曝光裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種將掩模圖投影曝光于基板的曝光裝置。
【背景技術】
[0002]作為將掩模圖投影曝光于基板的曝光裝置，已知有使微透鏡陣列介于掩模與基板間的曝光裝置(參考下述專利文獻I)。如圖1所示，該現有技術具備支承基板W的基板載臺Jl和形成有曝光于基板W的圖案的掩模M，并且以設定間隔配置的基板W與掩模M間配置有將微透鏡以二維方式配置的微透鏡陣列MLA0根據該現有技術，從掩模M的上方照射曝光光L，穿透掩模M的光通過微透鏡陣列MLA投影于基板W上，形成于掩模M的圖案作為正立等倍像而轉印于基板表面。在此，微透鏡陣列MLA和省略圖示的曝光光源被固定配置，通過使微透鏡陣列MLA相對于成一體的掩模M和基板W沿垂直于紙面的掃描方向Sc進行相對移動，曝光光L在基板W上進行掃描。
[0003]現有技術文獻
[0004]專利文獻
[0005]專利文獻1:日本特開號公報
【發明內容】
[0006]發明所要解決的問題
[0007]前述現有的曝光裝置以掩模M與基板W的間隔保持恒定為前提，使用固定焦點的微透鏡陣列MLA0然而，即使以恒定間隔機械固定掩模M與支承基板W的基板載臺J1，在基板W的厚度不均的情況下，掩模M與基板W的間隔也不恒定，無法用固定焦點的微透鏡陣列MLA使掩模圖高精度地成像于基板W的表面。尤其是由于近年來用于液晶顯示器等的基板W趨向大面積化，不易以均勻的厚度制造大面積基板W，因此現有的曝光裝置具有不易使掩模圖高精度地成像于厚度容易變得不均勻的大面積基板的問題。
[0008]本發明以應對這種問題作為課題的一例。即，本發明的目的在于，對于將掩模圖投影曝光于基板的曝光裝置而言，即使在基板厚度不均勻的情況下，也能夠使掩模圖高精度地成像于基板面等。
[0009]用于解決問題的方案
[0010]為實現這種目的，本發明提供的曝光裝置至少具備以下結構。
[0011]—種曝光裝置，通過穿透掩模的光將掩模圖投影曝光于基板，其中，其特征在于，具備:支承部，分別支承沿一軸方向厚度不均勻的所述基板和所述掩模；掃描曝光機構，使配置于所述掩模與所述基板間的微透鏡陣列相對于所述基板及所述掩模進行相對移動，使所述掩模圖的一部分成像于所述基板上的朝與所述一軸方向交叉的方向延伸的局部曝光區域，并沿所述一軸方向掃描所述局部曝光區域；掩模/基板間隔調整機構，調整所述掩模與所述基板的間隔；以及掩模/基板間隔測量機構，在掃描所述局部曝光區域之前，測量沿所述一軸方向的所述間隔，所述曝光裝置根據所述掩模/基板間隔測量機構的測量結果和所述掃描曝光機構的掃描位置控制所述掩模/基板間隔調整機構，使所述局部曝光區域內的所述間隔與所述微透鏡陣列的成像間隔相匹配。
[0012]發明效果
[0013]具有這種特征的本發明，由于即使在基板厚度沿一軸方向不均勻的情況下，在進行沿一軸方向掃描局部曝光區域的掃描曝光時，掃描曝光時的掩模與基板的間隔也始終被調整為微透鏡陣列的成像間隔，因此也能夠使掩模圖高精度地成像于基板面。
【附圖說明】
[0014]圖1為現有技術的說明圖。
[0015]圖2為表示本發明的一實施方式涉及的曝光裝置的整體結構的說明圖，圖2(a)、(b)分別表示對基板上的不同位置進行掃描曝光時的狀態。
[0016]圖3為說明使用本發明的實施方式所涉及的曝光裝置時的準備工序的說明圖。圖3(a)表示基板的平面設置狀態，圖3(b)表示掩模的平面設置狀態。
[0017]圖4為說明使用本發明的實施方式所涉及的曝光裝置時的準備工序的說明圖。圖4(a)表示基板與掩模的對準工序，圖4(b)表示基板與掩模的間隔測量工序。
【具體實施方式】
[0018]以下，參考【附圖說明】本發明的實施方式。在圖2中，曝光裝置I通過穿透掩模2的光將掩模圖投影曝光于基板3。在此，基板3沿一軸方向(圖示X方向)的厚度t變得不均勻，圖中的基板厚度t為tl < t2。掩模2被掩模支承部(支承部)2S所支承，基板3被基板支承部(支承部)3S所支承。在此，掩模支承部2S的支承面2Sa與基板支承部3S的支承面3Sa的間隔h被設定為在支承面2Sa、3Sa的整面保持均勻的間隔。當掩模2和基板3分別支承于這樣的支承面2Sa、3Sa的情況下，若掩模2和基板3的厚度t均勻，則掩模2與基板3的間隔s也變得均勻，然而，當基板3的厚度t(tl < t2)沿一軸方向變得不均勻的情況下，間隔s(sl > s2)也隨此沿一軸方向(圖示X方向)變得不均勻。
[0019]曝光裝置I除前述支承部(掩模支承部2S及基板支承部3S)之外，還具備掃描曝光機構10、掩模/基板間隔調整機構20、掩模/基板間隔測量機構30以及控制掩模/基板間隔調整機構20的控制機構40。
[0020]掃描曝光機構10沿一軸方向掃描基板3上的朝與一軸方向(圖示X方向)交叉的方向(垂直于紙面的方向)延伸的局部曝光區域Ep，并且向掃描方向Sc (圖示X方向)掃描局部曝光區域Ep，對基板3上的有效面整面進行曝光。
[0021]該掃描曝光機構10具備:光源11，射出曝光光L ;以及微透鏡陣列12，使穿透掩模2的光投影于基板3上，并使掩模圖的一部分成像于基板3上的局部曝光區域Ep，并且，所述掃描曝光機構使配置于掩模2與基板3間的微透鏡陣列12相對于基板3及掩模2進行相對移動。微透鏡陣列12優選等倍的雙側遠心鏡頭。
[0022]掩模/基板間隔調整機構20調整掩模2與基板3的間隔，具體而言，掩模/基板間隔調整機構20具備通過來自控制機構40的信號使掩模支承部2S的支承面2Sa與基板支承部3S的支承面3Sa的間隔接近或遠離的機構。
[0023]掩模/基板間隔測量機構30在掃描局部曝光區域Ep之前測量沿一軸方向(圖示X方向)的掩模2與基板3的間隔S。該掩模/基板間隔測量機構30在自身沿一軸方向移動的同時測量掩模2與基板3的間隔，由此測量沿一軸方向的間隔變化。具體而言，能夠使用將激光束傾斜照射于基板3的表面及掩模2的表面，通過接受在掩模2的表面反射的光和在基板3上反射的光的受光位置的偏移，測量間隔s的激光移位計等。
[0024]該掩模/基板間隔測量機構30也可在掃描局部曝光區域Ep之前逐次測量掩模2與基板3的間隔，也可在掃描曝光機構10進行掃描曝光之前遍及一軸方向上的整個基板