中文字幕无码日韩视频无码三区

光刻設備及器件制造方法與流程

文檔(dang)序號:11142125閱(yue)讀:683來源(yuan):國知局
光刻設備及器件制造方法與制造工藝

本申(shen)請(qing)要求于2014年4月30日(ri)申(shen)請(qing)的(de)歐洲申(shen)請(qing)14166492.0的(de)權益,通過引(yin)用(yong)將其全部內容并(bing)入(ru)本文(wen)中。

技術領域

本發明涉及光刻設備和用于制造器件的方法。



背景技術:

光(guang)(guang)刻設備(bei)是一(yi)種將(jiang)所(suo)(suo)(suo)需圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)案(an)(an)應用到襯(chen)底(di)(di)上,通(tong)(tong)常是襯(chen)底(di)(di)的(de)(de)目(mu)(mu)標(biao)部(bu)分上的(de)(de)機器。光(guang)(guang)刻設備(bei)可(ke)(ke)用于例如制造集(ji)成電(dian)路(IC)中(zhong)。在(zai)這種情(qing)況(kuang)下,可(ke)(ke)以(yi)將(jiang)可(ke)(ke)選地稱為掩模(mo)或(huo)掩模(mo)版(ban)的(de)(de)圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)案(an)(an)形(xing)成裝(zhuang)置用于生成待形(xing)成在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)IC的(de)(de)單層上的(de)(de)電(dian)路圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)案(an)(an)。可(ke)(ke)以(yi)將(jiang)該圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)案(an)(an)轉移到襯(chen)底(di)(di)(例如,硅晶片)上的(de)(de)目(mu)(mu)標(biao)部(bu)分(例如,包(bao)(bao)括一(yi)部(bu)分管(guan)芯、一(yi)個(ge)或(huo)多個(ge)管(guan)芯)上。通(tong)(tong)常,通(tong)(tong)過將(jiang)圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)案(an)(an)成像到設置在(zai)襯(chen)底(di)(di)上的(de)(de)輻(fu)射敏感(gan)材料(抗(kang)蝕(shi)劑(ji))層上而實(shi)現圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)案(an)(an)的(de)(de)轉移。通(tong)(tong)常,單一(yi)襯(chen)底(di)(di)將(jiang)包(bao)(bao)括相(xiang)鄰(lin)目(mu)(mu)標(biao)部(bu)分的(de)(de)網絡,所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)相(xiang)鄰(lin)目(mu)(mu)標(biao)部(bu)分被連續地圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)案(an)(an)化。公知的(de)(de)光(guang)(guang)刻設備(bei)包(bao)(bao)括:所(suo)(suo)(suo)謂的(de)(de)步(bu)進機,在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)步(bu)進機中(zhong),通(tong)(tong)過將(jiang)整(zheng)個(ge)圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)案(an)(an)一(yi)次曝光(guang)(guang)到所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)目(mu)(mu)標(biao)部(bu)分上來輻(fu)射每(mei)一(yi)個(ge)目(mu)(mu)標(biao)部(bu)分;以(yi)及所(suo)(suo)(suo)謂的(de)(de)掃(sao)描器,在(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)掃(sao)描器中(zhong),通(tong)(tong)過輻(fu)射束沿(yan)給定方向(xiang)(xiang)(“掃(sao)描”方向(xiang)(xiang))掃(sao)描所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)案(an)(an)、同時沿(yan)與該方向(xiang)(xiang)平行(xing)或(huo)反(fan)向(xiang)(xiang)平行(xing)的(de)(de)方向(xiang)(xiang)同步(bu)地掃(sao)描所(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)襯(chen)底(di)(di)來輻(fu)射每(mei)一(yi)個(ge)目(mu)(mu)標(biao)部(bu)分。也可(ke)(ke)能通(tong)(tong)過將(jiang)圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)案(an)(an)壓印(yin)(imprinting)到襯(chen)底(di)(di)的(de)(de)方式從圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)案(an)(an)形(xing)成裝(zhuang)置將(jiang)圖(tu)(tu)(tu)(tu)(tu)案(an)(an)轉移到襯(chen)底(di)(di)上。

在光刻(ke)(ke)設(she)(she)備(bei)中(zhong)的(de)一些(xie)部(bu)件(jian)、與光刻(ke)(ke)設(she)(she)備(bei)相關的(de)部(bu)件(jian)以及進(jin)入光刻(ke)(ke)設(she)(she)備(bei)的(de)某(mou)些(xie)物體的(de)溫度(du)穩定性(xing)是(shi)重要(yao)的(de)。典型地,這些(xie)部(bu)件(jian)保持在目(mu)標(biao)設(she)(she)定點(dian)溫度(du)處。有許多不同的(de)熱(re)(re)負(fu)載(zai)源于(yu)光刻(ke)(ke)設(she)(she)備(bei)以及光刻(ke)(ke)設(she)(she)備(bei)周圍,這些(xie)熱(re)(re)負(fu)載(zai)會使部(bu)件(jian)的(de)溫度(du)升高到它們的(de)目(mu)標(biao)設(she)(she)定點(dian)溫度(du)之上或者(zhe)下(xia)降到它們的(de)目(mu)標(biao)設(she)(she)定點(dian)溫度(du)以下(xia)。因(yin)此(ci),在光刻(ke)(ke)設(she)(she)備(bei)中(zhong)使用熱(re)(re)屏(ping)蔽件(jian),以使部(bu)件(jian)與熱(re)(re)負(fu)載(zai)熱(re)(re)絕緣。

熱(re)(re)屏(ping)蔽(bi)件(jian)的(de)(de)一(yi)種(zhong)使(shi)用方式是用在被配置用于處理襯(chen)底(di)的(de)(de)系統中。例如(ru),熱(re)(re)屏(ping)蔽(bi)件(jian)可以(yi)用在接收襯(chen)底(di)、確(que)保襯(chen)底(di)的(de)(de)溫度(du)穩(wen)定(ding)(ding)性(xing)并(bing)且將襯(chen)底(di)提供(gong)至光(guang)刻(ke)設(she)備的(de)(de)系統中。附加(jia)地(di),在光(guang)刻(ke)設(she)備中對(dui)襯(chen)底(di)成像(xiang)之后,所(suo)述(shu)系統能夠從光(guang)刻(ke)設(she)備接收襯(chen)底(di),并(bing)傳送該襯(chen)底(di),以(yi)用于下(xia)一(yi)處理。襯(chen)底(di)的(de)(de)溫度(du)穩(wen)定(ding)(ding)性(xing)是重要的(de)(de),因(yin)為(wei)襯(chen)底(di)的(de)(de)溫度(du)不(bu)穩(wen)定(ding)(ding)性(xing)會(hui)導致成像(xiang)誤(wu)差(cha),諸如(ru)重疊(die)誤(wu)差(cha)。因(yin)此(ci),襯(chen)底(di)通(tong)過的(de)(de)系統中的(de)(de)空間通(tong)過熱(re)(re)屏(ping)蔽(bi)件(jian)進(jin)行熱(re)(re)屏(ping)蔽(bi),以(yi)使(shi)該空間與源于空間外部的(de)(de)熱(re)(re)負(fu)載熱(re)(re)絕緣(yuan)。

包括絕(jue)(jue)熱材(cai)料的(de)(de)(de)熱屏(ping)(ping)蔽件(jian)是已知的(de)(de)(de)。然(ran)而,這種熱屏(ping)(ping)蔽件(jian)的(de)(de)(de)有效性依賴(lai)于(yu)低的(de)(de)(de)熱傳導性以及(ji)絕(jue)(jue)熱材(cai)料的(de)(de)(de)厚度。在(zai)光刻設備(bei)中,空間是稀缺的(de)(de)(de),僅僅由絕(jue)(jue)熱材(cai)料制成的(de)(de)(de)具有足夠好的(de)(de)(de)熱絕(jue)(jue)緣性能的(de)(de)(de)熱屏(ping)(ping)蔽件(jian)是不期望地笨重的(de)(de)(de)。

包括通過流(liu)動液(ye)體(ti)(例如,水(shui)套)進行(xing)熱(re)調節的(de)(de)(de)壁的(de)(de)(de)熱(re)屏(ping)蔽(bi)件(jian)具有(you)好的(de)(de)(de)熱(re)屏(ping)蔽(bi)性質(zhi),并且比(bi)僅僅由絕(jue)熱(re)材料制成的(de)(de)(de)熱(re)屏(ping)蔽(bi)件(jian)占用更(geng)少(shao)的(de)(de)(de)體(ti)積。然而(er),用液(ye)體(ti)熱(re)調節的(de)(de)(de)壁具有(you)復雜性增大的(de)(de)(de)缺點,因為需要進行(xing)液(ye)體(ti)緊密密封,而(er)且具有(you)由于(yu)液(ye)體(ti)泄漏而(er)損壞設(she)備的(de)(de)(de)風險。

本發明(ming)旨(zhi)在提供一(yi)種與光(guang)刻(ke)設備一(yi)起(qi)使(shi)用的系(xi)統(tong),其中(zhong)所(suo)述系(xi)統(tong)被配置用于(yu)處理(li)襯(chen)底并且將襯(chen)底通過的空(kong)間(jian)(jian)與源于(yu)所(suo)述空(kong)間(jian)(jian)外(wai)部的熱(re)負載(zai)熱(re)絕緣。



技術實現要素:

根(gen)據本發明的(de)(de)一(yi)(yi)(yi)方面,提供一(yi)(yi)(yi)種與(yu)(yu)光(guang)刻(ke)設備一(yi)(yi)(yi)起使(shi)用的(de)(de)系(xi)統(tong)(tong)(tong),所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)系(xi)統(tong)(tong)(tong)被(bei)配(pei)置用于(yu)(yu)(yu)處理襯底,其(qi)中所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)系(xi)統(tong)(tong)(tong)適于(yu)(yu)(yu)連接至(zhi)(zhi)氣(qi)(qi)(qi)體(ti)源,所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)系(xi)統(tong)(tong)(tong)包括(kuo):襯底通(tong)(tong)(tong)過(guo)的(de)(de)空(kong)(kong)(kong)間(jian)(jian)(jian);和(he)用于(yu)(yu)(yu)將所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)空(kong)(kong)(kong)間(jian)(jian)(jian)與(yu)(yu)源于(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)空(kong)(kong)(kong)間(jian)(jian)(jian)外(wai)(wai)部(bu)的(de)(de)熱(re)負載熱(re)絕緣(yuan)的(de)(de)熱(re)屏蔽件(jian),所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)熱(re)屏蔽件(jian)包括(kuo):第一(yi)(yi)(yi)壁(bi)(bi)和(he)第二(er)壁(bi)(bi),且(qie)在第一(yi)(yi)(yi)壁(bi)(bi)和(he)第二(er)壁(bi)(bi)之間(jian)(jian)(jian)具有間(jian)(jian)(jian)隙(xi)(xi)(xi),所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第一(yi)(yi)(yi)壁(bi)(bi)定位在所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)空(kong)(kong)(kong)間(jian)(jian)(jian)與(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第二(er)壁(bi)(bi)之間(jian)(jian)(jian);至(zhi)(zhi)少(shao)一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)入口(kou)開(kai)(kai)口(kou),所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)至(zhi)(zhi)少(shao)一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)入口(kou)開(kai)(kai)口(kou)被(bei)配(pei)置用于(yu)(yu)(yu)允(yun)(yun)許來(lai)自氣(qi)(qi)(qi)體(ti)源的(de)(de)氣(qi)(qi)(qi)體(ti)流(liu)(liu)從(cong)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)空(kong)(kong)(kong)間(jian)(jian)(jian)的(de)(de)外(wai)(wai)部(bu)進入所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)間(jian)(jian)(jian)隙(xi)(xi)(xi);和(he)至(zhi)(zhi)少(shao)一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)出口(kou)開(kai)(kai)口(kou),所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)至(zhi)(zhi)少(shao)一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)出口(kou)開(kai)(kai)口(kou)被(bei)配(pei)置用于(yu)(yu)(yu)允(yun)(yun)許氣(qi)(qi)(qi)體(ti)流(liu)(liu)離開(kai)(kai)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)間(jian)(jian)(jian)隙(xi)(xi)(xi)至(zhi)(zhi)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)空(kong)(kong)(kong)間(jian)(jian)(jian)的(de)(de)外(wai)(wai)部(bu),其(qi)中所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)系(xi)統(tong)(tong)(tong)適于(yu)(yu)(yu)引導來(lai)自氣(qi)(qi)(qi)體(ti)源的(de)(de)氣(qi)(qi)(qi)體(ti)流(liu)(liu),使(shi)氣(qi)(qi)(qi)體(ti)流(liu)(liu)通(tong)(tong)(tong)過(guo)至(zhi)(zhi)少(shao)一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)入口(kou)開(kai)(kai)口(kou)進入所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)間(jian)(jian)(jian)隙(xi)(xi)(xi)、流(liu)(liu)動通(tong)(tong)(tong)過(guo)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)間(jian)(jian)(jian)隙(xi)(xi)(xi)并且(qie)通(tong)(tong)(tong)過(guo)至(zhi)(zhi)少(shao)一(yi)(yi)(yi)個(ge)(ge)出口(kou)開(kai)(kai)口(kou)流(liu)(liu)出所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)間(jian)(jian)(jian)隙(xi)(xi)(xi)至(zhi)(zhi)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)空(kong)(kong)(kong)間(jian)(jian)(jian)外(wai)(wai)部(bu),從(cong)而(er)減(jian)少(shao)由于(yu)(yu)(yu)源于(yu)(yu)(yu)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)空(kong)(kong)(kong)間(jian)(jian)(jian)外(wai)(wai)部(bu)的(de)(de)熱(re)負載而(er)引起的(de)(de)空(kong)(kong)(kong)間(jian)(jian)(jian)中的(de)(de)熱(re)波(bo)動。

根據(ju)本(ben)發(fa)明(ming)的(de)一方(fang)面,提(ti)供一種(zhong)對(dui)襯底通(tong)過的(de)空(kong)間(jian)熱絕(jue)緣的(de)方(fang)法,所(suo)述方(fang)法包括:在(zai)源(yuan)于(yu)空(kong)間(jian)外(wai)部(bu)(bu)的(de)熱負(fu)載與空(kong)間(jian)之間(jian)設置熱屏蔽件,并且(qie)引導(dao)氣體從空(kong)間(jian)的(de)外(wai)部(bu)(bu)進入熱屏蔽件中的(de)間(jian)隙(xi)(xi)內、通(tong)過所(suo)述間(jian)隙(xi)(xi)以及離開(kai)所(suo)述間(jian)隙(xi)(xi)至所(suo)述空(kong)間(jian)外(wai)部(bu)(bu),從而(er)減小由于(yu)源(yuan)于(yu)所(suo)述空(kong)間(jian)外(wai)部(bu)(bu)的(de)熱負(fu)載而(er)引起的(de)空(kong)間(jian)中的(de)熱波動。

附圖說明

現在將(jiang)參考隨附(fu)的(de)示意(yi)性(xing)附(fu)圖(tu)僅(jin)通過舉例(li)的(de)方式(shi)描述(shu)本發明的(de)實施例(li),其中(zhong)相應(ying)的(de)參考標記表示相應(ying)的(de)部件,在附(fu)圖(tu)中(zhong):

圖1示出根(gen)據本發明實施例的光刻設備;

圖(tu)2是根(gen)據本發(fa)明的系統的透視(shi)圖(tu);和

圖(tu)3是(shi)根據本(ben)發明(ming)的熱屏蔽(bi)件的橫截(jie)面(mian)視圖(tu)。

具體實施方式

圖1示意地示出了根據(ju)本發明一個實(shi)施(shi)例的光刻(ke)設備。所述(shu)設備包括:

-照射(she)系統(tong)(照射(she)器)IL,其配置成(cheng)調節輻(fu)射(she)束(shu)B(例如UV輻(fu)射(she));

-支(zhi)撐結構(例(li)如掩模(mo)臺)MT,其構造用于支(zhi)撐圖案形成裝置(例(li)如掩模(mo))MA,并與配置用于根據特定的參數(shu)精(jing)確地定位(wei)圖案形成裝置的第一定位(wei)裝置PM相連;

-襯(chen)底(di)(di)臺(tai)(例(li)如(ru)晶(jing)片臺(tai))WT,其構造用于(yu)保持襯(chen)底(di)(di)(例(li)如(ru),涂(tu)覆有抗(kang)蝕劑(ji)的晶(jing)片)W,并與配(pei)置用于(yu)根(gen)據特定(ding)的參數(shu)精確地定(ding)位(wei)襯(chen)底(di)(di)的第(di)二定(ding)位(wei)裝置PW相連;和

-投(tou)影系統(例如折射式投(tou)影透鏡(jing)系統)PS,其(qi)配置(zhi)(zhi)成用(yong)于將(jiang)由(you)圖案形成裝置(zhi)(zhi)MA賦予輻射束B的圖案投(tou)影到襯(chen)底W的目標(biao)部分(fen)C(例如包括(kuo)一根或更多根管芯)上(shang)。

照射(she)系(xi)統(tong)可以包(bao)括各種(zhong)類型(xing)(xing)的(de)光學部件(jian)(jian),例如折射(she)型(xing)(xing)、反射(she)型(xing)(xing)、磁性型(xing)(xing)、電(dian)磁型(xing)(xing)、靜電(dian)型(xing)(xing)或(huo)其它類型(xing)(xing)的(de)光學部件(jian)(jian)、或(huo)其任意組(zu)合,以引導(dao)、成形、或(huo)控制輻射(she)。

所(suo)述支(zhi)(zhi)撐(cheng)結構(gou)支(zhi)(zhi)撐(cheng),即(ji)承載圖(tu)案形(xing)(xing)成裝置(zhi)的(de)(de)重量。所(suo)述支(zhi)(zhi)撐(cheng)結構(gou)以(yi)依(yi)賴(lai)于圖(tu)案形(xing)(xing)成裝置(zhi)的(de)(de)取向、光刻設(she)備的(de)(de)設(she)計以(yi)及諸如例如圖(tu)案形(xing)(xing)成裝置(zhi)是否(fou)保持在真空環境中(zhong)等其他條件的(de)(de)方式保持圖(tu)案形(xing)(xing)成裝置(zhi)。所(suo)述支(zhi)(zhi)撐(cheng)結構(gou)可(ke)(ke)(ke)以(yi)是框架或臺,例如,其可(ke)(ke)(ke)以(yi)根據需要成為固(gu)定的(de)(de)或可(ke)(ke)(ke)移動(dong)的(de)(de)。所(suo)述支(zhi)(zhi)撐(cheng)結構(gou)可(ke)(ke)(ke)以(yi)確保圖(tu)案形(xing)(xing)成裝置(zhi)位(wei)(wei)于所(suo)需的(de)(de)位(wei)(wei)置(zhi)上(shang)(例如相對于投影系(xi)統(tong))。這里使(shi)用的(de)(de)任(ren)何術語(yu)“掩(yan)模版”或“掩(yan)模”可(ke)(ke)(ke)以(yi)看作與更(geng)為上(shang)位(wei)(wei)的(de)(de)術語(yu)“圖(tu)案形(xing)(xing)成裝置(zhi)”同義。

這里所使用的(de)(de)術(shu)語“圖(tu)(tu)(tu)案(an)(an)形(xing)成(cheng)裝(zhuang)置”應該被廣(guang)義地(di)理解為能夠用于將圖(tu)(tu)(tu)案(an)(an)在輻(fu)(fu)射(she)(she)(she)束的(de)(de)橫截面(mian)上(shang)賦(fu)予(yu)(yu)輻(fu)(fu)射(she)(she)(she)束、以便(bian)在襯底(di)的(de)(de)目標(biao)部分(fen)上(shang)形(xing)成(cheng)圖(tu)(tu)(tu)案(an)(an)的(de)(de)任何裝(zhuang)置。應該注意的(de)(de)是,賦(fu)予(yu)(yu)輻(fu)(fu)射(she)(she)(she)束的(de)(de)圖(tu)(tu)(tu)案(an)(an)可能不與襯底(di)的(de)(de)目標(biao)部分(fen)上(shang)的(de)(de)所需圖(tu)(tu)(tu)案(an)(an)精(jing)確地(di)對(dui)應(例如,如果所述(shu)圖(tu)(tu)(tu)案(an)(an)包括相(xiang)移特(te)征(zheng)(zheng)或所謂(wei)的(de)(de)輔助(zhu)特(te)征(zheng)(zheng))。通常,被賦(fu)予(yu)(yu)輻(fu)(fu)射(she)(she)(she)束的(de)(de)圖(tu)(tu)(tu)案(an)(an)將與在目標(biao)部分(fen)上(shang)形(xing)成(cheng)的(de)(de)器件中的(de)(de)特(te)定(ding)的(de)(de)功能層相(xiang)對(dui)應,例如集成(cheng)電路。

光刻設(she)備可(ke)(ke)以(yi)是具有兩個(ge)(ge)(雙臺(tai)(tai))或(huo)更多襯(chen)底臺(tai)(tai)(和(he)/或(huo)兩個(ge)(ge)或(huo)更多的(de)掩模臺(tai)(tai))的(de)類型。在(zai)這種“多平(ping)臺(tai)(tai)”機(ji)器(qi)中,可(ke)(ke)以(yi)并行(xing)地使用(yong)附加的(de)臺(tai)(tai),或(huo)可(ke)(ke)以(yi)在(zai)一個(ge)(ge)或(huo)更多個(ge)(ge)臺(tai)(tai)上執行(xing)預備步(bu)驟的(de)同時(shi),將一個(ge)(ge)或(huo)更多個(ge)(ge)其它臺(tai)(tai)用(yong)于曝光。

所述(shu)光刻設(she)備(bei)還可以(yi)(yi)是(shi)這種類型:其中襯(chen)底的(de)(de)(de)至少(shao)一部(bu)分可以(yi)(yi)由具有相對高的(de)(de)(de)折射率(lv)的(de)(de)(de)液(ye)體(例如水)覆蓋,以(yi)(yi)便填充投(tou)(tou)影系統和襯(chen)底之間(jian)的(de)(de)(de)空間(jian)。浸(jin)沒(mei)液(ye)體還可以(yi)(yi)施加到光刻設(she)備(bei)中的(de)(de)(de)其他(ta)空間(jian),例如掩模(mo)和投(tou)(tou)影系統之間(jian)的(de)(de)(de)空間(jian)。浸(jin)沒(mei)技術用(yong)于提高投(tou)(tou)影系統的(de)(de)(de)數值孔徑在本領域是(shi)熟(shu)知(zhi)的(de)(de)(de)。這里使用(yong)的(de)(de)(de)術語“浸(jin)沒(mei)”并不意(yi)味著(zhu)必須將結構(例如襯(chen)底)浸(jin)入到液(ye)體中,而僅意(yi)味著(zhu)在曝光過程中液(ye)體位于投(tou)(tou)影系統和該襯(chen)底之間(jian)。

如(ru)這里所示的(de),所述(shu)設備(bei)是透射(she)型的(de)(例如(ru),采(cai)用(yong)透射(she)式(shi)掩模)。替代地,所述(shu)設備(bei)可以是反射(she)型的(de)(例如(ru),采(cai)用(yong)如(ru)上所述(shu)類型的(de)可編程反射(she)鏡(jing)陣(zhen)列,或采(cai)用(yong)反射(she)式(shi)掩模)。

參(can)照(zhao)圖1,照(zhao)射器(qi)(qi)IL接收來自(zi)輻射源(yuan)SO的(de)(de)輻射束(shu)。所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)源(yuan)和(he)光(guang)刻設(she)(she)備(bei)可以是(shi)(shi)分(fen)立(li)的(de)(de)實體(例(li)如當該源(yuan)為準分(fen)子(zi)激(ji)光(guang)器(qi)(qi)時)。在這(zhe)種情況(kuang)(kuang)下,不(bu)會將該源(yuan)考慮成(cheng)形成(cheng)光(guang)刻設(she)(she)備(bei)的(de)(de)一部分(fen),并且通過(guo)包(bao)括例(li)如合適的(de)(de)定向反射鏡和(he)/或(huo)擴(kuo)束(shu)器(qi)(qi)的(de)(de)束(shu)傳遞系(xi)(xi)(xi)統(tong)BD的(de)(de)幫(bang)助,將所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)輻射束(shu)從所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)源(yuan)SO傳到(dao)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)照(zhao)射器(qi)(qi)IL。在其它情況(kuang)(kuang)下,所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)源(yuan)可以是(shi)(shi)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)光(guang)刻設(she)(she)備(bei)的(de)(de)組成(cheng)部分(fen)(例(li)如當所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)源(yuan)是(shi)(shi)汞燈時)。可以將所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)源(yuan)SO和(he)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)照(zhao)射器(qi)(qi)IL、以及如果需要時設(she)(she)置的(de)(de)所(suo)(suo)述(shu)(shu)(shu)束(shu)傳遞系(xi)(xi)(xi)統(tong)BD一起(qi)稱作輻射系(xi)(xi)(xi)統(tong)。

所(suo)(suo)述(shu)照(zhao)(zhao)射(she)(she)(she)器(qi)(qi)IL可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)包括用于(yu)調整所(suo)(suo)述(shu)輻(fu)射(she)(she)(she)束的(de)(de)角強度(du)分(fen)(fen)布的(de)(de)調整器(qi)(qi)AD。通常(chang),可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)對所(suo)(suo)述(shu)照(zhao)(zhao)射(she)(she)(she)器(qi)(qi)的(de)(de)光(guang)(guang)(guang)瞳平面(mian)(mian)中(zhong)的(de)(de)強度(du)分(fen)(fen)布的(de)(de)至(zhi)少所(suo)(suo)述(shu)外(wai)部(bu)(bu)(bu)(bu)和(he)(he)/或(huo)內(nei)部(bu)(bu)(bu)(bu)徑(jing)向(xiang)范圍(一(yi)般(ban)分(fen)(fen)別(bie)稱(cheng)為(wei)σ-外(wai)部(bu)(bu)(bu)(bu)和(he)(he)σ-內(nei)部(bu)(bu)(bu)(bu))進(jin)行調整。此外(wai),所(suo)(suo)述(shu)照(zhao)(zhao)射(she)(she)(she)器(qi)(qi)IL可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)包括各種其它部(bu)(bu)(bu)(bu)件,例如(ru)(ru)整合器(qi)(qi)IN和(he)(he)聚光(guang)(guang)(guang)器(qi)(qi)CO。可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)將所(suo)(suo)述(shu)照(zhao)(zhao)射(she)(she)(she)器(qi)(qi)用于(yu)調節所(suo)(suo)述(shu)輻(fu)射(she)(she)(she)束,以(yi)(yi)(yi)(yi)在(zai)其橫截面(mian)(mian)中(zhong)具有所(suo)(suo)需的(de)(de)均勻性(xing)和(he)(he)強度(du)分(fen)(fen)布。類(lei)似(si)于(yu)源SO,照(zhao)(zhao)射(she)(she)(she)器(qi)(qi)IL可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)被(bei)認為(wei)形(xing)成(cheng)(cheng)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)設(she)備(bei)(bei)的(de)(de)一(yi)部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen),或(huo)者可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)不被(bei)認為(wei)形(xing)成(cheng)(cheng)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)設(she)備(bei)(bei)的(de)(de)一(yi)部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen)。例如(ru)(ru),照(zhao)(zhao)射(she)(she)(she)器(qi)(qi)IL可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)是光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)設(she)備(bei)(bei)的(de)(de)組成(cheng)(cheng)部(bu)(bu)(bu)(bu)分(fen)(fen),或(huo)者可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)是與光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)設(she)備(bei)(bei)分(fen)(fen)立的(de)(de)分(fen)(fen)立實(shi)體。在(zai)后一(yi)種情況(kuang)下(xia),光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)設(she)備(bei)(bei)可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)被(bei)配置成(cheng)(cheng)允許照(zhao)(zhao)射(she)(she)(she)器(qi)(qi)IL被(bei)安裝在(zai)所(suo)(suo)述(shu)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)設(she)備(bei)(bei)上。可(ke)(ke)選地,照(zhao)(zhao)射(she)(she)(she)器(qi)(qi)IL是可(ke)(ke)拆卸的(de)(de),可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)單獨(du)地設(she)置(例如(ru)(ru),通過光(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)設(she)備(bei)(bei)的(de)(de)制造商(shang)或(huo)者另外(wai)的(de)(de)供應(ying)商(shang))。

所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)輻(fu)射束(shu)B入射到(dao)(dao)保持在(zai)(zai)(zai)(zai)支(zhi)撐(cheng)結構(例(li)(li)如(ru),掩(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)臺(tai)(tai)MT)上(shang)的(de)(de)(de)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)圖案形(xing)成裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)置(zhi)(例(li)(li)如(ru),掩(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)(mo))MA上(shang),并且(qie)通(tong)過(guo)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)圖案形(xing)成裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)置(zhi)來形(xing)成圖案。已經穿過(guo)掩(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)MA之(zhi)(zhi)(zhi)后(hou),所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)輻(fu)射束(shu)B通(tong)過(guo)投影(ying)系(xi)統PS,所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)投影(ying)系(xi)統將輻(fu)射束(shu)聚焦到(dao)(dao)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)襯底(di)W的(de)(de)(de)目標(biao)部(bu)(bu)分C上(shang)。通(tong)過(guo)第二定(ding)(ding)位(wei)(wei)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)置(zhi)PW和位(wei)(wei)置(zhi)傳(chuan)感(gan)器(qi)(qi)IF(例(li)(li)如(ru),干涉儀(yi)器(qi)(qi)件、線性編碼(ma)器(qi)(qi)或電容傳(chuan)感(gan)器(qi)(qi))的(de)(de)(de)幫助,可(ke)以(yi)(yi)(yi)精(jing)確(que)地移(yi)動所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)襯底(di)臺(tai)(tai)WT,例(li)(li)如(ru)以(yi)(yi)(yi)便將不同的(de)(de)(de)目標(biao)部(bu)(bu)分C定(ding)(ding)位(wei)(wei)于(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)輻(fu)射束(shu)B的(de)(de)(de)路(lu)徑中。類似地,例(li)(li)如(ru)在(zai)(zai)(zai)(zai)從(cong)掩(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)庫的(de)(de)(de)機械獲取之(zhi)(zhi)(zhi)后(hou)或在(zai)(zai)(zai)(zai)掃(sao)描期間(jian),可(ke)以(yi)(yi)(yi)將所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)(yi)定(ding)(ding)位(wei)(wei)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)置(zhi)PM和另一(yi)(yi)個位(wei)(wei)置(zhi)傳(chuan)感(gan)器(qi)(qi)(在(zai)(zai)(zai)(zai)圖1中沒有(you)明確(que)地示(shi)出)用(yong)(yong)于(yu)相對(dui)于(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)輻(fu)射束(shu)B的(de)(de)(de)路(lu)徑精(jing)確(que)地定(ding)(ding)位(wei)(wei)掩(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)MA。通(tong)常,可(ke)以(yi)(yi)(yi)通(tong)過(guo)形(xing)成所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第一(yi)(yi)定(ding)(ding)位(wei)(wei)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)置(zhi)PM的(de)(de)(de)一(yi)(yi)部(bu)(bu)分的(de)(de)(de)長行程(cheng)模(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)塊(kuai)(粗定(ding)(ding)位(wei)(wei))和短(duan)(duan)行程(cheng)模(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)塊(kuai)(精(jing)定(ding)(ding)位(wei)(wei))的(de)(de)(de)幫助來實現掩(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)臺(tai)(tai)MT的(de)(de)(de)移(yi)動。類似地,可(ke)以(yi)(yi)(yi)采用(yong)(yong)形(xing)成所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)第二定(ding)(ding)位(wei)(wei)裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)(zhuang)置(zhi)PW的(de)(de)(de)一(yi)(yi)部(bu)(bu)分的(de)(de)(de)長行程(cheng)模(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)塊(kuai)和短(duan)(duan)行程(cheng)模(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)塊(kuai)來實現所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)襯底(di)臺(tai)(tai)WT的(de)(de)(de)移(yi)動。在(zai)(zai)(zai)(zai)步進機的(de)(de)(de)情況(kuang)下(與掃(sao)描器(qi)(qi)相反),掩(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)臺(tai)(tai)MT可(ke)以(yi)(yi)(yi)僅(jin)與短(duan)(duan)行程(cheng)致動器(qi)(qi)相連(lian),或可(ke)以(yi)(yi)(yi)是(shi)固(gu)定(ding)(ding)的(de)(de)(de)。可(ke)以(yi)(yi)(yi)使用(yong)(yong)掩(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)對(dui)準(zhun)標(biao)記M1、M2和襯底(di)對(dui)準(zhun)標(biao)記P1、P2來對(dui)準(zhun)掩(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)MA和襯底(di)W。盡管(guan)(guan)所(suo)(suo)(suo)(suo)示(shi)的(de)(de)(de)襯底(di)對(dui)準(zhun)標(biao)記占據了專(zhuan)用(yong)(yong)目標(biao)部(bu)(bu)分,但(dan)是(shi)它們可(ke)以(yi)(yi)(yi)位(wei)(wei)于(yu)目標(biao)部(bu)(bu)分(這(zhe)些公(gong)知為(wei)劃線對(dui)齊標(biao)記)之(zhi)(zhi)(zhi)間(jian)的(de)(de)(de)空間(jian)中。類似地,在(zai)(zai)(zai)(zai)將多于(yu)一(yi)(yi)個的(de)(de)(de)管(guan)(guan)芯(xin)設置(zhi)在(zai)(zai)(zai)(zai)掩(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)MA上(shang)的(de)(de)(de)情況(kuang)下,所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)掩(yan)(yan)(yan)模(mo)(mo)(mo)(mo)(mo)對(dui)準(zhun)標(biao)記可(ke)以(yi)(yi)(yi)位(wei)(wei)于(yu)所(suo)(suo)(suo)(suo)述(shu)(shu)管(guan)(guan)芯(xin)之(zhi)(zhi)(zhi)間(jian)。

可(ke)以將(jiang)所示(shi)的(de)設備用于以下模式中(zhong)的(de)至少一種(zhong)中(zhong):

1.在步進模式(shi)中(zhong)(zhong),在將掩模臺MT和(he)襯(chen)底(di)臺WT保持為基本靜止的(de)同時,將賦予所(suo)述(shu)輻射束的(de)整個圖案一(yi)(yi)次投影到目(mu)標(biao)部分(fen)(fen)(fen)C上(shang)(即,單(dan)一(yi)(yi)的(de)靜態曝光(guang)(guang)(guang))。然后將所(suo)述(shu)襯(chen)底(di)臺WT沿X和(he)/或Y方(fang)向移動,使得可以對不同目(mu)標(biao)部分(fen)(fen)(fen)C曝光(guang)(guang)(guang)。在步進模式(shi)中(zhong)(zhong),曝光(guang)(guang)(guang)場(chang)的(de)最大尺寸限制了在單(dan)一(yi)(yi)的(de)靜態曝光(guang)(guang)(guang)中(zhong)(zhong)成像的(de)所(suo)述(shu)目(mu)標(biao)部分(fen)(fen)(fen)C的(de)尺寸。

2.在掃(sao)描(miao)(miao)模(mo)式中(zhong),在對掩(yan)模(mo)臺(tai)MT和(he)襯底臺(tai)WT同步地(di)進行掃(sao)描(miao)(miao)的(de)(de)同時,將賦(fu)予所(suo)述(shu)輻(fu)射束的(de)(de)圖(tu)案投影到(dao)目(mu)標部分(fen)C上(即,單(dan)一的(de)(de)動態(tai)曝(pu)光(guang))。襯底臺(tai)WT相對于(yu)掩(yan)模(mo)臺(tai)MT的(de)(de)速(su)度和(he)方向可以通過所(suo)述(shu)投影系統PS的(de)(de)(縮小)放大率和(he)圖(tu)像反轉特性來(lai)確定。在掃(sao)描(miao)(miao)模(mo)式中(zhong),曝(pu)光(guang)場的(de)(de)最大尺寸限制了(le)單(dan)一的(de)(de)動態(tai)曝(pu)光(guang)中(zhong)的(de)(de)所(suo)述(shu)目(mu)標部分(fen)的(de)(de)寬度(沿非掃(sao)描(miao)(miao)方向),而所(suo)述(shu)掃(sao)描(miao)(miao)移(yi)動的(de)(de)長(chang)度確定了(le)所(suo)述(shu)目(mu)標部分(fen)的(de)(de)高(gao)度(沿掃(sao)描(miao)(miao)方向)。

3.在(zai)(zai)另一模(mo)式中,將(jiang)用(yong)于保持(chi)可(ke)編程(cheng)(cheng)圖案(an)形(xing)成(cheng)裝置的(de)掩模(mo)臺(tai)MT保持(chi)為(wei)基(ji)本(ben)靜止,并且(qie)在(zai)(zai)將(jiang)賦(fu)予所述輻射束的(de)圖案(an)投影(ying)到目(mu)標部分C上(shang)的(de)同時,對所述襯底臺(tai)WT進(jin)行移動或(huo)掃(sao)描。在(zai)(zai)這種模(mo)式中,通常采用(yong)脈沖輻射源,并且(qie)在(zai)(zai)所述襯底臺(tai)WT的(de)每(mei)一次移動之(zhi)后、或(huo)在(zai)(zai)掃(sao)描期間(jian)的(de)連續(xu)輻射脈沖之(zhi)間(jian),根(gen)據(ju)需(xu)要更新所述可(ke)編程(cheng)(cheng)圖案(an)形(xing)成(cheng)裝置。這種操作模(mo)式可(ke)易(yi)于應用(yong)于利用(yong)可(ke)編程(cheng)(cheng)圖案(an)形(xing)成(cheng)裝置(例(li)如,如上(shang)所述類型的(de)可(ke)編程(cheng)(cheng)反(fan)射鏡陣(zhen)列(lie))的(de)無掩模(mo)光刻(ke)術中。

也可以采用上述(shu)使(shi)用模式(shi)的組(zu)合和/或變(bian)體,或完全不(bu)同的使(shi)用模式(shi)。

圖2示(shi)意(yi)性地示(shi)出根據(ju)一(yi)實(shi)施例的(de)(de)系(xi)(xi)統(tong)10的(de)(de)透視圖。系(xi)(xi)統(tong)10用(yong)于與光刻(ke)(ke)(ke)設(she)(she)備一(yi)起使用(yong),尤其是(shi)光刻(ke)(ke)(ke)投影(ying)設(she)(she)備,例如如以(yi)上(shang)參考圖1所描述的(de)(de)光刻(ke)(ke)(ke)投影(ying)系(xi)(xi)統(tong)。如圖1所示(shi),系(xi)(xi)統(tong)10用(yong)于將襯底W提供至光刻(ke)(ke)(ke)投影(ying)設(she)(she)備以(yi)及從光刻(ke)(ke)(ke)投影(ying)設(she)(she)備獲取(qu)襯底W。

系(xi)(xi)(xi)統10被(bei)(bei)配(pei)(pei)置用于處(chu)(chu)理(li)襯(chen)(chen)底(di)(di)W。在(zai)(zai)一(yi)(yi)實(shi)(shi)施(shi)例中,系(xi)(xi)(xi)統10被(bei)(bei)配(pei)(pei)置用于從(cong)預(yu)處(chu)(chu)理(li)單(dan)元接(jie)收襯(chen)(chen)底(di)(di)W。在(zai)(zai)一(yi)(yi)實(shi)(shi)施(shi)例中,預(yu)處(chu)(chu)理(li)單(dan)元清潔襯(chen)(chen)底(di)(di)W和/或將光致(zhi)抗蝕劑涂層施(shi)加至(zhi)襯(chen)(chen)底(di)(di)W,或者以其它方(fang)式準(zhun)備(bei)用于曝光的襯(chen)(chen)底(di)(di)W。襯(chen)(chen)底(di)(di)W經過系(xi)(xi)(xi)統10的第一(yi)(yi)空間105。在(zai)(zai)一(yi)(yi)實(shi)(shi)施(shi)例中,在(zai)(zai)襯(chen)(chen)底(di)(di)W處(chu)(chu)于第一(yi)(yi)空間105中的同時(shi),可以被(bei)(bei)調節溫度。即,襯(chen)(chen)底(di)(di)W可以具有被(bei)(bei)均勻化和被(bei)(bei)調整處(chu)(chu)于目標設定(ding)點溫度的預(yu)定(ding)范圍內的溫度。一(yi)(yi)旦在(zai)(zai)第一(yi)(yi)空間105中的襯(chen)(chen)底(di)(di)W已經被(bei)(bei)調節溫度,并且一(yi)(yi)旦系(xi)(xi)(xi)統10所(suo)連接(jie)至(zhi)的光刻投(tou)(tou)影設備(bei)準(zhun)備(bei)好,襯(chen)(chen)底(di)(di)W就被(bei)(bei)移(yi)出第一(yi)(yi)空間105至(zhi)光刻投(tou)(tou)影設備(bei)。

在一實施例中(zhong),在襯(chen)底(di)W已(yi)經被(bei)成像到光(guang)刻投影(ying)設(she)備中(zhong)之(zhi)后(hou)(hou),襯(chen)底(di)W被(bei)送回至系統10并(bing)且通過第二空間107離開系統10至后(hou)(hou)處理單元(yuan)。在一實施例中(zhong),后(hou)(hou)處理單元(yuan)可(ke)以施加曝光(guang)后(hou)(hou)烘焙(bei)和(he)(he)/或顯影(ying)被(bei)曝光(guang)的光(guang)致抗(kang)蝕(shi)(shi)劑和(he)(he)/或蝕(shi)(shi)刻襯(chen)底(di)或襯(chen)底(di)上未被(bei)光(guang)致抗(kang)蝕(shi)(shi)劑保護的層。

在一實施例中,系(xi)統10僅具(ju)有單(dan)個空間(jian)(jian)并且不被(bei)分成第一空間(jian)(jian)105和(he)第二空間(jian)(jian)107。這(zhe)種(zhong)系(xi)統10在其他方面與文(wen)中描述的(de)相同。

在一(yi)實施(shi)例(li)中,作為系(xi)統10的(de)一(yi)部(bu)分(fen)并且至少部(bu)分(fen)地容納在第(di)(di)(di)一(yi)和(he)第(di)(di)(di)二空間(jian)105、107中的(de)致動器(qi)被用于將(jiang)襯底W移入第(di)(di)(di)一(yi)空間(jian)105和(he)第(di)(di)(di)二空間(jian)107以及將(jiang)襯底W移出第(di)(di)(di)一(yi)空間(jian)105和(he)第(di)(di)(di)二空間(jian)107。在一(yi)實施(shi)例(li)中,用于移動襯底W的(de)致動器(qi)是光刻投影設(she)備的(de)一(yi)部(bu)分(fen)和(he)/或預處理單元的(de)一(yi)部(bu)分(fen)和(he)/或處理后單元的(de)一(yi)部(bu)分(fen),而不(bu)是系(xi)統10的(de)一(yi)部(bu)分(fen)。

熱(re)(re)負(fu)(fu)(fu)載可能(neng)(neng)源(yuan)于第(di)一(yi)空(kong)(kong)間105和(he)/或(huo)(huo)第(di)二(er)空(kong)(kong)間107的外(wai)部(bu)。例如(ru)(ru),熱(re)(re)負(fu)(fu)(fu)載可能(neng)(neng)源(yuan)自電子部(bu)件,諸如(ru)(ru)電機(ji)(ji)(加熱(re)(re)熱(re)(re)負(fu)(fu)(fu)載)或(huo)(huo)承(cheng)載冷(leng)卻液體的管道(dao)(冷(leng)卻熱(re)(re)負(fu)(fu)(fu)載)。這(zhe)種(zhong)(zhong)熱(re)(re)負(fu)(fu)(fu)載會有害地影(ying)響第(di)一(yi)空(kong)(kong)間105和(he)/或(huo)(huo)第(di)二(er)空(kong)(kong)間107中的襯(chen)底W的溫(wen)度或(huo)(huo)溫(wen)度均勻性。這(zhe)可以是通過傳導、對流和(he)/或(huo)(huo)輻射機(ji)(ji)制(zhi)(zhi),在這(zhe)些機(ji)(ji)制(zhi)(zhi)中能(neng)(neng)量在熱(re)(re)負(fu)(fu)(fu)載與襯(chen)底W之(zhi)間傳遞。為了(le)將第(di)一(yi)空(kong)(kong)間105和(he)/或(huo)(huo)第(di)二(er)空(kong)(kong)間107與這(zhe)種(zhong)(zhong)熱(re)(re)負(fu)(fu)(fu)載熱(re)(re)絕緣,系統(tong)10包括熱(re)(re)屏(ping)蔽件110。

熱(re)屏蔽(bi)(bi)件(jian)(jian)110被定位(wei)在(zai)(zai)第一(yi)空(kong)間105和(he)/或第二空(kong)間107與源于空(kong)間105/107外(wai)部的(de)熱(re)負(fu)載之間。熱(re)屏蔽(bi)(bi)件(jian)(jian)110可能形成被至(zhi)少(shao)一(yi)個(ge)(ge)殼(ke)(ke)壁(bi)限定的(de)殼(ke)(ke)體的(de)至(zhi)少(shao)一(yi)部分。至(zhi)少(shao)一(yi)個(ge)(ge)殼(ke)(ke)壁(bi)至(zhi)少(shao)部分地圍(wei)繞(rao)第一(yi)空(kong)間105和(he)/或第二空(kong)間107。在(zai)(zai)一(yi)實施例中(zhong),熱(re)屏蔽(bi)(bi)件(jian)(jian)110形成至(zhi)少(shao)一(yi)個(ge)(ge)殼(ke)(ke)壁(bi)中(zhong)的(de)一(yi)個(ge)(ge)。

在圖2的(de)實(shi)施(shi)例(li)中(zhong),熱屏(ping)蔽(bi)(bi)件110包括至少一(yi)(yi)個襯(chen)底(di)(di)開口(kou)130、140和150,用(yong)于襯(chen)底(di)(di)W通(tong)(tong)過(guo)(guo)(guo)其(qi)中(zhong)。在圖2的(de)實(shi)施(shi)例(li)中(zhong),系(xi)(xi)統10包括三個襯(chen)底(di)(di)開口(kou)130、140、150,限定在熱屏(ping)蔽(bi)(bi)件110中(zhong)。第一(yi)(yi)襯(chen)底(di)(di)開口(kou)130是用(yong)于使來自系(xi)(xi)統10外部的(de)襯(chen)底(di)(di)W通(tong)(tong)過(guo)(guo)(guo)而進(jin)入第一(yi)(yi)空間(jian)105的(de)開口(kou)。襯(chen)底(di)(di)W可以從(cong)系(xi)(xi)統10的(de)外部(例(li)如,從(cong)襯(chen)底(di)(di)后處理(li)單元)移動(dong)通(tong)(tong)過(guo)(guo)(guo)熱屏(ping)蔽(bi)(bi)件110而進(jin)入第一(yi)(yi)空間(jian)105。

襯底W可以從第(di)一空間105移動通過第(di)二襯底開口140而(er)進入(ru)光刻投影設備。

在一實施例中(zhong),在襯(chen)底(di)(di)(di)W已(yi)經被(bei)(bei)成像(xiang)到光刻投(tou)影設備中(zhong)之后(hou),襯(chen)底(di)(di)(di)W被(bei)(bei)返回至系統(tong)10。襯(chen)底(di)(di)(di)W通(tong)過第(di)三開口150進(jin)入第(di)二(er)空間107。襯(chen)底(di)(di)(di)W從第(di)二(er)空間107、通(tong)過熱屏蔽件(jian)110中(zhong)的(de)第(di)一襯(chen)底(di)(di)(di)開口130而移動至系統(tong)10的(de)外部。在襯(chen)底(di)(di)(di)W已(yi)經通(tong)過第(di)一開口130被(bei)(bei)傳(chuan)到系統(tong)10的(de)外部之后(hou),襯(chen)底(di)(di)(di)W被(bei)(bei)提供至襯(chen)底(di)(di)(di)后(hou)處理(li)單元。

現在(zai)(zai)將參(can)考(kao)圖3解(jie)釋熱屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)件10的(de)(de)原理,其中圖3是(shi)(shi)在(zai)(zai)第(di)二襯底開口140的(de)(de)位置處(chu)的(de)(de)熱屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)件110的(de)(de)橫截面視圖。相關于(yu)熱屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)第(di)一(yi)空(kong)間105描(miao)述所述原理,但是(shi)(shi)該(gai)原理等同地適用于(yu)第(di)二空(kong)間107是(shi)(shi)怎樣被(bei)熱屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)的(de)(de)。

熱屏(ping)蔽件110包括第(di)一(yi)壁(bi)(bi)(bi)1100和(he)第(di)二(er)壁(bi)(bi)(bi)1200。間隙1300在第(di)一(yi)壁(bi)(bi)(bi)110與第(di)二(er)壁(bi)(bi)(bi)1200之(zhi)(zhi)間。即,第(di)一(yi)壁(bi)(bi)(bi)110和(he)第(di)二(er)壁(bi)(bi)(bi)1200被分開。第(di)一(yi)壁(bi)(bi)(bi)1100定位(wei)在第(di)一(yi)空間105與第(di)二(er)壁(bi)(bi)(bi)1200之(zhi)(zhi)間。即,相對于(yu)第(di)一(yi)空間105,第(di)二(er)壁(bi)(bi)(bi)1200在第(di)一(yi)壁(bi)(bi)(bi)110的(de)外(wai)面。

入(ru)口開口1400被設(she)置與間隙(xi)(xi)1300流(liu)體(ti)連通(tong)。入(ru)口開口1400允(yun)許(xu)氣(qi)體(ti)流(liu)212從氣(qi)體(ti)源30進(jin)入(ru)間隙(xi)(xi)1300。箭頭(tou)1310指示通(tong)過間隙(xi)(xi)1300的(de)氣(qi)體(ti)流(liu)。當(dang)氣(qi)體(ti)流(liu)過間隙(xi)(xi)1300時(shi),氣(qi)體(ti)從第一(yi)空(kong)間105和/或(huo)從系統10外(wai)部的(de)環境中吸收能量以及(ji)向第一(yi)空(kong)間105和/或(huo)系統10外(wai)部的(de)環境發射能量,從而補償熱負載。

在一(yi)實施例(li)中,一(yi)個或多個隔(ge)離(li)件(jian)可(ke)以存在于間(jian)(jian)隙(xi)1300中,以將(jiang)第(di)一(yi)壁(bi)(bi)1100和(he)第(di)二(er)壁(bi)(bi)1200連接在一(yi)起和(he)/或保持第(di)一(yi)壁(bi)(bi)110和(he)第(di)二(er)壁(bi)(bi)1200間(jian)(jian)隔(ge)開。隔(ge)離(li)件(jian)1350可(ke)以由具有(you)低(di)導(dao)熱系數(與第(di)一(yi)壁(bi)(bi)110和(he)第(di)二(er)壁(bi)(bi)1200的材(cai)料的導(dao)熱系數相比)的材(cai)料制成。隔(ge)離(li)件(jian)1350的示例(li)性(xing)材(cai)料是熱塑性(xing)彈性(xing)體(ti)泡(pao)沫(TPE)。

在(zai)一實施例中(zhong)(zhong),來自(zi)氣(qi)體(ti)源30的(de)(de)(de)氣(qi)體(ti)可(ke)以被(bei)熱調節(使得它的(de)(de)(de)溫度(du)被(bei)調整處(chu)于設定(ding)點(dian)溫度(du)的(de)(de)(de)預定(ding)范圍(wei)內)。在(zai)一實施例中(zhong)(zhong),設定(ding)點(dian)溫度(du)與通(tong)過第一空(kong)間105的(de)(de)(de)襯(chen)底(di)(di)W對應的(de)(de)(de)設定(ding)點(dian)溫度(du)相同。因此,襯(chen)底(di)(di)W的(de)(de)(de)溫度(du)相對于設定(ding)點(dian)溫度(du)的(de)(de)(de)任(ren)何變化將(jiang)通(tong)過氣(qi)體(ti)從襯(chen)底(di)(di)W獲取能量或者將(jiang)能量傳遞至襯(chen)底(di)(di)W而被(bei)補償。

來(lai)自氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)源(yuan)30的(de)(de)(de)氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)可(ke)以(yi)(yi)以(yi)(yi)任何(he)方式設置(zhi)至(zhi)入(ru)口(kou)(kou)(kou)(kou)開(kai)口(kou)(kou)(kou)(kou)1440。這(zhe)可(ke)以(yi)(yi)是通過氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)源(yuan)30與入(ru)口(kou)(kou)(kou)(kou)開(kai)口(kou)(kou)(kou)(kou)1400之間的(de)(de)(de)一(yi)(yi)個(ge)或(huo)(huo)多個(ge)管(guan)道的(de)(de)(de)直接連(lian)接的(de)(de)(de)方式,或(huo)(huo)者如所示(shi)的(de)(de)(de),可(ke)以(yi)(yi)是使來(lai)自氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)源(yuan)30的(de)(de)(de)氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)通過具(ju)有開(kai)口(kou)(kou)(kou)(kou)210、220的(de)(de)(de)陣列的(de)(de)(de)開(kai)口(kou)(kou)(kou)(kou)210、以(yi)(yi)將氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)流212提(ti)供(gong)至(zhi)入(ru)口(kou)(kou)(kou)(kou)開(kai)口(kou)(kou)(kou)(kou)140中的(de)(de)(de)方式。在一(yi)(yi)實施例中,系(xi)統10可(ke)以(yi)(yi)包括用于將從氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)源(yuan)30延(yan)伸(shen)的(de)(de)(de)一(yi)(yi)個(ge)或(huo)(huo)多個(ge)管(guan)道(不是系(xi)統10的(de)(de)(de)一(yi)(yi)部分(fen))連(lian)接至(zhi)系(xi)統10的(de)(de)(de)連(lian)接器310。來(lai)自氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)源(yuan)30的(de)(de)(de)氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)可(ke)以(yi)(yi)使其(qi)溫(wen)度(du)在氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)源(yuan)30的(de)(de)(de)上游或(huo)(huo)下游被調整和(he)/或(huo)(huo)均(jun)勻(yun)(yun)化。氣(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)的(de)(de)(de)溫(wen)度(du)可(ke)以(yi)(yi)被系(xi)統10的(de)(de)(de)部件(jian)調整和(he)/或(huo)(huo)均(jun)勻(yun)(yun)化。

在圖2和(he)3的(de)(de)實施例中,僅僅示(shi)出一個(ge)入口(kou)(kou)開口(kou)(kou)1400。入口(kou)(kou)開口(kou)(kou)1400圍繞第一空(kong)間105和(he)第二空(kong)間107的(de)(de)外(wai)部(bu)(平(ping)面(mian)內)一直延伸。在一實施例中,可以設(she)置多(duo)于一個(ge)的(de)(de)入口(kou)(kou)開口(kou)(kou)1400。多(duo)個(ge)入口(kou)(kou)開口(kou)(kou)1400可以沿著(zhu)熱屏蔽件110設(she)置在分(fen)開的(de)(de)間隔處。在一實施例中,每個(ge)開口(kou)(kou)210可以與(yu)入口(kou)(kou)開口(kou)(kou)1400對(dui)準。

在一(yi)(yi)實施例中,系(xi)(xi)統10適于將來(lai)自氣(qi)體源30的(de)(de)(de)氣(qi)體流(liu)212引(yin)(yin)導通(tong)(tong)(tong)過(guo)(guo)至(zhi)(zhi)少一(yi)(yi)個入口(kou)(kou)開口(kou)(kou)1400而進入間(jian)(jian)隙(xi)1300。然后,氣(qi)體被引(yin)(yin)導流(liu)過(guo)(guo)間(jian)(jian)隙(xi)1300,并且(qie)通(tong)(tong)(tong)過(guo)(guo)至(zhi)(zhi)少一(yi)(yi)個出(chu)口(kou)(kou)開口(kou)(kou)1500流(liu)出(chu)間(jian)(jian)隙(xi)1300至(zhi)(zhi)第一(yi)(yi)和(he)第二(er)空間(jian)(jian)105、107的(de)(de)(de)外(wai)部。由(you)于氣(qi)體流(liu)1310通(tong)(tong)(tong)過(guo)(guo)間(jian)(jian)隙(xi)1300,氣(qi)體流(liu)1310熱(re)(re)調節熱(re)(re)屏蔽件110的(de)(de)(de)第一(yi)(yi)和(he)第二(er)壁1100、1200。通(tong)(tong)(tong)過(guo)(guo)至(zhi)(zhi)少一(yi)(yi)個出(chu)口(kou)(kou)開口(kou)(kou)1500離(li)開間(jian)(jian)隙(xi)1300的(de)(de)(de)氣(qi)體離(li)開至(zhi)(zhi)第一(yi)(yi)空間(jian)(jian)105外(wai)部的(de)(de)(de)一(yi)(yi)位(wei)置處(例如,至(zhi)(zhi)系(xi)(xi)統10外(wai)部的(de)(de)(de)一(yi)(yi)位(wei)置處)。這樣,由(you)于源于第一(yi)(yi)空間(jian)(jian)105外(wai)部的(de)(de)(de)熱(re)(re)負載而引(yin)(yin)起的(de)(de)(de)第一(yi)(yi)空間(jian)(jian)105中的(de)(de)(de)熱(re)(re)波(bo)動(dong)能夠被減小。

在一實施例(li)中,間(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)隙(xi)(xi)(xi)(xi)1300具有處于(yu)10和20mm之(zhi)間(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)寬度W(限定間(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)隙(xi)(xi)(xi)(xi)1300的(de)(de)(de)(de)(de)第(di)一壁1100的(de)(de)(de)(de)(de)外表(biao)面1120與(yu)第(di)二壁1200的(de)(de)(de)(de)(de)內表(biao)面1220之(zhi)間(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)距離)。如(ru)果寬度W小于(yu)10mm,則對(dui)通過(guo)間(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)隙(xi)(xi)(xi)(xi)1300的(de)(de)(de)(de)(de)氣體流1310的(de)(de)(de)(de)(de)阻(zu)力變得很大。如(ru)果寬度W大于(yu)20mm,則在間(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)隙(xi)(xi)(xi)(xi)1300中的(de)(de)(de)(de)(de)氣體流1310的(de)(de)(de)(de)(de)均(jun)勻性被不利地(di)影(ying)響(xiang)。附(fu)加(jia)地(di),在光(guang)刻設備中空(kong)間(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)是稀缺的(de)(de)(de)(de)(de),增加(jia)間(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)隙(xi)(xi)(xi)(xi)的(de)(de)(de)(de)(de)寬度W會(hui)有害地(di)增大系統10的(de)(de)(de)(de)(de)體積。通過(guo)間(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)隙(xi)(xi)(xi)(xi)1300的(de)(de)(de)(de)(de)氣體的(de)(de)(de)(de)(de)典型(xing)速度在0.1與(yu)0.5m/s之(zhi)間(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)。

至(zhi)少(shao)一(yi)個(ge)(ge)入(ru)(ru)口(kou)(kou)(kou)開口(kou)(kou)(kou)1400和(he)(he)(he)至(zhi)少(shao)一(yi)個(ge)(ge)出(chu)口(kou)(kou)(kou)開口(kou)(kou)(kou)1500的(de)位置(zhi)(zhi)可以(yi)(yi)被選擇(ze)成最大化氣體被第(di)(di)一(yi)壁1100的(de)外(wai)表(biao)(biao)面1120和(he)(he)(he)第(di)(di)二壁1200的(de)內(nei)表(biao)(biao)面1220上的(de)新氣體替(ti)代的(de)速率。例如(ru)可以(yi)(yi)使用有限元分(fen)析、利(li)用已知(zhi)技術模擬(ni)在間隙1300中的(de)這(zhe)個(ge)(ge)氣體流(liu),并且這(zhe)可以(yi)(yi)被用于(yu)調(diao)整至(zhi)少(shao)一(yi)個(ge)(ge)出(chu)口(kou)(kou)(kou)開口(kou)(kou)(kou)1500和(he)(he)(he)至(zhi)少(shao)一(yi)個(ge)(ge)入(ru)(ru)口(kou)(kou)(kou)開口(kou)(kou)(kou)1400的(de)位置(zhi)(zhi),以(yi)(yi)在系統復雜性、入(ru)(ru)口(kou)(kou)(kou)開口(kou)(kou)(kou)1400和(he)(he)(he)出(chu)口(kou)(kou)(kou)開口(kou)(kou)(kou)1500的(de)位置(zhi)(zhi)以(yi)(yi)及在第(di)(di)一(yi)壁1100的(de)外(wai)表(biao)(biao)面1120和(he)(he)(he)第(di)(di)二壁1200的(de)內(nei)表(biao)(biao)面1220的(de)所有部(bu)分(fen)處的(de)氣體更新率之間實(shi)現好的(de)折衷(zhong)。

為了優化通過間(jian)(jian)隙1300的(de)(de)(de)(de)氣(qi)(qi)體(ti)(ti)流(liu)(liu)(liu)1310,負(fu)壓源(yuan)(在(zai)圖3中(zhong)沒有示出(chu)(chu))可(ke)以(yi)(yi)連(lian)接至至少一個出(chu)(chu)口(kou)(kou)(kou)開(kai)口(kou)(kou)(kou)1500。即,負(fu)壓源(yuan)可(ke)以(yi)(yi)是真空源(yuan),具有比間(jian)(jian)隙1300中(zhong)的(de)(de)(de)(de)氣(qi)(qi)體(ti)(ti)壓力和(he)/或系統(tong)(tong)10周圍(wei)的(de)(de)(de)(de)與(yu)系統(tong)(tong)10接觸且在(zai)系統(tong)(tong)10外部的(de)(de)(de)(de)氣(qi)(qi)體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)壓力小的(de)(de)(de)(de)壓力。這(zhe)將(jiang)氣(qi)(qi)體(ti)(ti)流(liu)(liu)(liu)1310拉向(xiang)(xiang)出(chu)(chu)口(kou)(kou)(kou)開(kai)口(kou)(kou)(kou)1500。這(zhe)可(ke)以(yi)(yi)用于優化間(jian)(jian)隙1300中(zhong)的(de)(de)(de)(de)氣(qi)(qi)體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)更新(xin)率和(he)/或氣(qi)(qi)體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)流(liu)(liu)(liu)動(dong)方向(xiang)(xiang)和(he)/或流(liu)(liu)(liu)量。施加(jia)到出(chu)(chu)口(kou)(kou)(kou)開(kai)口(kou)(kou)(kou)1500的(de)(de)(de)(de)負(fu)壓的(de)(de)(de)(de)幅度(du)(du)可(ke)以(yi)(yi)不(bu)同于施加(jia)至其他出(chu)(chu)口(kou)(kou)(kou)開(kai)口(kou)(kou)(kou)1500的(de)(de)(de)(de)負(fu)壓幅度(du)(du),從而影響(xiang)間(jian)(jian)隙1300中(zhong)的(de)(de)(de)(de)氣(qi)(qi)體(ti)(ti)流(liu)(liu)(liu)1310的(de)(de)(de)(de)圖案。

在一(yi)實施例中,如(ru)圖3所(suo)示(shi),橫截面中呈彎曲(qu)的路(lu)徑(jing)1450從入(ru)口開口1400通至間(jian)(jian)隙(xi)1300。彎曲(qu)路(lu)徑(jing)1450被(bei)設置用于(yu)防止光進入(ru)第(di)一(yi)壁(bi)1100與(yu)第(di)二(er)壁(bi)1200之(zhi)間(jian)(jian)的間(jian)(jian)隙(xi)1300。這可以(yi)通過(guo)確保沒有(you)能夠延(yan)伸通過(guo)入(ru)口開口1400進入(ru)間(jian)(jian)隙(xi)1300、同時不會撞擊第(di)一(yi)壁(bi)1100或第(di)二(er)壁(bi)1200的虛直線1440而被(bei)實現(xian)。這是有(you)益的,因為它防止光進入(ru)間(jian)(jian)隙(xi)1300以(yi)及(ji)防止將熱(re)負載施加在第(di)一(yi)壁(bi)1100的外表面1120和第(di)二(er)壁(bi)1200的內表面1220上。

在圖3的實施例中,示出第(di)(di)二襯(chen)(chen)底(di)開口140。第(di)(di)二襯(chen)(chen)底(di)開口140被配置(zhi)用于使(shi)襯(chen)(chen)底(di)W通過(guo)其(qi)中而(er)至(zhi)第(di)(di)一空間105的外部。第(di)(di)一襯(chen)(chen)底(di)開口130和第(di)(di)三(san)襯(chen)(chen)底(di)開口150可以以相同的方式(shi)設(she)置(zhi)。

在(zai)一(yi)(yi)實施例中,第(di)二(er)(er)襯(chen)(chen)(chen)底開口(kou)(kou)(kou)140對間(jian)隙1300開放/通(tong)(tong)至(zhi)間(jian)隙1300,使得至(zhi)少一(yi)(yi)個出(chu)(chu)口(kou)(kou)(kou)開口(kou)(kou)(kou)和/或(huo)入(ru)口(kou)(kou)(kou)開口(kou)(kou)(kou)能(neng)夠被視(shi)為(wei)限定在(zai)第(di)二(er)(er)襯(chen)(chen)(chen)底開口(kou)(kou)(kou)140的(de)(de)(de)邊緣周圍。即,在(zai)間(jian)隙1300中的(de)(de)(de)氣體流1310的(de)(de)(de)一(yi)(yi)部(bu)分(fen)(fen)在(zai)第(di)二(er)(er)襯(chen)(chen)(chen)底開口(kou)(kou)(kou)140處離開間(jian)隙1300(被箭頭131示出(chu)(chu)),氣流1310的(de)(de)(de)一(yi)(yi)部(bu)分(fen)(fen)通(tong)(tong)過第(di)二(er)(er)襯(chen)(chen)(chen)底開口(kou)(kou)(kou)140向下進(jin)入(ru)間(jian)隙1300的(de)(de)(de)剩余部(bu)分(fen)(fen)中,然后通(tong)(tong)過出(chu)(chu)口(kou)(kou)(kou)開口(kou)(kou)(kou)1500出(chu)(chu)去。在(zai)一(yi)(yi)實施例中,第(di)二(er)(er)襯(chen)(chen)(chen)底開口(kou)(kou)(kou)140靠近間(jian)隙1300。

在(zai)一(yi)實(shi)施例中(zhong),與(yu)(yu)緊鄰系(xi)統(tong)10外部的氣(qi)氛相比,第一(yi)空(kong)間105保持在(zai)過(guo)壓下(例如,在(zai)比處在(zai)系(xi)統(tong)10外部且與(yu)(yu)系(xi)統(tong)10接觸的氣(qi)體大的壓力下)。這確(que)保氣(qi)體流(liu)(liu)從第一(yi)空(kong)間105的內部、通過(guo)第二襯(chen)底開口(kou)140至系(xi)統(tong)10的外部。這減(jian)小(xiao)承載在(zai)氣(qi)體流(liu)(liu)中(zhong)的污染(ran)物通過(guo)第一(yi)襯(chen)底開口(kou)130進入第一(yi)空(kong)間105的機會(hui)。

其(qi)他(ta)開口220被設置用于使來自(zi)(zi)氣(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)源30的(de)(de)(de)(de)(de)氣(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)通(tong)(tong)過。來自(zi)(zi)其(qi)他(ta)開口220的(de)(de)(de)(de)(de)氣(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)流被引(yin)導,使氣(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)流進入(ru)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)空(kong)間(jian)(jian)105(和第(di)(di)(di)二空(kong)間(jian)(jian)107)。這具有使提(ti)(ti)供至間(jian)(jian)隙1300的(de)(de)(de)(de)(de)氣(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)和提(ti)(ti)供至第(di)(di)(di)一(yi)(yi)空(kong)間(jian)(jian)105的(de)(de)(de)(de)(de)氣(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)具有大(da)致(zhi)相同的(de)(de)(de)(de)(de)溫度且幫助提(ti)(ti)高第(di)(di)(di)一(yi)(yi)空(kong)間(jian)(jian)105的(de)(de)(de)(de)(de)熱穩定性的(de)(de)(de)(de)(de)優點。如(ru)在(zai)別處所述,提(ti)(ti)供至第(di)(di)(di)一(yi)(yi)空(kong)間(jian)(jian)105的(de)(de)(de)(de)(de)氣(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)可以(yi)導致(zhi)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)空(kong)間(jian)(jian)105中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)氣(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)壓力大(da)于與緊挨系(xi)統(tong)10周圍的(de)(de)(de)(de)(de)氣(qi)(qi)(qi)(qi)氛相接觸的(de)(de)(de)(de)(de)氣(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)壓力。過壓的(de)(de)(de)(de)(de)幅度可以(yi)是0.3至5Pa量級(ji)的(de)(de)(de)(de)(de)。結(jie)果,提(ti)(ti)供例(li)如(ru)通(tong)(tong)過襯(chen)底開口130、140、150的(de)(de)(de)(de)(de)氣(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)凈流出。然而,不(bu)需(xu)要是這樣,例(li)如(ru)氣(qi)(qi)(qi)(qi)體(ti)(ti)也可以(yi)從光(guang)刻(ke)投影設備、通(tong)(tong)過第(di)(di)(di)三襯(chen)底開口150流入(ru)第(di)(di)(di)二空(kong)間(jian)(jian)107中(zhong)。

在一實(shi)施(shi)例(li)中,開口(kou)210、220可以(yi)(yi)(yi)(yi)是開口(kou)的(de)(de)(de)兩(liang)維陣列的(de)(de)(de)形式。開口(kou)210、220的(de)(de)(de)范圍(wei)可以(yi)(yi)(yi)(yi)與系統10的(de)(de)(de)范圍(wei)相等(deng)或者大(da)于系統10的(de)(de)(de)范圍(wei)(在平面內)。開口(kou)210、220可以(yi)(yi)(yi)(yi)被限(xian)定在板200中。開口(kou)210、220可以(yi)(yi)(yi)(yi)流體(ti)(ti)連接至開口(kou)210、220上游的(de)(de)(de)單個室,從而大(da)致均勻化通過(guo)每個開口(kou)210、220的(de)(de)(de)氣體(ti)(ti)流。在一實(shi)施(shi)例(li)中,離開開口(kou)210、220的(de)(de)(de)氣體(ti)(ti)的(de)(de)(de)大(da)約5-20%進(jin)入間隙1300。

僅僅設置第一壁1100和第二壁1200且在它們之間設置間隙1300可能不能夠滿足熱屏蔽件110的熱規格。因此,在一實施例中,可以設置絕熱材料的附加層(導熱率小于第一壁1100和第二壁1200的材料的導熱率的材料)。第一壁1100和第二壁1200可以設置在第一空間105與熱絕緣材料1600層之間。熱絕緣材料1600層可以附著至第二壁1200的外表面1210。在一實施例中,熱絕緣材料1600附加地或者可替換地附著至第一壁1100的面對第一空間105的內表面1110。在一實施例中,熱絕緣材料1600層可以是熱塑性彈性體泡沫(TPE),諸如可以從Thermaflex獲得的ThermoSmart(TM)或者其他擠(ji)壓成型的交聯聚乙烯。在(zai)一(yi)實施例(li)中(zhong),熱(re)絕(jue)緣材料1600層可(ke)以具有在(zai)10與30mm之(zhi)(zhi)間的厚(hou)(hou)度(du)T,期望地在(zai)15與25mm之(zhi)(zhi)間的厚(hou)(hou)度(du)T。

圖(tu)2和(he)3的實施例(li)示出間隙1300中的向下氣體流。這不是必須的,在對流的方向上(shang)向上(shang)氣體流可能是更優選的。

在一實施(shi)例中(zhong)(zhong),如所示(shi)的,襯(chen)底(di)W通過的空間(jian)被分(fen)(fen)成第(di)(di)一空間(jian)105和第(di)(di)二(er)空間(jian)107。分(fen)(fen)離(li)壁120可以(yi)被設置使第(di)(di)一空間(jian)105與第(di)(di)二(er)空間(jian)107分(fen)(fen)離(li)開。因此(ci),系統(tong)10可以(yi)分(fen)(fen)成至(zhi)少(shao)部分(fen)(fen)圍繞第(di)(di)一空間(jian)105的第(di)(di)一隔室和至(zhi)少(shao)部分(fen)(fen)圍繞第(di)(di)二(er)空間(jian)107的第(di)(di)二(er)隔室,在使用中(zhong)(zhong)正(zheng)在被加載的襯(chen)底(di)W通過第(di)(di)一隔室,在使用中(zhong)(zhong)正(zheng)在被卸載的襯(chen)底(di)W通過第(di)(di)二(er)隔室。分(fen)(fen)離(li)壁120可以(yi)是諸如圖3中(zhong)(zhong)所示(shi)的熱(re)屏蔽件或(huo)者(zhe)(zhe)可以(yi)不是諸如圖3中(zhong)(zhong)所示(shi)的熱(re)屏蔽件,可以(yi)具(ju)有絕熱(re)材(cai)料層或(huo)者(zhe)(zhe)不具(ju)有絕緣材(cai)料層。

在(zai)(zai)一實施(shi)例中,第(di)(di)(di)(di)一壁(bi)1100的(de)面(mian)對第(di)(di)(di)(di)一空間(jian)(jian)105的(de)內(nei)表(biao)(biao)(biao)面(mian)1110和/或(huo)第(di)(di)(di)(di)一壁(bi)1100的(de)外表(biao)(biao)(biao)面(mian)1120在(zai)(zai)0.7至10μm的(de)波長范(fan)圍(wei)內(nei)可(ke)(ke)以具有小(xiao)(xiao)于0.5、優選(xuan)小(xiao)(xiao)于0.3、更優選(xuan)小(xiao)(xiao)于0.15的(de)發射(she)系數(在(zai)(zai)相同溫(wen)度(du)下被(bei)表(biao)(biao)(biao)面(mian)輻(fu)射(she)的(de)能(neng)量(liang)與(yu)被(bei)理想黑體(ti)輻(fu)射(she)的(de)能(neng)量(liang)的(de)比值)。這樣,如果熱屏蔽件110在(zai)(zai)與(yu)第(di)(di)(di)(di)一空間(jian)(jian)105中的(de)襯底W的(de)溫(wen)度(du)不(bu)同的(de)溫(wen)度(du)下,將通過(guo)從第(di)(di)(di)(di)一壁(bi)1100的(de)內(nei)表(biao)(biao)(biao)面(mian)1110至第(di)(di)(di)(di)一空間(jian)(jian)105的(de)輻(fu)射(she)/來自第(di)(di)(di)(di)一空間(jian)(jian)105的(de)輻(fu)射(she)傳遞(di)少的(de)能(neng)量(liang)。第(di)(di)(di)(di)一壁(bi)的(de)內(nei)表(biao)(biao)(biao)面(mian)1110的(de)發射(she)率可(ke)(ke)以通過(guo)表(biao)(biao)(biao)面(mian)處理(例如拋光)而調整(zheng)或(huo)者通過(guo)涂(tu)覆(fu)涂(tu)層來調整(zheng)。為了避免能(neng)量(liang)在(zai)(zai)第(di)(di)(di)(di)一壁(bi)1100與(yu)第(di)(di)(di)(di)二(er)壁(bi)1200之(zhi)間(jian)(jian)傳遞(di),第(di)(di)(di)(di)一壁(bi)1100的(de)外表(biao)(biao)(biao)面(mian)1120和/或(huo)第(di)(di)(di)(di)二(er)壁(bi)1200的(de)內(nei)表(biao)(biao)(biao)面(mian)1220被(bei)制成為具有小(xiao)(xiao)于0.5、期望地(di)小(xiao)(xiao)于0.3以及(ji)更加期望地(di)小(xiao)(xiao)于0.15的(de)發射(she)系數。

根據上(shang)述實(shi)施例中的(de)至少一個實(shi)施例的(de)系統可以用在器(qi)件制造方(fang)法中,在該方(fang)法中使用投影(ying)束輻(fu)射(she)襯(chen)底。

雖然在(zai)(zai)(zai)本文中(zhong)詳述了光刻設備(bei)用(yong)于(yu)(yu)制(zhi)造IC(集成(cheng)電路),但是應(ying)該(gai)理(li)解到這(zhe)(zhe)里所述的(de)(de)光刻設備(bei)可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)有(you)其(qi)他的(de)(de)應(ying)用(yong),例如(ru)制(zhi)造集成(cheng)光學系統、磁疇存儲器的(de)(de)引導和(he)(he)檢測圖案、平板顯(xian)示(shi)器、液晶顯(xian)示(shi)器(LCD)、薄膜磁頭等。本領域技術(shu)人員應(ying)該(gai)認識(shi)到,在(zai)(zai)(zai)這(zhe)(zhe)種(zhong)替代應(ying)用(yong)的(de)(de)情況中(zhong),可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)將(jiang)這(zhe)(zhe)里使(shi)(shi)用(yong)的(de)(de)任何術(shu)語(yu)“晶片”或(huo)(huo)“管芯(xin)”分別(bie)認為是與更上(shang)(shang)位的(de)(de)術(shu)語(yu)“襯底(di)(di)”或(huo)(huo)“目標部分”同義。這(zhe)(zhe)里所指(zhi)的(de)(de)襯底(di)(di)可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)在(zai)(zai)(zai)曝光之前(qian)或(huo)(huo)之后進(jin)行處(chu)理(li),例如(ru)在(zai)(zai)(zai)軌道(一種(zhong)典(dian)型地將(jiang)抗蝕(shi)劑層涂(tu)到襯底(di)(di)上(shang)(shang),并且對已曝光的(de)(de)抗蝕(shi)劑進(jin)行顯(xian)影的(de)(de)工(gong)具)、量測工(gong)具和(he)(he)/或(huo)(huo)檢驗工(gong)具中(zhong)。在(zai)(zai)(zai)可(ke)(ke)應(ying)用(yong)的(de)(de)情況下(xia),可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)將(jiang)所述公開內容應(ying)用(yong)于(yu)(yu)這(zhe)(zhe)種(zhong)和(he)(he)其(qi)他襯底(di)(di)處(chu)理(li)工(gong)具中(zhong)。另外(wai),所述襯底(di)(di)可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)處(chu)理(li)一次以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)上(shang)(shang),例如(ru)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)便(bian)產生(sheng)多層IC,使(shi)(shi)得這(zhe)(zhe)里使(shi)(shi)用(yong)的(de)(de)所述術(shu)語(yu)“襯底(di)(di)”也可(ke)(ke)以(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)表示(shi)已經包含多個已處(chu)理(li)層的(de)(de)襯底(di)(di)。

雖然上面詳述(shu)了(le)本發明的(de)(de)實(shi)施例在(zai)光學光刻(ke)術中的(de)(de)應(ying)用(yong),但是,應(ying)該(gai)注意到(dao)(dao),本發明可以有其它的(de)(de)應(ying)用(yong),例如壓印光刻(ke)術,并(bing)且只要情況允(yun)許,不(bu)局限于光學光刻(ke)術。在(zai)壓印光刻(ke)術中,圖案(an)形(xing)成裝置中的(de)(de)形(xing)貌(mao)限定(ding)了(le)在(zai)襯(chen)底上產生的(de)(de)圖案(an)。可以將所述(shu)圖案(an)形(xing)成裝置的(de)(de)形(xing)貌(mao)印刷到(dao)(dao)提供給(gei)所述(shu)襯(chen)底的(de)(de)抗(kang)蝕(shi)(shi)(shi)劑(ji)(ji)(ji)(ji)層中,在(zai)其上通過施加電(dian)磁輻射、熱(re)、壓力或(huo)其組合來使所述(shu)抗(kang)蝕(shi)(shi)(shi)劑(ji)(ji)(ji)(ji)固(gu)化。在(zai)所述(shu)抗(kang)蝕(shi)(shi)(shi)劑(ji)(ji)(ji)(ji)固(gu)化之后(hou),所述(shu)圖案(an)形(xing)成裝置從所述(shu)抗(kang)蝕(shi)(shi)(shi)劑(ji)(ji)(ji)(ji)上移走,并(bing)在(zai)抗(kang)蝕(shi)(shi)(shi)劑(ji)(ji)(ji)(ji)中留下(xia)圖案(an)。

此處使用的術語“輻(fu)射(she)”和(he)“束(shu)(shu)”包(bao)含所有(you)類(lei)型的電(dian)磁輻(fu)射(she),包(bao)括(kuo)紫外(UV)輻(fu)射(she)(例(li)如具有(you)或約365、355、248、193、157或126nm的波長(chang))和(he)極紫外(EUV)輻(fu)射(she)(例(li)如具有(you)在5-20nm范(fan)圍的波長(chang))以及諸(zhu)如離(li)子束(shu)(shu)或電(dian)子束(shu)(shu)的粒子束(shu)(shu)。

在允(yun)許的(de)(de)(de)情(qing)況下,術(shu)語“透鏡”可以表示不同類型(xing)的(de)(de)(de)光學部(bu)件(jian)中的(de)(de)(de)任何一種或(huo)其組合(he),包(bao)括折射(she)式的(de)(de)(de)、反射(she)式的(de)(de)(de)、磁性的(de)(de)(de)、電(dian)磁的(de)(de)(de)和靜(jing)電(dian)的(de)(de)(de)光學部(bu)件(jian)。

盡管(guan)以上已經描述(shu)了(le)本(ben)發明(ming)的(de)具體實施例,但應該認識(shi)到,本(ben)發明(ming)可以以與上述(shu)不同(tong)的(de)方式來實現。

上文描述意(yi)圖是說明(ming)(ming)性的,而不是限制性的。因此,本領(ling)域技術(shu)人員應當理解在不背(bei)離所附的權利要求的范圍的情況下,可以(yi)對(dui)所述的本發(fa)明(ming)(ming)進行修改。

當前第1頁1 2 3 
網(wang)友詢(xun)問(wen)留(liu)言(yan) 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
1