供氣裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及供氣裝置，詳細地涉及可以改善工藝腔室內的工藝氣體的流動并可以提高沉積層的均勻度的供氣裝置。
【背景技術】
[0002]通常，液晶顯示器件包括薄膜晶體管基板、濾色器基板和位于兩個基板之間的液晶層，薄膜晶體管基板包括設置在由柵極線及數據線限定的像素區域的薄膜晶體管和像素電極，濾色器基板包括濾色器層和公共電極。
[0003]為了制造這種基板，則需要多次重復執行以下工序:向玻璃基板沉積原料物質的薄膜沉積工序、使用感光性物質來對這些薄膜中被選定區域進行暴露或隱蔽的光刻工序、通過排除被選定區域的薄膜來按照需要進行圖案化的蝕刻工序、用于排除殘渣的清洗工序等工序，而這些各工序在對于相應工序具有最適合環境的工藝腔室的內部執行。
[0004]圖13簡要示出作為制造液晶顯示裝置的代表性制造設備的等離子體增強化學氣相沉積PECVD設備的普通結構，所述等離子體增強化學氣相沉積設備包括:工藝腔室用于限定預定的反應空間的工藝腔室10 ;位于所述工藝腔室10的內部的基座20，在所述基座20的上面放置基板30 ;具有多個噴射口 42的第一氣體板41 ;以及設置于所述第一氣體板41的上方并與外部的氣體流入管80相連接的蓋子43。
[0005]在所述蓋子43和所述第一氣體板41之間設有第二板50，所述第二板用于使通過所述氣體流入管80流入所述第一板41的工藝氣體分散。并且，在所述第二板50具有多個第二排出孔51。
[0006]所述第二氣體板50呈包圍所述氣體流入管80的排出口附近的形狀，并與所述蓋子43的底表面相連接。
[0007]所述蓋子43用作用于向工藝氣體施加射頻RF功率的等離子電極，所述蓋子43與用于供給射頻功率的射頻功率源60相連接，在蓋子43和射頻功率源60之間設有用于匹配阻抗以便施加最大功率的的阻抗匹配器(1.M.B (Impedance Matching Box)) 70o
[0008]與等離子電極相對應的電極可為被接地的基座20，并且，也可以向基座20施加射頻功率。
[0009]如圖14所示，在所述第二板50形成有多個第二排出孔51，且分別以相同的間隔來配置。
[0010]S卩，無論是所述第二板50的中央部、包圍中央部的區域還是靠近第二板50的邊緣部的區域，都形成有第二排出孔51，且第二排出孔51的間隔都以相同間隔來配置，而與所配置的位置無關。
[0011]但是，像這樣，在第二板50的第二排出孔51的配置密度相同，而與區域無關。并且，在第二板50的大小小于所述第一板41的狀態下，當流入工藝氣體時，存在沉積于基板的沉積層的厚度明顯不均勻的問題。
[0012]S卩，越從基板30的中央部靠近外圍部，沉積層的高度越降低，在此情況下，則發生高度差形成10%以上的情況。
[0013]尤其，相對于氮化硅(SiNx)工序，工序類型為氧化硅(S1x)的工序中明顯發生這種情況。
[0014]像這樣，當沉積層的均勻度被破壞的情況下，如開口率、電荷移動率、響應速度、分辨率等，存在降低這些直接與液晶顯示器件的質量相關的要素的問題。
【發明內容】
[0015]技術問題
[0016]本發明為了解決如上所述的問題所提出，本發明的目的在于，設置可通過改善基板的沉積層的均勻度，來提供高質量的液晶顯示器件的供氣裝置。
[0017]技術方案
[0018]用于實現這種目的的本發明提供具有如下特征的供氣裝置，所述供氣裝置包括:
[0019]蓋子，與氣體管道相連接；第一板，工藝腔室用于將流入所述蓋子的氣體排出到工藝腔室；第二板，設置于所述蓋子和所述第一板之間，用于分散向下流動的氣體；形成于所述第一板的多個排出孔；以及形成于所述第二板的多個排出孔，其中形成于所述第二板的角落部的排出孔以不同于形成在所述第一板的角落部的排出孔的狀態配置，所述第一板的角落部與所述第二板的角落部對應。
[0020]其中配置于所述角落部的多個排出孔之間的間隔不同于配置在所述角落部之外的多個排出孔之間的間隔。
[0021]其中配置于所述角落部的多個排出孔之間的間隔大于配置在所述角落部之外的多個排出孔之間的間隔。
[0022]其中配置于所述角落部的排出孔的配置密度不同于配置在所述角落部之外的排出孔的配置密度。
[0023]其中配置于所述角落部的排出孔的配置密度小于配置在所述角落部之外的排出孔的配置密度。
[0024]其中配置于所述角落部的排出孔的直徑不同于配置在所述角落部之外的排出孔的直徑。
[0025]其中配置于所述角落部的排出孔的直徑小于配置在所述角落部之外的排出孔的直徑。
[0026]其中所述第一板的排出孔的數量不同于所述第二板的排出孔的數量。
[0027]其中所述第一板的中央部或邊緣部中的排出孔的數量或配置形態不同于所述第二板的中央部或邊緣部中的排出孔的數量或配置形態。
[0028]其中所述第二板包括:對應于所述第二板的中央部的第一區域；包圍所述第一區域的第二區域；在所述第二板的包圍所述第二區域的近邊緣部的第三區域；以及對應于所述第二板的角落部的第四區域。
[0029]其中所述第一區域的排出孔的配置密度小于所述第二區域的排出孔的配置密度，
[0030]所述第一區域的排出孔的配置密度為第二區域的排出孔的配置密度的一半。
[0031]其中所述第三區域的排出孔的配置密度小于所述第二區域的排出孔的配置密度。
[0032]其中所述第三區域的排出孔的配置密度為第二區域的排出孔的配置密度的一半。
[0033]其中所述第一區域的排出孔的配置密度與所述第三區域的配置密度相對應。
[0034]其中由形成在所述角落部的排出孔的被堵塞排出孔的面積與所述第二板的總面積的比例定義的孔堵塞率被設定在預定范圍內。
[0035]其中所述角落部包括相互隔開的多個單位區域，
[0036]各單位區域的孔堵塞率在0.5%?3%的范圍內。
[0037]其中所述角落部具有直角三角形的形狀，
[0038]其中所述角落部設置于所述第二板的所有角落。
[0039]其中所述角落部具有弧形的形狀，
[0040]其中所述角落部設置于所述第二板的所有角落。
[0041]其中所述角落部具有階梯形的形狀，
[0042]其中所述角落部設置于所述第二板的所有角落。
[0043]其中由形成在所述角落部的排出孔的配置密度與形成在整個第二板的排出孔的配置密度的比例定義的孔密度比被設定在預定范圍內。
[0044]其中所述角落部包括相互隔開的多個單位區域，各單位區域的孔堵塞率在38%?48%的范圍內。
[0045]其中所述第二板的大小與所述第一板的大小相對應，在所述第二板的端部設有密封部件或遮擋部件，所述密封部件或遮擋部件與所述蓋子的內表面相接觸，用于防止漏氣。
[0046]其中在所述第二板和所述第一板之間形成有間隔，在所述第二板和所述蓋子之間形成有間隔。
[0047]根據本發明的另一方面，提供一種供氣裝置，所述供氣裝置包括:
[0048]蓋子，與氣體管道相連接；
[0049]第一板，工藝腔室形成有用于將流入所述蓋子的氣體排出到工藝腔室的第一排出孔；
[0050]第二板，設置于所述蓋子和所述第一板之間，并形成有使得流向所述第一板的氣體分散的第二排出孔，
[0051]其中形成于所述第二板的多個第二排出孔中的一部分排出孔配置于三個或更多個以上的被區分的區域，每個被區分的區域包括從所述第二板的每個角落延伸并具有預定長度的兩條邊。
[0052]其中配置于被區分的所述區域上的多個第二排出孔之間的間隔可不同于配置在被區分的所述區域之外的多個第二排出孔之間的間隔。
[0053]其中配置于被區分的所述區域上的多個第二排出孔之間的間隔可大于配置在被區分的所述區域之外的多個第二排出孔之間的間隔。
[0054]其中配置于被區分的所述區域上的第二排出孔的配置密度可不同于配置在被區分的所述區域之外的第二排出孔的配置密度。
[0055]其中配置于被區分的所述區域上的第二排出孔的配置密度可小于配置在被區分的所述區域之外的第二排出孔的配置密度。
[0056]其中由形成在被區分的區域的第二排出孔中的被堵塞第二排出孔的面積與所述第二板的面積的比例定義的孔堵塞率可被設定在預定范圍內。
[0057]其中被區分的所述區域包括相互隔開的多個單位區域，
[0058]各單位區域的孔堵塞率在0.5%?3%的范圍內。
[0059]其中由形成在被區分的區域的第二排出孔的配置密度與形成在整個第二板的排出孔的配置密度的比例定義的孔密度比被設定在預定范圍內。
[0060]其中被區分的所述區域包括相互隔開的多個單位區域，
[0061]各單位區域的孔堵塞率在38%?48%的范圍內。
[0062]發明的效果
[0063]根據如上所述的本發明，可以保證基板的沉積層的厚度的均勻度。
[0064]因此，相對于整個沉積層，開口率和電荷迀移率、響應速度、分辨率可以一致，也具有可提尚整個液晶顯不裝置的質量的優點。
【附圖說明】
[0065]圖1為本發明的供氣裝置的立體圖。
[0066]圖2為設置于本發明的供氣裝置的第二板的第一實施例的俯視圖。
[0067]圖3為設置于本發明的供氣裝置的第二板的第二實施例的俯視圖。
[0068]圖4為設置于本發明的供氣裝置的第二板的第三實施例的俯視圖。
[0069]圖5為根據圖4的供氣裝置所獲得的沉積層的剖視圖。
[0070]圖6為設置于本發明的供氣裝置的第二板的第四實施例的俯視圖。
[0071]圖7為設置于本發明的供氣裝置的第二板的第五