一種陣列基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型實施例提供一種陣列基板及顯示裝置，涉及顯示【技術領域】。包括依次形成在透明基板表面的TFT的柵極以及柵絕緣層，在所述柵絕緣層對應所述TFT的柵極區域的表面依次形成有半導體有源層的圖案、刻蝕阻擋層的圖案以及所述TFT的源極和漏極，所述TFT的源極和漏極分別通過過孔與所述半導體有源層的圖案相接觸；以及形成在所述TFT的柵極和所述柵絕緣層之間的第一絕緣層的圖案，所述第一絕緣層的圖案對應所述TFT的源極區域和/或所述TFT的漏極區域；在對應所述TFT的溝道區域，所述柵極與所述柵絕緣層接觸。這樣一種陣列基板可以降低TFT的源、漏電極與柵極之間的寄生電容，提高顯示裝置的質量。
【專利說明】—種陣列基板及顯示裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。
【背景技術】
[0002]隨著TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)顯示技術的不斷發展，各種新型半導體元件及其在顯示裝置中的應用技術也隨之得到了飛躍性的進步。
[0003]在現有的顯示面板TFT的制造過程當中，越來越多的廠商開始嘗試采用氧化物TFT取代a-Si (非晶硅)TFT或LTPS (低溫多晶硅)TFT，以期獲得具有更高質量的顯示產品。氧化物TFT (即Oxide TFT)背板技術，是與傳統的a-Si TFT制程相近的一種背板技術，該技術將原本應用于a-Si TFT的硅半導體材料部分置換成氧化物半導體材料，如現在應用最為廣泛的IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，銦鎵鋅氧化物)材料，來形成TFT的半導體有源層。現有技術中一種典型的氧化物TFT的陣列基板結構如圖1所示，包括依次形成在透明基板10表面的TFT的柵極11、柵絕緣層12以及由IGZO形成的氧化物半導體有源層13，半導體有源層13的表面通過構圖工藝形成有具有過孔的刻蝕阻擋層14，過孔A、B分別貫穿刻蝕阻擋層14，以暴露出底部的半導體有源層13，TFT的源極151和漏極152分別通過過孔A、B與半導體有源層13導通。
[0004]采用氧化物TFT相對于a-Si TFT具有制備溫度要求低，遷移率高等優勢，該技術可應用于高頻顯示和高分辨率顯示產品，且相對于LTPS TFT技術具有設備投資成本低、運營保障成本低等優點。但其不足之處在于，在如圖1所示的氧化物TFT陣列基板中，TFT的源極151和漏極152分別與柵極11具有較長的一段交疊區域，這樣一來，在通電的情況下，由于層級差異TFT的源極151與柵極11之間將產生寄生電容Cgs，同理TFT的漏極152與柵極11之間也將產生寄生電容Cgd，在柵線11通過電壓控制TFT開關的瞬間，由于寄生電容的存在，TFT關閉時柵線11上的電壓信號由高到低的變化會使得漏極152相應輸出跳變電壓，從而引起像素中液晶電壓的突然降低，這將嚴重影響像素電極電壓的準確性，使得顯示畫面閃爍。
實用新型內容
[0005]本實用新型的實施例提供一種陣列基板及顯示裝置，可以降低TFT的源、漏電極與柵極之間的寄生電容，提高顯示裝置的質量。
[0006]本實用新型實施例的一方面，提供一種陣列基板，包括:依次形成在透明基板表面的TFT的柵極以及柵絕緣層，在所述柵絕緣層對應所述TFT的柵極區域的表面依次形成有半導體有源層的圖案、刻蝕阻擋層的圖案以及所述TFT的源極和漏極，所述TFT的源極和漏極分別通過過孔與所述半導體有源層的圖案相接觸；其中，還包括:
[0007]形成在所述TFT的柵極和所述柵絕緣層之間的第一絕緣層的圖案，所述第一絕緣層的圖案對應所述TFT的源極區域和/或所述TFT的漏極區域。[0008]在對應所述TFT的溝道區域，所述柵極與所述柵絕緣層接觸。
[0009]進一步地，所述陣列基板還包括:
[0010]形成在所述透明基板和所述TFT的柵極之間的第二絕緣層的圖案，所述第二絕緣層的圖案對應所述TFT的溝道區域；
[0011]所述第二絕緣層的圖案與所述TFT的柵極的厚度之和大于等于所述第一絕緣層的圖案的厚度。
[0012]進一步地，所述陣列基板還包括:
[0013]形成在所述刻蝕阻擋層的圖案表面的第一透明電極，所述第一透明電極與所述TFT的漏極相接觸；
[0014]形成在所述第一透明電極表面的鈍化層的圖案，所述鈍化層的圖案覆蓋所述TFT區域；
[0015]形成在所述鈍化層表面的第二透明電極。
[0016]其中，所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極；
[0017]且所述第一透明電極為面狀結構，所述第二透明電極為間隔排列的條狀結構。
[0018]需要說明的是，所述第一絕緣層的圖案和所述第二絕緣層的圖案均采用有機樹脂材料制成。
[0019]進一步地，當所述第一絕緣層的圖案同時對應所述TFT的源極區域和所述TFT的漏極區域時，所述TFT的源極區域和所述TFT的漏極區域分別對應的所述第一絕緣層的圖案的厚度相等；
[0020]所述第一絕緣層的圖案的厚度為I μ m — 3 μ m。
[0021]在本實用新型實施例中，所述半導體有源層的圖案采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料制成。
[0022]另一方面，本實用新型實施例還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置可以包括如上所述的陣列基板。
[0023]本實用新型實施例提供的這樣一種陣列基板及顯示裝置，通過在TFT的柵極和柵絕緣層之間，對應TFT的源極區域和/或TFT的漏極區域形成具有一定厚度的第一絕緣層。這樣一來，可以顯著增加TFT的柵極與源漏極之間的間距，這樣由于平行板電容兩電極之間的間距增大，使得電容值明顯降低，從而可以有效降低TFT的源極與柵極之間存在的寄生電容Cgs或降低TFT的漏極與柵極之間存在的寄生電容Cgd，進而避免由于寄生電容過大而產生的輸出跳變電壓不良，有效改善顯示畫面閃爍，提高顯示裝置的質量。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1為現有技術中一種陣列基板的結構示意圖；
[0026]圖2為本實用新型實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖；
[0027]圖3為本實用新型實施例提供的一種陣列基板制造方法的流程示意圖；[0028]圖4為本實用新型實施例提供的另一陣列基板制造方法的流程示意圖；
[0029]圖5為形成第二絕緣層的圖案后的基板結構示意圖；
[0030]圖6為形成TFT的柵極后的基板結構示意圖；
[0031]圖7為形成第一絕緣層的結構示意圖；
[0032]圖8為形成第一絕緣層的圖案后的基板結構示意圖；
[0033]圖9為形成柵絕緣層后的基板結構示意圖；
[0034]圖10為形成半導體有源層后的基板結構示意圖；
[0035]圖11為形成刻蝕阻擋層后的基板結構示意圖；
[0036]圖12為形成TFT的源極和漏極后的基板結構示意圖；
[0037]圖13為形成第一透明電極后的基板結構示意圖；
[0038]圖14為形成鈍化層后的基板結構示意圖。
【具體實施方式】
[0039]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0040]本實用新型實施例提供的陣列基板，如圖2所示，包括:依次形成在透明基板20表面的TFT的柵極21以及柵絕緣層22，在柵絕緣層22對應所述TFT的柵極21區域的表面依次形成有半導體有源層的圖案23、刻蝕阻擋層的圖案24以及所述TFT的源極251和漏極252，所述TFT的源極251和漏極252分別通過過孔(圖2中虛線框所示)與半導體有源層的圖案23相接觸。進一步地，還包括:
[0041]形成在TFT的柵極21和柵絕緣層22之間的第一絕緣層的圖案26，該第一絕緣層的圖案26對應該TFT的源極251區域和/或該TFT的漏極252區域。
[0042]此外，在對應TFT的溝道區域，柵極21與柵絕緣層22接觸。由于對應TFT溝道區域處需要保證柵極材料與半導體有源層之間具有一個較小的距離，因此無需設置絕緣層的圖案。
[0043]這樣一種結構的陣列基板與現有技術中采用氧化物TFT的陣列基板相比，可以明顯的看出圖2所示的陣列基板中TFT的源漏極與柵極之間的間距遠遠大于圖1中TFT的源漏極與柵極之間的間距。
[0044]本實用新型實施例提供的這樣一種陣列基板，通過在TFT的柵極和柵絕緣層之間，對應TFT的源極區域和/或TFT的漏極區域形成具有一定厚度的第一絕緣層。這樣一來，可以顯著增加TFT的柵極與源漏極之間的間距，這樣由于平行板電容兩電極之間的間距增大，使得電容值明顯降低，從而可以有效降低TFT的源極與柵極之間存在的寄生電容Cgs或降低TFT的漏極與柵極之間存在的寄生電容Cgd，進而避免由于寄生電容過大而產生的輸出跳變電壓不良，有效改善顯示畫面閃爍，提高顯示裝置的質量。
[0045]需要說明的是，第一絕緣層的圖案26覆蓋區域可以與TFT的源極區域或TFT的漏極區域中的至少一個區域相對應，在如圖2所示的陣列基板中，是以第一絕緣層的圖案26覆蓋區域同時對應TFT的源極區域和TFT的漏極區域為例進行的說明。當采用這樣一種如圖2所示的陣列基板時，可以顯著增加TFT的柵極與源漏極之間的間距，從而可以有效降低TFT的源極與柵極之間存在的寄生電容Cgs以及降低TFT的漏極與柵極之間存在的寄生電容Cgd。可以想到，當第一絕緣層的圖案26覆蓋區域僅對應TFT的源極區域時，由于TFT的柵極和源極之間作為平行板電容器的電極間距增大，從而可以有效降低源極與柵極之間寄生電容Cgs的影響，同理，當第一絕緣層的圖案26覆蓋區域僅對應TFT的漏極區域時，可以有效降低漏極與柵極之間寄生電容Cgd的影響。
[0046]當第一絕緣層的圖案26同時對應該TFT的源極251區域和TFT的漏極252區域時，該TFT的源極251區域和TFT的漏極252區域分別對應的第一絕緣層的圖案26的厚度
可以相等。
[0047]如圖2所示，在本實用新型實施例中，第一絕緣層的圖案26的厚度D’可以為I μ m — 3 μ m。這樣一種厚度的第一絕緣層的圖案26的設計在降低電極之間電容值的同時可以通過現有的構圖工藝輕松制作實現，從而有效降低了產品的生產難度。
[0048]根據平行板電容公式C= ε S/d可知，為了減小平行電極之間的電容值，當其他條件不變時，可以通過增大兩電極之間的間距實現電容的減小。這樣一來，與現有技術中兩電極之間的間距相比，兩電極之間的電容值減小，從而能夠有效降低寄生電容所產生的跳變電壓的影響。
[0049]進一步地，如圖2所示，該陣列基板還可以包括:
[0050]形成在透明基板20和TFT的柵極21之間的第二絕緣層的圖案27，該第二絕緣層的圖案27對應TFT的溝道區域(圖2中A區域)。
[0051]其中，第二絕緣層的圖案27與TFT的柵極21的厚度之和D大于等于第一絕緣層的圖案26的厚度D’。進一步地，第一絕緣層的圖案26和第二絕緣層的圖案27均可以采用具有良好絕緣性的有機樹脂材料等材料制成，本實用新型對此并不做限制。
[0052]這樣一來，通過在TFT的溝道區域制作第二絕緣層的圖案27，可以抬高位于該區域的TFT的柵極21，以使得柵極21的上表面與第一絕緣層的圖案26的上表面之間沒有明顯的段差。進一步地，通過控制第一絕緣層以及第二絕緣層的厚度，以使得二絕緣層的圖案27與TFT的柵極21的厚度之和D大于等于第一絕緣層的圖案26的厚度D’，從而可以保證至少露出柵極21的表面，以確保形成TFT的溝道區域。
[0053]需要說明的是，本實用新型實施例提供的TFT-1XD陣列基板可以適用于FFS(Fringe Field Switching,邊緣場開關)型、AD-SDS (Advanced-Super DimensionalSwitching,簡稱為ADS,高級超維場開關)型、IPS (In Plane Switch,橫向電場效應)型、TN(Twist Nematic,扭曲向列)型等類型的液晶顯示裝置的生產。其中,ADS技術是通過同一平面內像素電極邊緣所產生的平行電場以及像素電極層與公共電極層間產生的縱向電場形成多維電場，使液晶盒內像素電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉轉換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。
[0054]無論上述哪種液晶顯示裝置都包括對盒成形的彩膜基板和陣列基板。不同的是，TN型顯示裝置的公共電極設置在彩膜基板上，像素電極設置在陣列基板上；FFS型顯示裝置、ADS型顯示裝置以及IPS型顯示裝置的公共電極和像素電極均設置在陣列基板上。
[0055]具體的，如圖2所示，在本實用新型實施例中是以FFS型顯示裝置為例進行的說明。其中，陣列基板還可以包括:[0056]形成在刻蝕阻擋層的圖案24表面的第一透明電極281，該第一透明電極281與TFT的漏極252相接觸。
[0057]形成在第一透明電極281表面的鈍化層的圖案29，該鈍化層的圖案29覆蓋TFT區域。
[0058]以及形成在該鈍化層表面的第二透明電極282。
[0059]其中，第一透明電極281可以為像素電極，第二透明電極282可以為公共電極，且該第一透明電極281可以為面狀結構，第二透明電極282可以為間隔排列的條狀結構。
[0060]在所述FFS型顯示裝置的陣列基板中，所述公共電極和所述像素電極異層設置，可選的，位于上層的電極包含多個條形電極，位于下層的電極可以包含多個條形電極或為平板形。在本實用新型實施例中，是以位于下層的電極為平板形的面狀結構為例進行的說明。其中，異層設置是針對至少兩種圖案而言的，至少兩種圖案異層設置是指，分別將至少兩層薄膜通過構圖工藝形成至少兩種圖案。對于兩種圖案異層設置是指，通過構圖工藝，由兩層薄膜各形成一種圖案。例如，公共電極和像素電極異層設置是指:由第一層透明導電薄膜通過構圖工藝形成下層電極，由第二層透明導電薄膜通過構圖工藝形成上層電極，其中，下層電極為公共電極(或像素電極)，上層電極為像素電極(或公共電極)。
[0061]本實用新型實施例提供的這樣一種結構的陣列基板同樣可以適用于IPS型顯示裝置，與FFS型顯示裝置不同的是，所述公共電極和所述像素電極同層設置，所述公共電極包含多個第一條形電極，所述像素電極包含多個第二條形電極，所述第一條形電極和所述第二條形電極間隔設置。其中，同層設置是針對至少兩種圖案而言的；至少兩種圖案同層設置是指:將同一薄膜通過構圖工藝形成至少兩種圖案。例如，公共電極和像素電極同層設置是指:由同一透明導電薄膜通過構圖工藝形成像素電極和公共電極。其中，像素電極是指通過開關單元(例如，可以是薄膜晶體管)與數據線電連接的電極，公共電極是指和公共電極線電連接的電極。
[0062]需要說明的是，在本實用新型實施例中，半導體有源層的圖案23可以采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料制成。例如，金屬氧化物薄膜可以包括:IGZ0 (銦鎵鋅氧化物)、IGO (銦鎵氧化物)、ITZO (銦錫鋅氧化物)、AlZnO (鋁鋅氧化物)中的至少一種。采用這樣一種透明金屬氧化物材料取代a-Si (非晶硅)或LTPS (低溫多晶硅)來形成TFT的半導體有源層，相對于a-Si TFT或LTPS TFT具有制備溫度要求低，遷移率高等優勢，該技術可應用于高頻顯示和高分辨率顯示產品，且相對于LTPS TFT技術具有設備投資成本低、運營保障成本低等優點。
[0063]本實用新型實施例提供的顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。
[0064]該陣列基板具體包括形成在TFT的柵極和所述柵絕緣層之間的第一絕緣層的圖案，該第一絕緣層的圖案對應TFT的源極區域和/或TFT的漏極區域。其中，在對應TFT的溝道區域，該TFT的柵極與柵絕緣層接觸。
[0065]需要說明的是本實用新型所提供的顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數碼相框、手機、平板電腦等任何具有顯示功能的產品或部件。
[0066]本實用新型實施例提供的這樣一種顯示裝置，包括陣列基板，該陣列基板通過在TFT的柵極和柵絕緣層之間，對應TFT的源極區域和/或TFT的漏極區域形成具有一定厚度的第一絕緣層。這樣一來，可以顯著增加TFT的柵極與源漏極之間的間距，這樣由于平行板電容兩電極之間的間距增大，使得電容值明顯降低，從而可以有效降低TFT的源極與柵極之間存在的寄生電容Cgs或降低TFT的漏極與柵極之間存在的寄生電容Cgd，進而避免由于寄生電容過大而產生的輸出跳變電壓不良，有效改善顯示畫面閃爍，提高顯示裝置的質量。
[0067]本實用新型實施例還提供一種陣列基板制造方法，該方法如圖3所示，包括:
[0068]S301、在透明基板的表面形成TFT的柵極。
[0069]S302、在形成有柵極的基板上形成第一絕緣層的圖案，該第一絕緣層的圖案對應TFT的源極區域和/或TFT的漏極區域。
[0070]需要說明的是，第一絕緣層的圖案覆蓋區域可以與TFT的源極區域或TFT的漏極區域中的至少一個區域相對應，在如圖2所示的陣列基板中，是以第一絕緣層的圖案26覆蓋區域同時對應TFT的源極區域和TFT的漏極區域為例進行的說明。當采用這樣一種如圖2所示的陣列基板時，可以顯著增加TFT的柵極與源漏極之間的間距，從而可以有效降低TFT的源極與柵極之間存在的寄生電容Cgs以及降低TFT的漏極與柵極之間存在的寄生電容Cgd。可以想到，當第一絕緣層的圖案26覆蓋區域僅對應TFT的源極區域時，由于TFT的柵極和源極之間作為平行板電容器的電極間距增大，從而可以有效降低源極與柵極之間寄生電容Cgs的影響，同理，當第一絕緣層的圖案26覆蓋區域僅對應TFT的漏極區域時，可以有效降低漏極與柵極之間寄生電容Cgd的影響。
[0071]當第一絕緣層的圖案同時對應該TFT的源極區域和TFT的漏極區域時，該TFT的源極區域和TFT的漏極區域分別對應的第一絕緣層的圖案的厚度可以相等。
[0072]如圖2所示，在本實用新型實施例中，第一絕緣層的圖案26的厚度D’可以為I μ m — 3 μ m。這樣一種厚度的第一絕緣層的圖案26的設計在降低電極之間電容值的同時可以通過現有的構圖工藝輕松制作實現，從而有效降低了產品的生產難度。
[0073]根據平行板電容公式C= ε S/d可知，為了減小平行電極之間的電容值，當其他條件不變時，可以通過增大兩電極之間的間距實現電容的減小。這樣一來，與現有技術中兩電極之間的間距相比，兩電極之間的電容值減小，從而能夠有效降低寄生電容所產生的跳變電壓的影響。
[0074]S303、在形成有第一絕緣層的圖案的基板的表面形成柵絕緣層，在對應TFT的溝道區域，柵極與柵絕緣層接觸。
[0075]由于對應TFT溝道區域處需要保證柵極材料與半導體有源層之間具有一個較小的距離，因此無需設置絕緣層的圖案。
[0076]本實用新型實施例提供的這樣一種陣列基板制造方法，該陣列基板通過在TFT的柵極和柵絕緣層之間，對應TFT的源極區域和/或TFT的漏極區域形成具有一定厚度的第一絕緣層。這樣一來，可以顯著增加TFT的柵極與源漏極之間的間距，這樣由于平行板電容兩電極之間的間距增大，使得電容值明顯降低，從而可以有效降低TFT的源極與柵極之間存在的寄生電容Cgs或降低TFT的漏極與柵極之間存在的寄生電容Cgd，進而避免由于寄生電容過大而產生的輸出跳變電壓不良，有效改善顯示畫面閃爍，提高顯示裝置的質量。
[0077]進一步地，本實用新型實施例提供的陣列基板制造方法，如圖4所示，具體包括:
[0078]S401、在透明基板的表面通過構圖工藝形成第二絕緣層的圖案，該第二絕緣層的圖案對應TFT的溝道區域。
[0079]在陣列基板的實際生產過程當中，透明基板具體可以是采用玻璃或透明樹脂等具有一定堅固性的透明材料制成。在透明基板上需要采用一次構圖工藝以形成第二絕緣層的圖案。
[0080]例如，可以首先在透明基板的表面涂覆一層具有一定厚度的有機樹脂材料，形成第二絕緣層。通過具有特定圖案的掩膜進行曝光顯影最終形成如圖5所示的第二絕緣層的圖案27。
[0081]S402、在形成有第二絕緣層的圖案的基板上通過構圖工藝形成TFT的柵極。
[0082]例如，在形成有第二絕緣層的圖案的基板上可以采用等離子增強化學氣相沉積(PECVD)、磁控濺射、熱蒸發或其它成膜方法，形成金屬層。其中，該金屬層可以是鑰、鋁、鋁銣合金、鎢、鉻、銅等金屬形成的單層薄膜，也可以是以上金屬多層形成的多層薄膜。在該金屬層的表面形成有光刻膠，通過具有特定圖案的掩膜板進行曝光顯影以使光刻膠產生圖案，剝離掉未覆蓋光刻膠處的金屬層，最終在第二絕緣層的圖案的表面形成TFT的柵極21，其結構可以如圖6所示。
[0083]S403、在TFT的柵極的表面沉積形成第一絕緣層。
[0084]例如，可以在形成有TFT的柵極的基板的表面涂覆一層具有一定厚度的有機樹脂材料，如圖7所示，以形成第一絕緣層260。該第一絕緣層260將完全覆蓋TFT的柵極。
[0085]S404、采用灰化工藝處理第一絕緣層，以至少暴露出TFT的柵極的表面，形成第一絕緣層的圖案。
[0086]如圖8所示，該第一絕緣層260通過灰化工藝的處理，其厚度將整體降低，直至暴露出TFT的柵極的表面為止，最終形成圖案化的第一絕緣層的圖案26。在本實用新型實施例中是以采用灰化工藝為例進行的說明，應當理解，為了暴露出TFT的柵極的表面，還可以采用其他各種已知的構圖工藝，本實用新型對此并不作限制。
[0087]其中，第二絕緣層的圖案27與TFT的柵極21的厚度之和D大于等于第一絕緣層的圖案26的厚度D’。進一步地，第一絕緣層的圖案26和第二絕緣層的圖案27均可以采用具有良好絕緣性的有機樹脂材料等材料制成，本實用新型對此并不做限制。
[0088]這樣一來，通過在TFT的溝道區域制作第二絕緣層的圖案27，可以抬高位于該區域的TFT的柵極21，以使得柵極21的上表面與第一絕緣層的圖案26的上表面之間沒有明顯的段差。進一步地，通過控制第一絕緣層以及第二絕緣層的厚度，以使得二絕緣層的圖案27與TFT的柵極21的厚度之和D大于等于第一絕緣層的圖案26的厚度D’，從而可以保證至少露出柵極21的表面，以確保形成TFT的溝道區域。
[0089]S405、在形成有第一絕緣層的圖案的基板的表面形成柵絕緣層，在對應TFT的溝道區域，柵極與柵絕緣層接觸。
[0090]如圖9所不,可見,在形成有第一絕緣層的圖案26的基板的表面上形成有厚度均一的柵絕緣層22。
[0091]S406、在柵絕緣層對應TFT的柵極區域的表面通過構圖工藝處理形成半導體有源
層的圖案。
[0092]例如，可以在形成有上述結構的基板表面形成具有半導體特性的半導體有源層，通過掩膜曝光形成如圖10所示的半導體有源層的圖案23。
[0093]需要說明的是，在本實用新型實施例中，半導體有源層的圖案23可以采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料制成。例如，金屬氧化物薄膜可以包括:IGZ0、IG0、ΙΤΖ0、AlZnO中的至少一種。采用這樣一種透明金屬氧化物材料取代a-Si (非晶硅)或LTPS (低溫多晶硅)來形成TFT的半導體有源層，相對于a-Si TFT或LTPS TFT具有制備溫度要求低，遷移率高等優勢，該技術可應用于高頻顯示和高分辨率顯示產品，且相對于LTPS TFT技術具有設備投資成本低、運營保障成本低等優點。
[0094]S407、在半導體有源層的圖案的表面通過構圖工藝處理形成具有過孔的刻蝕阻擋
層的圖案。
[0095]刻蝕阻擋層的圖案24可以如圖11所示，具體的，可以通過在形成有上述結構的基板上涂覆或沉積刻蝕阻擋層，通過具有特定圖案的掩膜曝光最終在對應TFT的源極和漏極的位置分別形成過孔(圖11中虛線區域)，過孔的底部為半導體有源層的圖案23，從而得到刻蝕阻擋層的圖案24。
[0096]S408、在刻蝕阻擋層的圖案的表面通過構圖工藝處理形成TFT的源極和漏極，該TFT的源極和漏極分別通過過孔與半導體有源層的圖案相接觸。
[0097]形成有TFT的源極251和漏極252的基板結構可以如圖12所示。
[0098]S409、在形成有TFT的源極和漏極的基板的表面通過構圖工藝處理形成第一透明電極，該第一透明電極與TFT的漏極相接觸。
[0099]形成有第一透明電極281的基板結構可以如圖13所示。
[0100]S410、在第一透明電極的表面通過構圖工藝處理形成鈍化層的圖案，該鈍化層的圖案覆蓋TFT區域。
[0101]形成有鈍化層的圖案29的基板結構可以如圖14所示。
[0102]S411、在鈍化層的表面通過構圖工藝處理形成第二透明電極。從而最終形成如圖2所示的陣列基板。
[0103]需要說明的是，在本實用新型實施例中是以FFS型顯示裝置為例進行的說明。其中，第一透明電極281可以為像素電極，第二透明電極282可以為公共電極，且該第一透明電極281可以為面狀結構，第二透明電極282可以為間隔排列的條狀結構。
[0104]在所述FFS型顯示裝置的陣列基板中，所述公共電極和所述像素電極異層設置，可選的，位于上層的電極包含多個條形電極，位于下層的電極可以包含多個條形電極或為平板形。在本實用新型實施例中，是以位于下層的電極為平板形的面狀結構為例進行的說明。其中，異層設置是針對至少兩種圖案而言的，至少兩種圖案異層設置是指，分別將至少兩層薄膜通過構圖工藝形成至少兩種圖案。對于兩種圖案異層設置是指，通過構圖工藝，由兩層薄膜各形成一種圖案。例如，公共電極和像素電極異層設置是指:由第一層透明導電薄膜通過構圖工藝形成下層電極，由第二層透明導電薄膜通過構圖工藝形成上層電極，其中，下層電極為公共電極(或像素電極)，上層電極為像素電極(或公共電極)。
[0105]本實用新型實施例提供的這樣一種結構的陣列基板同樣可以適用于ADS型顯示裝置、IPS型顯示裝置或TN型顯示裝置等各種顯示裝置陣列基板的生產。可以想到，當像素電極或公共電極的位置或形狀結構發生變化時，通過改變上述工序中的相關步驟，同樣可以實現各種結構陣列基板的生產，本實用新型實施例中對此并不一一列舉。
[0106]采用上述陣列基板制造方法，可以顯著增加TFT的柵極與源漏極之間的間距，這樣由于平行板電容兩電極之間的間距增大，使得電容值明顯降低，從而可以有效降低TFT的源極與柵極之間存在的寄生電容Cgs或降低TFT的漏極與柵極之間存在的寄生電容Cgd，進而避免由于寄生電容過大而產生的輸出跳變電壓不良，有效改善顯示畫面閃爍，提高顯示裝置的質量。
[0107]以上所述，僅為本實用新型的【具體實施方式】，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術領域】的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。因此，本實用新型的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
【權利要求】
1.一種陣列基板，包括:依次形成在透明基板表面的TFT的柵極以及柵絕緣層，在所述柵絕緣層對應所述TFT的柵極區域的表面依次形成有半導體有源層的圖案、刻蝕阻擋層的圖案以及所述TFT的源極和漏極，所述TFT的源極和漏極分別通過過孔與所述半導體有源層的圖案相接觸；其特征在于，還包括: 形成在所述TFT的柵極和所述柵絕緣層之間的第一絕緣層的圖案，所述第一絕緣層的圖案對應所述TFT的源極區域和/或所述TFT的漏極區域； 在對應所述TFT的溝道區域，所述柵極與所述柵絕緣層接觸。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括: 形成在所述透明基板和所述TFT的柵極之間的第二絕緣層的圖案，所述第二絕緣層的圖案對應所述TFT的溝道區域； 所述第二絕緣層的圖案與所述TFT的柵極的厚度之和大于等于所述第一絕緣層的圖案的厚度。
3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括: 形成在所述刻蝕阻擋層的圖案表面的第一透明電極，所述第一透明電極與所述TFT的漏極相接觸； 形成在所述第一透明電極表面的鈍化層的圖案，所述鈍化層的圖案覆蓋所述TFT區域； 形成在所述鈍化層表面的第二透明電極。
4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極； 且所述第一透明電極為面狀結構，所述第二透明電極為間隔排列的條狀結構。
5.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層的圖案和所述第二絕緣層的圖案均采用有機樹脂材料制成。
6.根據權利要求1-5任一所述的陣列基板，其特征在于，當所述第一絕緣層的圖案同時對應所述TFT的源極區域和所述TFT的漏極區域時，所述TFT的源極區域和所述TFT的漏極區域分別對應的所述第一絕緣層的圖案的厚度相等； 所述第一絕緣層的圖案的厚度為Iym — 3μπι。
7.根據權利要求1-5任一所述的陣列基板，其特征在于，所述半導體有源層的圖案采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料制成。
8.—種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求1-7任一所述的陣列基板。
【文檔編號】G02F1/1362GK203644780SQ201320869809
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年12月26日 優先權日:2013年12月26日
【發明者】金熙哲, 宋泳錫, 劉圣烈, 崔承鎮 申請人:京東方科技集團股份有限公司