多電壓產生電路及液晶顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發明公開了一種多電壓產生電路，包括：電壓輸入端，用于輸入電壓信號；電壓輸出端，用于輸出公共電壓；公共電壓產生電路，連接在該電壓輸入端和該電壓輸出端之間，用于形成第一公共電壓或第二公共電壓；控制端，與該公共電壓產生電路連接，用于控制該電壓輸出端輸出該第一公共電壓或該第二公共電壓；其中，當該控制端輸入低電平信號時，該公共電壓產生電路形成第一公共電壓，該電壓輸出端輸出第一公共電壓；當該控制端輸入高電平信號時，該公共電壓產生電路形成第二公共電壓，該電壓輸出端輸出第二公共電壓。本發明還提供一種液晶顯示裝置，通過該控制端輸入不同的電壓信號實現兩組公共電壓的輸出，并且通過可變電阻分別調節各自的公共電壓。
【專利說明】
多電壓產生電路及液晶顯示裝置
技術領域
[0001]本發明屬于集成電路技術領域，更具體地，涉及一種多電壓產生電路及液晶顯示
目.0
【背景技術】
[0002]在液晶顯示裝置(LiquidCrystal Display，LCD)中，為了完成數據掃描，需要薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)輪流開啟/關閉。當TFT開啟時，數據通過源極驅動器加載到顯示電極，顯示電極和公共電極間的電壓差再作用于液晶實現顯示，因此需要控制LCD的開啟電壓、關閉電壓，以及加到公共電極上的電壓。
[0003 ] 現在的LCD面板驅動中一般使用兩組Ga_a電壓，一組VCOM電壓。
[0004]現在對畫面質量的需求越來越高，對其他的模式也同樣有需求，這個時候一組VCOM就很難滿足所有畫面的需求，特別是對于現行方案中VCOM只是按照2D模式0-255灰階下的flicker畫面來調整的，很難滿足包括3D模式在內等模式或畫面的需求。

【發明內容】

[0005]本發明的目的在于提供一種多電壓產生電路及液晶顯示裝置。
[0006]根據本發明的一方面，提供一種多電壓產生電路，包括:電壓輸入端，用于輸入電壓信號；電壓輸出端，用于輸出公共電壓;公共電壓產生電路，連接在電壓輸入端和電壓輸出端之間，用于形成第一公共電壓或第二公共電壓;控制端，與所述公共電壓產生電路連接，用于控制所述電壓輸出端輸出第一公共電壓或第二公共電壓;其中，當控制端輸入低電平信號時，所述公共電壓產生電路形成第一公共電壓，電壓輸出端輸出第一公共電壓；當控制端輸入高電平信號時，所述公共電壓產生電路形成第二公共電壓，電壓輸出端輸出第二公共電壓。
[0007]優選地，所述公共電壓產生電路包括第一可調電阻、第二可調電阻、第三電阻、第一場效應晶體管、第二場效應晶體管、第三場效應晶體管、第一二極管和第二二極管，其中，第一可調電阻連接在電壓輸入端和接地端之間；第一場效應晶體管的源極與第一可調電阻的調節端連接，漏極通過第二二極管與電壓輸出端連接，柵極與第二場效應晶體管的漏極連接;第二場效應晶體管的源極與電壓輸入端連接，漏極通過第二可調電阻與接地端連接，柵極與第三場效應晶體管的漏極相連;第三場效應晶體管的源極與接地端連接，漏極通過第三電阻與電壓輸入端連接，柵極與控制端連接;第一二極管連接在第二可調電阻的調節端和電壓輸出端之間。
[0008]優選地，第一場效應晶體管和第二場效應晶體管為P溝道增強型MOS管。
[0009]優選地，第三場效應晶體管為N溝道增強型MOS管。
[0010]優選地，第一公共電壓的大小隨著第一可調電阻的調節端的移動而改變。
[0011]優選地，第二公共電壓的大小隨著第二可調電阻的調節端的移動而改變。
[0012]根據本發明的另一方面，提供一種液晶顯示裝置，包括數據驅動電路、多個像素電極、多列數據線、公共電極及多電壓產生電路，所述數據驅動電路通過多列數據線施加數據電壓在多個像素電極上，所述多電壓產生電路施加公共電壓在所述公共電極上，其中，所述多電壓產生電路包括:電壓輸入端，用于輸入電壓信號；電壓輸出端，用于輸出公共電壓;公共電壓產生電路，連接在電壓輸入端和電壓輸出端之間，用于形成第一公共電壓或第二公共電壓;控制端，與所述多電壓產生電路連接，用于控制所述電壓輸出端輸出第一公共電壓或第二公共電壓;其中，當控制端輸入低電平信號時，所述公共電壓產生電路形成第一公共電壓，電壓輸出端輸出第一公共電壓；當控制端輸入高電平信號時，所述公共電壓產生電路形成第二公共電壓，電壓輸出端輸出第二公共電壓。
[0013]優選地，所述公共電壓產生電路包括第一可調電阻、第二可調電阻、第三電阻、第一場效應晶體管、第二場效應晶體管、第三場效應晶體管、第一二極管和第二二極管，其中，第一可調電阻連接在電壓輸入端和接地端之間；第一場效應晶體管的源極與第一可調電阻的調節端連接，漏極通過第二二極管與電壓輸出端連接，柵極與第二場效應晶體管的漏極連接;第二場效應晶體管的源極與電壓輸入端連接，漏極通過第二可調電阻與接地端連接，柵極與第三場效應晶體管的漏極相連;第三場效應晶體管的源極與接地端連接，漏極通過第三電阻與電壓輸入端連接，柵極與控制端連接;第一二極管連接在第二可調電阻的調節端和電壓輸出端之間。
[0014]優選地，第一場效應晶體管和第二場效應晶體管為P溝道增強型MOS管;第三場效應晶體管為N溝道增強型MOS管。
[0015]優選地，第一公共電壓的大小隨著第一可調電阻的調節端的移動而改變;第二公共電壓的大小隨著第二可調電阻的調節端的移動而改變。
[0016]本發明提供的多電壓產生電路及液晶顯示裝置，通過控制端輸入不同的電壓信號實現兩組公共電壓的輸出，并且通過可變電阻分別調節各自的公共電壓。
【附圖說明】
[0017]通過以下參照附圖對本發明實施例的描述，本發明的上述以及其他目的、特征和優點將更為清楚，在附圖中:
[0018]圖1示出了根據本發明實施例提供的液晶顯示裝置的電路結構示意圖；
[0019]圖2示出了根據本發明實施例提供的多電壓產生電路的一種具體電路結構示意圖。
【具體實施方式】
[0020]以下將參照附圖更詳細地描述本發明的各種實施例。在各個附圖中，相同的元件采用相同或類似的附圖標記來表示。為了清楚起見，附圖中的各個部分沒有按比例繪制。
[0021]本發明可以各種形式呈現，以下將描述其中一些示例。
[0022]圖1示出了根據本發明實施例提供的液晶顯示裝置的電路結構示意圖。如圖1所示，所示液晶顯示裝置包括控制電路11、掃描驅動電路12、數據驅動電路13、多電壓產生電路14、多行相互平行的掃描線15、多列相互平行并分別與該掃描線15絕緣相交的數據線16、多個鄰近該掃描線15與該數據線16交叉處的薄膜晶體管17、多個像素電極18、與多個像素電極18相對設置的公共電極19及夾在像素電極18和公共電極19之間的液晶分子(圖中未示出)。
[0023]控制電路11驅動所述掃描驅動電路12、所述數據驅動電路13以及多電壓產生電路14工作。所述掃描驅動電路12用于驅動多行掃描線15，數據驅動電路14用于驅動多列數據線16，所述多電壓產生電路14用于驅動公共電極19。每一薄膜晶體管17的柵極連接至一掃描線，每一薄膜晶體管17的源極連接至一數據線16，每一薄膜晶體管17的漏極連接至一像素電極18。
[0024]當該液晶顯示器10正常工作時，該控制電路11接收外界的信號，并發出控制信號控制該掃描驅動電路12、該數據驅動電路13及該多電壓產生電路14。在該控制信號控制下，該掃描驅動電路12輸出掃描電壓并通過該多行掃描線15加載在相應的薄膜晶體管17的柵極上，將相應的薄膜晶體管17打開，該數據驅動電路13輸出數據電壓并通過該多列數據線16加載在相應的薄膜晶體管17的源極上，如果此時該薄膜晶體管17處于打開狀態，則該數據電壓傳送至該薄膜晶體管17的漏極并加載在該像素電極18上。該多電壓產生電路14同時產生一公共電壓并加載在該公共電極19上，由此在該像素電極18與該公共電極19間會產生一電場以控制液晶分子的轉動，從而實現圖像顯示。
[0025]圖2示出了根據本發明實施例提供的多電壓產生電路的一種具體電路結構示意圖。如圖2所示，所述多電壓產生電路14，包括電壓輸入端Vin、電壓輸出端Vout、公共電壓產生電路141以及控制端Control。
[0026]其中，電壓輸入端Vin，用于輸入電壓信號；電壓輸出端Vout，用于輸出公共電壓；公共電壓產生電路141，連接在電壓輸入端Vin和電壓輸出端Vout之間，用于形成第一公共電壓Vcoml或第二公共電壓Vcom2;控制端Control，與所述公共電壓產生電路141連接，用于控制所述電壓輸出端Vout輸出第一公共電壓Vcoml或第二公共電壓Vcom2。
[0027]在本實施例中，公共電壓產生電路141包括第一可調電阻R1、第二可調電阻R2、第三電阻R3、第一場效應晶體管Ql、第二場效應晶體管Q2、第三場效應晶體管Q3、第一二極管Dl和第二二極管D2。
[0028]其中，第一可調電阻Rl連接在電壓輸入端Vin和接地端GND之間。
[0029]第一場效應晶體管Ql的源極S與第一可調電阻Rl的調節端連接，漏極D通過第二二極管D2與電壓輸出端Vout連接，柵極G與第二場效應晶體管Q2的漏極D連接。
[0030]第二場效應晶體管Q2的源極S與電壓輸入端Vin連接，漏極D通過第二可調電阻R2與接地端GND連接，柵極G與第三場效應晶體管Q3的漏極D相連。
[0031]第三場效應晶體管Q3的源極S與接地端GND連接，漏極D通過第三電阻R3與電壓輸入端Vin連接，柵極G與控制端Control連接。
[0032]第一二極管Dl連接在第二可調電阻R2的調節端和電壓輸出端Vout之間。
[0033]在本實施例中，第一場效應晶體管Ql和第二場效應晶體管Q2為P溝道增強型晶體管(PM0S晶體管)，第三場效應晶體管Q3為N溝道增強型晶體管(NM0S晶體管)。
[0034]對于PMOS晶體管，具有開啟電壓UGS(th)，其中，UGS(th)〈0。當UGS〈UGS(th)時，PMOS晶體管處于導通狀態；當UGS>UGS(th)時，PMOS晶體管處于截止狀態。
[0035]對于NMOS晶體管，具有開啟電壓UGS(th)，其中，UGS(th)>0。當UGS>UGS(th)時，NMOS晶體管處于導通狀態；當UGS〈UGS(th)時，NMOS晶體管處于截止狀態。
[0036]在本實施例中，當控制端Control輸入低電平信號時，如輸入OV的電壓，第三場效應晶體管Q3的柵極與源極之間的電壓UGS〈UGS(th)，此時第三場效應晶體管Q3關閉；導致第二場效應晶體管Q2的柵極與輸入電壓端Vin連接，為高電平，第二場效應晶體管Q2的柵極與源極之間的電壓UGs>UGs(th)，此時第二場效應晶體管Q2關閉；導致第一場效應晶體管Ql的柵極與接地端GND連接，為低電平，第一場效應晶體管Ql的柵極與源極之間的電壓UGS〈UGS(th)，此時第一場效應晶體管Ql打開，等效為第一可變電阻Rl連接在電壓輸入端Vin和接地端GND之間，第一可變電阻Rl的調節端通過第二二極管D2與輸出端Vout連接。此時所述公共電壓產生電路141形成第一公共電壓Vcoml，電壓輸出端Vout輸出第一公共電壓Vcoml。其中，第一公共電壓Vcoml的大小隨著第一可調電阻Rl的調節端的移動而改變。
[0037]當控制端Control輸入高電平信號時，如輸入3.3V電壓，第三場效應晶體管Q3的柵極與源極之間的電壓UGs>UGs(th)，此時第三場效應晶體管Q3打開;導致第二場效應晶體管Q2的柵極與接地端GND連接，為低電平，第二場效應晶體管Q2的柵極與源極之間的電壓UGS〈Ucs(th)，此時第二場效應晶體管Q2打開;導致第一場效應晶體管Ql的柵極與電壓輸入端Vin連接，為高電平，第一場效應晶體管Ql的柵極與源極之間的電壓UGS>UGS(th)，此時第一場效應晶體管Ql關閉，等效為第二可變電阻R2連接在電壓輸入端Vin和接地端GND之間，第二可變電阻R2的調節端通過第一二極管Dl與輸出端Vout連接。所述公共電壓產生電路141形成第二公共電壓Vcom2，電壓輸出端Vout輸出第二公共電壓Vcom2。其中，第二公共電壓Vcom2的大小隨著第二可調電阻R2的調節端的移動而改變。
[0038]本發明提供的多電壓產生電路及液晶顯示裝置，通過控制端輸入不同的電壓信號實現兩組公共電壓的輸出，并且通過可變電阻分別調節各自的公共電壓。
[0039]依照本發明的實施例如上文所述，這些實施例并沒有詳盡敘述所有的細節，也不限制該發明僅為所述的具體實施例。顯然，根據以上描述，可作很多的修改和變化。本說明書選取并具體描述這些實施例，是為了更好地解釋本發明的原理和實際應用，從而使所屬技術領域技術人員能很好地利用本發明以及在本發明基礎上的修改使用。本發明的保護范圍應當以本發明權利要求所界定的范圍為準。
【主權項】
1.一種多電壓產生電路，其特征在于，包括: 電壓輸入端，用于輸入電壓信號； 電壓輸出端，用于輸出公共電壓； 公共電壓產生電路，連接在所述電壓輸入端和所述電壓輸出端之間，用于形成第一公共電壓或第二公共電壓； 控制端，與所述公共電壓產生電路連接，用于控制所述電壓輸出端輸出所述第一公共電壓或所述第二公共電壓； 其中，當所述控制端輸入低電平信號時，所述公共電壓產生電路形成第一公共電壓，所述電壓輸出端輸出第一公共電壓； 當所述控制端輸入高電平信號時，所述公共電壓產生電路形成第二公共電壓，所述電壓輸出端輸出第二公共電壓。2.根據權利要求1所述的多電壓產生電路，其特征在于，所述公共電壓產生電路包括第一可調電阻、第二可調電阻、第三電阻、第一場效應晶體管、第二場效應晶體管、第三場效應晶體管、第一二極管和第二二極管， 其中，所述第一可調電阻連接在所述電壓輸入端和接地端之間； 所述第一場效應晶體管的源極與所述第一可調電阻的調節端連接，漏極通過所述第二二極管與所述電壓輸出端連接，柵極與所述第二場效應晶體管的漏極連接； 所述第二場效應晶體管的源極與所述電壓輸入端連接，漏極通過所述第二可調電阻與接地端連接，柵極與所述第三場效應晶體管的漏極相連； 所述第三場效應晶體管的源極與接地端連接，漏極通過所述第三電阻與所述電壓輸入端連接，柵極與所述控制端連接； 所述第一二極管連接在所述第二可調電阻的調節端和所述電壓輸出端之間。3.根據權利要求2所述的多電壓產生電路，其特征在于，第一場效應晶體管和第二場效應晶體管為P溝道增強型MOS管。4.根據權利要求3所述的多電壓產生電路，其特征在于，第三場效應晶體管為N溝道增強型MOS管。5.根據權利要求4所述的多電壓產生電路，其特征在于，所述第一公共電壓的大小隨著所述第一可調電阻的調節端的移動而改變。6.根據權利要求5所述的多電壓產生電路，其特征在于，所述第二公共電壓的大小隨著所述第二可調電阻的調節端的移動而改變。7.—種液晶顯示裝置，其特征在于，包括數據驅動電路、多個像素電極、多列數據線、公共電極及多電壓產生電路，所述數據驅動電路通過所述多列數據線施加數據電壓在所述多個像素電極上，所述多電壓產生電路施加公共電壓在所述公共電極上， 其中，所述多電壓產生電路包括: 電壓輸入端，用于輸入電壓信號； 電壓輸出端，用于輸出公共電壓； 公共電壓產生電路，連接在所述電壓輸入端和所述電壓輸出端之間，用于形成第一公共電壓或第二公共電壓； 控制端，與所述多電壓產生電路連接，用于控制所述電壓輸出端輸出所述第一公共電壓或所述第二公共電壓； 當所述控制端輸入低電平信號時，所述公共電壓產生電路形成所述第一公共電壓，所述電壓輸出端輸出所述第一公共電壓；當所述控制端輸入高電平信號時，所述公共電壓產生電路形成所述第二公共電壓，所述電壓輸出端輸出所述第二公共電壓。8.根據權利要求7所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述公共電壓產生電路包括第一可調電阻、第二可調電阻、第三電阻、第一場效應晶體管、第二場效應晶體管、第三場效應晶體管、第一二極管和第二二極管， 其中，所述第一可調電阻連接在所述電壓輸入端和接地端之間； 所述第一場效應晶體管的源極與所述第一可調電阻的調節端連接，漏極通過所述第二二極管與所述電壓輸出端連接，柵極與所述第二場效應晶體管的漏極連接； 所述第二場效應晶體管的源極與所述電壓輸入端連接，漏極通過所述第二可調電阻與接地端連接，柵極與所述第三場效應晶體管的漏極相連； 所述第三場效應晶體管的源極與接地端連接，漏極通過所述第三電阻與所述電壓輸入端連接，柵極與所述控制端連接； 所述第一二極管連接在所述第二可調電阻的調節端和所述電壓輸出端之間。9.根據權利要求8所述的液晶顯示裝置，其特征在于，第一場效應晶體管和第二場效應晶體管為P溝道增強型MOS管;第三場效應晶體管為N溝道增強型MOS管。10.根據權利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第一公共電壓的大小隨著所述第一可調電阻的調節端的移動而改變;所述第二公共電壓的大小隨著所述第二可調電阻的調節端的移動而改變。
【文檔編號】G09G3/36GK106057158SQ201610623710
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年8月2日
【發明人】張大雷, 阮永鑫, 劉洪海, 穆蘭
【申請人】昆山龍騰光電有限公司