專利名稱：曝光裝置以及器件制造方法
技術領域：
本發明涉及曝光裝置以及器件制造方法，更詳細地說，涉及制造半導體元件、液晶顯示元件等電子器件的光刻工藝中使用的曝光裝置和使用該曝光裝置的器件制造方法。
背景技術：
一直以來，在制造半導體元件、液晶顯示元件等電子器件的光刻工藝中，主要使用分步重復方式的縮小投影曝光裝置，或者步進掃描方式的掃描型投影曝光裝置(所謂掃描、步進器)等曝光裝置。
但是伴隨著半導體元件的高度集成化，曝光對象的圖形的線寬一直在微細化，不但要防止顆粒(塵挨)等進入裝置內，而且要防止塵挨附著在傳送過程中的掩模(包括初縮掩模)等上。因此，最近的曝光裝置中多數是能夠裝載密閉型掩模容器，例如稱為SMIF(標準機械接口)裝載艙的底部開口型掩模容器，以便使掩模在氣密狀態下進行傳送。
一方面，由于半導體元件等要在基板上重疊形成數十層以上的電路圖形，必須制備用于各層曝光的數十個以上的掩模。
SMIF容器已知有用于1個掩模(單艙)和6個掩模(多艙)兩種類型。因此，如果裝載3個以上的多艙，能夠把18個掩模搬入曝光裝置內存放起來。
因此，以前的曝光裝置由于裝置結構上的原因(容納曝光裝置主體的腔內部的空余空間問題)，幾乎所有的裝置如果只裝載多容器最多只裝載2個，如果包括單容器最多也只能裝載3個。而且，由于掩模管理方面的技術問題，以前采用放入SMIF容器內的掩模必須返回原來的容器這種操作。因此，只使用SMIF容器進行自動傳送，難以把曝光所需要的充分數量的掩模傳送到曝光裝置內并存放起來。由于上述理由，以前操作者必須根據曝光工藝的進行狀況通過手工操作交換SMIF容器。
而且，即使是能夠裝載多個多容器的曝光裝置也難以排列所有的多容器，縮短掩模的交換時間，結果導致曝光裝置的處理能力下降。
本發明就是鑒于上述問題提出的，本發明的第一個目的是提供一種新型曝光裝置，不需要通過操作者的手工操作完成掩模容器的交換操作。
本發明的第二個目的是提供一種器件制造方法，能夠提高高集成度器件的生產效率。
發明的技術方案根據本發明的第一個方面，提供一種曝光裝置，具有曝光裝置主體，把裝載在初縮掩模板臺上的掩模圖形轉印在基板上；腔，容納上述曝光裝置主體，而且至少設置一個密閉型掩模容器的搬入搬出口；緩沖區，設置在從上述搬入搬出口至上述掩模臺的掩模傳送路徑中途，能夠存放多個上述掩模，而且能出能入；以及掩模傳送系統，把上述掩模在上述搬出搬入口、上述緩沖區和上述掩模臺三者之間傳送。
這里，搬入搬出口包括具有專門用于搬入掩模的搬入口和專門用于搬出掩模的搬出口、或者用于掩模搬入和掩模搬出兩個目的的口兩種結構中的任何一種。
因此，能夠存放多個上述掩模而且能出能入的緩沖區設置在從密閉型掩模容器的搬入搬出口至掩模臺的掩模傳送路徑中途。因此，在腔內只有一個搬入搬出口、而且只能搬入一個掩模容器的情況下，多次把掩模容器搬入所述搬入搬出口，每次搬入，通過由掩模傳送系統把掩模從掩模容器搬入緩沖區，能夠在緩沖區內最大限度地存放掩模。因此，裝置內時常能夠保持曝光所需要的充分數量的掩模。而且，在這種情況下，由于掩模傳送系統能夠在搬入搬出口、緩沖區和掩模臺三者之間傳送掩模，因此不需要通過操作者的手工操作完成掩模容器的替換操作。而且，緩沖區不必設置在掩模臺附近。
在這種情況下，也可以進一步具有，抑制污染物質從設置上述緩沖區空間的外部侵入上述緩沖區內的抑制機構。
在本說明書中，“污染物質”不只是顆粒(塵埃)，原則上也包括例如使曝光用的照明光衰減或者透射或者反射曝光用的照明光的使光學元件模糊的雜質(水或者水蒸氣、離子、有機物等)。
而且，“抑制污染物質侵入”是通常意思的抑制，即抑制之外原則上包括阻止。因此，抑制機構不管其方法如何，只要是有效減少污染物質從設置緩沖區的空間外部向上述緩沖區內的侵入量或者污染物質的進入量為零即可，并不特別限制它的結構等。
在具有上述抑制機構的情況下，由于通過抑制機構能夠抑制污染物質進入緩沖區內，例如即使在掩模長期存放在緩沖區內的情況下，能夠防止或者有效抑制污染物質附著在所述掩模上。潔凈室的潔凈度越高運轉成本越高。因此，在掩模容器使用能夠防止在傳送途中污染掩模的SMIF模板艙等密閉型容器的情況下，從降低運轉成本角度看多數把潔凈室內(腔外)的潔凈度設定得比腔內的潔凈度低。在這樣的情況下是有效的。
在本發明的曝光裝置中，也可以進一步具有，可以向上述緩沖區內供給潔凈氣體的氣體供給機構。在這樣的情況下，通過由氣體供給機構向緩沖區內供給適當的潔凈氣體，例如在緩沖裝置長期存放掩模等情況下，能夠有效防止或者抑制污染物質附著在掩模上。與上述相同，在掩模容器使用能夠防止在傳送途中污染掩模的SMIF模板艙等密閉型容器的情況下，特別有效。
本發明的曝光裝置中，上述氣體供給機構長時間向上述緩沖裝置內供給上述潔凈氣體也可以，或者在緩沖裝置內充滿潔凈氣體時大致密閉也可以。
本發明的曝光裝置中，在具有上述氣體供給機構情況下，可以進一步具有設置在上述腔上的可以開閉的開關部件。在這種情況下，不管開關部件開或者關，時常通過氣體供給機構向緩沖裝置內供給潔凈氣體也可以，而且只在開關部件開放期間通過氣體供給機構向緩沖裝置供給潔凈氣體也可以。或者，在開關部件開放之前緩沖裝置內充滿潔凈氣體時變為大致密閉狀態也可以。
本發明的曝光裝置中，在具有上述氣體供給機構和開關部件的情況下，上述緩沖裝置可以具有可以開閉的開閉機構，上述氣體供給機構至少在上述開閉機構開放時向上述緩沖裝置內供給上述潔凈氣體。即，氣體供給機構不管開閉機構開或者關長時間向緩沖裝置內供給潔凈氣體也可以，只在開閉機構開放期間向緩沖裝置供給潔凈氣體也可以。特別是，在后種情況下，在開閉機構關閉期間，緩沖裝置內充滿潔凈氣體處于大致密閉狀態也可以。
本發明的曝光裝置中，在具有上氣體供給機構和開關部件的情況下，上述緩沖裝置可以具有可以開閉的開閉機構，上述氣體供給機構也可以只在上述開關部件和上述開閉機構二者開放期間，向上述緩沖裝置內供給上述潔凈氣體。
本發明的曝光裝置中，在具有上述氣體供給機構的情況下，上述緩沖裝置可以具有開閉機構，可以開閉，在它關閉狀態下，上述緩沖裝置內部呈大致氣密狀態。在這種情況下，上述氣體供給機構可以只在上述開閉機構開放期間，向上述緩沖裝置供給潔凈氣體。在這種情況下，在上述開閉機構關閉期間，上述緩沖裝置內充滿潔凈氣體。
本發明的曝光裝置中，在具有上述氣體供給機構、而上述緩沖裝置具有上述開閉機構的情況下，可以進一步具有，在每次上述掩模出入上述緩沖裝置時，控制上述開閉機構開閉的控制裝置，或者進一步具有根據上述腔內的潔凈度開閉上述開閉機構的控制裝置。在前一種情況下，通過控制裝置時常關閉緩沖裝置的開閉機構，只在掩模搬入緩沖裝置內的期間以及掩模從緩沖裝置內搬出的期間開放。因此，能夠盡力防止顆粒等污染物質混入緩沖裝置內。一方面，在后一種情況下，由于通過控制裝置根據緩沖裝置內的潔凈度開閉上述開閉機構，能夠在緩沖裝置內的潔凈度降低、內部氣體中的顆粒或者雜質等污染物質的含有率高期間保持開閉機構處于關閉狀態，如果緩沖裝置內的潔凈度上升、內部氣體中的污染物質含有率下降，開閉機構變成開放狀態。
本發明的曝光裝置中，上述緩沖裝置可以具有把它的內部與外部氣體隔離的開閉機構。雖然通過使腔內相對于外部氣體成正壓力，通常能夠防止外部氣體混入腔內，因此能夠防止外部氣體中的顆粒等污染物質混入，但是有時發生由于某種原因使腔內不能維持正壓力狀態的情況。即使在這種情況下，由于開閉機構把緩沖裝置內部與外部氣體隔離，防止伴隨著外部氣體混入緩沖裝置內的污染物質物質附著在掩模上。
在這種情況下，可以進一步具有設置在上述腔上的可以開閉的開關部件、根據上述開關部件的開閉狀態，控制上述開閉機構的控制裝置。在這種情況下，例如至少在開關部件開放時，控制裝置能夠控制開閉機構，使緩沖裝置內部與外部氣體隔離。例如，由于維護腔內的曝光裝置主體等原因，有時打開開關部件，即使在這種情況下，由于能夠通過開閉機構把緩沖裝置內部與外部氣體隔離，防止伴隨著外部氣體混入緩沖裝置內的污染物質物質附著在掩模上。
在這種情況下，關于開閉機構的各種結構可以使用類型產品，例如上述開閉機構可以是屏蔽膜，由在上述開關部件開放時封閉設置在上述緩沖裝置上的上述掩模出入口的高速氣體流構成。
本發明的曝光裝置中，在上述緩沖裝置具有可以把它的內部與外部氣體隔離的開閉機構的情況下，可以進一步具有根據上述腔內的潔凈度控制上述開閉機構的控制裝置，或者進一步具有在每次上述掩模出入上述緩沖裝置時開閉上述開閉機構的控制裝置。
而且，開閉機構不限于設置在緩沖裝置的至少一個端面上，只要是能夠把掩模大致與含有顆粒或者雜質等的環境氣體隔離其結構可以是任意的，例如使潔凈氣體至少從一個方向流入，使掩模大致被潔凈氣體覆蓋就可以。
本發明的曝光裝置中，即使上述緩沖裝置是在單一空間內容納多個掩模也可以，隔開緩沖裝置內形成多個空間，各個空間內容納至少一個掩模也可以。
本發明的曝光裝置中，可以進一步具有異物檢測裝置，設置在上述搬入搬出口和上述緩沖裝置之間傳送掩模的路徑途中，檢測上述掩模上的異物附著狀況。本發明的曝光裝置中，通過傳送系統把掩模從密閉型的掩模容器的搬入搬出口經過緩沖裝置傳送到掩模臺。因此，在掩模相對于外部氣體隔離狀態下搬入腔內，同時即使在腔內也處于不與外界氣體接觸狀態進行傳送。因此，在腔內有效地抑制上述污染物質附著在掩模上。因此，只在搬入緩沖裝置內之前通過異物檢測裝置進行一次異物檢測就夠了。
在這種情況下，可以進一步具有讀取裝置，設置在上述搬入搬出口和上述緩沖裝置之間傳送掩模的路徑途中，讀取附加在上述掩模上的有關該掩模的信息。在這種情況下，由于能夠根據讀取裝置讀出的各個掩模信息個別管理掩模，即使以如下方式進行掩模管理也不發生任何不適當情況，例如即只把異物檢測裝置的檢測結果好的掩模搬入緩沖裝置內，檢測結果不好的掩模不搬入緩沖裝置內，返回掩模容器內空的地方。即，例如在采用能夠搬入搬出多個掩模容器的腔結構的情況下，可以這樣操作，即在把掩模搬入腔內時，不必返回所容納的掩模容器內，也可以返回其他掩模容器。在這種情況下，一旦異物檢測結果不好的掩模在容納在掩模容器內的狀態下搬出，通過再次搬入相同種類的掩模，結果通常可以使緩沖裝置內的掩模與后面的處理相應。
而且，在光刻工藝中，通過使用本發明的曝光裝置進行曝光，能夠長時間內防止污染物質附著在掩模上，能夠有效地防止曝光精度降低。這樣能夠以高成品率生產高集成度器件，能夠提高其生產效率。因此，本發明的第二發面提供了使用本發明的曝光裝置來制造器件的方法。
圖面的簡要說明

圖1是示出根據本發明一個實施例的曝光裝置的外觀的簡要透視圖；圖2是示出從-Y方向向+Y方向看圖1的主體腔而且剖開一部分的側視圖；圖3是示出沿著平行于XY平面的面剖開圖1的主體腔而且省略一部分的剖視圖；圖4是示出圖1的曝光裝置中使用的緩沖裝置的透視圖；
圖5是簡要示出圖1的曝光裝置的控制系統結構方塊圖；圖6是示出緩沖裝置變形例的圖；圖7A～7C是示出緩沖裝置變形例的圖；圖8是用于說明根據本發明的器件制造方法的實施例的流程圖；圖9是示出圖8的步驟204中的處理的流程圖。
最佳實施例下面，根據圖1～圖5說明本發明的一個實施例。圖1中示出根據本發明一個實施例的曝光裝置的簡要透視圖。
該曝光裝置10設置在凈度為100～10000水平的潔凈室內。該曝光裝置10設置在潔凈室的臺面F上，它的內部具有外圍腔(下面稱為“主體腔”)12，作為放置后面描述的曝光裝置主體的腔；激光器件14，距離該主體腔12的長度方向(圖1中的X軸方向)一側(+X方向)規定間隔，設置在臺面F上，作為曝光用光源(曝光光源)；以及校準光學系統16，與主體腔12內的曝光裝置主體和激光器件14光學連接，它的至少一部分上包括稱為光束匹配單元的用于調整光軸的光學系統。
關于上述激光器件14，使用例如發射波長為248nm脈沖光的KrF準分子激光器或者發射波長為193nm脈沖光的ArF準分子激光器等紫外脈沖激光光源。激光器件14上同時設置激光控制裝置144(圖1中未示出，參照圖5)，通過該激光控制裝置144，根據后面所述的主控制裝置50(圖1中未示出，參照圖5)的指示，進行發射的脈沖紫外光的振蕩中心波長以及光譜半寬控制、脈沖振蕩的觸發控制、激光腔內的氣體控制等。
主體腔12的在圖1中的-Y一側的側壁上，在X軸方向上以規定間隔相隔設置有作為開關部件的2個開閉門18A、18B。這些開閉門18A、18B使用左右對開的門。一個開閉門18A主要是在維護后面所述的曝光裝置主體等時開閉的。而且，另一個開閉門18B主要是在維護作為晶片傳送系統或者掩模傳送系統的初縮掩模板傳送系統(后面將對此進行描述)等時開閉的。
而且，雖然省略了圖示，主體腔12的圖1中的+X側和+Y側的側壁上也設置有與開閉門18A、18B相同結構的開閉門。這樣主體腔12內的曝光裝置主體構成為從3個方向可進行維護的結構。在這種情況下，主體腔12的+X側的維護區兼作曝光裝置主體和激光器件14的維護區。
而且，開關部件除了主體腔12上所設置的開閉門之外，還包括單獨可以拆卸的主體腔的面板，在主體腔通過開口等與其他裝置(鍍膜機、顯影機等)或者單元(晶片裝載機、初縮掩模板裝載機等)連接的情況下，原理上也是包括開口的。主要是開關部件作為能夠相對于潔凈室內的環境霧氣隔離主體腔內部或者解除它的隔離狀態的裝置，具有怎樣的結構。
上述校準光學系統16的大部分設置在主體腔12所在的臺面F的下方的臺下。通常，潔凈室的臺子由以規定間隔埋入地面內的多根柱子和矩形篩網狀臺板呈陣列狀整個覆蓋在這些柱子上構成。因此，通過去掉幾塊臺板和這些臺板下面的柱子，能夠容易地實現把校準光學系統16設置在臺下。
而且，激光器件14也可以設置在凈度比主體腔12所在的潔凈室的凈度低的單獨的房間(工作間)內，在這種情況下，與此相對應變更校準光學系統16的結構也可以。
在主體腔12的-X側的側壁的+Y方向一端附近的位置，在距離臺面大約90mm高度位置上，設置有FOUP搬入搬出口20。其中，把FOUP搬入搬出口20設定在距離臺面大約90mm，是因此在尺寸為12英寸晶片的情況下，如果前提是，操作者通過PGV(手動型傳送車)傳送前開口標準艙(Front Opening Unified Pod，下面簡稱為“FOUP”)24，相對于裝置的搬入或者搬出是手工操作，那么從人機學的角度看，距離臺面大約900mm水平最為理想。其中，FOUP 24中盛放多個上下方向相隔規定間隔的晶片，而且只有一個面上設有開口部，是具有開閉該開口部的門(蓋)的開閉型容器(密閉型晶片盒)，例如與8-279546號特許公開公報中公開的搬送容器相同。
為了從該FOUP 24中取出晶片，把FOUP按在設置在主體腔12的FOUP搬入搬出口20的內側(+X側)的圖中未示出的隔壁上，必須通過該隔壁上形成的開口部來開閉FOUP 24的門。因此，在本實施例中，FOUP24的門的開閉裝置(開啟機構)設置在上述隔壁的+X側的部分(主體腔12的內部)。通過該開閉裝置開閉FOUP 24的門，實現FOUP 24的內部與外部空氣隔離的狀態。關于這點的詳細說明在上述8-279546號特許公開公報等中已披露了，本實施例中也以同樣方式實現。
在主體腔12的設置FOUP搬入搬出口20的部分的-Y側的上方部分，形成凹陷部。該凹陷部的底部(即主體腔12的相對于該凹陷部的頂部)沿著Y軸方向以規定間隔設置有掩模容器搬入搬出口22A、22B。作為掩模的初縮掩模板通過后述的頂部搬送系統在放置在作為掩模容器的初縮掩模板運載盤281、282內的狀態下，搬入這些搬入搬出口22A、22B。而且，通過后述的頂部搬送系統把初縮掩模板從分別放置在初縮掩模板運載盤281、282內的狀態下通過搬入搬出口22A、22B搬出。
在位于搬入搬出口22A、22B的大致正上方的潔凈室的頂板上，沿著Y軸方向延伸設置有(敷設)軌道Hr，是在初縮掩模板放置在初縮掩模板運載盤內的狀態下傳送初縮掩模板的稱為OHV(高架車)或者OHT(高架傳輸系統)的頂板搬送系統(以下稱為“OHV”)26的軌道。
其中，初縮掩模板運載盤281、282使用SMIF(標準機械接口)模板艙，是能夠在上下方向上以規定間隔隔開放置多個初縮掩模板的底部開口型密閉型容器。而且，后面將進一步對所述初縮掩模板運載盤281、282進行說明。
圖2中示出從-Y方向向+Y方向看圖1的主體腔12而且剖開一部分的側視圖。而且，圖3中示出主體腔12的沿著平行于XY平面的面的剖面省略一部分的圖。下面根據所述圖2和圖3說明主體腔12內部結構的各部分。
主體腔12內如圖2和圖3所示，裝有曝光裝置主體30、作為掩模傳送系統的初縮掩模板傳送系統32、異物檢測裝置34和圖中未示出的晶片傳送系統等。
上述曝光裝置主體30如圖2所示具有照明單元ILU，用從激光器件14發出的脈沖紫外光照明初縮掩模板R；初縮掩模板臺RST，作為支撐初縮掩模板R的掩模臺；投影光學系統PL，把從初縮掩模板R出射的照明光(脈沖紫外光)投影到晶片W上；以及晶片臺WST，作為支撐晶片W的基板臺，等。而且，曝光裝置主體30具有支撐初縮掩模板臺RST、投影光學系統PL和晶片臺WST等的主體柱36等。
上述照明單元ILU例如具有照明系統罩40；可變光衰減器，以規定位置關系設置在所述照明系統罩40內；光束整形光學系統；光學積分器(復眼透鏡、棒形(內反射型)積分器或者衍射光學元件等)、聚光光學系統、振動反射鏡、照明系統開口光闌、中繼透鏡系統、初縮掩模板擋板、主會聚透鏡、反射鏡和透鏡系統等，以均勻亮度分布照射支撐在初縮掩模板臺RST上的初縮掩模板R上的規定照明區域(在Y軸方向直線延伸的狹縫狀或者矩形狀的照明區域)。其中，照射在初縮掩模板R上的巨型狹縫狀的照明光設定為在圖2中的投影光學系統PL的圓形投影視場的中央在Y軸方向(非掃描方向)細長延伸，設定為它的照明光在X軸方向上(掃描方向)的寬度大致一定。
作為照明單元ILU，例如可以使用與特開平1-259533號公報和與之對應的5,307,207號美國專利中公開的相同結構。本國際申請中指定的指定國或者選擇的選擇國的國內法允許的范圍內，引用上述公報和美國專利公開的內容作為本說明書內容的一部分。
上述主體柱36具有分別通過設置在基礎板BP上的多根(這里是4根)支撐部件42和固定在各個支撐部件42上部的防振單元44大致水平支撐的鏡筒固定盤46、從所述鏡筒固定盤46的下面向下懸吊的懸吊柱48、以及設置在鏡筒固定盤46上的支撐柱52。
上述防振單元44構成為包括分別在支撐部件42上部順序(并列)排列的能夠調整內壓的空氣彈簧和音圈電動機。通過防振單元44，把從臺面F通過基板BP和支撐部件42傳遞到鏡筒固定盤46的微振動隔離到μG級。
上述鏡筒固定盤46由鑄件等構成，它的中央部形成有正面看(從上方看)為圓形的開口，投影光學系統PL從上方插入其內部，使投影光學系統的光軸方向為Z軸方向。投影光學系統PL的鏡筒部的外周部設置有與該鏡筒部一體化的法蘭FLG，投影光學系統PL通過該法蘭FLG安裝在鏡筒固定盤46上。
上述懸吊柱48具有晶片固定盤54、大致水平懸吊支撐所述晶片底座固定盤54的4根懸吊部件56。
而且，支撐柱52具有在鏡筒固定盤46上面圍繞投影光學系統PL埋設的4個腳58、通過這些腳58大致水平支撐的初縮掩模板底座固定盤60。而且，在鏡筒固定盤46的上面設置有從下方支撐照明單元ILU的一部分的圖中未示出的支撐部件。
上述初縮掩模板臺RST設置在構成支撐柱52的上述初縮掩模板固定盤60上。初縮掩模板臺RST被例如包括直線電動機等的初縮掩模板臺驅動系統62(圖1中未示出，參照圖5)驅動，在初縮掩模板固定盤60上沿著X軸方向以大行程直線驅動初縮掩模板R，而且在本實施例中構成至少在Y軸方向和θz方向(圍繞Z軸的旋轉方向)也可以進行微小驅動。
在上述初縮掩模板臺RST的一部分上安裝有反射來自初縮掩模板激光干涉儀64的長度測量光束的移動鏡65，所述初縮掩模板激光干涉儀64是用于測量上述初縮掩模板臺RST的位置和移動量的位置檢測裝置。初縮掩模板激光干涉儀64固定在初縮掩模板固定盤60上，以固定在投影光學系統PL上端部側面的固定鏡Mr為基準，能夠以例如0.5～1nm級的分辨率檢測初縮掩模板臺RST在XY平面內的位置(包括θz方向旋轉)。而且，最好通過鏡面加工將初縮掩模板臺RST的端面形成為反射面(相當于上述移動鏡65的反射面)。
通過初縮掩模板激光干涉儀64檢測的初縮掩模板臺RST(即初縮掩模板R)的位置信息(或者速度信息)傳送到主控制裝置50(參照圖5)。主控制裝置50控制初縮掩模板臺驅動系統62，使基本上從初縮掩模板激光干涉儀64輸出的位置信息(或者速度信息)與指令值(目標位置、目標速度)一致。
這里，上述投影光學系統PL的物面(初縮掩模板R)一側和像面(晶片)一側兩者具有遠心的圓形的投影視場，使用石英、螢石作為光學材料只由折射光學元件(透鏡)構成的1/4、1/5或者1/6縮小倍率的折射光學系統。因此，如果脈沖紫外光照射到初縮掩模板R上，來自初縮掩模板R上的電路圖形區域內的被脈沖紫外光照射的部分的成像光束入射到投影光學系統PL，它的電路圖形部分的倒像在脈沖紫外光各個脈沖照射程度內在投影光學系統PL的像面側的圓形視場的中央受狹縫狀或者矩形狀(多交形)的限制成像。這樣，投影的電路圖形的部分倒像被縮小轉印在投影光學系統PL的成像面上設置的晶片W上的多個照射區域中的一個照射區域表面的抗蝕層上。
上述晶片臺WST排列在構成上述懸吊柱48的晶片底座固定盤54上，例如通過包括直線電機等的晶片臺驅動系統66(圖2中未示出，參照圖5)在XY平面內自由驅動。
利用真空吸附等通過晶片夾等把晶片固定在晶片臺WST的上面。晶片臺WST的XY平面位置以及旋轉量((水平)偏轉量、(左右)滾動量、(前后)俯仰量)利用晶片激光干涉儀72以規定的分辨能力例如0.5～1nm級的分辨率實時測量，該干涉儀以固定在投影光學系統PL的鏡筒下端的參考鏡Mw為基準，測量固定在晶片臺WST的一部分上的移動鏡70的位置變化。該晶片激光干涉儀72的測量值供給主控制裝置50(參照圖5)。而且，最好通過鏡面加工把晶片臺WST的端面形成為反射面(相當于上述移動鏡70的反射面)。
上述一個初縮掩模板運載盤281如圖2所示具有上下方向上以規定間隔容納初縮掩模板R的多層(這里是6層)容納架被一體設置的運載盤主體74、從上方嵌合在該運載盤主體74上的蓋76、設置在運載盤主體74底部的鎖住蓋76的圖中未示出的鎖緊機構。
另一個初縮掩模板運載盤282也具有與初縮掩模板運載盤281同樣的結構。
對應于初縮掩模板運載盤281、282的結構，在搬入搬出初縮掩模板運載盤281、282的口22A、22B(參照圖1、圖3)上，如圖2所示，在Y軸方向上以規定間隔分隔設置有比初縮掩模板運載盤281、282的運載盤主體74大一圈的大開口781、782(但是，省略在圖2中紙面里側的開口782的圖示)。
一個開口781通常用構成圖2所示的開閉裝置80A的開閉元件82堵塞。該開閉元件82真空吸附或者機械連接結合在從搬入搬出口22A搬入的初縮掩模板運載盤(例如初縮掩模板運載盤281)的運載盤主體74的底面，而且具有解除設置在所述運載盤主體74上的圖中未示出的鎖緊機構的圖中未示出的結合、鎖緊解除機構。
開閉裝置80A具有開閉元件82、該開閉元件82被固定在其上端面，以Z軸方向為軸方向的驅動軸84、使該驅動軸84在上下方向上(Z軸方向上)驅動的驅動機構86。利用該開閉裝置80A，通過開閉元件82的結合、鎖緊解除機構解除鎖緊機構，而且在結合在運載盤主體74之后，通過使開閉元件82向下方移動規定量，在主體腔12的內部與外部隔離的狀態下，能夠把支撐多個初縮掩模板的運載盤主體74與蓋76分離。該開閉裝置80A由主控制裝置50控制(參照圖5)。
另一個開口782通常通過與構成上述開閉裝置80A相同的開閉裝置80B(參照圖5)的開閉元件閉塞。而且，與上述方式相同，能夠通過開閉裝置80B把從搬入搬出口22B搬入的構成初縮掩模板運載盤(例如初縮掩模板運載盤282)的運載盤主體和蓋分離。該開閉裝置80B通過主控制裝置50控制(參照圖5)。
在主體腔12內的開閉裝置80A、80B的+X側設置有多關節機械手(以下簡稱為“機械手”)88。該機械手88具有伸縮和在XY面內旋轉的自由臂90、驅動該自由臂90的驅動部92。該機械手88的沿著在Z軸方向延伸的支柱導軌94上下移動的YZ截面搭載在L字狀的滑塊96的上面。因此，機械手88的臂90除了伸縮和在XY面內旋轉之外，也可以上下移動。而且，滑塊96的上下移動通過一體設置在該滑塊96上的未示出的可動件和延伸設置在支柱導軌94內部的Z軸方向上的未示出的固定件構成的Z軸直線電動機98(參照圖5)實現。
上述支柱導軌94如同結合圖2和圖3所看到的一樣，設置在主體腔12內沿著Y軸方向延伸的Y導軌100的上方。支柱導軌94與固定在它的下端面的滑塊102一體沿著Y導軌100移動。即，在滑塊102上設有未示出的可動件，該可動件和構成Y軸直線電動機104的(參照圖5)的未示出的固定件設置在導軌100上。通過Y軸直線電動機104，在Y軸方向上與支柱導軌94一體地驅動機械手88。
在本實施例中，機械手88的驅動部92、Z軸直線電動機98、和Y軸直線電動機104等均受主控制裝置50控制(參照圖5)。
而且，主體腔12內-X側距離構成上述支撐柱52的初縮掩模板固定盤60規定距離的位置上，設置有中間交接部106，前面的初縮掩模板R暫時放置在初縮掩模板臺RST上的承載器上。該中間交接部106由通過圖中未示出的支撐部件水平支撐的臺子108和設置在該臺子108上的多個支撐銷釘(省略圖示)構成。
而且，在中間交接部106和初縮掩模板固定盤60的+Y側上，如圖3所示，設有在X軸方向延伸的X軌道110。該X軌道110上設有初縮掩模板裝載機114，通過上下移動-滑動機構112(圖2和圖3中未示出，參照圖5)沿著X軌道110在X軸方向驅動，而且由也可以在上下方向上在規定范圍內驅動的臂構成。初縮掩模板裝載機114通過上下移動-滑動機構112由主控制裝置50控制(參照圖5)，在中間交接部106和初縮掩模板臺RST之間傳送初縮掩模板R。
而且，也可以在初縮掩模板裝載機114設置有裝載機臂和卸載臂，來縮短在中間交接部106和初縮掩模板臺RST之間進行的初縮掩模板交換所需要的時間。
而且，Y導軌100的+側端部的上方設置有上述異物檢測裝置34，用于檢測初縮掩模板R上薄膜上是否附著有異物(主要是微粒)和異物的大小。該異物檢測裝置34使用這樣的裝置，即把例如小點狀的激光照射在初縮掩模板R上或者薄膜上，接收其反射光，判斷是本來應有的圖形還是異物。利用該異物檢測裝置34同時檢測利用機械手88搬入的初縮掩模板R的圖形面和它的反面(稱為玻璃面)，把其檢測結果(例如包括可能轉印其異物的信息)傳輸給主控制裝置50(參照圖5)，在圖中未示出的顯示器上以圖的形式表示。主控制裝置50只把異物檢測結果良好的初縮掩模板R通過機械手88的臂90搬入后述的緩沖裝置116內。一方面，主控制裝置50把異物檢測結果不好的初縮掩模板R搬入預定后面搬出的初縮掩模板運載盤(例如初縮掩模板運載盤281、282中規定的一個)內的空容納架內。
而且，上述說明中，雖然異物檢測裝置34以初縮掩模板R的圖形面和玻璃面作為檢測面，判斷是否有異物和異物的大小等，但是在初縮掩模板R的至少圖形面上設有薄膜時，也可以只把其薄膜表面或者把初縮掩模板R的圖形面和玻璃面中的至少一個面作為檢測面，進行相同的檢測。
這里，如果異物檢測結果好，稱為可能轉印的異物沒有附著在初縮掩模板R上的狀態，如果異物檢測結果不好，意味著可能轉印的異物已附著在初縮掩模板R上的狀態。
如上所述，本實施例中，初縮掩模板R不限于必須返回到搬入主體腔12內時所放置的初縮掩模板運載盤上，也可以返回其他的初縮掩模板運載盤。為了實現這樣管理初縮掩模板R，在本實施例中，搬入異物檢測裝置34內的初縮掩模板R的傳送路徑中途設置有條形碼讀出器118，通過該條形碼讀出器118讀出記錄在附設在各個初縮掩模板上的關于該初縮掩模板信息的條形碼。通過該條形碼讀出器118讀出的各個初縮掩模板的信息被送給主控制裝置50，該主控制裝置50根據該初縮掩模板信息分別管理初縮掩模板。
而且，條形碼讀出器118也可以設置在搬出口22A、22B和緩沖裝置116之間。而且，關于初縮掩模板信息的記錄并不限于條形碼，也可以使用二元編碼或者文字、數字等實現，在這樣的情況下，也可以與此相應的讀出裝置，來代替條形碼讀出器設置。
返回圖1，在主體腔12內部-X側端部，而且在Y軸方向的中央部分附近位置上，在通過上述FOUP搬入搬出口20搬入的FOUP 24的容納空間的斜上方，設置有緩沖裝置116。在這種情況下，在FOUP24的容納空間和設置緩沖裝置116的空間通過圖中未示出的隔壁隔開。在該隔壁的下方設置圖中未示出的晶片傳送系統。
上述緩沖裝置116，這里使用可以容納多個(例如14個)初縮掩模板，而且能夠出入的密閉式裝置。更詳細地說明，緩沖裝置116如圖4放大所示，具有基座120、固定在該基座120上的一個面(前面)開口的箱形緩沖裝置主體殼體122、安裝在該緩沖裝置主體殼體122的背面上的空氣噴出機構124、在緩沖裝置主體殼體122的內部空間在上下方向以規定間隔設置的14段容納架126、作為開閉緩沖裝置主體殼體122的前面的開閉機構的開閉門128。
上述空氣噴出結構124具有閉塞緩沖裝置主體殼體122的背面的具有規定厚度的中空的長方體形狀的殼體(外殼)。在該殼體與緩沖裝置主體殼體122的隔壁上以規定間隔形成多數噴出口(省略圖示)。構成空氣噴出機構124的殼體內部，通過與它的上壁連接的供氣管130供給干燥空氣。該干燥空氣通過例如通過空氣泵132(參照圖5)從工廠內設置的大型空氣罐(省略圖示)供給。在這種情況下，在從空氣罐到供氣管130的干燥空氣供給路徑上，設置有HEPA過濾器或者ULPA過濾器等去除微粒的空氣過濾器，通過該空氣過濾器把除去微粒的潔凈干燥空氣通過空氣噴出機構124供給緩沖裝置主體殼體122內。空氣泵132的接通和斷開由主控制裝置50控制(參照圖5)。
即，本實施例中，通過包括空氣罐、空氣泵132、供氣管130的供氣路徑和空氣噴出機構124，構成能夠把作為潔凈氣體的潔凈空氣供給緩沖裝置116內更準確地說是緩沖裝置主體殼體122內的氣體供給機構134，由主控制裝置50控制通過該空氣供給機構134供給潔凈空氣和停止供給潔凈空氣(參照圖5)。
而且，并不限于從上述空氣罐供給潔凈空氣，例如為了主體腔12內的空調，在通過空調裝置向主體腔12供給空氣的空氣供給路徑上設置分支路徑，通過該分支路徑把空氣送入空氣噴出機構124內也可。即使在這種情況下，也希望送入空氣噴出機構124內的空氣經過空氣過濾器。
而且，由于潔凈室內的空氣含有塵埃以外的離子和有機物等雜質，最好設置化學過濾器，除去雜質，送入化學上純凈的空氣。而且，代替干燥空氣，也可以使用氮氣或者氦氣等惰性氣體。
上述開閉門128通過圖4和圖5所示的門開閉機構136開閉。該門開閉機構136具有固定在緩沖裝置主體殼體122的+Y側的側壁的+X側端部上的在Z軸方向上延伸的軸承部件138、可旋轉地被該軸承部件138支撐的、在Z軸方向延伸的支撐軸(旋轉軸)140、固定在該軸承部件138下端的電動機殼體142。更詳細地說，軸承部件138除圓筒狀部件的一部分上端和下端，切除剩余部分，它的切除部分的截面形狀由中心角為240°的2/3的圓弧狀部分構成，通過該軸承部件138的上端部和下端部上分別設置的軸承支撐支撐軸140。在這種情況下，由于在該支撐軸140上固定有開閉門128，開閉門128可以以支撐軸140為中心，在大約120°范圍內旋轉。電動機殼體142內裝有旋轉電動機和把電動機的旋轉減速傳輸到支撐軸140的減速機構。因此，旋轉電動機通過控制裝置50控制，實現開閉門128的開閉。這樣，實際上，通過旋轉電動機控制開閉門128的開閉，但是下面，為了方便，對門開閉機構136通過主控制裝置50控制實現開閉門128的開閉進行說明。
其中，在開閉門128的開閉狀態下，在開閉門128接觸的緩沖裝置主體殼體122的接觸面上，設有圖中未示出的密封墊等密封部件，在開閉門128的開閉狀態下，緩沖裝置主體殼體122的內部成為密封狀態。
圖5中簡單示出本實施例中的曝光裝置100的控制系統構成。該控制系統構成為以由工作站(或者微型機計算機)構成的作為控制裝置的主控制裝置50為中心。主控制裝置50除了執行目前所說的各種控制之外，還綜合控制整個裝置。
下面，對本實施例的曝光裝置10中的初縮掩模板的一系列傳送操作以及曝光操作進行簡要說明。
作為前提，初縮掩模板運載盤282搬入搬入搬出口22B內，而且該初縮掩模板運載盤282內的初縮掩模板整個容納在緩沖裝置116內，而且，構成初縮掩模板運載盤282的運載盤主體74通過搬入搬出口22B下方，由構成開閉裝置80B的開關部件82支撐。而且，在下面，為了避免說明的復雜化，省略說明關于在各部件之間交接初縮掩模板時真空的接通和斷開的描述。
a、首先，根據主控制裝置50的指示，例如通過OHV 26把容納6個初縮掩模板R的初縮掩模板運載盤281搬入搬入搬出口22A內。如果確認初縮掩模板運載盤281搬入搬入搬出口22A內，主控制裝置50通過構成開閉裝置80A的驅動機構86，向上方驅動驅動軸84達到規定量，使開關部件82卡合在初縮掩模板運載盤281的運載盤主體74內，而且通過卡合、鎖緊機構解除機構解除初縮掩模板運載盤281的鎖緊機構。因此，主控制裝置50通過驅動機構86向下方驅動驅動軸84達到規定量。這樣，卡合運載盤主體74的開關部件82與驅動軸84一體向下方移動規定量，在主體腔12的內部與外部隔離的狀態下，初縮掩模板運載盤281的底部打開，即，支撐初縮掩模板R的運載盤主體74與蓋76上分離。圖2中示出該運載盤主體74與蓋76分離的狀態。此時，機械手88在大致與開閉裝置80A相對置的位置上待機。
b、然后，通過主控制裝置50，通過機械手88的驅動部92使臂90插入支撐在開關部件82上的運載盤主體74的最下段的容納架上所保持的初縮掩模板R的下方。然后，主控制裝置50通過Z軸直線電動機98稍微向上驅動機械手88。這樣，通過臂90從下方支撐初縮掩模板R。
c、然后，主控制裝置50通過驅動部92收縮臂90，從運載盤主體74取出初縮掩模板R，同時控制Y軸直線電動機104使機械手88移動到異物檢測裝置43的前方。在該移動中途，通過條形碼讀出器118讀出關于臂90支撐的初縮掩模板R的信息，把它的信息發送至異物檢測裝置34的控制系統和主控制裝置50。
d、然后，主控制裝置50通過機械手88的驅動部92，使臂90進入異物檢測裝置34內，它的臂90所支撐的初縮掩模板R經過異物檢測裝置34后，臂90退出到異物檢測裝置34的外部。這樣，在異物檢測裝置34內對初縮掩模板R進行異物檢測，它的檢測結構在圖中未示出的顯示器上顯示，而且傳輸到主控制裝置50。這里，為了省略說明，異物檢測結構為良好。
e、主控制裝置50如果確認上述異物檢測的結果良好，通過機械手88的驅動部92使臂90進入異物檢測裝置34內，取出異物檢測結束的初縮掩模板R，而且通過Z軸直線電動機98向上機械手88到圖2所示的假想線88′所表示的位置附近。
f、在上述機械手88上升的同時，主控制裝置50通過門開閉機構136打開緩沖裝置116的開閉門128，同時接通構成氣體供給機構134的泵132。這樣，從氣體噴出機構124開始向緩沖裝置主體殼體122內供給干燥空氣。
g、然后，主控制裝置50通過驅動部92使臂90旋轉和伸縮，使支撐初縮掩模板R的臂90進入緩沖裝置主體殼體122內的規定空段的容納架126的上方之后，使機械手88稍微下降把初縮掩模板R轉交給它的容納架。
h、然后，主控制裝置50通過機械手88的驅動部92，使臂90退避到緩沖裝置主體殼體122外之后，通過門開閉機構136閉鎖緩沖裝置116的開閉門128，同時斷開構成氣體供給機構134的泵132。這樣，停止從氣體噴出機構124向緩沖裝置主體殼體122內供給干燥空氣。
i、然后，主控制裝置50使機械手88移動到大致對著開閉裝置80A的位置上之后，反復上述b～h的操作。此時，在異物檢測結果對于任何一個初縮掩模板都良好的情況下，初縮掩模板運載盤281內的初縮掩模板被順次搬入緩沖裝置116內。
j、一方面，主控制裝置50對于異物檢測結果不良的初縮掩模板不搬入緩沖裝置116內，通過機械手88搬入初縮掩模板運載盤282的運載盤主體74內。這樣是為了能夠預先防止把附著有微粒的初縮掩模板傳送到初縮掩模板臺RST上，發生曝光不良的情況，并為了把初縮掩模板運載盤282一方先于初縮掩模板運載盤281搬出。而且，判斷異物檢測結果不好的初縮掩模板的信息，通過主控制裝置50通知控制包括OHV 26等的外部傳送系統的控制裝置，通過該控制裝置，順次制備形成有與那些判斷為不良的初縮掩模板相同圖形的另外的初縮掩模板，順次容納在用于傳送剩余的第13個初縮掩模板和第14個初縮掩模板的另一個初縮掩模板運載盤(為了方便成為初縮掩模板運載盤283)。
而且，操作者看著顯示器畫面，也能夠通過手工操作傳送系統把形成有與判斷為不良的初縮掩模板相同圖形的另外的初縮掩模板順次容納在初縮掩模板運載盤283內。
k、然后，在把初縮掩模板運載盤281內的全部初縮掩模板搬出完畢后，主控制裝置50以與前述順序相反的順序，使用開閉裝置80B使構成初縮掩模板運載盤282的運載盤主體74與蓋76一體化，為通過OHV 26搬出待機。
l、然后，如果通過OHV 26把初縮掩模板運載盤282從搬入搬出口22B搬出，根據主控制裝置50的指示，通過OHV 26把初縮掩模板運載盤283搬入搬入搬出口22B。
而且，操作者通過手工操作，能夠把初縮掩模板運載盤283搬入搬入搬出口22B。
m、然后，按照與上述相同的順序，把初縮掩模板運載盤283內的初縮掩模板順次搬入緩沖裝置主體殼體122內。
這樣，在緩沖裝置主體殼體122內存放開始預定的用于曝光的14種初縮掩模板R。
然后，在實際進行曝光時，在曝光之前，把緩沖裝置116內的初縮掩模板R以如下方式搬入初縮掩模板臺RST上。
n、首先，主控制裝置50通過Z軸直線電動機98把機械手88上升驅動到圖2中的假想線88′所示的位置附近。
在上述機械手88上升的同時，主控制裝置50通過門開閉機構136打開緩沖裝置116的開閉門128，同時接通構成氣體供給機構134的泵132。這樣，開始從氣體噴出機構124向緩沖裝置主體殼體122內供給干燥空氣。
o、然后，主控制裝置50通過驅動部92使臂90旋轉和伸縮，使臂90進入緩沖裝置主體殼體122內的規定的容納架126的上方之后，稍微上升驅動機械手88。這樣，初縮掩模板R從容納架126移載到臂90上。然后，主控制裝置50通過機械手88的驅動部92讓臂90把初縮掩模板R搬出緩沖裝置主體殼體122外之后，通過門開閉機構136鎖緊緩沖裝置116的開閉門128，同時斷開構成氣體供給機構134的泵132。這樣，停止從氣體噴出機構124向緩沖裝置主體殼體122內供給干燥空氣。
p、然后，主控制裝置50通過Z軸直線電動機98把機械手88下降驅動到圖2中的假想線88″所示的位置，而且，通過驅動部92使臂90旋轉和伸縮，把初縮掩模板R放置在中間交接部106上(參照圖3中的假想線90′)。然后，主控制裝置50通過機械手88的驅動部92使臂90從中間交接部106退避之后，通過上下移動-滑動機構112使初縮掩模板模板艙114移動到-X方向的移動限位位置，稍微向上方驅動。這樣，把放置在中間交接部106上的初縮掩模板R移放到初縮掩模板模板艙114上。
q、然后，主控制裝置50通過上下移動-滑動機構112使支撐初縮掩模板R的模板艙114移動到+X方向的移動限位位置，把初縮掩模板R傳送到位于裝載位置的初縮掩模板臺RST上。圖3中示出在傳送初縮掩模板R中途的初縮掩模板模板艙114。然后，主控制裝置50通過上下移動-滑動機構112使初縮掩模板模板艙114稍微向下方驅動之后，把在-X方向驅動規定量的初縮掩模板模板艙114從初縮掩模板固定盤60上退避開。
這樣，能夠實現把初縮掩模板R裝載到初縮掩模板臺RST上。
然后，在完成了把初縮掩模板R裝載到初縮掩模板臺RST上后，主控制裝置50根據操作者的指示，設定用適當曝光量(目標曝光量)掃描晶片W上的各個照射區域的各種曝光條件。
然后，主控制裝置50按照規定的順序用圖中未示出的初縮掩模板顯微鏡和圖中未示出的離軸對準傳感器等進行初縮掩模板對準、基線測量等，然后，使用對準傳感器等進行晶片W的精確對準(EGA(增強整片對準)等)，求晶片W上的多個照射區域的排列坐標。
而且，關于上述初縮掩模板對準、基線測量等的準備作業，在例如特開平4-324923號公報和與此對應的美國專利第5243195中詳細地公開了，而且，對于與此相關聯的EGA，在例如特開昭61-44429號公報和與此對應的美國專利第4780617等中詳細地公開了，在本國際申請中指定的指定國或者選擇的選定國家的國內法允許的范圍內，援引上述各個公報和與之相對應的美國專利中公開的內容作為本說明書中的一部分。
這樣，在晶片W曝光的準備工作完成后，主控制裝置50根據對準結果，一邊監視晶片激光干涉儀72的檢測值一邊控制晶片臺驅動系統66，使晶片臺WST移動到晶片W的第一照射的曝光的掃描開始位置(開始加速位置)。
因此，主控制裝置50通過初縮掩模板臺驅動系統62和晶片臺驅動系統66使初縮掩模板臺RST和晶片臺WST沿X軸方向開始掃描。如果兩個臺RST、WST分別達到目標掃描速度，開始用脈沖紫外光照射初縮掩模板R的圖形區域，開始掃描曝光。
在開始掃描曝光之前，通過激光控制裝置144使激光器件14開始發光，但是由于利用主控制裝置50控制構成初縮掩模板遮擋裝置的可動遮光板的各個可動板的移動與初縮掩模板臺RST的移動同步，防止初縮掩模板臺RST上的圖形區域外被脈沖紫外光照射。
因此，初縮掩模板R的圖形區域的不同區域被脈沖紫外光逐次照明，對于整個圖形區域完成照明，晶片W上的第一照射掃描曝光結束。這樣，初縮掩模板R的圖形通過投影光學系統PL縮小轉印到第一照射內。
這樣，如果第一照射掃描曝光結束，利用主控制裝置50通過晶片臺驅動系統62使晶片臺WST在X、Y軸方向上步進移動，移動到第二照射曝光的開始掃描位置(開始加速位置)。在步進移動時，主控制裝置50根據檢測晶片臺WST的位置(晶片W的位置)的晶片激光干涉儀72的檢測值，實時檢測晶片臺WST的X、Y、θz、θx和θy方向的位置變化。根據該檢測結果，主控制裝置50控制晶片臺驅動系統66，控制晶片臺WST的位置，使晶片臺WST的XY位置變化成為規定狀態。
因此，利用主控制裝置50對于第二照射進行與上述相同的掃描曝光。
這樣，反復進行用于晶片W上的照射掃描曝光和次照射曝光的步進動作，初縮掩模板R的圖形順序轉印在晶片W上的曝光對象的所有照射點上。
一方面，在使用裝載在初縮掩模板臺RST上的初縮掩模板R曝光結束后，以與上述裝載初縮掩模板時相反的順序把初縮掩模板R放回緩沖裝置116內。
然后，主控制裝置50需要根據曝光所使用的初縮掩模板R，以同上述相同的順序，從緩沖裝置116內取出，裝載在初縮掩模板臺上進行曝光，曝光結束之后，與上所述方式相同，返回緩沖裝置116。
從前面的說明可以明白，本實施例中利用開閉裝置80A、80B、機械手88、Z軸直線電動機98、Y軸直線電動機104、初縮掩模板模板艙114和上下移動-滑動機構112，構成作為掩模傳送系統的初縮掩模板傳送系統32，在搬入搬出口22A、22B和緩沖裝置116及初縮掩模板臺RST三者之間傳送作為掩模的初縮掩模板。
如上所述，利用本實施例的曝光裝置10，能夠在緩沖裝置116內存放經長時間曝光所需要數量的初縮掩模板R。而且，由于上述初縮掩模板傳送系統32在搬入搬出口22A、22B和緩沖裝置116及初縮掩模板臺RST三者之間傳送初縮掩模板，不需要通過操作者的手工操作交接初縮掩模板運載盤(掩模裝載裝置)的作業。而且，緩沖裝置116不必設置在初縮掩模板臺RST的附近。
而且，在開閉門128開閉的狀態下，緩沖裝置116內(緩沖裝置主體殼體122內)能夠相對于外部維持氣密狀態，能夠防止來自外面的氣體和顆粒以及雜質等污染物質混入緩沖裝置116內，附著在初縮掩模板R上。而且，初縮掩模板R放入緩沖裝置116內或者從中取出時，必然打開開閉門128，但是在打開開閉門128的同時利用主控制裝置50通過氣體供給機構134把潔凈的干燥空氣供給緩沖裝置116內，在128打開狀態期間，時常連續向緩沖裝置供給干燥空氣。因此，在初縮掩模板R放入緩沖裝置116內或者從中取出時能夠有效地防止顆粒等污染物質附著在初縮掩模板上。
但是，在放置曝光裝置主體30的主體腔12的內部，通常通過圖中未示出的空調裝置大致維持在規定的目標溫度、目標壓力，而且潔凈度維持在1級凈度水平。可是，由于通常主體腔12內相對于外部為正壓，不存在來自外面的氣體和顆粒等污染物質混入的憂慮。因此，緩沖裝置116不必是密閉結構。基于同樣的理由，也不必設置上述氣體供給機構134。
可是，在維護曝光裝置主體30或者初縮掩模板傳送系統32等的時候，由于大面積的開閉門18A、18B等被打開，此時外部氣體混入主體腔12內，使主體腔12內的潔凈度降低是不可避免的。
在本實施例的曝光裝置10中，由于緩沖裝置116是密閉式的，而且只有在初縮掩模板進出時打開開閉門128，假設即使在維護時主體腔12內的潔凈度降低，也能夠大致確實防止顆粒等污染物質附著在緩沖裝置116內的初縮掩模板上。
而且，在本實施例的曝光裝置10中，如上所述，初縮掩模板R在放置在密閉式初縮掩模板運載盤281、282內的狀態下搬入主體腔12的搬出口22A、22B，在主體腔12的內部與外部氣體隔離的狀態下把初縮掩模板R放入主體腔12內。而且，由于主體腔12內的潔凈度維持1級凈度水平，能夠有效地抑制在主體腔12內顆粒等污染物質附著在初縮掩模板上。
因此，本實施例的曝光裝置10中，由于能夠長期防止顆粒等污染物質附著在初縮掩模板，導致初縮掩模板的曝光精度降低，因此能夠長期維持使用該初縮掩模板的高精度曝光。
而且，如上所述，由于主體腔12內能夠有效地防止顆粒或者雜質等污染物質附著在初縮掩模板，因此只在搬入緩沖裝置116內之前進行異物檢測就足夠了，不必屢次進行異物檢測。結果，能夠簡化包括異物檢測的控制程序。當然，也可以規定的間隔進行異物檢測，在這種情況下，所述間隔也可以設定得寬一些。
而且，主體腔12內不設置異物檢測裝置34也可以，例如把在主體腔12的外部進行異物檢測的初縮掩模板直接放置在密閉式的初縮掩模板運載盤內，搬入主體腔12內也可以。
而且，在上述實施例中，只對搬入搬出初縮掩模板時進行緩沖裝置116的開閉門128開閉的情況進行了說明，但是當然本發明并不限于這些。例如，通常使緩沖裝置116的開閉門128預先打開，在打開主體腔12的開閉門18A、18B等時，由主控制裝置50檢測到這一點，再立即開閉開閉門128也可以。這是通過在開閉門18A、18B或者主體腔12中的任何一個上安裝檢測開閉門18A、18B等打開的傳感器，根據該傳感器的輸出，主控制裝置50檢測開閉門18A、18B的打開而實現的。
或者，也可以利用主控制裝置50檢查主體腔12內的空氣潔凈度，在空氣的潔凈度比規定值高時，控制緩沖裝置116的開閉門128處于打開狀態，在空氣的潔凈度比規定值低時，控制緩沖裝置116的開閉門128處于開閉狀態。這樣是通過例如在主體腔12內設置顆粒檢查傳感器，主控制裝置50根據該傳感器的輸出檢測主體腔12內的潔凈度而實現的。而且，如果是這樣，例如在維護時，主體腔12的開閉門18A、18B等打開，維護結束后開閉這些門之后，再打開主體腔12內的空調的情況下，如果主體腔12內的空氣潔凈度比規定值高，自動打開緩沖裝置116的門。
而且，也可以不檢測空氣潔凈度而檢測雜質濃度，或者只有在門開閉之后經過規定時間才禁止打開緩沖裝置116也可以。
而且，上述實施例的緩沖裝置116內，也可以在使用開閉門128的同時使用遮蔽膜即空氣幕簾作為開閉機構，或者代替128，所述遮蔽膜在主體腔12的開閉門18A、18B等打開時，鎖緊設置在緩沖裝置116上的初縮掩模板出入口，是由垂直向下流動的高速氣體流構成的遮蔽膜，例如垂直向下流動的高速空氣流構成的遮蔽膜。利用這樣高速氣體流構成的遮蔽膜，能夠排除外部氣體混入緩沖裝置116內，能夠防止熱量移動，因此能夠防止、有效地抑制顆粒等污染物質附著在緩沖裝置116內的初縮掩模板上。主控制裝置50根據主體腔12的門的開閉狀態，或者根據主體腔12內的空氣潔凈度控制空氣幕簾的接通和斷開。
而且，在緩沖裝置116使用開放式的緩沖裝置的情況下，希望從氣體供給機構134時常向緩沖裝置內供給潔凈(除了意味著幾乎不含顆粒等之外，還意味著化學潔凈)的氣體，例如干燥空氣。這樣，主體腔12內能夠存放必要數量的初縮掩模板，而且即使在維護時等主體腔12的門打開的情況下，也能夠有效地抑制顆粒等污染物質混入緩沖裝置內。
而且，不管開閉門18A、18B的打開或者開閉，通過氣體供給機構134時常向緩沖裝置116內供給潔凈氣體也可以，或者在緩沖裝置116內充滿潔凈氣體時大致密閉緩沖裝置也可以。而且，只有在開閉門18A、18B打開期間，通過氣體供給機構134向緩沖裝置116內供給潔凈氣體也可以，或者在打開之前，使緩沖裝置116內充滿潔凈氣體，變成大致密閉狀態也可。任何一種情況下，緩沖裝置116內長時間存放初縮掩模板的情況等，都能夠防止或者有效抑制污染物質附著在它的初縮掩模板上。
而且，氣體供給機構134只在開閉門128打開過程中，向緩沖裝置供給潔凈氣體也可以，不管開閉門128開與關，連續供給潔凈氣體也可以。特別是，前種情況下，在開閉門128關閉期間，使緩沖裝置116內充滿潔凈氣體呈大致密閉的狀態也可以。而且，只在開閉門18A、18B中的至少一個和開閉門128同時打開期間，供給潔凈氣體也可以。
在本實施例中，通過前面說明的各種手段，抑制污染物質從緩沖裝置設置空間的外部進入緩沖裝置內，意思是通過前面說明的各種手段，能夠構成根據本發明的抑制機構，但是抑制機構并不限于這些。例如，緩沖裝置殼體用一個面上開口的箱形材料形成，它的開口部的至少一部分構成掩模(是包括初縮掩模板的意思)的出入口等情況下，能夠構成通過開閉該出入口的擋板，最好是通過快速開閉的高速擋板構成抑制機構。而且，在開口部的一部分構成掩模出入口的情況下，通過在該出入口的周圍區域內配置空氣過濾器，能夠利用該空氣過濾器構成抑制機構。而且，在開口部的一部分構成掩模出入口的情況下，也可以把緩沖裝置的殼體內的掩模支撐部構成為可以上下移動。這樣，不管抑制機構的方法如何，只要能夠有效減少從緩沖裝置設置空間的外部進入上述緩沖裝置內的污染物質量，或者使污染物質的進入量減少為零就可以，并不特別限定它的結構等。在具有這樣的抑制機構的情況下，由于能夠通過抑制機構抑制進入緩沖裝置內的污染物質，例如在緩沖裝置內長期存放掩模等情況下，能夠防止或者有效抑制污染物質附著在所述掩模上。
而且，以上述實施例說明的主體腔和緩沖裝置之外部分的結構只是作為一個例子，當然本發明并不限于這樣的結構。例如，放置曝光裝置主體30的主體腔12內的掩模容器(初縮掩模板運載盤)的搬入搬出口只設置一個也可以。在這種情況下，雖然主體腔12內只能搬入一個初縮掩模板運載盤，但是從該搬入搬出口多次搬入初縮掩模板運載盤，所述每次搬入通過初縮掩模板傳送系統32把初縮掩模板從初縮掩模板運載盤12搬入緩沖裝置116內，能夠在緩沖裝置116內容納最大限量的初縮掩模板。因此，能夠在裝置內時常保持曝光所需要足夠數量的初縮掩模板。
而且，在上述實施例中在主體腔12內設置了曝光裝置30、初縮掩模板傳送系統32、以及晶片傳送系統(省略了圖示)，但是例如，把主體腔隔離成幾個部分，分別放置曝光裝置、初縮掩模板傳送系統、晶片傳送系統也可以，或者曝光裝置、初縮掩模板傳送系統、晶片傳送系統等分別放置多個主體腔內也可以。
而且，在上述實施例中，如圖4所示，雖然對緩沖裝置116只在一側具有開閉門128的情況進行了說明，但是替代這種結構，在緩沖裝置主體殼體122的開口面設置左右對開的門也可以。
或者，使用如圖6所示的緩沖裝置216也可以。該緩沖裝置216具有緩沖裝置主體殼體122′，設置在上下方向以規定間隔隔開排列的多段(例如14段)掩模容納架126′內；固定在緩沖裝置主體殼體122′背面的空氣噴出機構124′、固定在緩沖裝置主體殼體122′下面的底座120′、從底座120′上方可拆卸的底面開口的中空箱形蓋150。在蓋150安裝在底座120′上的關閉狀態下，它的內部形成密閉空間，在蓋150從底座120′脫離的打開狀態下，與它的打開程度相應段數的掩模容納架126′被打開。
在這種情況下，采用如下結構也可以，即底座120′和緩沖裝置主體殼體122′固定，蓋150相對于此做上下方向移動，從上方蓋住緩沖裝置主體殼體122′，或者采用如下結構也可以，即蓋150固定，底座120′和緩沖裝置主體殼體122′整個相對于蓋150做上下方向移動。在后一種情況下，容納掩模的數量可以是6個左右的情況下，上述初縮掩模板運載盤(SMIF艙)作為緩沖裝置使用也可以。當然，也可以使用與圖6的情況上下相反結構的緩沖裝置。
而且，在上述實施例中，雖然設置了一個緩沖裝置，但是也可以設置兩個以上緩沖裝置。
在上述實施例和圖6所示的變形例中，對使用在單一空間內容納多個初縮掩模板的緩沖裝置的情況進行了說明，但是并不限于此，也可以設置具有能進能出分別容納初縮掩模板的多個初縮掩模板殼體的多段容納架的初縮掩模板庫，分別通過所述初縮掩模板庫和上述初縮掩模板殼體構成緩沖裝置。
圖7A～7C分別示出作為構成這樣的初縮掩模板庫的要件的各種緩沖裝置的變形例。其中，在圖7A中，通過鉸鏈安裝在把開閉的門146前面的初縮掩模板殼體148被容納在初縮掩模板庫152的各段容納架內，而且潔凈空氣供給管162通過氣動式連接器154連接到各個初縮掩模板殼體148上。在這種情況下，各個初縮掩模板殼體148內部在門146閉鎖的狀態下不是氣密狀態，是半密閉狀態。各個初縮掩模板殼體148的內部分別容納初縮掩模板R，在門146打開時，通過臂90執行所述初縮掩模板R的出入。
而且，在圖7B中，容納多個與圖7A相同的初縮掩模板殼體148的初縮掩模板庫152的上面和側面被框架156覆蓋，該框架156的背面設置有與上述空氣噴出機構124相同的空氣噴出機構160。在這種情況下，通過框架156和空氣噴出機構160的殼體構成一面(初縮掩模板臺一側的面)開口的箱子。在這種情況下，通過空氣噴出機構160遍布整個箱子內部供給潔凈空氣。這種情況下，在門146打開時，通過臂90執行初縮掩模板出入各個初縮掩模板庫148。
圖7C與圖7B相同，容納多個初縮掩模板殼體的初縮掩模板庫152的上面和側面被框架156覆蓋，該框架156的背面設置有與上述空氣噴出機構124相同的空氣噴出機構160。但是，在這種情況下，初縮掩模板殼體使用上下分離型的初縮掩模板殼體148′。這種情況下，在從各個初縮掩模板殼體148′內取出初縮掩模板R時，通過與臂90相同的傳送臂90a取出初縮掩模板殼體148′，傳送到規定的分離位置，在該位置上把初縮掩模板殼體上下分離后，通過臂90傳送。
在上述圖7A～7C的變形例中，任何一種都具有如下優點，即在緊急時，例如在初縮掩模板自動傳送系統停止的情況下，曝光裝置由于故障而停止的情況下，操作者能夠能夠取出個別的初縮掩模板(初縮掩模板殼體)。但是在圖7A的情況下，希望能夠容易地拆卸通過各個氣動式連接器連接的空氣管道，而且在圖7B、圖7C的情況下，希望能夠容易地拆卸空氣供給機構160。
而且，緩沖裝置也可以不必是上下方向并列容納多個初縮掩模板類型。因此本發明的曝光裝置中使用的緩沖裝置結構可以是任何類型的結構，重要的是只要能夠存放多個掩模(初縮掩模板)而且能夠出入就可以。
而且，雖然在上述實施例中，說明了作為掩模容器使用SMIF的多艙(6個用)的情況，但是并不限于這些，也可以使用單艙(1個用)，或者使用FOUP類型的初縮掩模板運載盤(初縮掩模板容器)也可以，而且，在上述實施例中，雖然對從空氣供給機構134向緩沖裝置內供給驅動氣體作為潔凈氣體的情況進行了說明，但是潔凈氣體也可以供給氮氣以外的其他氣體。同樣，上述空氣幕簾也可以使用氮氣等形成。在使用ArF準分子激光作為光源的曝光裝置情況下，為了防止曝光光透過率降低，有時把曝光光路中的空氣用氮氣等置換，但是在這樣的情況下，希望供給氮氣以外的其他氣體作為潔凈氣體。
而且，上述實施例的初縮掩模板傳送系統的結構只是一個例子，但不限于此，可以采用任意結構。例如，不設置中間交接部106，在緩沖裝置116和初縮掩模板臺RST之間只用滑動機構傳送初縮掩模板也可以。而且，不是必須使用OHV，操作者可以通過手工操作交接初縮掩模板。
而且，緩沖裝置116的容納數目比處理過程中使用的初縮掩模板數目少時，或者按時間序列進行多個處理過程時等，隨后使用的初縮掩模板有時沒有放置在緩沖裝置116內。在這樣的情況下，在與上述曝光處理等同時進行，在使用后把要當時使用的沒有預定的初縮掩模板從緩沖裝置116內搬出，與隨后使用的初縮掩模板進行交換也可以。例如，根據處理程序，緩沖裝置內通常是從優先順序高(使用順序在前)的地方順次放置，在使用先放置的初縮掩模板進行曝光結束的階段，把所述初縮掩模板從緩沖裝置內搬出，把使用中的初縮掩模板搬入緩沖裝置內最后放入的初縮掩模板的后面，通常，只要緩沖裝置內的初縮掩模板更新為最新狀態，對應于隨后的處理過程就可以。
而且，在上述實施例，雖然對本發明適用于步進掃描方式的掃描型投影曝光裝置中的情況進行了說明，但是并不限于這些，本發明也適用于分步重復型的曝光裝置中，在掩模與基板靜止狀態下，把掩模的圖形轉印到基板上，而且順次步進移動基板。而且，本發明也能夠適用于接近式曝光裝置中，不使用投影光學系統，使掩模和基板緊密接觸，把掩模的圖形轉印到基板上。
而且，本發明并不限于制造半導體用的曝光裝置，可以用于制造包括液晶顯示元件等的顯示器。也能夠適用于把器件圖形轉印到玻璃板上的曝光裝置、薄膜磁頭制造過程中使用的把器件圖形轉印到陶瓷晶片上的曝光裝置、以及攝像元件(CCD等)、微型機器、DNA芯片等的制造過程中使用的曝光裝置等。
而且，本發明并不限于半導體元件等微型器件等，也能夠適用于把電路圖形轉印到玻璃基板或者硅晶片等上的曝光裝置，為了制造在光曝光裝置、EUV曝光裝置、X線曝光裝置、以及電子線曝光裝置等中使用的初縮掩模板或者掩模。這里，使用DUV(遠紫外線)光和VUV(真空紫外線)光等的曝光裝置中一般使用透過型初縮掩模板，初縮掩模板基板使用石英玻璃、摻氟的石英玻璃、螢石、氟化鎂、或者水晶等。
本發明的曝光裝置并不限于使用KrF準分子激光(248nm)、ArF準分子激光(193nm)，也可以使用超高壓水銀燈作為光源。在這種情況下，最好使用g線(436nm)、i線(365nm)等發射譜線作為曝光用的照明光。而且，光源可以使用F2激光器(157nm)、Ar2激光器，或者使用金屬蒸汽激光器或者YAG激光器，也可把這些高頻波作為曝光用的照明光。或者，把DFB半導體激光器或者光纖激光器發出的紅外或者可見單一波長激光通過例如摻鉺(Er)(或者鉺和鐿(Yb)二者)的光纖放大器放大，使用非線性光學晶體波長變換為紫外光的高頻波，作為曝光用照明光也可以。
而且，投影光學系統的倍率不只限于縮小倍率，相等倍率和放大倍率也可以。而且，投影光學系統不限于折射系統，也可以使用反射折射光學系統或者反射光學系統。
半導體器件經過如下步驟制造。即設置器件的功能、性能的步驟、根據該設置步驟制造初縮掩模板的步驟、用硅材料制造晶片的步驟、通過上述實施例的曝光裝置把初縮掩模板的圖形轉印到晶片上的步驟、組裝器件的步驟(包括切割工藝、焊接工藝、封裝工藝)、以及檢測步驟。下面詳細地說明器件的制造方法。
器件制造方法圖8中示出器件(IC或者LSI等半導體芯片、液晶面板、CCD、薄膜磁頭、微型機器、DNA芯片等)的制造例子的流程圖。如圖8所示，首先，在步驟201(設置步驟)，設置器件的功能和性能(例如半導體器件的電路設置等)、設置為了實現它的功能的圖形。接著，在步驟202(制造步驟)中，制造形成設置的電路圖形的掩模。一方面，在步驟203(晶片制造步驟)中，使用硅等材料制造晶片。
然后，在步驟204(晶片處理步驟)中，使用步驟201～步驟203中制備的掩模和晶片，如后面所述，通過光刻技術等在晶片上形成實際電路。然后，在步驟205(器件安裝步驟)中，使用步驟204中處理的晶片組裝器件。在該步驟205中，根據需要包括切割工藝、焊接工藝和封裝工藝(封入芯片)等工藝。
最后，在步驟206(檢測步驟)中，進行步驟205中所制造的器件的動作確認測試、耐久性測試等檢測。經過這些工藝之后完成器件的制造，產品出廠。
圖9中示出在半導體器件的情況下上述步驟204的一個詳細流程的例子。在圖9中，在步驟211(氧化步驟)中使晶片的表面氧化。在步驟212(CVD步驟)中，在晶片的表面形成絕緣膜。在步驟213(電極形成步驟)中通過蒸鍍在晶片上形成電極。在步驟214(離子注入步驟)中在晶片中注入離子。以上各個步驟211～步驟214構成晶片處理各個階段的預處理工藝，各個階段根據需要的處理進行選擇。
在晶片處理的各個階段，如果上述預處理工藝結束，進行如下所述的后處理工藝。在后處理工藝中，首先在步驟215(抗蝕層形成步驟)中，在晶片上涂敷感光劑。然后，在步驟216(曝光步驟)中，通過上述實施例中說明的曝光裝置把掩模電路圖形轉印在晶片上。然后，在步驟217(顯影步驟)中把曝光的晶片顯影，在步驟18(蝕刻步驟)中，通過蝕刻殘留抗蝕層部分以外的部分露出的材料去掉。然后，在步驟219(抗蝕層去掉步驟)中，在蝕刻之后把不需要的抗蝕層去掉。
通過反復進行這些預處理工藝和后處理工藝，在晶片上形成多層電路圖形。
如果使用上述實施例的器件制造方法，由于在曝光工藝(步驟216)中使用上述實施例的曝光裝置10等本發明的曝光裝置，能夠長時間防止污染物質附著在掩模上，因此能夠有效抑制曝光精度降低等。這樣能夠以高合格率生產高集成度的器件，能夠提高器件的生產效率。
產業上的應用本發明的曝光裝置適用于在制造半導體元件、液晶顯示元件等電子器件的光刻工藝中，把掩模圖形高精度轉印在基板上。而且，本發明的器件制造方法適合于以高合格率制造高集成度的電子器件。
權利要求
1.一種曝光裝置，具有曝光裝置主體，把裝載在掩模臺上的掩模圖形轉印在基板上；腔，容納上述曝光裝置主體，而且至少設置一個密閉型的掩模容器的搬入搬出口；緩沖裝置，設置在從上述搬入搬出口至上述掩模臺的掩模傳送路徑中途，能夠存放多個上述掩模，而且能出能入；以及掩模傳送系統，把上述掩模在上述搬出搬入口、上述緩沖裝置和上述掩模臺三者之間傳送。
2.根據權利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，進一步具有抑制污染物質從設置上述緩沖裝置的空間外部侵入上述緩沖裝置內的抑制機構。
3.根據權利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，進一步具有可以向上述緩沖裝置內供給潔凈氣體的氣體供給機構。
4.根據權利要求3所述的曝光裝置，其特征在于，上述氣體供給機構時常向上述緩沖裝置內供給上述潔凈氣體。
5.根據權利要求3所述的曝光裝置，其特征在于，進一步具有設置在上述腔上的可以開閉的開關部件。
6.根據權利要求5所述的曝光裝置，其特征在于，上述氣體供給機構只在上述開關部件開放期間向上述緩沖裝置內供給潔凈氣體。
7.根據權利要求5所述的曝光裝置，其特征在于，上述緩沖裝置具有可以開閉的開閉機構；上述氣體供給機構至少在上述開閉機構開放時向上述緩沖裝置內供給上述潔凈氣體。
8.根據權利要求7所述的曝光裝置，其特征在于，上述氣體供給機構通常向上述緩沖裝置內供給上述潔凈氣體。
9.根據權利要求7所述的曝光裝置，其特征在于，上述氣體供給機構只在上述開閉機構開放期間向上述緩沖裝置內供給潔凈氣體。
10.根據權利要求9所述的曝光裝置，其特征在于，在上述開閉機構關閉期間上述緩沖裝置內充滿上述潔凈氣體，大致呈密閉狀態。
11.根據權利要求5所述的曝光裝置，其特征在于，上述緩沖裝置具有可以開閉的開閉機構；上述氣體供給機構在上述開關部件和上述開閉機構二者開放期間向上述緩沖裝置內供給上述潔凈氣體。
12.根據權利要求3所述的曝光裝置，其特征在于，上述緩沖裝置具有開閉機構，可以開閉，在它關閉狀態下，上述緩沖裝置的內部大致呈密閉狀態。
13.根據權利要求12所述的曝光裝置，其特征在于，上述氣體供給機構只在上述開閉機構開放期間向上述緩沖裝置內供給潔凈氣體。
14.根據權利要求13所述的曝光裝置，其特征在于，在上述開閉機構關閉期間上述緩沖裝置內充滿上述潔凈氣體。
15.根據權利要求12所述的曝光裝置，其特征在于，進一步具有控制機構，上述掩模每次出入上述緩沖裝置時開閉上述開閉機構。
16.根據權利要求12所述的曝光裝置，其特征在于，進一步具有控制機構，根據上述腔內的潔凈度開閉上述開閉機構。
17.根據權利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，上述緩沖裝置具有可以把它的內部與外部氣體隔離的開閉機構。
18.根據權利要求17所述的曝光裝置，其特征在于進一步具有設置在上述腔上的可以開閉的開關部件；和根據上述開關部件的開閉狀態控制上述開閉機構的控制裝置。
19.根據權利要求18所述的曝光裝置，其特征在于，上述開閉機構是在上述開關部件開放時封閉設置在上述緩沖裝置上的上述掩模出入口的由高速氣體流構成的屏蔽膜。
20.根據權利要求17所述的曝光裝置，其特征在于，進一步具有根據上述腔內的潔凈度控制上述開閉機構的控制裝置。
21.根據權利要求17所述的曝光裝置，其特征在于，進一步具有控制機構，上述掩模每次出入上述緩沖裝置時開閉上述開閉機構。
22.根據權利要求1所述的曝光裝置，具特征在于，上述緩沖裝置在單一空間內容納多個掩模。
23.根據權利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，上述緩沖裝置具有多個空間，各個空間內至少容納一個掩模。
24.根據權利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，進一步具有異物檢測裝置，設置在上述搬入搬出口和上述緩沖裝置之間傳送掩模的路徑途中，用于檢測上述掩模上的異物附著狀況。
25.根據權利要求24所述的曝光裝置，其特征在于，進一步具有讀取裝置，設置在上述搬入搬出口和上述緩沖裝置之間傳送掩模的路徑途中，讀取附加在上述掩模上的有關該掩模的信息。
26.一種包括光刻工藝的器件制造方法，其特征在于，上述光刻工藝使用根據權利要求1至25中任何一項所述的曝光裝置進行曝光。
全文摘要
在從SMIF模板艙(28)的搬入搬出口(22A、22B)到掩模臺(RST)的掩模傳送路徑中途設置有可以存放多個掩模而且可以進出的緩沖裝置(116)。而且，掩模傳送系統(32)在上述搬出搬入口(22A、22B)、上述緩沖裝置(116)和上述掩模臺RST三者之間傳送掩模。通過傳送系統(32)順次把容納在SMIF模板艙(28)內的搬入裝置內的掩模搬入緩沖裝置內，能夠最大限度地容納掩模。因此，裝置內能夠時常保持曝光所需要的充分數量的掩模。而且，在這種情況下，由于傳送系統在搬出搬入口、緩沖裝置和掩模臺三者之間傳送掩模，因此不需要通過操作者的手工操作交換掩模容器的操作。
文檔編號G03F7/20GK1592948SQ0181800
公開日2005年3月9日 申請日期2001年9月6日 優先權日2000年9月6日
發明者中原兼文 申請人:株式會社尼康