一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示
目.0
【背景技術】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-1XD)是目前常用的平板顯示器，薄膜晶體管液晶顯示器以其低電壓、低功耗、適宜于電路集成、輕巧便攜等優點而受到廣泛的研宄與應用。
[0003]目前傳統的高開口率-高級超維場轉換(High-Advanced Super Dimens1nSwitch, HADS)模式薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)基板如圖1所示，HADS模式TFT基板水平方向分布有公共電極線11和柵極線12，豎直方向分布有數據線13，TFT15的漏極與第一層氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)層(圖中未示出)相連，提供像素電極信號，第二層ITO層(圖中未示出)通過過孔14與公共電極線11相連，加載公共電極信號。
[0004]圖1中的公共電極線11采用與柵極線12同層的金屬制作形成，因此公共電極線11的電阻遠小于第二層ITO層的電阻，電阻小時傳輸電信號的能力強，進而能夠提高公共電極信號的均一性。但此設計需要單獨設計過孔14與第二層ITO層相連，過孔的設計會占用像素內的顯示面積，導致TFT基板像素的開口率降低，不利于產品特性的提高。另外，這種設計雖然在一定程度上提高了公共電極信號的均勻性，但這種設計公共電極線11與公共電極，即第二層ITO層是通過過孔14連接的，屬于點接觸，接觸面積小，接觸電阻較大，公共電極信號的均勻性仍然較差。由于接觸電阻較大，一般需要每隔三個像素或每個像素都設計過孔14，過孔的設計進一步降低了像素的開口率。
[0005]綜上所述，現有技術HADS模式TFT基板像素的開口率較低，公共電極信號的均勻性較差。

【發明內容】

[0006]本發明實施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，用以提高公共電極信號的均勻性，提高像素的開口率。
[0007]本發明實施例提供的一種陣列基板，包括若干陣列排列的亞像素單元、薄膜晶體管、柵極線和數據線，其中，還包括公共電極和公共電極線；
[0008]所述公共電極線與所述數據線平行，相鄰兩列所述亞像素單元之間間隔分布有所述數據線和所述公共電極線，所述公共電極線與所述公共電極直接接觸電連接，每一所述數據線與該數據線相鄰的兩列亞像素單元連接；
[0009]每一行所述亞像素單元兩側均分布有一條柵極線，每一行連接在同一數據線上的相鄰兩個亞像素單元分別與該行亞像素單元兩側分布的不同柵極線連接。
[0010]由本發明實施例提供的陣列基板，包括若干陣列排列的亞像素單元、薄膜晶體管、柵極線和數據線，其中，還包括公共電極和公共電極線；所述公共電極線與所述數據線平行，相鄰兩列所述亞像素單元之間間隔分布有所述數據線和所述公共電極線，所述公共電極線與所述公共電極直接接觸電連接，每一所述數據線與該數據線相鄰的兩列亞像素單元連接；每一行所述亞像素單元兩側均分布有一條柵極線，每一行連接在同一數據線上的相鄰兩個亞像素單元分別與該行亞像素單元兩側分布的不同柵極線連接。由于本發明實施例中公共電極線與公共電極直接接觸電連接，與現有技術公共電極和公共電極線通過過孔電連接相比，本發明實施例中公共電極線與公共電極的接觸面積較大，接觸電阻較小，因此能夠提高公共電極信號的均勻性。另外，與現有技術公共電極和公共電極線連接時需要設置過孔相比，本發明實施例公共電極和公共電極線直接連接，不需要設置過孔，因此能夠提高像素的開口率。
[0011]較佳地，所述公共電極線和所述數據線同層設置。
[0012]較佳地，所述公共電極線與所述數據線按照在列方向上第奇數條為數據線，第偶數條為公共電極線分布；或，
[0013]所述公共電極線與所述數據線按照在列方向上第偶數條為數據線，第奇數條為公共電極線分布。
[0014]較佳地，包括第一絕緣層，所述第一絕緣層位于所述柵極線和所述公共電極線之間，所述公共電極位于所述公共電極線上，與所述公共電極線直接接觸電連接。
[0015]較佳地，包括像素電極，所述像素電極位于所述公共電極上方。
[0016]較佳地，包括第二絕緣層，所述第二絕緣層位于所述公共電極和所述像素電極之間。
[0017]本發明實施例還提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括上述的陣列基板。
[0018]本發明實施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的顯示面板。
[0019]本發明實施例還提供了一種陣列基板的制作方法，所述方法包括:
[0020]在襯底基板上通過構圖工藝制作柵極和柵極線，每一行亞像素單元兩側均分布有一條柵極線；
[0021]在完成上述步驟的襯底基板上通過構圖工藝依次制作第一絕緣層和半導體有源層；
[0022]在完成上述步驟的襯底基板上通過構圖工藝制作源極、漏極、數據線和公共電極線，所述公共電極線與所述數據線平行，所述公共電極線與所述數據線間隔分布在相鄰兩列亞像素單元之間，每一所述數據線與該數據線相鄰的兩列亞像素單元連接，每一行連接在同一數據線上的相鄰兩個亞像素單元分別與該行亞像素單元兩側分布的不同柵極線連接;
[0023]在完成上述步驟的襯底基板上通過構圖工藝制作公共電極，所述公共電極與所述公共電極線直接電連接；
[0024]在完成上述步驟的襯底基板上通過構圖工藝制作第二絕緣層和貫穿所述第二絕緣層的過孔；
[0025]在完成上述步驟的襯底基板上通過構圖工藝制作像素電極，所述像素電極通過所述過孔與所述源極或所述漏極電連接。
[0026]較佳地，所述在完成上述步驟的襯底基板上通過構圖工藝制作公共電極，包括:
[0027]在完成上述步驟的襯底基板上沉積一層透明導電層；
[0028]在所述透明導電層上涂覆光刻膠，并對所述光刻膠進行曝光、顯影，保留公共電極線和像素區的光刻膠；
[0029]通過刻蝕，去除暴露出的透明導電層，并去除剩余的光刻膠，形成公共電極。
【附圖說明】
[0030]圖1為現有技術陣列基板的平面結構示意圖；
[0031]圖2為本發明實施例提供的一種陣列基板的平面結構示意圖；
[0032]圖3為本發明實施例提供的另一陣列基板的平面結構示意圖；
[0033]圖4為圖2或圖3中沿AAl方向的截面結構示意圖；
[0034]圖5為圖2或圖3中沿BBl方向的截面結構示意圖；
[0035]圖6為本發明實施例提供的一種陣列基板的制作方法流程圖。
【具體實施方式】
[0036]本發明實施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板、顯示裝置，用以提高公共電極信號的均勻性，提高像素的開口率。
[0037]為了使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0038]附圖中各層薄膜厚度和區域大小、形狀不反應各膜層的真實比例，目的只是示意說明本
【發明內容】
。
[0039]下面結合附圖詳細介紹本發明具體實施例提供的陣列基板。
[0040]如圖2所示，本發明具體實施例提供了一種陣列基板，包括若干陣列排列的亞像素單元20、薄膜晶體管21、柵極線22、數據線23、公共電極24和公共電極線25，其中；
[0041]公共電極線25與數據線23平行，相鄰兩列亞像素單元20之間間隔分布有數據線23和公共電極線25，公共電極線25與公共電極24直接接觸電連接，每一數據線23與該數據線23相鄰的兩列亞像素單元20連接；優選地，本發明具體實施例中公共電極線25和數據線23同層設置；
[0042]每一行亞像素單元20兩側均分布有一條柵極線22，每一行連接在同一數據線23上的相鄰兩個亞像素單元20分別與該行亞像素單元20兩側分布的不同柵極線22連接。
[0043]優選地，如圖2所示，本發明具體實施例中公共電極線25與數據線23按照在列方向上第奇數條為數據線，第偶數條為公共電極線分布，如:圖中第一列為數據線Datal，第二列為公共電極線Coml，第三列為數據線Data2，第四列為公共電極線Com2，第五列為數據線 Data3 ;或；
[0044]如圖3所示，本發明具體實施例中公共電極線25與數據線23按照在列方向上第偶數條為數據線，第奇數條為公共電極線分布，如:圖中第一列為公共電極線Coml，第二列為數據線Datal，第三列為公共電極線Com2，第四列為數據線Data2。
[0045]圖2或圖3中沿AAl方向的截面圖如圖4所示，本發明具體實施例中的陣列基板包括第一絕緣層41，第一絕緣層41位于柵極線22和公共電極線25之間，公共電極24位于公共電極線25上，與公共電極線25直接接觸電連接，具體地，本發明具體實施例中的柵極線22位于襯底基板40上。
[0046]圖2或圖3中沿BBI方向的截面圖如圖5所示，本發明具體實施例中的陣列基板包括像素電極51和第二絕緣層52，其中，像素電極51位于公共電極24上方，第二絕緣層52位于公共電極24和像素電極51之間，本發明具體實施例中的像素電極51為狹縫狀電極。
[0047]由圖4和圖5可以看到，本發明具體實施例中公共電極24和公共電極線25直接接觸電連接，直接接觸電連接的接觸面積為整條公共電極線25，與現有技術中公共電極和公共電極線通過過孔連接相比，本發明具體實施例中公共電極和公共電極線的接觸面積較大，接觸電阻較低，因此能夠提高公共電極信號的均勻性。
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