專利名稱：透反式液晶顯示裝置及其制作方法
本申請要求2001年10月29日申請的第2001-66643號韓國專利申請的權益，相對于本申請涉及的所有目的，在本申請中將上述申請的全部內容以引用的形式加以結合。
總的說來，液晶顯示器(LCD)裝置具有很多優點，例如，液晶顯示器與CRT顯示裝置相比相對較薄并且工作時只需較低的能量。因此，這種LCD裝置是替代CRT顯示裝置的合適替代物并且在多個技術領域中成為具有重要意義的物品。
根據使用的是內部光源還是外部光源將液晶顯示器分為透射型和反射型。透射型液顯示器具有的液晶顯示板本身并不發光，而是以背光源作為光照部分。
將背光源設置在液晶顯示板的背面或一側。液晶板控制由背光源產生并穿過液晶板的光量，以便實現圖像顯示。換句話說，來自背光源的光選擇性地穿過LCD板而且LCD根據液晶分子的分布顯示圖象。然而，透射型LCD的背光源將消耗LCD裝置總能耗的50％或以上。因此采用背光源將增加能耗。
為了克服上述問題，而選擇了反射型LCD作為通常戶外使用或由使用者攜帶的便攜式信息設備。這種反射型LCD設有在一對基板的其中一個上形成的反射器。因此環境光從反射器的表面上反射。利用環境光反射的反射型LCD存在的缺點是，當周圍環境很暗時，顯示器的可見度極差。
為了克服上述問題，提出了一種在一個液晶顯示裝置上既實現透射模式顯示又實現反射模式顯示的結構。這種顯示結構被稱為透反式液晶顯示裝置。透反式液晶顯示器(LCD)裝置交替地作為透射型LCD裝置和反射型LCD裝置。由于透反式LCD裝置既可以利用內部光源又可以利用外部光源，所以可在亮的環境光下工作并且能耗很低。
傳統的透反式液晶顯示裝置適用于常白模式，即，當不提供信號時，透反式裝置顯示白色。然而，由于一般都將透反式液晶顯示裝置設計成反射模式，所以當不提供信號時，由背光裝置產生的光僅有約50％能穿過液晶顯示板。因此，透反式LCD裝置在工作時常常產生灰色。
為了克服灰色問題，透反式液晶顯示裝置在反射區段和透射區段之間具有不同的液晶盒間隙。

圖1是帶有透射區段和反射區段的傳統透反式LCD裝置的示意性剖面圖。
在圖1中，透反式LCD裝置分成透射區段A和反射區段B，并且包括下基板10和上基板60。具有光學各向異性的液晶層100設置在下基板10和上基板60之間。
下基板10在其面對上基板60的表面上包括第一鈍化層20。第一鈍化層20由有機材料制成并具有與透射區段A對應的第一透射孔22。將透明導電材料制成的透明電極30設置在第一鈍化層20上。在透明電極30上按順序形成第二鈍化層40和反射電極50。如圖1中所示，反射電極50對應于反射區段B并具有將第二鈍化層40暴露于透射區段A的第二透射孔52。盡管圖1中沒有示出，但在下基板10上形成薄膜晶體管(TFT)，而且薄膜晶體管與透明電極30和反射電極50電性連接。
上基板60在其面對下基板10的表面上包括濾色片層61。公用電極62形成在濾色片層61中面向下基板10的表面上。
在下基板10和上基板60的外表面上分別設有下遲滯(retardation)膜71和上遲滯膜72。由于下遲滯膜71和上遲滯膜72的相位差為λ/4(λ＝550nm)，所以它們能改變入射光的偏振狀態。即，下遲滯膜71和上遲滯膜72將線性偏振光轉換成右旋圓或左旋圓偏振光，而且它們還將右旋圓或左旋圓偏振光轉換成偏振方向為45°或135°的線性偏振光。將下偏振器81設在下遲滯膜71的背面上，而將上偏振器82設置在上遲滯膜72的前面。上偏振器82的光軸垂直于下偏振器81的光軸。發射人工光的背光裝置90與下偏振器81相鄰。在透射模式的LCD裝置中把從背光裝置90產生的光作為光源使用。
設置在下基板10和上基板60之間的液晶具有正介電各向異性，因此液晶分子的取向平行于施加的電場。液晶層100的光遲滯(Δn·d)取決于液晶層100折射率的各向異性和厚度。因此，液晶層100在透射區段A和反射區段B之間具有不同的盒間隙。第一鈍化層20的第一透射孔22允許透射區段A的液晶層100的厚度大于反射區段B，而且使整個LCD裝置的亮度均勻。合適的是，使液晶層100在透射區段A的厚度是反射區段B的兩倍。
圖1中所示的液晶顯示器包括有機鈍化層，有機鈍化層中具有開口，以構成不同盒間隙。因此，對于LCD裝置來說，不管是在透射模式下工作還是在反射模式下工作都能得到均勻的透射率。圖2和圖3表示的是光穿過圖1所示LCD板時的偏振狀態。
從光軸的角度看，按圖1所示確定了X-Y-Z坐標。Z軸是光的前進方向，X-Y平面平行于下基板10和上基板60。從處于液晶顯示裝置底部的觀察者的角度看，上偏振器82的光軸相對于X軸是135°，而下偏振器81的光軸相對于X軸是45°。因此，當觀察者處于液晶顯示裝置的頂部時，上偏振器82的光軸相對于X軸是45°。此外由于上遲滯膜72的相位差是λ/4(λ＝550nm)而且光軸沿著X軸方向，所以可將與X軸成45°的入射光轉換成左旋圓偏振光，將左旋圓偏振光轉換成與X軸成135°的線性偏振光，將與X軸成135°的入射光轉換成右旋圓偏振光，和將右旋圓偏振光轉換成沿左手方向成45°的線性偏振光。然而，由于下遲滯膜71的相位差為λ/4(λ＝550nm)且光軸沿著Y軸方向，所以將與X軸成45°的入射光轉換成右旋圓偏振光，將右旋圓偏振光轉換成與X軸成135°的線性偏振光，將相對于X軸成135°的入射光轉換成左旋圓偏振光，和將左旋圓偏振光轉換成沿右手方向成45°的線性偏振光。設置在圖1中反射區B內的液晶層100的光遲滯為λ/4并使偏振光為右手性。
圖2A和2B是表示當圖1中的透反式LCD裝置以反射模式工作時，環境光穿過透反式LCD裝置中各部件時的狀態。
圖2A表示在沒有施加信號電壓時，即TFT(未示出)斷開(OFF)時，處于反射模式下的環境光狀態。環境光照亮上線性偏振器82。環境光中只有平行于上偏振器82光軸的那部分光以線性偏振光(與參考系的X軸成45°)的形式穿過上偏振器82。通過上遲滯膜72把線性偏振光變成左旋圓偏振光。左旋圓偏振光在沒有任何偏振變化的情況下穿過上基板、濾色片層61和公用電極62。然后，左旋圓偏振光穿過光遲滯為λ/4的液晶層100。然后，左旋偏振光轉換成線性偏振光，當該線性偏振光穿過液晶層100時，其偏振方向是45°。隨后線性偏振光被反射電極50反射。由于反射，線性偏振光的偏振方向從45°變成135°。當反射的線性偏振光穿過液晶層100時，該反射的線性偏振光轉回到左旋圓偏振光。然后，左旋圓偏振光在穿過上遲滯膜72時轉換成偏振方向為135°的線性偏振光。線性偏振光平行于上偏振器82的光軸，而且在此狀態下穿過上線性偏振器82。因此，LCD裝置產生白色光。
圖2B表示當施加信號電壓時，即，TFT(未示出)接通(ON)時，處于反射模式下的環境光狀態。在ON狀態下，液晶層100不影響入射光的偏振狀態。因此，入射光可以在偏振狀態沒有任何變化的情況下穿過液晶層。
因此，以線性偏振光的形式穿過上偏振器82的環境光通過上遲滯膜72轉換成左旋圓偏振光。左旋圓偏振光穿過上基板60、濾色片層61、公用電極62和液晶層100。然后左旋圓偏振光被反射電極50反射，通過鏡像效應，將會使左旋圓偏振光轉換成具有180°相移的右旋圓偏振光。然后右旋圓偏振光穿過液晶層100、公用電極62、濾色片層61和第二基板60。隨后，當右旋圓偏振光穿過上遲滯膜72時，將轉換成偏振方向為45°的線性偏振光。線性偏振光垂直于上偏振器82的光軸，而且在這種情況下并不穿過上線性偏振器82。因此，LCD裝置產生黑色。
圖3A和3B是表示當透反式LCD裝置在透射模式下工作時，來自背光裝置的光穿過圖1所示透反式LCD裝置各部件時的狀態。
圖3A表示在不施加信號電壓時，即，當TFT(未示出)斷開(OFF)時，來自透射模式背光裝置的光的狀態。這時，設在圖1中透射區段A內的液晶層100的光學遲滯為λ/2，這是因為透射區段A內的液晶層的厚度是反射區段B的兩倍。
來自背光裝置的光進入下偏振器81。如上所述，將下偏振器81的透射軸設置成垂直于上偏振器82的光軸。只有平行于下偏振器81透射軸的那部分光以線性偏振光的形式穿過下偏振器81，所述線性偏振光的偏振方向為45°，最終的線性偏振光在穿過下遲滯膜71時轉換成右旋圓偏振光。然后，右旋圓偏振光穿過下基板10并在沒有任何相移的情況下穿過透明電極30。接著，右旋圓偏振光在穿過液晶層100時轉換成左旋圓偏振光，這是由于液晶層100具有λ/2光學遲滯的緣故。然后，左旋圓偏振光在沒有任何相移的情況下，穿過公用電極62，濾色片層61和上基板60。當左旋圓偏振光穿過上遲滯膜72時，左旋圓偏振光轉換成偏振方向為135°的線性偏振光。線性偏振光經偏振后平行于上偏振器82的光軸，并在此狀態下穿過上線性偏振器82。結果，LCD裝置產生灰色。
圖3B表示當施加信號電壓時，即當TFT(未示出)接通(ON)時，來自透射模式背光裝置的光的偏振狀態。液晶不影響入射光，因此入射光在沒有任何偏振狀態變化的情況下穿過液晶層。來自背光裝置的光進入下偏振器81。只有光偏振方向為45°的線性偏振光能穿過下偏振器81。最終的線性偏振光在穿過下遲滯膜71時轉換成右旋圓偏振光。然后，右旋圓偏振光在沒有任何偏振變化的情況下穿過下基板10、透明電極30、和透射孔22和52。當右旋圓偏振光穿過液晶層100時，沒有任何更多的轉換和偏振，這是因為液晶層100理論上在ON狀態下并沒有光學遲滯。右旋圓偏振光隨后穿過公用電極62、濾色片層61和上基板60。當右旋圓偏振光穿過上遲滯膜72時，將轉換成偏振方向為45°的線性偏振光。該線性偏振光經偏振后垂直于上偏振器82的光軸，因此并不穿過上線性偏振器82。所以，LCD裝置產生黑色。
如上所述，由于傳統的LCD裝置在透射區段和反射區段之間具有不同的盒間隙，所以不管是在透射模式還是反射模式下工作都能獲得均勻的亮度。此外，由于當施加電壓時，理論上顯示黑色，所以增加了對比度。因此，LCD裝置具有改進的圖像質量。
然而，如圖1所示，第一鈍化層20的第一透射孔22使液晶層100具有不同的盒間隙，此外，透射孔22的周圍具有傾斜部分。因此，盒間隙在整個傾斜部分上是連續變化的。另外，在不施加電壓時，位于傾斜部分上方的液晶分子不能合適地定向。這都會引起傾斜部分液晶層光學遲滯的變化，因此，在這些傾斜部分會引起光漏。當施加電壓時，電場在傾斜部分會發生畸變，從而使液晶分子不能合適地取向。當施加電壓時，在傾斜部分上液晶層的光學遲滯也會發生變化，所以也會進一步發生光漏。
本發明的一個優點是提供了一種可防止光漏的透反式LCD顯示器及其制作方法。
本發明的另一個優點是提供了一種可獲得高對比度的透反式LCD顯示器及其制作方法。
本發明的其它特征和優點將在下面的說明中給出，其中一部分特征和優點可以從說明中明顯得出或是通過本發明的實踐而得到。通過在文字說明部分、權利要求書以及附圖中特別指出的結構，可以實現和獲得本發明的目的和其它優點。
為了得到這些和其它優點并根據本發明的目的，作為概括性的和廣義的描述，本發明所述的在透反式液晶顯示器中使用的矩陣型基板包括一基板，帶有處于象素區內的透射區段、反射區段和邊界區，其中邊界區位于透射區段和反射區段之間；基板上至少設有柵極線、柵極和第一遮光圖案，其中第一遮光圖案具有與透射區段的位置對應的第一開口，而且該第一遮光圖案設置在邊界區內。基板上設有覆蓋柵極線、柵極和第一遮光圖案的柵極絕緣層；在柵極上方的柵極絕緣層上設置有源層；在柵極絕緣層上設有第二遮光圖案，其中第二遮光圖案具有與透射區段的位置相對應的第二開口，而且該第二遮光圖案設置在邊界區內；在有源層上設有第一和第二歐姆接觸層；基板上至少還設有數據線、源極和漏極，其中數據線與柵極線確定了象素區，其中在第一歐姆接觸層上設置源極，而在第二歐姆接觸層上設置漏極；在柵極絕緣層上設有無機絕緣層，無機絕緣層覆蓋數據線、源極、漏極和第二遮光圖案；無機絕緣層上設置了有機鈍化層；其中無機絕緣層和有機鈍化層具有用于暴露漏極部分的漏極接觸孔；其中無機絕緣層和有機鈍化層具有與透射區段的位置相對應的第一透射孔。
上述矩陣型基板可以進一步包括設在有機鈍化層上的第一無機鈍化層；設在第一無機鈍化層上的反射板；設在第一無機鈍化層上并覆蓋反射板的第二無機鈍化層；和設在第二無機鈍化層上的透明電極。反射板具有與透射區段和邊界區的位置對應的第二透射孔。而且，反射板設置在反射區段內。第一和第二無機鈍化層具有附加的用于部分暴露漏極的漏極接觸孔。透明電極通過附加的漏接觸孔與漏極相接觸。用選自一組物質的無機材料制作第一和第二無機鈍化層，所述一組物質包括氮化硅和氧化硅。用選自鋁和鋁合金的金屬材料制作反射板。用選自氧化銦錫和氧化銦鋅的透明導電材料制作透明電極。
有益的是，用選自苯并環丁烯和丙烯酰基樹脂的有機材料制作有機鈍化層。第一和第二遮光圖案延伸到反射區段。第一透射孔通過除去第一開口中的一部分柵極來暴露基板。
上述矩陣型基板可進一步包括設在有機鈍化層上的透明電極，透明電極通過漏極接觸孔與漏極接觸；設在有機鈍化層上且覆蓋透明電極的無機鈍化層，無機鈍化層具有接觸孔，接觸孔暴露漏極接觸孔上方的一部分透明電極；和設在無機鈍化層上的反射電極，反射電極通過接觸孔與透明電極接觸，反射電極具有與透射區段和邊界區對應的第二透射孔。反射電極設在反射區段內。
上述矩陣型基板可以進一步包括設在無機絕緣層和有機鈍化層之間的反射板，反射板上帶有與透射區段和邊界區對應的第二透射孔；和設在有機鈍化層上的透明電極，透明電極通過漏極接觸孔與漏極接觸。
按照本發明的另一方面，其提供的制作透反式液晶顯示(LCD)裝置中使用的矩陣型基板的方法包括的步驟有設置基板，所述基板帶有處于象素區內的透射區段、反射區段和邊界區，其中使邊界區位于透射區段和反射區段之間；同時在基板上至少形成柵極線、柵極和第一遮光圖案，其中第一遮光圖案具有與透射區段的位置對應的第一開口，而且該第一遮光圖案設置在邊界區內；在基板上形成覆蓋柵極線、柵極和第一遮光圖案的柵極絕緣層；同時在柵極上方的柵極絕緣層上設置有源層；和在柵極絕緣層上設置第二遮光圖案，其中使第二遮光圖案具有與透射區段的位置相對應的第二開口，而且將該第二遮光圖案設置在邊界區內；在有源層上形成第一和第二歐姆接觸層；同時至少形成數據線、源極和漏極，其中數據線與柵極線確定了象素區，和在第一歐姆接觸層上設置源極，在第二歐姆接觸層上設置漏極；在柵極絕緣層上形成無機絕緣層，無機絕緣層覆蓋數據線、源極、漏極和第二遮光圖案；在無機絕緣層上形成有機鈍化層；在無機絕緣層和有機鈍化層上制出一定圖案以形成漏極接觸孔和第一透射孔；其中漏極接觸孔暴露一部分漏極而透射孔與透射區段的位置相對應。
上述方法進一步包括的步驟有，在有機鈍化層上形成第一無機鈍化層；在第一無機鈍化層上形成反射板；在第一無機鈍化層上形成覆蓋反射板的第二無機鈍化層，在第二無機鈍化層上形成透明電極。反射板具有與透射區段和邊界區的位置對應的第二透射孔。反射板設在反射區段內。該方法進一步包括的步驟有，將第一和第二無機鈍化層制成一定圖案以形成能暴露一部分漏極的附加漏極接觸孔。透明電極通過附加的漏極接觸孔與漏極接觸。用選自氮化硅和氧化硅的無機材料制作第一和第二無機鈍化層。有益的是，用選自鋁和鋁合金的金屬材料制作反射板，和用選自氧化銦錫和氧化銦鋅的透明導電材料制作透明電極。
有益的是，用選自苯并環丁烯和丙烯酰基樹脂的有機材料制作有機鈍化層。第一和第二遮光圖案可延伸到反射區段。上述方法進一步包括除去第一開口中的一部分柵極以暴露基板的步驟。
上述方法可進一步包括以下步驟，在有機鈍化層上形成透明電極，透明電極通過漏極接觸孔與漏極接觸；在有機鈍化層上形成覆蓋透明電極的無機鈍化層，無機鈍化層具有接觸孔，接觸孔暴露漏極接觸孔上方的一部分透明電極；和在無機鈍化層上形成反射電極，反射電極通過接觸孔與透明電極接觸，反射電極具有與透射區段和邊界區對應的第二透射孔。反射電極設在反射區段內。
上述方法可以進一步包括以下步驟，在無機絕緣層和有機鈍化層之間形成反射板，反射板上帶有與透射區段和邊界區對應的第二透射孔；和在有機鈍化層上形成透明電極，透明電極通過漏極接觸孔與漏極接觸。
很顯然，上面的一般性描述和下面的詳細說明都是示例性和解釋性的，其意在對本發明的權利要求作進一步解釋。
附圖中圖1是帶有透射區段和反射區段的傳統透反式LCD裝置的示意性剖面圖；圖2A和2B是表示當在反射模式下工作時，環境光穿過圖1中透反式LCD裝置各部件時的狀態的視圖；圖3A和3B是表示當在透射模式下工作時，來自背光裝置的光穿過圖1中透反式LCD裝置各部件時的狀態的視圖；圖4是按照本發明所述透反式液晶顯示裝置的矩陣型基板中一個象素的典型示意性平面圖；圖5表示取自圖4中線V-V處的本發明第一實施例的剖面圖；圖6A-6G表示制作本發明第一實施例所述矩陣型基板的工序步驟；圖7表示將圖5改成雙層柵極的剖面圖；圖8表示取自圖4中線VI-VI處的本發明第二實施例的剖面圖；圖9A-9G表示按照本發明第二實施例所述制作矩陣型基板的程序步驟；圖10表示將圖8改成具有雙層柵極的剖面圖；圖11表示取自圖4中線VII-VII處的本發明第三實施例的剖面圖；圖12A-12F表示按照本發明第三實施例所述制作矩陣型基板的工序步驟；和圖13表示將圖11改成具有雙層柵極的剖面圖。
圖4是按照本發明所述透反式液晶顯示裝置的矩陣型基板中一個象素的典型示意性平面圖；圖5表示取自圖4中線V-V處的剖面圖并且表示按照本發明第一實施例所述的矩陣型基板。本發明的矩陣型基板包括透射區段C、反射區段D和邊界區E。
在圖4和圖5中，在透明基板110中沿橫向設置柵極線121，而沿縱向設置數據線161。一對柵極線121和數據線161確定一個象素區。透明基板110上的柵極122從柵極線121上延出。在透明基板110上形成與柵極線121和柵極122相同材料的第一遮光圖案125。第一遮光圖案125設置在透射區段C和反射區段D之間的邊界區E內，而且第一遮光圖案上具有與透射區段C的位置對應的的開口。第一遮光圖案125不僅位于邊界區E內而且還延伸到反射區D。第一遮光圖案125的材料可以與柵極線121、柵極122或數據線161的材料相同。
在透明基板110上形成氮化硅或氧化硅制成的柵極絕緣層130，其覆蓋柵極線121、柵極122和第一遮光圖案125。特別是，在柵極122上方的柵極絕緣層130上形成有源層141。在第一遮光圖案125上方的柵極絕緣層130上形成第二遮光圖案145。在此，有源層141和第二遮光圖案145是用非晶硅制成的。與第一遮光圖案125一樣，第二遮光圖案145也可以設置在透射區段C和反射區段D之間的邊界區E內，而且第二遮光圖案145在與透射區段C對應的位置上設有開口。第二遮光圖案145不僅位于邊界區E內，而且還延伸到反射區段D。
在有源層141上設置歐姆接觸層151和152，歐姆接觸層由包含雜質的非晶硅制作。在第一歐姆接觸層151上形成從數據線161延出的源極162，而且在第二歐姆接觸層152上形成與源極162隔開一定距離的漏極163。第一無機絕緣層170a和第一鈍化層170依次形成在柵極絕緣層130上從而覆蓋第二遮光圖案145、數據線161以及源極162和漏極163。用有機材料制作第一鈍化層170。因此，應將第一無機絕緣層170a插在TFT和第一鈍化層170之間，這是因為當有機材料直接與有源層141接觸時，有機材料會損壞TFT的電特性。
第一鈍化層170具有與象素區內的透射區段C對應的第一透射孔172。如上所述，這種透射孔172在透射區段C和反射區段D內形成不同的盒間隙，因此使透反式LCD裝置能顯示均勻的亮度。實際上，透射區段C的盒間隙是反射區段D的兩倍。第一鈍化層170的有機材料通常選自苯并環丁烯(BCB)和丙烯酰基樹脂中的一種。在圖5所示結構中，第一透射孔172可以貫穿第一無機絕緣層170a和柵極絕緣層130并到達透明基板110。
在第一鈍化層170上依次形成第二無機絕緣層170b和反射板180。如圖5所示，反射板180具有與透射區段C和邊界區E相應的第二透射孔182。第二透射孔182可以比第一透射孔172稍寬一點。例如，可用鋁或鋁合金來制作反射板180。反射板180的材料應具有極好的反射性并通過濺鍍法形成在無機絕緣層170b上。如果將反射板180直接形成在有機鈍化層170上，可能會污染濺鍍腔且使生產率下降。因此，應將第二無機絕緣層170b設置在第一鈍化層170和反射板180之間。在第二無機絕緣層170b上形成覆蓋反射板180的第二鈍化層190。第二鈍化層上設有暴露一部分漏極163的漏極接觸孔191。用諸如氧化硅和氮化硅等無機材料制作第二鈍化層190。盡管圖5中未示出，但是第二鈍化層190可以具有與第一和第二透射孔172和182的位置對應的第三透射孔。透明電極形成在第二鈍化層190上并通過漏極接觸孔191與漏極163接觸。在圖5所示本發明的第一實施例中，盡管第二鈍化層190將透明電極200與反射板180電性隔離，但是反射板180和透明電極200也可以彼此電連接。
因此，在第一實施例中，由于制作第一遮光圖案125的材料與柵極線以及透射區段C和反射區段D之間邊界區E中的電極所用材料相同，所以當透反式LCD裝置在透射模式下工作時，可阻擋從背光裝置產生的光。此外，由于用非晶硅制成的第二遮光透射圖案能吸收來自外部的環境光，所以可防止因透射模式或反射模式中的反射光而引起的畸變。結果是，本發明第一實施例所述的透反式LCD裝置改善了反射模式和透射模式下的對比度。
圖6A-6G表示取自圖4中線V-V處的剖面圖并表示制作本發明第一實施例所述矩陣型基板的連續工序步驟。
參照圖6A，在透明基板110上沉積金屬材料并制圖使之形成柵極線121(見圖4)和柵極122。此時，在與透射區段C和反射區段D之間的邊界區E對應的位置上還形成第一遮光圖案125。
在圖6B中，在透明基板110上形成覆蓋柵極線121(見圖4)、柵極122和第一遮光圖案125的柵極絕緣層130。此后，在柵極絕緣層130上依次形成非晶硅層和含雜質的非晶硅層，并將其制成一定圖案以形成覆蓋柵極122的有源層141和位于有源層141上的含雜質半導體層153。同時，在整個第一遮光圖.125上還形成第二遮光圖案145和虛擬圖案155。
接著，在圖6C中，在柵極絕緣層130上沉積金屬材料以覆蓋制成一定圖案的硅層，然后，將沉積的金屬材料制成一定圖案以形成數據線161、源極162和漏極163。隨后，除去暴露部分的含雜質半導體層153并同時除去虛擬圖案155，由此形成第一和第二歐姆接觸層151和152。結果，在第一歐姆接觸層151上形成漏極162而在第二歐姆接觸層152上形成源極163。
在圖6D中，用氮化硅和氧化硅中的一種在柵極絕緣層130上沉積第一無機絕緣層170a，以覆蓋第二遮光圖案145、數據線161、以及源極162和漏極163。接著，用苯并環丁烯(BCB)和丙烯酰基樹脂中的一種在第一無機絕緣層170a上形成第一鈍化層170。然后，將第一鈍化層170和第一無機絕緣層170a制成一定圖案以形成第一透射孔172和第一漏極接觸孔171。同時，如圖6D所示，將一部分柵極絕緣層130制成一定圖案使第一透射孔172能夠暴露透射區段C中的透明基板110。
參照圖6E，在第一鈍化層170上形成第二無機絕緣層170b。此后，將具有極好反射性的金屬材料，例如鋁或鋁合金沉積到第二無機絕緣層170b上，然后將其制成一定圖案使之形成反射板180。在此，將反射板180設置在由柵極線121和數據線161(見圖4)確定的象素區內，反射板上具有位于第一透射孔172上方的第二透射孔182。
現在參見圖6F，在第二無機絕緣層170b上用無機材料形成覆蓋反射板180的第二鈍化層190。將第二鈍化層190和第二無機絕緣層170b進行制圖使之形成暴露一部分漏極163的第二漏極接觸孔191。同時，通過除去一部分第二無機絕緣層170b和第二鈍化層190而形成與第一和第二透射孔172和182的位置對應的第三透射孔。
在圖6G中，將透明導電材料沉積到第二鈍化層190上，并對其進行制圖使之形成透明電極200。通過漏極接觸孔191，透明電極200與漏極163相接觸。在此，透明導電材料是氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。
盡管圖6A-6G表示的透明電極形成在反射板的上方，但也可以將反射板與透明電極變換位置。此外，也可以將反射板與透明電極相連接作為象素電極使用。
如圖7所示，可以將圖5中所示結構改成使所包括的柵極122具有雙層結構。例如，下柵極部分122a可以是鋁，而上柵極部分122b可以是鉬。在這種情況下，第一遮光圖案125由與下柵極部分122a和上柵極部分122b中的一個相同的材料制成。
圖8表示取自圖4中線VI-VI處的剖面圖并表示本發明第二實施例所述的矩陣型基板。圖8中所示的矩陣型基板與圖5中所示相類似，但略有不同。
在圖8中，將本發明的矩陣型基板分成透射區段C、反射區段D和邊界部分E。在透明基板210上形成柵極222和第一遮光圖案225。第一遮光圖案225設置在透射區段C和反射區段D之間的邊界區E內并且具有與透射區段C的位置對應的開口。第一遮光圖案225不僅位于邊界區E內而且還延伸到反射區段D。在透明基板210上形成覆蓋柵極222和第一遮光圖案225的柵極絕緣層230。第一遮光圖案225可以用與柵極222、柵極線(未示出)或數據線(未示出)相同的材料制成。
在柵極絕緣層230，特別是柵極222的上方形成有源層241。在第一遮光圖案225上方的柵極絕緣層230上還形成第二遮光圖案245。在此，有源層241和第二遮光圖案245由非晶硅制成。與第一遮光圖案225相同，第二遮光圖案245也設在透射區段C和反射區段D之間的邊界區E內并具有與透射區段C的位置相對應的開口。第二遮光圖案225不僅位于邊界區E內，而且還延伸到反射區D。在有源層241上設有歐姆接觸層251和252，所述歐姆接觸層由含雜質的非晶硅制成。在第一歐姆接觸層251上形成源極262，而在第二歐姆接觸層252上形成漏極263。
在柵極絕緣層230上依次形成無機絕緣層270a和第一鈍化層270以覆蓋第二遮光圖案245以及源極262和漏極263。用有機材料例如苯并環丁烯(BCB)或丙烯酰基樹脂制作第一鈍化層270。因此，如在第一實施例中所述，因為當有機材料直接與有源層241接觸時，有機材料會損壞TFT的電特性，所以應將無機絕緣層270a插在TFT和第一鈍化層270之間。第一鈍化層270具有與處于柵極線和數據線確定的象素區內的透射區段C相應的第一透射孔272。此外，第一鈍化層270具有暴露一部分漏極263的第一接觸孔271。如上所述，這種透射孔272在透射區段C和反射區段D中形成不同的盒間隙，因此，不管透反式LCD裝置以透射模式還是以反射模式工作，透反式LCD裝置都能顯示均勻亮度。實際上，透射區段C的盒間隙是反射區段D的兩倍。在圖8所示結構中，第一透射孔272可以貫穿無機絕緣層270a和柵極絕緣層230并達到透明基板210。
在第一鈍化層270上形成透明電極280，透明電極280通過第一接觸孔271與漏極263接觸。用透明導電材料，例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)制作透明電極280。由于當在有機鈍化層270上沉積這種透明導電材料時，這種透明導電材料并不會污染沉積設備，所以，與第一實施例不同的是，在第二實施例的有機鈍化層270和透明電極280之間不需要另外的無機絕緣層。在第一鈍化層270和透明電極280上形成第二鈍化層290。第二鈍化層290是諸如氧化硅和氮化硅等無機材料，而且具有暴露漏極263上方部分透明電極280的第二接觸孔291。在第二鈍化層290上形成反射電極300。如圖8所示，反射電極300具有與透射區段C和邊界區E對應的第二透射孔302，因此反射電極300對應于反射區段D的位置。第二透射孔302可以比第一透射孔272略寬。反射電極300通過第二接觸孔291與透明電極280接觸。
圖9A-9G表示取自圖4中線VI-VI處的剖面圖并且表示按照本發明第二實施例制作矩陣型基板的連續工序步驟。
首先參照圖9A，在透明基板210上沉積金屬材料，然后進行制圖使之形成柵極222和第一遮光圖案225。將第一遮光圖案225設在與透射區段C和反射區段D之間的邊界區E相對應的位置上。
在圖9B中，在透明基板210上形成覆蓋柵極222和第一遮光圖案225的柵極絕緣層230。此后，在柵極絕緣層230上依次形成非晶硅層和含雜質的非晶硅層，接著，對其進行制圖使之在柵極222上形成有源層241和在有源層241上形成含雜質的半導體層253。同時，在柵極絕緣層230上并在第一遮光圖案225的上方依次形成第二遮光圖案245和虛擬圖案255。
接著，在圖9C中，在柵極絕緣層230上沉積金屬以覆蓋制成圖案的硅層，然后在金屬上進行制圖以形成源極和漏極262和263。隨后，去除含雜質半導體層253的暴露部分并且同時去除虛擬圖案255，由此形成第一和第二歐姆接觸層251和252。結果，在第一歐姆接觸層251上形成源極262而在第二歐姆接觸層252上形成漏極263。
在圖9D中，用氮化硅和氧化硅中的一種在柵極絕緣層230上沉積出無機絕緣層270a以覆蓋第二遮光圖案245和源極262及漏極263。接著，在無機絕緣層270a上用苯并環丁烯(BCB)和丙烯酰基樹脂中的一種形成第一鈍化層270。然后，將無機絕緣層270a和第一鈍化層270制成一定圖案以形成第一接觸孔271和第一透射孔272。第一接觸孔271暴露一部分漏極263。第一透射孔272對應于透射區段C。如圖9D所示，當形成第一透射孔272時，可以除去一部分柵極絕緣層230以便讓第一透射孔272暴露透射區段C中的透明基板210。
參照圖9E，在第一鈍化層270上沉積透明導電材料，然后制圖以形成透明電極280。透明電極280通過第一接觸孔271與漏極263接觸。在此，透明導電材料是氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。
現在參照圖9F，在第一鈍化層270上用諸如氮化硅或氧化硅等無機材料形成覆蓋透明電極280的第二鈍化層290。對第二鈍化層290進行制圖使之形成暴露漏極263上方一部分透明電極280的第二接觸孔291。
在圖9G中，在第二鈍化層290上沉積具有極好反射性的金屬材料，例如鋁或鋁合金，然后進行制圖以形成反射電極300。在此，將反射電極300設置在由柵極線121和數據線161(見圖4)確定的象素區內，所述反射電極300具有處于第一透射孔272上方的第二透射孔302。反射電極300通過第二接觸孔291與透明電極280接觸。
在第一和第二實施例中，用有機材料制作第一鈍化層，用無機材料制作第二鈍化層。然而，作為相反的概念，也可以用無機材料制作第一鈍化層，而用有機材料制作第二鈍化層。
如圖10所示，可以將圖8中所示第二實施例的結構改成使所包括的柵極222具有雙層結構。例如，下柵極部分222a可以是鋁，而上柵極部分222b可以是鉬。在這種情況下，第一遮光圖案225與下柵極部分222a和上柵極部分222b中一個的材料相同。
圖11表示取自圖4中線VI-VI處的剖面圖并表示按照本發明第三實施例所述的矩陣型基板。圖11中所示矩陣型基板與圖5和圖8所示相類似，但略有不同。
在圖11中，本發明的矩陣型基板也分為透射區段C，反射區段D和邊界區E。在透明基板310上形成柵極322和第一遮光圖案325。在透射區段C和反射區段D之間的邊界區E內設置第一遮光圖案325，第一遮光圖案325上具有與透射區段C的位置相對應的開口。第一遮光圖案325不僅位于邊界區E內，而且還延伸到反射區段D。在透明基板310上形成覆蓋柵極322和第一遮光圖案325的柵極絕緣層330。第一遮光圖案325可以用與柵極322、柵極線(未示出)或數據線(未示出)相同的材料制成。
在柵極絕緣層330，特別是柵極322上方形成有源層341。在第一遮光圖案325上方的柵極絕緣層330上還形成第二遮光圖案345。在此，有源層341和第二遮光圖案345由非晶硅制成。與第一遮光圖案325相同，第二遮光圖案345也設置在透射區段C和反射區段D之間的邊界區E內，而且在第二遮光圖案345上具有與透射區段C的位置相對應的開口。第二遮光圖案345不僅位于邊界區E內，而且還延伸到反射區段D。有源層341上設置的是用含雜質的非晶硅制成的歐姆接觸層351和352。在第一歐姆接觸層351上形成源極362，而在第二歐姆接觸層352上形成漏極363。
在柵極絕緣層330上形成覆蓋第二遮光圖案345和源極362以及漏極363的第一鈍化層370。在第一鈍化層370上形成反射板380。反射板380對應于反射區段D，并具有與透射區段C和邊界區E對應的第一透射孔382。第一透射孔382可以略寬于后一步形成的第二透射孔。例如，可用鋁或鋁合金制作反射板380。反射板的材料380應具有極好的反射性。在反射板380上方的第一鈍化層370上形成第二鈍化層390。第二鈍化層390由有機材料，例如苯并環丁烯(BCB)或丙烯酰基樹脂制成。如第一和第二實施例所述，由于無機鈍化層370插在TFT和有機鈍化層390之間，所以它可以避免損壞TFT的電特性。第一和第二鈍化層370和390具有暴露一部分漏極363的漏極接觸孔391和與透射區段C對應的第二透射孔392。在圖11所示結構中，第二透射孔392可以貫穿柵極絕緣層330并到達透明基板310。如上所述，第二透射孔392在透射區段C和反射區段D之間形成不同的盒間隙，因此不管透反式LCD裝置以透射模式工作還是以反射模式工作，都能使透反式LCD裝置顯示均勻亮度。實際上，透射區段C的盒間隙是反射區段D的兩倍。在第二鈍化層390上形成透明電極400，透明電極通過漏極接觸孔391與漏極363接觸。透明電極400由諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)制成。由于當將這種透明導電材料沉積到有機鈍化層390上時，不會污染沉積設備，所以在有機鈍化層390和透明電極400之間不需要另外的無機絕緣層。
在第三實施例中，由于用無機材料制作第一鈍化層370和由于在無機材料(即，第一鈍化層370)上形成反射板380，所以在有機鈍化層390的前后表面上不需要另外的無機層。因此，當形成第三實施例所述的矩陣型基板時，可減少制作工序的步驟。
圖12A-12F表示取自圖4中線VII-VII處的剖面圖并表示按照本發明第三實施例所述制作矩陣型基板的連續工序步驟。
參照圖12A，在透明基板310上沉積金屬材料，然后進行制圖以形成柵極322和第一遮光圖案325。將第一遮光圖案325設置在與透射區段C和反射區段D之間的邊界區E對應的位置上，而且第一遮光圖案具有與透射區段C對應的開口。
在圖12B中，在透明基板310上形成覆蓋柵極322和第一遮光圖案325的柵極絕緣層330。此后，在柵極絕緣層330上依次形成非晶硅層和含雜質的非晶硅層，然后進行制圖以分別在柵極322上方形成有源層341和在有源層341上形成含雜質的半導體層353。同時，在柵極絕緣層330上并在第一遮光圖案325的上方依次形成第二遮光圖案345和虛擬圖案355。
接著，在圖12C中，在柵極絕緣層330上沉積金屬，以覆蓋制成一定圖案的硅層，然后對金屬進行制圖以形成源極362和漏極363。此后，除去含雜質半導體層353的暴露部分，同時除去虛擬圖案355，由此形成第一和第二歐姆接觸層351和352。結果，在第一歐姆接觸層351上形成源極362而在第二歐姆接觸層352上形成漏極363。
在圖12D中，用氮化硅和氧化硅中的一種在柵極絕緣層330上沉積出第一鈍化層370以覆蓋第二遮光圖案345和源極362及漏極363。接著，在第一鈍化層370上沉積具有極好反射性的金屬，例如鋁或鋁合金，然后進行制圖以形成反射板380。在此，將反射板380設置在由柵極線和數據線121和161(見圖4)限定的象素區內，反射板上具有與透射區段C和邊界區E對應的第一透射孔382。結果，反射板380對應于反射區段D的位置。
參照圖12E，在第一鈍化層370上形成覆蓋反射板380的第二鈍化層390。第二鈍化層390由苯并環丁烯(BCB)和丙烯酰基樹脂中的一種制成。然后，將第一鈍化層370和第二鈍化層390制成一定圖案以形成漏極接觸孔391和第二透射孔392。漏極接觸孔391暴露一部分漏極363。第二透射孔392對應于透射區段C。如圖12E所示，當形成第二透射孔392時，可以除去一部分柵極絕緣層330以便讓第二透射孔392暴露透射區段C中的透明基板310。
現在參照圖12F，在第二鈍化層390上沉積透明導電材料，然后制圖以形成透明電極400。透明電極400通過漏極接觸孔391與漏極363接觸。在此，透明導電材料是氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。
因此，在第三實施例中，由于在無機鈍化層和有機鈍化層之間設置反射板，所以不需要另外的無機層，因此，減少了制作工序。
如圖13中所示，可以將圖11中所示第三實施例的結構改成使所包含的柵極322具有雙層結構。例如，下柵極部分322a可以是鋁，而上柵極部分322b可以是鉬。在這種情況下，第一遮光圖案325與下柵極部分322a和上柵極部分322b中的一個所用材料相同。
如上所述，由于第一遮光圖案是用與柵極線以及透射區段C和反射區段D之間的邊界區E內的電極相同的材料形成的，所以當透反式LCD裝置以透射模式工作時，可以阻擋從背光裝置產生的光。此外，由于第二透光圖案的非晶硅吸收來自外部的環境光，所以可以防止因透射模式和反射模式的反射光引起的畸變。根據這些結果，可以在透反式LCD裝置中獲得高對比度。此外，盡管在透反式LCD裝置的矩陣型基板中形成遮光圖案，但是不會增加制作工序的步驟。
對于熟悉本領域的技術人員來說，很顯然，在不脫離本發明構思或范圍的情況下，可以對本發明做出各種改進和變型。因此，本發明意在覆蓋那些落入所附權利要求及其等同物范圍內的改進和變型。
權利要求
1.透反式液晶顯示器的矩陣型基板，包括基板，所述基板帶有處于象素區中的透射區段、反射區段和邊界區，其中邊界區位于透射區段和反射區段之間；基板上至少設有柵極線、柵極和第一遮光圖案，其中第一遮光圖案具有與透射區段的位置對應的第一開口，而且該第一遮光圖案設置在邊界區內；基板上設有覆蓋柵極線、柵極和第一遮光圖案的柵極絕緣層；在柵極上方的柵極絕緣層上設有有源層；在柵極絕緣層上設有第二遮光圖案，其中第二遮光圖案具有與透射區段的位置相對應的第二開口，而且該第二遮光圖案設置在邊界區內；在有源層上設有第一和第二歐姆接觸層；基板上至少還設有數據線、源極和漏極，其中數據線與柵極線確定了象素區，源極設在第一歐姆接觸層上，而漏極設在第二歐姆接觸層上；在柵極絕緣層上設有無機絕緣層，無機絕緣層覆蓋數據線、源極、漏極和第二遮光圖案；和在無機絕緣層上設置了有機鈍化層；其中無機絕緣層和有機鈍化層具有用于暴露部分漏極的漏極接觸孔；和其中無機絕緣層和有機鈍化層具有與透射區段的位置相對應的第一透射孔。
2.根據權利要求1所述的矩陣型基板，進一步包括設在有機鈍化層上的第一無機鈍化層；設在第一無機鈍化層上的反射板；設在第一無機鈍化層上并覆蓋反射板的第二無機鈍化層；和設在第二無機鈍化層上的透明電極。
3.根據權利要求2所述的矩陣型基板，其中反射板具有與透射區段和邊界區的位置對應的第二透射孔。
4.根據權利要求2所述的矩陣型基板，其中反射板與一部分邊界區重疊。
5.根據權利要求2所述的矩陣型基板，其中反射板設置在反射區段內。
6.根據權利要求2所述的矩陣型基板，其中第一和第二無機鈍化層具有用于暴露一部分漏極的附加的漏極接觸孔。
7.根據權利要求6所述的矩陣型基板，其中透明電極通過附加的漏極接觸孔與漏極相接觸。
8.根據權利要求2所述的矩陣型基板，其中用選自氮化硅和氧化硅的無機材料制作第一和第二無機鈍化層。
9.根據權利要求2所述的矩陣型基板，其中用選自鋁和鋁合金的金屬材料制作反射板。
10.根據權利要求2所述的矩陣型基板，其中用透明導電材料制作透明電極。
11.根據權利要求10所述的矩陣型基板，其中透明導電材料是氧化銦錫和氧化銦鋅之一。
12.根據權利要求1所述的矩陣型基板，其中用選自苯并環丁烯和丙烯酰基樹脂的有機材料制作有機鈍化層。
13.根據權利要求1所述的矩陣型基板，其中第一和第二遮光圖案延伸到反射區段。
14.根據權利要求1所述的矩陣型基板，其中第一透射孔通過除去第一開口中的一部分柵極來暴露基板。
15.根據權利要求1所述的矩陣型基板，其中第一遮光圖案由與柵極線相同的材料制成。
16.根據權利要求1所述的矩陣型基板，其中柵極線具有兩層結構而且其中第一遮光圖案由與兩層柵極線中至少一層材料相同的材料制成。
17.根據權利要求1所述的矩陣型基板，其中第二遮光圖案由非晶硅制成。
18.根據權利要求1所述的矩陣型基板，進一步包括設在有機鈍化層上的透明電極，透明電極通過漏極接觸孔與漏極接觸；設在有機鈍化層上且覆蓋透明電極的無機鈍化層，無機鈍化層具有接觸孔，接觸孔暴露漏極接觸孔上方的一部分透明電極；和設在無機鈍化層上的反射電極，反射電極通過接觸孔與透明電極接觸，反射電極具有與透射區段和邊界區對應的第二透射孔。
19.根據權利要求18所述的矩陣型基板，其中反射電極設在反射區段內。
20.根據權利要求18所述的矩陣型基板，其中無機鈍化層由無機材料制成。
21.根據權利要求20所述的矩陣型基板，其中無機材料是氮化硅和氧化硅之一。
22.根據權利要求18所述的矩陣型基板，其中反射電極由鋁和鋁合金之一制成。
23.根據權利要求18所述的矩陣型基板，其中透明電極由選自氧化銦錫和氧化銦鋅的透明導電材料制成。
24.根據權利要求1所述的矩陣型基板，進一步包括設在無機絕緣層和有機鈍化層之間的反射板，反射板上帶有與透射區段和邊界區對應的第二透射孔；和設在有機鈍化層上的透明電極，透明電極通過漏極接觸孔與漏極接觸。
25.根據權利要求24所述的矩陣型基板，其中反射板由鋁和鋁合金之一制成。
26.根據權利要求24所述的矩陣型基板，其中透明電極由選自氧化銦錫和氧化銦鋅的透明導電材料制成。
27.制作透反式液晶顯示器中使用的矩陣型基板的方法，包括以下步驟設置基板，所述基板帶有處于象素區內的透射區段、反射區段和邊界區，其中邊界區位于透射區段和反射區段之間；在基板上至少同時形成柵極線、柵極和第一遮光圖案，其中第一遮光圖案具有與透射區段的位置對應的第一開口，而且該第一遮光圖案設置在邊界區內；在基板上形成覆蓋柵極線、柵極和第一遮光圖案的柵極絕緣層；同時形成有源層和第二遮光圖案，其中有源層設置在柵極上方的柵極絕緣層上，而第二遮光圖案設置在柵極絕緣層上，而且其中第二遮光圖案具有與透射區段的位置相對應的第二開口，并將該第二遮光圖案設置在邊界區內；在有源層上形成第一和第二歐姆接觸層；同時形成至少數據線、源極和漏極，其中數據線與柵極線確定了象素區，和在第一歐姆接觸層上設置源極，而第二歐姆接觸層上設置漏極；在柵極絕緣層上形成無機絕緣層，無機絕緣層覆蓋數據線、源極、漏極和第二遮光圖案；和在無機絕緣層上形成有機鈍化層；和在無機絕緣層和有機鈍化層上制出一定圖案以形成漏極接觸孔和第一透射孔；其中漏極接觸孔暴露一部分漏極而第一透射孔與透射區段的位置相對應。
28.根據權利要求27所述的方法，進一步包括以下步驟在有機鈍化層上形成第一無機鈍化層；在第一無機鈍化層上形成反射板；在第一無機鈍化層上形成覆蓋反射板的第二無機鈍化層；和在第二無機鈍化層上形成透明電極。
29.根據權利要求28所述的方法，其中反射板具有與透射區段和邊界區的位置對應的第二透射孔。
30.根據權利要求28所述的方法，其中反射板設在反射區段內。
31.根據權利要求28所述的方法，進一步包括將第一和第二無機鈍化層制成一定圖案以形成能暴露一部分漏極的附加漏極接觸孔的步驟。
32.根據權利要求31所述的方法，其中透明電極通過附加的漏極接觸孔與漏極接觸。
33.根據權利要求28所述的方法，其中用選自氮化硅和氧化硅的無機材料制作第一和第二無機鈍化層。
34.根據權利要求28所述的方法，其中反射板由鋁和鋁合金之一制成。
35.根據權利要求28所述的方法，其中透明電極由透明導電材料制成。
36根據權利要求35所述的方法，其中、透明導電材料是氧化銦錫和氧化銦鋅之一。
37.根據權利要求28所述的方法，其中用選自苯并環丁烯和丙烯酰基樹脂的有機材料制作有機鈍化層。
38.根據權利要求28所述的方法，其中第一和第二遮光圖案延伸到反射區段。
39.根據權利要求28所述的方法，進一步包括除去位于第一開口中的一部分柵極以暴露基板的步驟。
40.根據權利要求27所述的方法，進一步包括以下步驟在有機鈍化層上形成透明電極，透明電極通過漏極接觸孔與漏極接觸；在有機鈍化層上形成覆蓋透明電極的無機鈍化層，無機鈍化層具有接觸孔，接觸孔暴露漏極接觸孔上方的一部分透明電極；和在無機鈍化層上形成反射電極，反射電極通過接觸孔與透明電極接觸，反射電極具有與透射區段和邊界區對應的第二透射孔。
41.根據權利要求40所述的方法，其中反射電極設在反射區段內。
42.根據權利要求40所述的方法，其中用選自一組物質的無機材料制作無機鈍化層，所述一組物質包括氮化硅和氧化硅。
43.根據權利要求40所述的方法，其中反射電極由鋁和鋁合金之一制成。
44.根據權利要求40所述的方法，其中其中透明電極由透明導電材料制成。
45.根據權利要求44所述的方法，其中透明導電材料是氧化銦錫和氧化銦鋅之一。
46.根據權利要求27所述的方法，進一步包括以下步驟在無機絕緣層和有機鈍化層之間形成反射板，反射板上帶有與透射區段和邊界區對應的第二透射孔；和在有機鈍化層上形成透明電極，透明電極通過漏極接觸孔與漏極接觸。
47.根據權利要求46所述的方法，其中反射板由鋁和鋁合金之一制成。
48.根據權利要求46所述的方法，其中透明電極由選自氧化銦錫和氧化銦鋅的透明導電材料制成。
49.根據權利要求48所述的方法，其中透明導電材料是氧化銦錫和氧化銦鋅之一。
全文摘要
本發明涉及一種在具有高對比度的透反式液晶顯示裝置中使用的矩陣型基板。矩陣型基板包括設在基板上的第一遮光圖案，該第一遮光圖案由與柵極相同的材料制成。矩陣型基板進一步包括第二遮光圖案，該第二遮光圖案由與有源層相同的材料并以相同的工序步驟制成。將第一和第二遮光圖案設在透射區段和反射區段之間的邊界中，在所述邊界中液晶分子處于非定向狀態并且光產生畸變。第一和第二遮光圖案防止在透射區段和反射區段之間的邊界區中產生光漏，因此增加了透反式LCD裝置的對比度。
文檔編號G02F1/1368GK1417622SQ0212947
公開日2003年5月14日 申請日期2002年8月22日 優先權日2001年10月29日
發明者河京秀, 金雄權, 金東國 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社