低金屬層重疊面積的變異來達到因工藝變異所造成的前饋電壓的變異程度(即降低前饋電壓變異程度)。
[0053]本實施例的作法是通過挖空電極圖案來增加電極周長、減少電極面積來達到工藝變異時使Cgs/(Cst+Clc+Cgs)的比值變動的幅度變小的目的，進而降低前饋現象所造成的前饋電壓的變異。如圖5C所示，本實施例的第一電極圖案El的第一連接部Ell具有一第一缺口 01，第三電極圖案E3具有一第二缺口 02(01、02分別為矩形缺口)，第一缺口 01與第三電極圖案E3重疊，且第二缺口 02鄰近于第一缺口 01，并與第一連接部Ell部分重疊。其中，當工藝產生變異時，第一電極圖案El的第一缺口 01可補償第一電極圖案El或第三電極圖案E3于工藝中線寬或線距的變異(CD)所造成的前饋電壓的變異，使前饋電壓的變異較小。另外，第三電極圖案E3的第二缺口 02可補償第一電極圖案El或第三電極圖案E3于工藝中，因重疊面積的變異(即Cst及Cgs的變異)所造成的前饋電壓的變異，使前饋電壓的變異較小。因此，因工藝變異時會造成Cst及Cgs變化，本實施例是以挖空電極的方式來降低前饋電壓所產生的變異，進而降低驅動像素Pa的液晶分子的跨壓的變異。
[0054]另外，請參照圖6所示，其為本發明較佳實施例的一種顯示裝置2的示意圖。
[0055]顯不裝置2包括一顯不面板3以及一背光模塊4 (Backlight Module)，顯不面板3與背光模塊4相對設置。其中，顯示裝置2為一液晶顯示裝置，且顯示面板3可為上述的顯示面板I或la，或其變化態樣，其具體技術內容可參照上述，不再多作說明。當背光模塊4發出的光線E穿過顯示面板3時，可通過顯示面板3的各像素顯示色彩而形成圖像。
[0056]綜上所述，因本發明的顯示面板及顯示裝置中，像素的第一電極圖案具有一個第一連接部及一個第一突出部，像素的第二電極圖案具有一個第二連接部及兩個第二突出部，而該些第二突出部連接于第二連接部的兩側，并分別往第一連接部的方向延伸，且第一突出部連接第一連接部，并往第二連接部的方向延伸至該些第二突出部之間。其中，第一突出部具有與第一連接部連接的一第一連接端及一第一末端，該些第二突出部的其中之一具有與第二連接部連接的一第二連接端及一第二末端，且第一連接端的寬度大于第一末端的寬度，第二連接端的寬度大于第二末端的寬度。通過本發明的像素布局設計，并通過第一數據線傳送第一數據電壓至第一電極圖案，且通過第二數據線傳送第二數據電壓至第二電極圖案，使得第一電極圖案與第二電極圖案之間具有電壓差而形成驅動像素的液晶分子的電場，使像素可對應顯示圖像，進而使顯示面板顯示圖像畫面。藉此與現有技術相較，由于本發明的顯示面板與顯示裝置的像素并不通過像素電極與共同電極來建立驅動液晶分子的跨壓，因此，不會因顯示區的共同電壓的電性不均而產生Mura現象，故可改善顯示面板及顯示裝置的顯示品質。
[0057]以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明的精神與范疇，而對其進行的等效修改或變更，均應包含于權利要求的范圍中。
【主權項】
1.一種顯示面板，其特征在于，所述的顯示面板包括: 一第一基板； 一第二基板，與所述第一基板相對而設；以及 至少一像素，配置于所述第一基板與所述第二基板之間，并具有一第一晶體管、一第二晶體管、一第一電極圖案及一第二電極圖案設置于所述第一基板上，所述第一晶體管具有一第一漏極，所述第一漏極與所述第一電極圖案電連接，所述第二晶體管具有一第二漏極，所述第二漏極與所述第二電極圖案電連接，所述第一電極圖案具有一個第一連接部及一個第一突出部，所述第二電極圖案具有一個第二連接部及兩個第二突出部，所述兩個第二突出部連接于所述第二連接部的兩側，并分別往所述第一連接部的方向延伸，所述第一突出部連接所述第一連接部，并往所述第二連接部的方向延伸至所述兩個第二突出部之間， 其中，所述第一突出部具有與所述第一連接部連接的一第一連接端及一第一末端，所述兩個第二突出部的其中之一具有與所述第二連接部連接的一第二連接端及一第二末端，且所述第一連接端的寬度大于所述第一末端的寬度，所述第二連接端的寬度大于所述第二末端的寬度。2.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一突出部與所述兩個第二突出部其中之一的間距大于或等于8微米，且小于或等于30微米。3.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一晶體管與所述第二晶體管互為鏡像。4.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一漏極通過一第一通孔與所述第一電極圖案電連接，所述第二漏極通過兩個第二通孔與所述第二電極圖案電連接。5.根據權利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述兩個第二通孔分別與所述兩個第二突出部對應設置。6.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述像素更具有一掃描線、一第一數據線及一第二數據線，所述第一晶體管更具有一第一柵極及一第一源極，所述第二晶體管更具有一第二柵極及一第二源極，所述掃描線分別與所述第一柵極及所述第二柵極連接，所述第一數據線與所述第一源極連接，且所述第二數據線與所述第二源極連接。7.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述像素更具有一第三電極圖案，所述第三電極圖案環設于所述第一電極圖案及所述第二電極圖案的外圍。8.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述像素更具有一第三電極圖案及一第一數據線，所述第一數據線位于所述像素的一側，所述第三電極圖案配置于所述像素的周緣，且部分的所述第三電極圖案與所述第一電極圖案及所述第一數據線為重疊設置。9.根據權利要求8所述的顯示面板，其特征在于，所述第一電極圖案的所述第一連接部具有一第一缺口，所述第三電極圖案具有一第二缺口，所述第一缺口與所述第三電極圖案重疊，且所述第二缺口鄰近于所述第一缺口，并與所述第一連接部部分重疊。10.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述的顯示面板包括多個像素，每一個所述像素分別具有兩條數據線位于所述像素的兩側，且于相鄰兩個所述像素中，驅動相鄰兩條所述數據線的電壓信號為同極性。11.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述像素沿所述第一突出部的延伸方向的兩側的一開口區的形狀為鏡像對稱。12.一種顯示裝置，其特征在于，所述的顯示裝置包括: 一背光模塊；以及 一顯示面板，與所述背光模塊相對而設，并包含一第一基板、一第二基板及至少一像素，所述第二基板與所述第一基板相對而設，所述像素配置于所述第一基板與所述第二基板之間，并具有一第一晶體管、一第二晶體管、一第一電極圖案及一第二電極圖案設置于所述第一基板上，所述第一晶體管具有一第一漏極，所述第一漏極與所述第一電極圖案電連接，所述第二晶體管具有一第二漏極，所述第二漏極與所述第二電極圖案電連接，所述第一電極圖案具有一個第一連接部及一個第一突出部，所述第二電極圖案具有一個第二連接部及兩個第二突出部，所述兩個第二突出部連接于所述第二連接部的兩側，并分別往所述第一連接部的方向延伸，所述第一突出部連接所述第一連接部，并往所述第二連接部的方向延伸至所述兩個第二突出部之間， 其中，所述第一突出部具有與所述第一連接部連接的一第一連接端及一第一末端，所述兩個第二突出部的其中之一具有與所述第二連接部連接的一第二連接端及一第二末端，且所述第一連接端的寬度大于所述第一末端的寬度，所述第二連接端的寬度大于所述第二末端的寬度。13.根據權利要求12所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一突出部與所述兩個第二突出部其中之一的間距大于或等于8微米，且小于或等于30微米。14.根據權利要求12所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一漏極通過一第一通孔與所述第一電極圖案電連接，所述第二漏極通過兩個第二通孔與所述第二電極圖案電連接。15.根據權利要求14所述的顯示裝置，其特征在于，所述兩個第二通孔分別與所述兩個第二突出部對應設置。16.根據權利要求12所述的顯示裝置，其特征在于，所述像素更具有一掃描線、一第一數據線及一第二數據線，所述第一晶體管更具有一第一柵極及一第一源極，所述第二晶體管更具有一第二柵極及一第二源極，所述掃描線分別與所述第一柵極及所述第二柵極連接，所述第一數據線與所述第一源極連接，且所述第二數據線與所述第二源極連接。17.根據權利要求12所述的顯示裝置，其特征在于，所述像素更具有一第三電極圖案，所述第三電極圖案環設于所述第一電極圖案及所述第二電極圖案的外圍。18.根據權利要求12所述的顯示裝置，其特征在于，所述像素更具有一第三電極圖案及一第一數據線，所述第一數據線位于所述像素的一側，且所述第三電極圖案配置于所述像素的周緣，并且部分位于所述第一電極圖案與所述第一數據線之間，且部分的所述第三電極圖案與所述第一電極圖案及所述第一數據線重疊設置。19.根據權利要求18所述的顯示裝置，其特征在于，所述第一電極圖案的所述第一連接部具有一第一缺口，所述第三電極圖案具有一第二缺口，所述第一缺口與所述第三電極圖案重疊，且所述第二缺口鄰近于所述第一缺口，并與所述第一連接部部分重疊。20.根據權利要求12所述的顯示裝置，其特征在于，所述像素沿所述第一突出部的延伸方向的兩側的一開口區的形狀為鏡像對稱。
【文檔編號】G02F1/1368GK105988251SQ201510097105
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年3月5日
【發明人】洪孟章, 宋立偉, 簡錦誠
【申請人】群創光電股份有限公司