一種基板及顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種基板及顯示裝置。
【背景技術】
[0002]現有顯示裝置為了達到防靜電的目的，一般在基板上設有靜電釋放(ESD)裝置。現有的靜電釋放裝置采用浮柵結構(Gate Floating)釋放多余電荷，靜電釋放裝置的電路原理圖如圖1所示，在信號線(Signal Line)B和總線(Bus line)A之間連接有薄膜晶體管(TFT)lOl、耦合電容C1和耦合電容C2，并且其中一個耦合電容C1設置在薄膜晶體管101的浮柵結構與源電極之間，另一個耦合電容C2連接在薄膜晶體管101的浮柵結構與漏電極之間。
[0003]靜電釋放裝置在正常工作過程中，為了減小漏電流，并保證信號正常工作，需要將耦合電容C1和耦合電容C2的電容值設置的足夠大，而耦合電容的電容值較大時耦合電容的體積也較大，導致需要占用較大的布置空間，因此，現有靜電釋放裝置存在因占用較大布置空間而不利于結構及走線布局的問題。

【發明內容】

[0004]本發明提供了一種基板及顯示裝置，該基板中用于釋放靜電的結構占用的空間較小，有利于基板中結構以及走線的布局。
[0005]為達到上述目的，本發明提供以下技術方案:
[0006]—種基板，包括信號走線和靜電釋放總線，所述信號走線和所述靜電釋放總線之間設有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括源電極、漏電極、有源層和與所述有源層相對的浮柵結構;所述源電極與所述信號走線電連接，所述漏電極與所述靜電釋放總線電連接;所述浮柵結構與所述信號走線之間設有至少一對尖端放電結構，和/或所述浮柵結構與所述靜電釋放總線之間設有至少一對尖端放電結構。
[0007]在上述基板中，浮柵結構與信號走線之間設有的至少一對尖端放電結構用于:
[0008]當在信號走線上因集聚較多靜電荷而出現瞬間高電壓時，信號走線會通過其與浮柵結構之間設置的至少一對尖端放電結構進行尖端放電，進而使浮柵結構具有高電位，進而，薄膜晶體管的有源層在浮柵結構的作用下轉換為導體狀態，進而將薄膜晶體管的源電極和漏電極導通，從而使集聚在信號走線上的靜電荷通過瞬間導通的薄膜晶體管流向靜電釋放總線進行靜電釋放。
[0009]同理，在上述基板中，浮柵結構與靜電釋放總線之間設有的至少一對尖端放電結構用于:
[0010]當靜電釋放總線上因集聚較多靜電荷而出現瞬間高電壓時，靜電釋放總線會通過其與浮柵結構之間設置的至少一對尖端放電結構進行尖端放電，進而使浮柵結構具有高電位，進而，薄膜晶體管的有源層在浮柵結構的作用下轉換為導體狀態，進而將薄膜晶體管的源電極和漏電極導通，使集聚在靜電釋放總線上的靜電荷通過瞬間導通的薄膜晶體管流向信號走線進行靜電釋放。
[0011]上述基板能夠通過設置在薄膜晶體管的浮柵結構與信號走線和/或靜電釋放總線之間的尖端放電結構快速釋放靜電，因為尖端放電結構具有結構簡單和體積小的特點，所以基板中用于釋放靜電的結構占用的空間較小，有利于基板中結構以及走線的布局。
[0012]優選地，所述薄膜晶體管的有源層為氧化物半導體材料。
[0013]優選地，所述靜電釋放總線上設有與至少一條所述信號走線一一對應的延伸部；每一對相互對應的信號走線和延伸部中:
[0014]所述延伸部的至少一部分的延伸方向與所述信號走線的延伸方向平行，且所述延伸部與所述信號走線之間設有一個所述薄膜晶體管;所述薄膜晶體管中，漏電極與所述延伸部電連接;所述浮柵結構的長度方向與所述信號走線延伸方向平行，且所述浮柵結構與所述靜電釋放總線之間的尖端放電結構位于所述浮柵結構與所述延伸部之間。
[0015]優選地，所述靜電釋放總線上設有與至少一條所述信號走線一一對應的延伸部；每一對相互對應的信號走線和延伸部中:
[0016]所述延伸部的至少一部分的延伸方向與所述信號走線的延伸方向平行，且所述延伸部與所述信號走線之間設有一個所述薄膜晶體管;所述薄膜晶體管中，漏電極與所述延伸部電連接;所述浮柵結構的長度方向與所述信號走線延伸方向垂直，且所述浮柵結構與所述靜電釋放總線之間的尖端放電結構位于所述浮柵結構與所述延伸部之間。
[0017]優選地，所述信號走線的延伸方向與所述靜電釋放總線的延伸方向相交，所述信號走線與所述靜電釋放總線之間的薄膜晶體管中，浮柵結構的長度方向與所述信號走線的延伸方向平行，或者，浮柵結構的長度方向與所述靜電釋放總線的延伸方向平行。
[0018]優選地，至少一個所述薄膜晶體管具有的浮柵結構與所述信號走線之間設有兩對所述尖端放電結構，沿所述浮柵結構的長度方向，兩對所述尖端放電結構中，一對尖端放電結構設置于所述薄膜晶體管的有源層一側，另一對尖端放電結構設置于所述薄膜晶體管的有源層的另一側。
[0019]優選地，所述浮柵結構與所述靜電釋放總線之間設有一對尖端放電結構，沿所述浮柵結構的長度方向，所述浮柵結構與所述靜電釋放總線之間的尖端放電結構處于所述浮柵結構的中部。
[0020]優選地，所述浮柵結構與所述靜電釋放總線之間設有一對尖端放電結構，所述浮柵結構與所述信號走線之間設有一對尖端放電結構，沿所述浮柵結構的長度方向，所述浮柵結構與所述靜電釋放總線之間的一對尖端放電結構設置于所述薄膜晶體管的有源層一側，所述浮柵結構與所述信號走線之間的一對尖端放電結構設置于所述薄膜晶體管的有源層的另一側。
[0021]優選地，所述基板為設有數據線和柵線的薄膜晶體管基板，所述數據線和/或柵線形成所述信號走線。
[0022]優選地，所述基板為設有觸控走線的觸控基板，所述觸控走線形成所述信號走線。
[0023]優選地，所述基板為設有公共電極線的彩膜基板，所述公共電極線形成所述信號走線。
[0024]優選地，所述基板為設有電源信號線的0LED背板，所述電源信號線形成所述信號走線。
[0025]優選地，所述浮柵結構與所述信號走線同層設置，或者，所述浮柵結構與所述靜電釋放總線同層設置。
[0026]另外，本發明還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述技術方案提供的任意一種基板。
【附圖說明】
[0027]圖1為現有技術中靜電釋放裝置的工作原理示意圖；
[0028]圖2為本發明實施例提供的一種基板的靜電釋放工作原理示意圖；
[0029]圖3為本發明實施例提供的一種基板的靜電釋放電路的結構示意圖；
[0030]圖4為本發明實施例提供的一種基板的靜電釋放電路的另一種結構示意圖；
[0031]圖5為本發明實施例提供的一種基板的靜電釋放電路的第一種布置形式；
[0032]圖6為本發明實施例提供的一種基板的靜電釋放電路的第二種布置形式；
[0033]圖7為本發明實施例提供的一種基板的靜電釋放電路的第三種布置形式；
[0034]圖8為本發明實施例提供的一種基板的靜電釋放電路的第四種布置形式。
【具體實施方式】
[0035]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒