本申請涉及半導體制造技術(shu)領域，具體而(er)言，涉及一種光(guang)刻膠厚度異常的檢測方(fang)法(fa)。

背景技術：

光刻(ke)膠的厚度對光刻(ke)過程是(shi)至關(guan)重要(yao)的，因(yin)為光刻(ke)膠厚度的變化將導致刻(ke)蝕圖(tu)形(xing)發生變化，進而(er)對晶圓的關(guan)鍵尺寸產生影響(xiang)，并(bing)進一步影響(xiang)器件的良率。

現有(you)技(ji)術(shu)中常采用離線(xian)監控(kong)(kong)器來監控(kong)(kong)每(mei)一(yi)批晶圓光(guang)刻膠(jiao)的厚度(du)，且每(mei)周僅進行一(yi)次，不(bu)能實時(shi)監控(kong)(kong)每(mei)一(yi)批晶圓的光(guang)刻膠(jiao)的厚度(du)。

另外，光刻工藝過(guo)(guo)程中，為了獲得(de)更(geng)好的(de)(de)(de)(de)曝光寬容度(du)(du)和顯(xian)影響應，通(tong)常光刻膠的(de)(de)(de)(de)厚(hou)度(du)(du)設(she)置選擇擺動曲線的(de)(de)(de)(de)波(bo)峰(feng)或者波(bo)谷(gu)對應的(de)(de)(de)(de)厚(hou)度(du)(du)。但是波(bo)峰(feng)與波(bo)谷(gu)附近的(de)(de)(de)(de)切線斜率較(jiao)小，在通(tong)過(guo)(guo)量(liang)測(ce)關(guan)鍵(jian)尺(chi)寸的(de)(de)(de)(de)變(bian)化(hua)確定光刻膠厚(hou)度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)變(bian)化(hua)時(shi)，當光刻膠的(de)(de)(de)(de)厚(hou)度(du)(du)發生變(bian)化(hua)時(shi)，關(guan)鍵(jian)尺(chi)寸的(de)(de)(de)(de)變(bian)化(hua)很小，很難(nan)檢測(ce)出(chu)來，因(yin)此不能實(shi)時(shi)地(di)、靈敏(min)地(di)監測(ce)光刻膠厚(hou)度(du)(du)的(de)(de)(de)(de)變(bian)化(hua)。

技術實現要素：

本申請旨在提供(gong)一種光刻膠(jiao)厚度(du)異常的(de)檢測方法，以解決(jue)現有技術中(zhong)不能實時地、靈敏地監測光刻膠(jiao)厚度(du)的(de)問題。

為了(le)實現上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)目的(de)(de)，根(gen)據本申(shen)請(qing)的(de)(de)一(yi)(yi)個方面，提供了(le)一(yi)(yi)種光(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)厚度異(yi)常的(de)(de)檢測方法，上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)檢測方法包括：步驟(zou)S1，在晶(jing)片的(de)(de)切割道中形(xing)(xing)(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)圖形(xing)(xing)(xing)，上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)圖形(xing)(xing)(xing)包括至(zhi)少(shao)一(yi)(yi)個第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)矩(ju)形(xing)(xing)(xing)，上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)矩(ju)形(xing)(xing)(xing)與上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)晶(jing)片的(de)(de)表面形(xing)(xing)(xing)成(cheng)臺階(jie)結(jie)構(gou)(gou)；步驟(zou)S2，在具有上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)臺階(jie)結(jie)構(gou)(gou)的(de)(de)上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)晶(jing)片的(de)(de)表面上(shang)(shang)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)第(di)(di)(di)(di)二光(guang)(guang)刻(ke)(ke)圖形(xing)(xing)(xing)，上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二光(guang)(guang)刻(ke)(ke)圖形(xing)(xing)(xing)包括至(zhi)少(shao)兩個第(di)(di)(di)(di)二光(guang)(guang)刻(ke)(ke)矩(ju)形(xing)(xing)(xing)，上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二光(guang)(guang)刻(ke)(ke)矩(ju)形(xing)(xing)(xing)的(de)(de)寬度對應于目標關鍵尺寸，上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二光(guang)(guang)刻(ke)(ke)圖形(xing)(xing)(xing)與上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)圖形(xing)(xing)(xing)垂直且相互隔離設(she)置；步驟(zou)S3，獲取兩個上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)二光(guang)(guang)刻(ke)(ke)矩(ju)形(xing)(xing)(xing)的(de)(de)寬度差(cha)值(zhi)(zhi)(zhi)；以及(ji)步驟(zou)S4判斷(duan)上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)寬度差(cha)值(zhi)(zhi)(zhi)是否大于標準(zhun)差(cha)值(zhi)(zhi)(zhi)，當(dang)上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)寬度差(cha)值(zhi)(zhi)(zhi)大于標準(zhun)差(cha)值(zhi)(zhi)(zhi)時，光(guang)(guang)刻(ke)(ke)膠(jiao)厚度出現異(yi)常。

進一步地，上(shang)述步驟S2包括：采用第(di)(di)二掩膜版形(xing)成上(shang)述第(di)(di)二光刻圖(tu)形(xing)，上(shang)述第(di)(di)二掩膜版包括第(di)(di)二圖(tu)形(xing)，上(shang)述第(di)(di)二圖(tu)形(xing)包括至少兩個沿第(di)(di)一方向相互平行排列的(de)(de)第(di)(di)二矩形(xing)，上(shang)述第(di)(di)二矩形(xing)的(de)(de)寬度為目標(biao)關(guan)鍵(jian)尺寸的(de)(de)0.8～1.2倍。

進一步(bu)地(di)，上(shang)述第(di)一光刻矩(ju)形的寬(kuan)度為10～40μm，長(chang)度為20～60μm。

進(jin)一(yi)步地，上(shang)述第(di)一(yi)光(guang)刻圖(tu)形中(zhong)包括(kuo)兩(liang)個相互(hu)平(ping)行的第(di)一(yi)光(guang)刻矩形，兩(liang)個上(shang)述第(di)一(yi)光(guang)刻矩形分別位于上(shang)述第(di)二光(guang)刻圖(tu)形的兩(liang)側。

進一步地，上(shang)述第一光(guang)刻矩形與(yu)相鄰上(shang)述第二(er)光(guang)刻矩形的(de)垂直距離為1～5μm。

進一步地，上述第(di)二矩(ju)形的(de)間(jian)距(ju)為上述第(di)二矩(ju)形寬度的(de)2～5倍。

進一步地，上述(shu)步驟S2中(zhong)(zhong)的上述(shu)第二(er)掩(yan)膜版中(zhong)(zhong)的第二(er)圖(tu)形(xing)為(wei)(wei)一個或多個，當(dang)上述(shu)第二(er)圖(tu)形(xing)為(wei)(wei)多個時，各上述(shu)第二(er)圖(tu)形(xing)沿與上述(shu)第一方向垂直的第二(er)方向平(ping)行排布設置。

進一(yi)(yi)步地，上(shang)(shang)述(shu)(shu)步驟S2形(xing)成的(de)(de)上(shang)(shang)述(shu)(shu)第(di)二(er)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)矩(ju)(ju)形(xing)中(zhong)(zhong)，至少一(yi)(yi)個上(shang)(shang)述(shu)(shu)第(di)二(er)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)矩(ju)(ju)形(xing)為中(zhong)(zhong)心(xin)(xin)第(di)二(er)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)矩(ju)(ju)形(xing)，至少一(yi)(yi)個上(shang)(shang)述(shu)(shu)第(di)二(er)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)矩(ju)(ju)形(xing)為邊(bian)緣(yuan)第(di)二(er)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)矩(ju)(ju)形(xing)，上(shang)(shang)述(shu)(shu)中(zhong)(zhong)心(xin)(xin)第(di)二(er)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)矩(ju)(ju)形(xing)形(xing)成于上(shang)(shang)述(shu)(shu)臺(tai)階結構(gou)的(de)(de)中(zhong)(zhong)心(xin)(xin)區域(yu)，上(shang)(shang)述(shu)(shu)中(zhong)(zhong)心(xin)(xin)區域(yu)為與上(shang)(shang)述(shu)(shu)臺(tai)階結構(gou)的(de)(de)中(zhong)(zhong)心(xin)(xin)點(dian)(dian)重(zhong)合且(qie)(qie)邊(bian)長1/2～3/4臺(tai)階寬度(du)的(de)(de)正(zheng)方(fang)形(xing)；上(shang)(shang)述(shu)(shu)邊(bian)緣(yuan)第(di)二(er)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)矩(ju)(ju)形(xing)的(de)(de)中(zhong)(zhong)心(xin)(xin)點(dian)(dian)與上(shang)(shang)述(shu)(shu)臺(tai)階結構(gou)的(de)(de)邊(bian)緣(yuan)的(de)(de)最(zui)短距(ju)離為0.01～1μm，且(qie)(qie)上(shang)(shang)述(shu)(shu)寬度(du)差(cha)值(zhi)為上(shang)(shang)述(shu)(shu)中(zhong)(zhong)心(xin)(xin)第(di)二(er)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)矩(ju)(ju)形(xing)與上(shang)(shang)述(shu)(shu)邊(bian)緣(yuan)第(di)二(er)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)矩(ju)(ju)形(xing)的(de)(de)寬度(du)差(cha)值(zhi)。

進一(yi)步(bu)地，上述(shu)(shu)檢(jian)測方法還包括：步(bu)驟(zou)S5，根據(ju)上述(shu)(shu)寬度(du)(du)差值(zhi)與光(guang)刻(ke)膠厚度(du)(du)的(de)對應關系，獲取寬度(du)(du)差值(zhi)對應的(de)光(guang)刻(ke)膠厚度(du)(du)；以及(ji)步(bu)驟(zou)S6，根據(ju)上述(shu)(shu)光(guang)刻(ke)膠厚度(du)(du)是否超過了光(guang)刻(ke)膠厚度(du)(du)的(de)允許范圍決定進行下一(yi)步(bu)工藝(yi)或者返工。

進一步地，上述光刻膠(jiao)厚度的允許范圍為的0.995～1.005倍(bei)的標準光刻膠(jiao)厚度。

進一步地，上(shang)述(shu)第二光(guang)(guang)(guang)刻(ke)矩形的(de)(de)(de)(de)寬度差值(zhi)與(yu)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)厚(hou)(hou)度的(de)(de)(de)(de)對應(ying)關(guan)(guan)系(xi)的(de)(de)(de)(de)獲(huo)取(qu)(qu)方法(fa)包括：步驟(zou)a，獲(huo)取(qu)(qu)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)厚(hou)(hou)度與(yu)關(guan)(guan)鍵尺寸(cun)的(de)(de)(de)(de)標(biao)準波(bo)動曲線；步驟(zou)b，根(gen)據(ju)上(shang)述(shu)標(biao)準波(bo)動曲線獲(huo)取(qu)(qu)上(shang)述(shu)寬度差值(zhi)對應(ying)的(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)厚(hou)(hou)度的(de)(de)(de)(de)差值(zhi)；以及步驟(zou)c，根(gen)據(ju)上(shang)述(shu)光(guang)(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)厚(hou)(hou)度的(de)(de)(de)(de)差值(zhi)與(yu)上(shang)述(shu)標(biao)準波(bo)動曲線計算得到光(guang)(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)的(de)(de)(de)(de)厚(hou)(hou)度。

應用(yong)本申(shen)請(qing)的(de)(de)(de)檢測(ce)(ce)方法(fa)，首先，在晶(jing)片(pian)上設(she)(she)置(zhi)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)，然(ran)后利用(yong)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)掩膜版作(zuo)為光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)掩膜版對(dui)該光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)進行圖(tu)形(xing)(xing)(xing)化(hua)處(chu)理(li)，在晶(jing)片(pian)的(de)(de)(de)切割(ge)道中設(she)(she)置(zhi)與第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)掩膜版中的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)矩(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)對(dui)應的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)矩(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)，第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)矩(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)與未(wei)設(she)(she)置(zhi)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)矩(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)的(de)(de)(de)晶(jing)片(pian)的(de)(de)(de)區域形(xing)(xing)(xing)成用(yong)于檢測(ce)(ce)的(de)(de)(de)臺(tai)階結構；然(ran)后，繼(ji)續(xu)設(she)(she)置(zhi)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)，在臺(tai)階結構的(de)(de)(de)未(wei)形(xing)(xing)(xing)成第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)矩(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)的(de)(de)(de)晶(jing)片(pian)的(de)(de)(de)表面上形(xing)(xing)(xing)成用(yong)于測(ce)(ce)試的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)圖(tu)形(xing)(xing)(xing)，第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)圖(tu)形(xing)(xing)(xing)與上述(shu)第(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)(yi)(yi)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)圖(tu)形(xing)(xing)(xing)垂直且相互(hu)隔(ge)離設(she)(she)置(zhi)，第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)圖(tu)形(xing)(xing)(xing)包括至少兩個(ge)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)矩(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)，第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)矩(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)的(de)(de)(de)寬(kuan)度(du)對(dui)應于目標(biao)關鍵尺(chi)寸，這樣(yang)當(dang)(dang)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)的(de)(de)(de)厚度(du)出現異(yi)常(chang)(chang)(chang)，兩個(ge)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)矩(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)的(de)(de)(de)寬(kuan)度(du)的(de)(de)(de)差(cha)(cha)值就會發(fa)(fa)生(sheng)變(bian)化(hua)，進而(er)可以通過(guo)量測(ce)(ce)兩個(ge)第(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)矩(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)的(de)(de)(de)寬(kuan)度(du)差(cha)(cha)值來判斷光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)的(de)(de)(de)厚度(du)是否(fou)發(fa)(fa)生(sheng)變(bian)化(hua)。當(dang)(dang)上述(shu)寬(kuan)度(du)差(cha)(cha)值大于標(biao)準差(cha)(cha)值時，則光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)的(de)(de)(de)厚度(du)為異(yi)常(chang)(chang)(chang)，即(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)的(de)(de)(de)厚度(du)偏(pian)離了正(zheng)常(chang)(chang)(chang)值；當(dang)(dang)上述(shu)寬(kuan)度(du)差(cha)(cha)值小于標(biao)準差(cha)(cha)值時，則光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)的(de)(de)(de)厚度(du)在正(zheng)常(chang)(chang)(chang)范圍內，即(ji)(ji)未(wei)出現異(yi)常(chang)(chang)(chang)。相比傳統方法(fa)，該方法(fa)可以在工(gong)藝過(guo)程中實時地、靈敏地、精確地檢測(ce)(ce)出光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)的(de)(de)(de)厚度(du)是否(fou)出現異(yi)常(chang)(chang)(chang)，即(ji)(ji)是否(fou)發(fa)(fa)生(sheng)了變(bian)化(hua)偏(pian)離了正(zheng)常(chang)(chang)(chang)值，當(dang)(dang)發(fa)(fa)現異(yi)常(chang)(chang)(chang)時，及時對(dui)晶(jing)片(pian)進行處(chu)理(li)，進而(er)能夠提(ti)高器件(jian)的(de)(de)(de)良率。

附圖說明

構(gou)成本(ben)申請(qing)的一部分的說(shuo)明(ming)書附(fu)圖(tu)用來提供對本(ben)申請(qing)的進一步理解，本(ben)申請(qing)的示意性實施例及其說(shuo)明(ming)用于解釋(shi)本(ben)申請(qing)，并(bing)不(bu)構(gou)成對本(ben)申請(qing)的不(bu)當限定(ding)。在附(fu)圖(tu)中：

圖(tu)1示出了本(ben)申(shen)請(qing)一種(zhong)優(you)選實施方(fang)(fang)式的檢(jian)測方(fang)(fang)法的流程示意圖(tu)；

圖2示出了一種優選實施方式中(zhong)的包(bao)括多個(ge)第二圖形的第二掩膜版的示意圖；

圖3示(shi)出了(le)一種優(you)選的實(shi)施方式的第一掩膜版的示(shi)意圖；

圖4示出(chu)了(le)在晶片的基底上形(xing)成第一光刻矩(ju)形(xing)后(hou)的晶片的剖面結構示意圖；

圖5示出了(le)在晶片的(de)基底表面形(xing)成七(qi)個第(di)一(yi)光刻圖形(xing)后的(de)晶片的(de)俯視圖；

圖6示出(chu)了一(yi)種(zhong)優選(xuan)實施方(fang)式(shi)中的第二掩膜版的示意(yi)圖；

圖(tu)7示(shi)出了在圖(tu)5所示(shi)的結構上采用圖(tu)6所示(shi)的第二掩膜(mo)版設置第二光刻矩形(xing)后(hou)的晶片(pian)的俯視圖(tu)；

圖8示出了關(guan)鍵尺(chi)寸與光刻膠(jiao)的厚(hou)度(du)的關(guan)系曲線；以(yi)及

圖9示出了中心第(di)二光(guang)刻(ke)矩形與邊緣第(di)二光(guang)刻(ke)矩形的寬度的差值與光(guang)刻(ke)膠(jiao)厚度的關系(xi)曲線。

具體實施方式

應該指(zhi)(zhi)出，以下詳細說(shuo)明(ming)都是(shi)例示性的(de)，旨(zhi)在對(dui)本申請(qing)提供進一(yi)步的(de)說(shuo)明(ming)。除非另有(you)指(zhi)(zhi)明(ming)，本文使用(yong)的(de)所(suo)有(you)技術和科學術語具有(you)與本申請(qing)所(suo)屬技術領(ling)域的(de)普(pu)通技術人員通常(chang)理(li)解(jie)的(de)相(xiang)同(tong)含義。

需要注意(yi)的是，這里(li)(li)所使用(yong)的術語僅(jin)是為了(le)描(miao)述具體實(shi)施方式，而非(fei)意(yi)圖限制根據本(ben)申請的示例(li)性(xing)實(shi)施方式。如(ru)在這里(li)(li)所使用(yong)的，除非(fei)上(shang)下文另(ling)外明(ming)確指出，否則(ze)單數(shu)形式也意(yi)圖包括(kuo)復數(shu)形式，此外，還(huan)應當(dang)理解的是，當(dang)在本(ben)說明(ming)書(shu)中使用(yong)術語“包含”和/或(huo)(huo)“包括(kuo)”時，其指明(ming)存在特征、步驟(zou)、操作(zuo)、器(qi)件(jian)、組件(jian)和/或(huo)(huo)它們的組合。

為了便于描(miao)(miao)述(shu)，在(zai)(zai)這里可(ke)(ke)以使用(yong)空間(jian)相(xiang)對(dui)術語，如(ru)“在(zai)(zai)……之(zhi)上(shang)”、“在(zai)(zai)……上(shang)方(fang)(fang)(fang)(fang)(fang)”、“在(zai)(zai)……上(shang)表面(mian)”、“上(shang)面(mian)的(de)(de)”等，用(yong)來描(miao)(miao)述(shu)如(ru)在(zai)(zai)圖中(zhong)(zhong)所(suo)示的(de)(de)一(yi)個器(qi)(qi)件(jian)(jian)或(huo)(huo)特征與其(qi)他(ta)器(qi)(qi)件(jian)(jian)或(huo)(huo)特征的(de)(de)空間(jian)位(wei)(wei)置關系。應當理解(jie)的(de)(de)是，空間(jian)相(xiang)對(dui)術語旨在(zai)(zai)包(bao)含除了器(qi)(qi)件(jian)(jian)在(zai)(zai)圖中(zhong)(zhong)所(suo)描(miao)(miao)述(shu)的(de)(de)方(fang)(fang)(fang)(fang)(fang)位(wei)(wei)之(zhi)外的(de)(de)在(zai)(zai)使用(yong)或(huo)(huo)操作(zuo)中(zhong)(zhong)的(de)(de)不同方(fang)(fang)(fang)(fang)(fang)位(wei)(wei)。例如(ru)，如(ru)果附圖中(zhong)(zhong)的(de)(de)器(qi)(qi)件(jian)(jian)被倒置，則描(miao)(miao)述(shu)為“在(zai)(zai)其(qi)他(ta)器(qi)(qi)件(jian)(jian)或(huo)(huo)構(gou)造(zao)(zao)(zao)上(shang)方(fang)(fang)(fang)(fang)(fang)”或(huo)(huo)“在(zai)(zai)其(qi)他(ta)器(qi)(qi)件(jian)(jian)或(huo)(huo)構(gou)造(zao)(zao)(zao)之(zhi)上(shang)”的(de)(de)器(qi)(qi)件(jian)(jian)之(zhi)后將被定位(wei)(wei)為“在(zai)(zai)其(qi)他(ta)器(qi)(qi)件(jian)(jian)或(huo)(huo)構(gou)造(zao)(zao)(zao)下(xia)(xia)方(fang)(fang)(fang)(fang)(fang)”或(huo)(huo)“在(zai)(zai)其(qi)他(ta)器(qi)(qi)件(jian)(jian)或(huo)(huo)構(gou)造(zao)(zao)(zao)之(zhi)下(xia)(xia)”。因而，示例性(xing)術語“在(zai)(zai)……上(shang)方(fang)(fang)(fang)(fang)(fang)”可(ke)(ke)以包(bao)括“在(zai)(zai)……上(shang)方(fang)(fang)(fang)(fang)(fang)”和“在(zai)(zai)……下(xia)(xia)方(fang)(fang)(fang)(fang)(fang)”兩種方(fang)(fang)(fang)(fang)(fang)位(wei)(wei)。該器(qi)(qi)件(jian)(jian)也可(ke)(ke)以其(qi)他(ta)不同方(fang)(fang)(fang)(fang)(fang)式定位(wei)(wei)(旋轉90度(du)或(huo)(huo)處于其(qi)他(ta)方(fang)(fang)(fang)(fang)(fang)位(wei)(wei))，并且對(dui)這里所(suo)使用(yong)的(de)(de)空間(jian)相(xiang)對(dui)描(miao)(miao)述(shu)作(zuo)出相(xiang)應解(jie)釋。

現(xian)在，將參照附圖(tu)更(geng)詳細地描(miao)述(shu)根據本(ben)(ben)申請(qing)的(de)(de)示例性實施(shi)(shi)方(fang)式(shi)(shi)。然而(er)，這(zhe)(zhe)些(xie)示例性實施(shi)(shi)方(fang)式(shi)(shi)可(ke)以(yi)由多種不同(tong)的(de)(de)形(xing)式(shi)(shi)來(lai)實施(shi)(shi)，并(bing)且(qie)不應(ying)當被(bei)解釋(shi)為(wei)只限于這(zhe)(zhe)里所闡述(shu)的(de)(de)實施(shi)(shi)方(fang)式(shi)(shi)。應(ying)當理(li)解的(de)(de)是(shi)，提供這(zhe)(zhe)些(xie)實施(shi)(shi)方(fang)式(shi)(shi)是(shi)為(wei)了使得本(ben)(ben)申請(qing)的(de)(de)公(gong)開徹底(di)且(qie)完(wan)整，并(bing)且(qie)將這(zhe)(zhe)些(xie)示例性實施(shi)(shi)方(fang)式(shi)(shi)的(de)(de)構思充分傳(chuan)達(da)給本(ben)(ben)領域普通技術人員(yuan)，在附圖(tu)中，為(wei)了清楚起(qi)見，擴大了層和(he)區域的(de)(de)厚度，并(bing)且(qie)使用相同(tong)的(de)(de)附圖(tu)標記表示相同(tong)的(de)(de)器件，因而(er)將省略對它們的(de)(de)描(miao)述(shu)。

正如背景技(ji)術所介(jie)紹的，現(xian)有技(ji)術中檢測(ce)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)厚(hou)(hou)度的方(fang)(fang)法不能(neng)實時(shi)地、準(zhun)確地檢測(ce)光(guang)(guang) 刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)的厚(hou)(hou)度，影響了(le)(le)器件的良率，為(wei)了(le)(le)解決如上(shang)(shang)(shang)的問題(ti)，本申請的一(yi)種優(you)選方(fang)(fang)式(shi)提供了(le)(le)一(yi)種光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)厚(hou)(hou)度異(yi)常(chang)的檢測(ce)方(fang)(fang)法，如圖(tu)1所示，該方(fang)(fang)法包括(kuo)：步(bu)驟(zou)S1，在晶(jing)(jing)片的切割道中形成第(di)一(yi)圖(tu)形，該第(di)一(yi)圖(tu)形包括(kuo)至少(shao)一(yi)個(ge)第(di)一(yi)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)矩(ju)形，第(di)一(yi)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)矩(ju)形與(yu)晶(jing)(jing)片的表面形成臺階(jie)結構；步(bu)驟(zou)S2，在具有上(shang)(shang)(shang)述(shu)(shu)臺階(jie)結構的上(shang)(shang)(shang)述(shu)(shu)晶(jing)(jing)片的表面上(shang)(shang)(shang)形成第(di)二(er)(er)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)圖(tu)形，上(shang)(shang)(shang)述(shu)(shu)第(di)二(er)(er)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)圖(tu)形包括(kuo)至少(shao)兩個(ge)第(di)二(er)(er)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)矩(ju)形，上(shang)(shang)(shang)述(shu)(shu)第(di)二(er)(er)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)矩(ju)形的寬度對應于(yu)目標關鍵(jian)尺寸，上(shang)(shang)(shang)述(shu)(shu)第(di)二(er)(er)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)圖(tu)形與(yu)上(shang)(shang)(shang)述(shu)(shu)第(di)一(yi)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)圖(tu)形垂(chui)直且相互隔離設置；步(bu)驟(zou)S3，獲(huo)取兩個(ge)第(di)二(er)(er)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)矩(ju)形的寬度差(cha)值(zhi)；以(yi)及步(bu)驟(zou)S4，判斷寬度差(cha)值(zhi)是否大(da)于(yu)標準(zhun)差(cha)值(zhi)，當(dang)寬度差(cha)值(zhi)大(da)于(yu)標準(zhun)差(cha)值(zhi)時(shi)，光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)厚(hou)(hou)度出(chu)現(xian)異(yi)常(chang)。

該檢測(ce)方法(fa)首先在晶片(pian)(pian)上設(she)(she)(she)置(zhi)(zhi)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)，然(ran)后利(li)用第(di)一(yi)掩(yan)(yan)膜版(ban)作為光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)掩(yan)(yan)膜版(ban)對該光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)進行圖(tu)(tu)形(xing)(xing)(xing)化處理(li)，在晶片(pian)(pian)的(de)(de)(de)切割道中設(she)(she)(she)置(zhi)(zhi)與第(di)一(yi)掩(yan)(yan)膜版(ban)中的(de)(de)(de)第(di)一(yi)矩(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)對應(ying)的(de)(de)(de)第(di)一(yi)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)矩(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)，第(di)一(yi)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)矩(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)與未設(she)(she)(she)置(zhi)(zhi)第(di)一(yi)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)矩(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)的(de)(de)(de)晶片(pian)(pian)的(de)(de)(de)區域(yu)形(xing)(xing)(xing)成用于(yu)(yu)檢測(ce)的(de)(de)(de)臺階(jie)結構；然(ran)后，繼續設(she)(she)(she)置(zhi)(zhi)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)，在臺階(jie)結構的(de)(de)(de)未形(xing)(xing)(xing)成第(di)一(yi)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)矩(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)的(de)(de)(de)晶片(pian)(pian)的(de)(de)(de)表面上形(xing)(xing)(xing)成用于(yu)(yu)測(ce)試的(de)(de)(de)第(di)二光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)圖(tu)(tu)形(xing)(xing)(xing)，第(di)二光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)圖(tu)(tu)形(xing)(xing)(xing)與上述第(di)一(yi)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)圖(tu)(tu)形(xing)(xing)(xing)垂直(zhi)且相互隔離設(she)(she)(she)置(zhi)(zhi)，第(di)二光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)圖(tu)(tu)形(xing)(xing)(xing)包(bao)括至少兩個(ge)第(di)二光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)矩(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)，第(di)二光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)矩(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)的(de)(de)(de)寬度(du)(du)(du)(du)對應(ying)于(yu)(yu)目標關鍵尺寸，這樣當光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)的(de)(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)(du)(du)(du)出(chu)現(xian)(xian)異常，兩個(ge)第(di)二光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)矩(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)的(de)(de)(de)寬度(du)(du)(du)(du)的(de)(de)(de)差(cha)(cha)值(zhi)就(jiu)會發(fa)生(sheng)變(bian)化，進而(er)可以通過量測(ce)兩個(ge)第(di)二光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)矩(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)的(de)(de)(de)寬度(du)(du)(du)(du)差(cha)(cha)值(zhi)來判斷光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)的(de)(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)(du)(du)(du)是(shi)否(fou)發(fa)生(sheng)變(bian)化。當上述寬度(du)(du)(du)(du)差(cha)(cha)值(zhi)大于(yu)(yu)標準差(cha)(cha)值(zhi)時(shi)(shi)(shi)，則(ze)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)的(de)(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)(du)(du)(du)為異常，即光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)的(de)(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)(du)(du)(du)偏(pian)離了(le)(le)正常值(zhi)；當上述寬度(du)(du)(du)(du)差(cha)(cha)值(zhi)小于(yu)(yu)標準差(cha)(cha)值(zhi)時(shi)(shi)(shi)，則(ze)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)的(de)(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)(du)(du)(du)在正常范圍內，即未出(chu)現(xian)(xian)異常。相比傳統方法(fa)，該方法(fa)可以在工藝(yi)過程中實時(shi)(shi)(shi)地(di)、靈敏地(di)、精確地(di)檢測(ce)出(chu)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)的(de)(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)(du)(du)(du)是(shi)否(fou)出(chu)現(xian)(xian)異常，即是(shi)否(fou)發(fa)生(sheng)了(le)(le)變(bian)化偏(pian)離了(le)(le)正常值(zhi)，當發(fa)現(xian)(xian)異常時(shi)(shi)(shi)，及時(shi)(shi)(shi)對晶片(pian)(pian)進行處理(li)，進而(er)能夠提高器件的(de)(de)(de)良率。

本(ben)申請(qing)的(de)又一種(zhong)優選的(de)實(shi)施(shi)方(fang)式中，上(shang)述步(bu)驟S2包括(kuo)：采用第(di)(di)二掩膜版形成上(shang)述第(di)(di)二光刻(ke)圖形，上(shang)述第(di)(di)二掩膜版包括(kuo)第(di)(di)二圖形，上(shang)述第(di)(di)二圖形包括(kuo)至少(shao)兩(liang)個沿第(di)(di)一方(fang)向相互(hu)平(ping)行排列的(de)第(di)(di)二矩(ju)(ju)形，上(shang)述第(di)(di)二矩(ju)(ju)形的(de)寬(kuan)度(du)為目標關鍵尺(chi)寸(cun)的(de)0.8～1.2倍。該實(shi)施(shi)方(fang)式較簡(jian)單快捷，可以提高光刻(ke)膠厚度(du)異常檢測(ce)的(de)效率。

為(wei)(wei)了(le)更好地模擬晶(jing)片的(de)(de)真實結構(gou)，使得檢測結果更加準(zhun)確，進而可以提高器(qi)件的(de)(de)良率，本申請(qing)優選(xuan)上述(shu)第一(yi)光刻矩形(xing)的(de)(de)寬度為(wei)(wei)10～40μm，長度為(wei)(wei)20～60μm。

本申請的(de)(de)又(you)一(yi)種優選(xuan)的(de)(de)實(shi)施方式中(zhong)，上述(shu)第(di)一(yi)光(guang)刻(ke)圖形(xing)中(zhong)包(bao)括(kuo)兩(liang)(liang)個相(xiang)互平行的(de)(de)第(di)一(yi)光(guang)刻(ke)矩(ju)形(xing)，兩(liang)(liang)個上述(shu)第(di)一(yi)光(guang)刻(ke)矩(ju)形(xing)分(fen)別位于上述(shu)第(di)二光(guang)刻(ke)圖形(xing)的(de)(de)兩(liang)(liang)側，第(di)一(yi)光(guang)刻(ke)矩(ju)形(xing)為高臺(tai)，兩(liang)(liang)個第(di)一(yi)光(guang)刻(ke)矩(ju)形(xing)與晶(jing)片切(qie)割道(dao)中(zhong)未形(xing)成高臺(tai)的(de)(de)區域均形(xing)成臺(tai)階(jie)結(jie)(jie)構，這樣的(de)(de)結(jie)(jie)構可(ke)以更符合實(shi)際晶(jing)片的(de)(de)情(qing)況(kuang)，光(guang)刻(ke)膠的(de)(de)分(fen)布(bu)也更貼(tie)近(jin)真實(shi)情(qing)況(kuang)，由此使得測(ce)量的(de)(de)結(jie)(jie)果更準確。

為(wei)了(le)避免第二光(guang)刻矩(ju)(ju)形與相鄰(lin)的第一光(guang)刻矩(ju)(ju)形的距離太小，影響檢測結果的準確性，優選各上(shang)述(shu)(shu)第一光(guang)刻矩(ju)(ju)形與相鄰(lin)上(shang)述(shu)(shu)第二光(guang)刻矩(ju)(ju)形的垂(chui)直距離為(wei)1～5μm。

本申(shen)請的(de)(de)又一種優選的(de)(de)實施方式中(zhong)，優選兩個(ge)上(shang)述第(di)二(er)矩形的(de)(de)間(jian)距為(wei)上(shang)述第(di)二(er)矩形寬度的(de)(de)2～5倍。這樣可以(yi)避免相鄰兩個(ge)第(di)一矩形的(de)(de)間(jian)隔太小(xiao)，圖形化處理時可能出(chu)現所(suo)形成(cheng)的(de)(de)相鄰第(di)二(er)光刻矩形連接在一起的(de)(de)現象(xiang)，進而難以(yi)準確測量第(di)二(er)光刻矩形的(de)(de)寬度，導致所(suo)獲取第(di)二(er)光刻矩形的(de)(de)寬度差(cha)值(zhi)出(chu)現偏(pian)差(cha)，進而難以(yi)按照(zhao)預期(qi)靈敏地(di)、準確地(di)檢測光刻膠(jiao)厚度的(de)(de)變 化，影響(xiang)器件的(de)(de)良率。

為了能夠同時(shi)檢測出更(geng)大面積的(de)光刻膠厚(hou)度的(de)變化，本申請(qing)優(you)選(xuan)上(shang)述步(bu)驟S2中的(de)上(shang)述第二(er)(er)掩膜版2中的(de)第二(er)(er)圖形41為一(yi)個或多(duo)個，當上(shang)述第二(er)(er)圖形41為多(duo)個時(shi)，各上(shang)述第二(er)(er)圖形41沿與上(shang)述第一(yi)方向垂直的(de)第二(er)(er)方向平行排布設置，如(ru)圖2所示(shi)。

本(ben)申請的(de)(de)(de)(de)又一(yi)(yi)種優選的(de)(de)(de)(de)實施方(fang)式中(zhong)(zhong)，上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)步驟(zou)S2形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)成的(de)(de)(de)(de)上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)矩(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)中(zhong)(zhong)，至少(shao)一(yi)(yi)個(ge)上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)矩(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)為(wei)中(zhong)(zhong)心第(di)(di)二(er)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)矩(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)，至少(shao)一(yi)(yi)個(ge)上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)第(di)(di)二(er)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)矩(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)為(wei)邊(bian)緣第(di)(di)二(er)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)矩(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)，上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)中(zhong)(zhong)心第(di)(di)二(er)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)矩(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)成于上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)臺(tai)(tai)階(jie)(jie)結(jie)構(gou)(gou)的(de)(de)(de)(de)中(zhong)(zhong)心區域，上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)中(zhong)(zhong)心區域為(wei)與(yu)上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)臺(tai)(tai)階(jie)(jie)結(jie)構(gou)(gou)的(de)(de)(de)(de)中(zhong)(zhong)心點重合(he)且(qie)邊(bian)長為(wei)1/2～3/4臺(tai)(tai)階(jie)(jie)寬(kuan)(kuan)(kuan)度的(de)(de)(de)(de)正方(fang)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)；上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)邊(bian)緣第(di)(di)二(er)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)矩(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)的(de)(de)(de)(de)中(zhong)(zhong)心點與(yu)上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)臺(tai)(tai)階(jie)(jie)結(jie)構(gou)(gou)的(de)(de)(de)(de)邊(bian)緣的(de)(de)(de)(de)最短距離為(wei)0.01～1μm，且(qie)上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)寬(kuan)(kuan)(kuan)度差(cha)(cha)值為(wei)上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)中(zhong)(zhong)心第(di)(di)二(er)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)矩(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)與(yu)上(shang)(shang)述(shu)(shu)(shu)邊(bian)緣第(di)(di)二(er)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)矩(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)的(de)(de)(de)(de)寬(kuan)(kuan)(kuan)度差(cha)(cha)值。通過(guo)檢測(ce)中(zhong)(zhong)心第(di)(di)二(er)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)矩(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)與(yu)邊(bian)緣第(di)(di)二(er)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)矩(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)的(de)(de)(de)(de)寬(kuan)(kuan)(kuan)度差(cha)(cha)值，可以(yi)全面地監(jian)測(ce)整個(ge)臺(tai)(tai)階(jie)(jie)上(shang)(shang)的(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠厚(hou)度，進而(er)判斷(duan)(duan)其是否偏離了正常值，對光(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠的(de)(de)(de)(de)厚(hou)度是否發生變(bian)化做出精確的(de)(de)(de)(de)判斷(duan)(duan)。

在(zai)完成上(shang)(shang)(shang)述(shu)步驟S4之后，本申請優選上(shang)(shang)(shang)述(shu)檢(jian)測(ce)方(fang)(fang)法還(huan)包括：步驟S5，根據(ju)上(shang)(shang)(shang)述(shu)寬度差(cha)值與光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)厚(hou)度的(de)對應關系，獲取與寬度差(cha)值對應的(de)光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)厚(hou)度；以及步驟S6，根據(ju)上(shang)(shang)(shang)述(shu)光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)厚(hou)度是否(fou)超過(guo)了光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)厚(hou)度的(de)允(yun)許(xu)范圍決(jue)定進(jin)行(xing)下一步工藝或者返(fan)工。上(shang)(shang)(shang)述(shu)的(de)技術方(fang)(fang)案(an)不僅(jin)可(ke)以靈敏(min)地、準確地檢(jian)測(ce)出光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)的(de)厚(hou)度是否(fou)偏離正(zheng)常(chang)值，而(er)且還(huan)可(ke)以通過(guo)判斷(duan)光(guang)(guang)刻(ke)膠(jiao)厚(hou)度的(de)大小決(jue)定是進(jin)行(xing)下一步工藝還(huan)是返(fan)工，對監測(ce)方(fang)(fang)法進(jin)行(xing)完善，進(jin)一步保證(zheng)了監測(ce)方(fang)(fang)案(an)的(de)完整性。

為了保證(zheng)圖形(xing)處(chu)理(li)的精(jing)度(du)(du)，優選上述光(guang)(guang)刻膠厚(hou)度(du)(du)的允許范(fan)圍(wei)(wei)為0.995～1.005倍的標(biao)準光(guang)(guang)刻膠厚(hou)度(du)(du)。當光(guang)(guang)刻膠厚(hou)度(du)(du)的允許范(fan)圍(wei)(wei)為0.995～1.005倍的標(biao)準光(guang)(guang)刻膠厚(hou)度(du)(du)時，只(zhi)要(yao)光(guang)(guang)刻膠的厚(hou)度(du)(du)不在此范(fan)圍(wei)(wei)內(nei)，則將晶(jing)片進(jin)行返工(gong)，使得(de)最終制作完成的器(qi)件(jian)結構的尺(chi)寸與標(biao)準尺(chi)寸較(jiao)接近，保證(zheng)了制作工(gong)藝中圖形(xing)處(chu)理(li)的精(jing)度(du)(du)，進(jin)一步保證(zheng)了器(qi)件(jian)具有良好的性能。

為(wei)了(le)精確地獲(huo)(huo)取第二光(guang)刻(ke)(ke)(ke)矩形的(de)寬(kuan)度(du)差(cha)值與(yu)光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠厚度(du)的(de)對(dui)應(ying)關系(xi)，從(cong)而進一步(bu)(bu)(bu)確保獲(huo)(huo)得(de)上(shang)(shang)述(shu)寬(kuan)度(du)的(de)差(cha)值對(dui)應(ying)的(de)光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠厚度(du)較準確，進而保證了(le)下(xia)一步(bu)(bu)(bu)工(gong)藝(yi)或者(zhe)返工(gong)的(de)決定的(de)正確性(xing)。本申請優選上(shang)(shang)述(shu)第二光(guang)刻(ke)(ke)(ke)矩形的(de)寬(kuan)度(du)的(de)差(cha)值與(yu)光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠厚度(du)的(de)對(dui)應(ying)關系(xi)的(de)獲(huo)(huo)取方法包括：步(bu)(bu)(bu)驟a，獲(huo)(huo)取光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠厚度(du)與(yu)關鍵尺寸的(de)標(biao)(biao)準波動(dong)曲(qu)(qu)線；步(bu)(bu)(bu)驟b，根(gen)據上(shang)(shang)述(shu)標(biao)(biao)準波動(dong)曲(qu)(qu)線獲(huo)(huo)取上(shang)(shang)述(shu)寬(kuan)度(du)差(cha)值對(dui)應(ying)的(de)光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠厚度(du)的(de)差(cha)值；以及步(bu)(bu)(bu)驟c，根(gen)據上(shang)(shang)述(shu)光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠厚度(du)的(de)差(cha)值與(yu)上(shang)(shang)述(shu)標(biao)(biao)準波動(dong)曲(qu)(qu)線計算得(de)到(dao)光(guang)刻(ke)(ke)(ke)膠的(de)厚度(du)。

當(dang)利用上述檢(jian)測(ce)方法對(dui)(dui)光(guang)刻膠(jiao)(jiao)(jiao)的(de)(de)厚度(du)(du)完成檢(jian)測(ce)后，當(dang)光(guang)刻膠(jiao)(jiao)(jiao)厚度(du)(du)大于光(guang)刻膠(jiao)(jiao)(jiao)標(biao)準厚度(du)(du)時，則(ze)增加甩(shuai)膠(jiao)(jiao)(jiao)機(ji)(ji)的(de)(de)轉速；當(dang)光(guang)刻膠(jiao)(jiao)(jiao)厚度(du)(du)小于光(guang)刻膠(jiao)(jiao)(jiao)標(biao)準厚度(du)(du)時，則(ze)減(jian)小甩(shuai)膠(jiao)(jiao)(jiao)機(ji)(ji)的(de)(de)轉速。根據光(guang)刻膠(jiao)(jiao)(jiao)厚度(du)(du)與光(guang)刻膠(jiao)(jiao)(jiao)標(biao)準厚度(du)(du)的(de)(de)差值對(dui)(dui)甩(shuai)膠(jiao)(jiao)(jiao)機(ji)(ji)的(de)(de)轉速進(jin)行調整，避免了后續的(de)(de)光(guang)刻工藝(yi)的(de)(de)光(guang)刻膠(jiao)(jiao)(jiao)的(de)(de)厚度(du)(du)出現異(yi)常(chang)，進(jin)而避免再(zai)次(ci)對(dui)(dui)晶(jing)片進(jin)行返工，從而提高器(qi)件的(de)(de)良率與生產效率。

為了(le)(le)使得(de)本領域技術人員(yuan)能更加清楚地了(le)(le)解本申請中的技術方案，以下結合實施例(li)與附圖進行詳細說明(ming)。

首先(xian)，在晶片(pian)的(de)切(qie)割道中形成(cheng)臺階結構。

參見(jian)圖(tu)(tu)(tu)3和圖(tu)(tu)(tu)4，在晶(jing)片(pian)的(de)(de)(de)基底10上設置第(di)(di)一(yi)光(guang)(guang)(guang)刻膠(jiao)(jiao)(jiao)，采用圖(tu)(tu)(tu)3所(suo)示(shi)的(de)(de)(de)具有第(di)(di)一(yi)圖(tu)(tu)(tu)形(xing)(xing)21的(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)掩(yan)膜版1對(dui)光(guang)(guang)(guang)刻膠(jiao)(jiao)(jiao)進行曝光(guang)(guang)(guang)與顯影，形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)圖(tu)(tu)(tu)4所(suo)示(shi)的(de)(de)(de)對(dui)應上述第(di)(di)一(yi)掩(yan)膜版1的(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)矩(ju)形(xing)(xing)210的(de)(de)(de)第(di)(di)一(yi)光(guang)(guang)(guang)刻矩(ju)形(xing)(xing)310。圖(tu)(tu)(tu)4中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)兩(liang)(liang)個(ge)第(di)(di)一(yi)光(guang)(guang)(guang)刻矩(ju)形(xing)(xing)310是高(gao)臺(tai)，與高(gao)臺(tai)中(zhong)(zhong)(zhong)間(jian)未形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)高(gao)臺(tai)的(de)(de)(de)區域(yu)形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)臺(tai)階結(jie)構。第(di)(di)一(yi)圖(tu)(tu)(tu)形(xing)(xing)中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)兩(liang)(liang)個(ge)第(di)(di)一(yi)矩(ju)形(xing)(xing)210的(de)(de)(de)寬度(du)(du)為(wei)20μm，長度(du)(du)為(wei)38μm。兩(liang)(liang)個(ge)高(gao)臺(tai)的(de)(de)(de)中(zhong)(zhong)(zhong)間(jian)區域(yu)為(wei)長38μm，寬30μm的(de)(de)(de)矩(ju)形(xing)(xing)。圖(tu)(tu)(tu)4中(zhong)(zhong)(zhong)忽(hu)略示(shi)出臺(tai)階結(jie)構與晶(jing)片(pian)中(zhong)(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)其它結(jie)構。在晶(jing)片(pian)不同(tong)區域(yu)的(de)(de)(de)切割道中(zhong)(zhong)(zhong)形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)七個(ge)臺(tai)階結(jie)構，如(ru)圖(tu)(tu)(tu)5所(suo)示(shi)，這(zhe)樣可以全(quan)面地監測(ce)光(guang)(guang)(guang)刻膠(jiao)(jiao)(jiao)的(de)(de)(de)厚度(du)(du)的(de)(de)(de)變化。

其次，在每個臺(tai)階結構中兩個高臺(tai)的(de)中間區(qu)域(yu)形成(cheng)用于測試的(de)第二光刻矩形510。

在具有臺(tai)階結構的(de)(de)(de)(de)(de)(de)晶片的(de)(de)(de)(de)(de)(de)表面上設(she)置第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)光(guang)(guang)刻(ke)膠，采(cai)用(yong)如圖(tu)(tu)6所(suo)示的(de)(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)掩(yan)膜版2對(dui)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)光(guang)(guang)刻(ke)膠依次進行曝光(guang)(guang)與(yu)顯影(ying)，形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)成圖(tu)(tu)7所(suo)示的(de)(de)(de)(de)(de)(de)對(dui)應上述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)掩(yan)膜版2的(de)(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)410的(de)(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)光(guang)(guang)刻(ke)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)510，第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)掩(yan)膜版2中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)圖(tu)(tu)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)41的(de)(de)(de)(de)(de)(de)寬(kuan)(kuan)為(wei)(wei)(wei)30μm，長為(wei)(wei)(wei)38μm，第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)圖(tu)(tu)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)41包括七個第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)410，所(suo)以圖(tu)(tu)7中(zhong)(zhong)包含七個第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)光(guang)(guang)刻(ke)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)510，其中(zhong)(zhong)，中(zhong)(zhong)心(xin)(xin)(xin)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)光(guang)(guang)刻(ke)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)512與(yu)中(zhong)(zhong)心(xin)(xin)(xin)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)412對(dui)應，邊(bian)緣(yuan)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)光(guang)(guang)刻(ke)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)511與(yu)邊(bian)緣(yuan)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)411對(dui)應。中(zhong)(zhong)心(xin)(xin)(xin)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)光(guang)(guang)刻(ke)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)512位(wei)于(yu)臺(tai)階結構的(de)(de)(de)(de)(de)(de)中(zhong)(zhong)心(xin)(xin)(xin)區域內，臺(tai)階結構的(de)(de)(de)(de)(de)(de)中(zhong)(zhong)心(xin)(xin)(xin)區域為(wei)(wei)(wei)與(yu)上述(shu)(shu)兩個高臺(tai)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)中(zhong)(zhong)間(jian)區域的(de)(de)(de)(de)(de)(de)中(zhong)(zhong)心(xin)(xin)(xin)點重(zhong)合且(qie)邊(bian)長為(wei)(wei)(wei)20μm的(de)(de)(de)(de)(de)(de)正方形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)區域。第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)410與(yu)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)寬(kuan)(kuan)度(du)等于(yu)目標關鍵尺寸，為(wei)(wei)(wei)2μm，長度(du)等于(yu)25μm，第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)410之間(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)間(jian)距(ju)為(wei)(wei)(wei)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)410寬(kuan)(kuan)度(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)2倍(bei)，等于(yu)4.0μm。各(ge)上述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)210與(yu)相鄰上述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)410的(de)(de)(de)(de)(de)(de)垂直距(ju)離(li)(即第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)掩(yan)膜版1與(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)掩(yan)膜版2中(zhong)(zhong)心(xin)(xin)(xin)相對(dui)重(zhong)合時(shi)上述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)210與(yu)相鄰上述(shu)(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)(er)(er)(er)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)(xing)410在俯(fu)視圖(tu)(tu)中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)投影(ying)之間(jian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)距(ju)離(li))為(wei)(wei)(wei)5μm。

圖7只示出(chu)了在一個臺階結構中設置用(yong)于測試的第二光刻矩(ju)(ju)形，其它(ta)臺階結構中形成與(yu)圖5所示的相同的第二光刻矩(ju)(ju)形，此處就不一一示出(chu)。

再次，采用光刻(ke)機臺測量(liang)中心第(di)二光刻(ke)矩形512與邊緣第(di)二光刻(ke)矩形511的寬(kuan)度差值。

采用光刻機臺測量中(zhong)心區域(yu)內(nei)的(de)中(zhong)心第(di)二(er)光刻矩形(xing)512的(de)寬度與(yu)邊緣(yuan)第(di)二(er)光刻矩形(xing)511的(de)寬度，對二(er)者(zhe)做差得出寬度差值為-15。

最后，根據上述寬度(du)差(cha)值判斷(duan)光刻膠厚(hou)度(du)是(shi)否出現異常。

由圖8的(de)(de)關(guan)鍵尺(chi)(chi)寸與(yu)光刻膠(jiao)的(de)(de)厚度(du)的(de)(de)關(guan)系曲線可知，二者(zhe)對應的(de)(de)關(guan)鍵尺(chi)(chi)寸是(shi)相(xiang)等的(de)(de)，即如果光刻膠(jiao)不發(fa)生(sheng)異(yi)常(chang)，則二者(zhe)的(de)(de)寬度(du)相(xiang)等，寬度(du)差(cha)值為0，而現在(zai)的(de)(de)寬度(du)差(cha)值為-15不等于0，因此(ci)可判斷出(chu)光刻膠(jiao)的(de)(de)厚度(du)發(fa)生(sheng)變化(hua)，出(chu)現異(yi)常(chang)。

根據圖9上述寬(kuan)度(du)差值與光(guang)刻(ke)膠厚度(du)的(de)對應關系(xi)，可知(zhi)此寬(kuan)度(du)差值對應的(de)中心第(di)一(yi)光(guang)刻(ke)矩形(xing)312處光(guang)刻(ke)膠的(de)厚度(du)為5350μm。

由圖9可知，中心第(di)一光刻(ke)矩形312處標準光刻(ke)膠厚度為5250μm，所以(yi)光刻(ke)膠厚度的允許范圍為5223.75～5276.25μm，而(er)5350μm不在此(ci)范圍內(nei)，所以(yi)對(dui)晶(jing)片進(jin)行返工。

由于(yu)光刻膠厚度值較大(da)，因(yin)此可以增大(da)甩膠機(ji)的(de)轉速(su)，避免了后(hou)續的(de)光刻工藝(yi)的(de)光刻膠的(de)厚度較大(da)，進而避免再次(ci)對晶片(pian)進行返工，從而提(ti)高器件的(de)良(liang)率與(yu)生產(chan)效率。

從以上的描述中，可(ke)以看(kan)出，本申(shen)請上述的實施方式實現了(le)如下技術效(xiao)果：

本申(shen)請的(de)(de)(de)檢(jian)測(ce)方(fang)法，首先在(zai)晶(jing)片上設(she)置光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)，然后(hou)利用第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)掩膜版(ban)作為光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)掩膜版(ban)對該光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)進行圖形(xing)(xing)(xing)化(hua)處理，在(zai)晶(jing)片的(de)(de)(de)切(qie)割道中(zhong)設(she)置與(yu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)掩膜版(ban)中(zhong)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)對應(ying)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)與(yu)未設(she)置第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)的(de)(de)(de)晶(jing)片的(de)(de)(de)區(qu)域形(xing)(xing)(xing)成用于(yu)檢(jian)測(ce)的(de)(de)(de)臺(tai)階結構；然后(hou)，繼(ji)續設(she)置光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)，在(zai)臺(tai)階結構的(de)(de)(de)未形(xing)(xing)(xing)成第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)的(de)(de)(de)晶(jing)片的(de)(de)(de)表面(mian)上形(xing)(xing)(xing)成用于(yu)測(ce)試(shi)的(de)(de)(de)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)圖形(xing)(xing)(xing)，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)圖形(xing)(xing)(xing)與(yu)上述(shu)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)一(yi)(yi)(yi)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)圖形(xing)(xing)(xing)垂直且相(xiang)互隔離設(she)置，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)圖形(xing)(xing)(xing)包(bao)括(kuo)至少兩個(ge)(ge)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)，第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)的(de)(de)(de)寬(kuan)度(du)(du)對應(ying)于(yu)目(mu)標關鍵尺寸，這(zhe)樣(yang)當(dang)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)的(de)(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)(du)出(chu)現異常，兩個(ge)(ge)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)的(de)(de)(de)寬(kuan)度(du)(du)的(de)(de)(de)差值(zhi)(zhi)就(jiu)會發(fa)(fa)生(sheng)(sheng)變化(hua)，進而可以通過(guo)量測(ce)兩個(ge)(ge)第(di)(di)(di)(di)(di)(di)二(er)(er)(er)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)矩(ju)(ju)(ju)(ju)形(xing)(xing)(xing)的(de)(de)(de)寬(kuan)度(du)(du)差值(zhi)(zhi)來(lai)判斷光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)的(de)(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)(du)是否發(fa)(fa)生(sheng)(sheng)變化(hua)。當(dang)上述(shu)寬(kuan)度(du)(du)差值(zhi)(zhi)大于(yu)標準差值(zhi)(zhi)時(shi)(shi)(shi)，則(ze)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)的(de)(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)(du)為異常，即(ji)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)的(de)(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)(du)偏離了正常值(zhi)(zhi)；當(dang)上述(shu)寬(kuan)度(du)(du)差值(zhi)(zhi)小(xiao)于(yu)標準差值(zhi)(zhi)時(shi)(shi)(shi)，則(ze)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)的(de)(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)(du)在(zai)正常范圍(wei)內(nei)，即(ji)未出(chu)現異常。相(xiang)比傳統(tong)方(fang)法，該方(fang)法可以在(zai)工藝過(guo)程中(zhong)實(shi)時(shi)(shi)(shi)地(di)、靈敏地(di)、精確(que)地(di)檢(jian)測(ce)出(chu)光(guang)(guang)(guang)(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠(jiao)(jiao)(jiao)的(de)(de)(de)厚(hou)(hou)度(du)(du)是否出(chu)現異常，即(ji)是否發(fa)(fa)生(sheng)(sheng)了變化(hua)偏離了正常值(zhi)(zhi)，當(dang)發(fa)(fa)現異常時(shi)(shi)(shi)，及時(shi)(shi)(shi)對晶(jing)片進行處理，進而能夠提高器件的(de)(de)(de)良率。

以上所述(shu)僅為本(ben)(ben)申請(qing)(qing)的優選實施(shi)例(li)而已，并不用于限制本(ben)(ben)申請(qing)(qing)，對(dui)于本(ben)(ben)領域(yu)的技術人員來說，本(ben)(ben)申請(qing)(qing)可以有各種更改(gai)和(he)變(bian)化(hua)。凡在(zai)本(ben)(ben)申請(qing)(qing)的精神和(he)原(yuan)則之內，所作的任(ren)何(he)修(xiu)改(gai)、等同替換(huan)、改(gai)進等，均應包含(han)在(zai)本(ben)(ben)申請(qing)(qing)的保護(hu)范圍之內。