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一種鎳渣陶瓷集熱板的制備方法

文檔(dang)序(xu)號:1912043閱讀:202來(lai)源:國知局
一種鎳渣陶瓷集熱板的制備方法
【專利摘要】一種鎳渣陶瓷集熱板的制備方法,其特征在于:一種鎳渣陶瓷集熱板是由集熱層(1)、過渡層(2)、保溫層(3)三部分組成的。本發明制備的鎳渣陶瓷集熱板在太陽光的照射下能夠充分撲捉各個頻率的光波,使得鎳渣陶瓷集熱板的表面溫度高達100℃,熱轉換能力可達95%以上,由于采用了一次燒成,在集熱層與保溫層中間加入過渡層,有效解決了集熱層與保溫層間由于材料熔點不一致導致的氣孔直徑過大、結合強度和抗熱沖擊能力降低的缺點,通過添加陶瓷色劑可制備成單色、復合色等各種顏色的鎳渣陶瓷集熱板,生產工藝簡單,成本低,集熱效果好。
【專利說明】 一種鎳渣陶瓷集熱板的制備方法

【技術領域】
[0001]本發明涉及一種鎳渣陶瓷集熱板的制備方法,屬于陶瓷制備【技術領域】。

【背景技術】
[0002]鎳渣陶瓷集熱板在受到太陽光照射時會產生大量的熱能。在沿海地區鹽業仍然沿用傳統的鹽田曬鹽的方法,效率較低。


【發明內容】

[0003]本發明的目的是提供一種集熱功能高、生產成本低的鎳渣陶瓷集熱板的制備方法,其技術方案為:
一種鎳渣陶瓷集熱板的制備方法,鎳渣陶瓷集熱板是由集熱層(1)、過渡層(2)、保溫層
(3)三部分組成的,具體方法包括以下步驟:
a.集熱層(1)的制備:將黃河淤泥、鎳渣以重量比為5(Γ90:1(Γ50外加重量百分比為5^30 %的陶瓷顏料均勻混合后,在熔塊爐中135(Tl450°C的溫度下熔融處理制成粒度為
0.r2mm的集熱層熔塊顆粒;
b.過渡層(2)的制備:將步驟a中制備的集熱層熔塊顆粒外加重量百分比為5?20%的莫來石均勻混合磨細至粒度為10?50 μ m制成過度層原料;
c.保溫層(3)的制備:將步驟a中制備的集熱層熔塊顆粒外加重量百分比為5?30%的煤矸石均勻混合后,通過噴霧造粒制成粒度為0.rimm的保溫層原料;
d.鎳渣陶瓷集熱板的制備:首先采用承燒板(4)左、右、前、后及底面圍成上面開口的立方體承燒模具,并涂覆脫模劑,然后將步驟(a)中制備的集熱層熔塊顆粒均勻平布于承燒模具的底部,及用外隔板(5)隔開均勻布于承燒模具的內側面,厚度均為f 10_,側面高度為25?35_,再用內隔板(6)將步驟(b)中制備的過渡層原料均勻布于集熱層熔塊顆粒的內偵牝厚度為1飛_,然后將步驟(c)中制備的保溫層原料均勻平布于過渡層原料內側,使垂直承燒模具的底部內平面方向的總厚度達到25?35mm,然后抽掉四周的外隔板(5)、內隔板
(6),在90(Γ1200?的溫度下保溫1?5小時,在60(T950°C的溫度下晶化、退火5?15小時,經冷卻、出爐、切割以及表面磨光制成鎳渣陶瓷集熱板。
[0004]本發明與現有技術相比,其優點為:
1、本發明提供的鎳渣陶瓷集熱板充分利用了鎳渣中含有種類繁多的金屬離子,經高溫燒成形成復雜的固溶體,由于固溶體中含有各種缺陷及能量不等的離子鍵,其熱振動頻譜分布在較寬的范圍內,在太陽光的照射下能夠充分撲捉各個頻率的光波,使得鎳渣陶瓷集熱板的表面溫度高達100°c,熱轉換能力可達95%以上;
2、本發明通過添加陶瓷色劑可以制備單色、復合色等各種鎳渣陶瓷集熱板,這種陶瓷集熱板具有較強的裝飾、保溫、隔音及防震等特性;
3、在集熱層與保溫層中間加入過渡層,有效解決了集熱層與保溫層間由于材料熔點不一致導致的氣孔直徑過大、結合強度和抗熱沖擊能力降低的缺點; 4、本發明由于采用了一次燒成,大幅度地降低了鎳渣陶瓷集熱板的生產成本;
5、本發明制備的鎳渣陶瓷集熱板用于沿海地區的鹽業生產,可以使鹽業生產連續化,在大幅度地提聞生廣效率的同時對于廣品鹽的潔凈度也有大幅地提聞。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0005]圖1為一種鎳渣陶瓷集熱板的承燒模具及裝配結構示意圖;
1、集熱層;2、過渡層;3、保溫層;4、承燒版;5、外隔板;6、內隔板。

【具體實施方式】
[0006]實施例1
a.集熱層(1)的制備:將黃河淤泥、鎳渣以重量比為50:50外加重量百分比為5%的陶瓷顏料均勻混合后,在熔塊爐中1350°C的溫度下熔融處理制成粒度為0.1mm的集熱層熔塊顆粒;
b.過渡層(2)的制備:將步驟a中制備的集熱層熔塊顆粒外加重量百分比為5%的莫來石均勻混合磨細至粒度為10 μ m制成過度層原料;
c.保溫層(3)的制備:將步驟a中制備的集熱層熔塊顆粒外加重量百分比為5%的煤石干石均勻混合后,通過噴霧造粒制成粒度為0.1mm的保溫層原料;
d.鎳渣陶瓷集熱板的制備:首先采用承燒板(4)左、右、前、后及底面圍成上面開口的立方體承燒模具,并涂覆脫模劑,然后將步驟(a)中制備的集熱層熔塊顆粒均勻平布于承燒模具的底部,及用外隔板(5)隔開均勻布于承燒模具的內側面,厚度均為1mm,側面高度為25mm,再用內隔板(6)將步驟(b)中制備的過渡層原料均勻布于集熱層熔塊顆粒的內側,厚度為1_,然后將步驟(c)中制備的保溫層原料均勻平布于過渡層原料內側,使垂直承燒模具的底部內平面方向的總厚度達到25mm,然后抽掉四周的外隔板(5)、內隔板(6),在900°C的溫度下保溫1小時,在600°C的溫度下晶化、退火5小時,經冷卻、出爐、切割以及表面磨光制成鎳禮:陶瓷集熱板。
[0007]實施例2
a.集熱層(1)的制備:將黃河淤泥、鎳渣以重量比為70:30外加重量百分比為18%的陶瓷顏料均勻混合后,在熔塊爐中1400°C的溫度下熔融處理制成粒度為1_的集熱層熔塊顆粒;
b.過渡層(2)的制備:將步驟a中制備的集熱層熔塊顆粒外加重量百分比為13%的莫來石均勻混合磨細至粒度為30 μ m制成過度層原料;
c.保溫層(3)的制備:將步驟a中制備的集熱層熔塊顆粒外加重量百分比為12%的煤石干石均勻混合后,通過噴霧造粒制成粒度為0.5mm的保溫層原料;
d.鎳渣陶瓷集熱板的制備:首先采用承燒板(4)左、右、前、后及底面圍成上面開口的立方體承燒模具,并涂覆脫模劑,然后將步驟(a)中制備的集熱層熔塊顆粒均勻平布于承燒模具的底部,及用外隔板(5)隔開均勻布于承燒模具的內側面,厚度均為5mm,側面高度為30_,再用內隔板(6)將步驟(b)中制備的過渡層原料均勻布于集熱層熔塊顆粒的內側,厚度為3mm,然后將步驟(c)中制備的保溫層原料均勻平布于過渡層原料內側,使垂直承燒模具的底部內平面方向的總厚度達到30mm,然后抽掉四周的外隔板(5)、內隔板(6),在1050°C的溫度下保溫3小時,在800°C的溫度下晶化、退火10小時,經冷卻、出爐、切割以及表面磨光制成鎳渣陶瓷集熱板。
[0008] 實施例3
a.集熱層(1)的制備:將黃河淤泥、鎳渣以重量比為90:10外加重量百分比為30%的陶瓷顏料均勻混合后,在熔塊爐中1450°C的溫度下熔融處理制成粒度為2mm的集熱層熔塊顆粒;
b.過渡層(2)的制備:將步驟a中制備的集熱層熔塊顆粒外加重量百分比為20%的莫來石均勻混合磨細至粒度為50 μ m制成過度層原料;
c.保溫層(3)的制備:將步驟a中制備的集熱層熔塊顆粒外加重量百分比為30%的煤石干石均勻混合后,通過噴霧造粒制成粒度為1_的保溫層原料;
d.鎳渣陶瓷集熱板的制備:首先采用承燒板(4)左、右、前、后及底面圍成上面開口的立方體承燒模具,并涂覆脫模劑,然后將步驟(a)中制備的集熱層熔塊顆粒均勻平布于承燒模具的底部,及用外隔板(5)隔開均勻布于承燒模具的內側面,厚度均為10mm,側面高度為35_,再用內隔板(6)將步驟(b)中制備的過渡層原料均勻布于集熱層熔塊顆粒的內側,厚度為5mm,然后將步驟(c)中制備的保溫層原料均勻平布于過渡層原料內側,使垂直承燒模具的底部內平面方向的總厚度達到35mm,然后抽掉四周的外隔板(5)、內隔板(6),在1200°C的溫度下保溫5小時,在950°C的溫度下晶化、退火15小時,經冷卻、出爐、切割以及表面磨光制成鎳渣陶瓷集熱板。
【權利要求】
1.一種鎳渣陶瓷集熱板的制備方法,其特征在于:鎳渣陶瓷集熱板是由集熱層(I)、過渡層(2)、保溫層(3)三部分組成的,具體制備方法包括以下步驟: a.集熱層(I)的制備:將黃河淤泥、鎳渣以重量比為5(Γ90:1(Γ50外加重量百分比為.5^30 %的陶瓷顏料均勻混合后,在熔塊爐中135(Tl450°C的溫度下熔融處理制成粒度為.0.f 2mm的集熱層熔塊顆粒; b.過渡層(2)的制備:將步驟a中制備的集熱層熔塊顆粒外加重量百分比為5?20%的莫來石均勻混合磨細至粒度為10?50 μ m制成過度層原料; c.保溫層(3)的制備:將步驟a中制備的集熱層熔塊顆粒外加重量百分比為5?30%的煤矸石磨細后,通過噴霧造粒制成粒度為0.Γ0.6mm的保溫層原料; d.鎳渣陶瓷集熱板的制備:首先采用承燒板(4)左、右、前、后及底面圍成上面開口的立方體承燒模具,并涂覆脫模劑,然后將步驟(a)中制備的集熱層熔塊顆粒均勻平布于承燒模具的底部,及用外隔板(5)隔開均勻布于承燒模具的內側面,厚度均為f 10mm,側面高度為25?35_,再用內隔板(6)將步驟(b)中制備的過渡層原料均勻布于集熱層熔塊顆粒的內偵牝厚度為1飛_,然后將步驟(c)中制備的保溫層原料均勻平布于過渡層原料內側,使垂直承燒模具的底部內平面方向的總厚度達到25?35mm,然后抽掉四周的外隔板(5)、內隔板(6),在90(Γ1200?的溫度下保溫I?5小時,在60(T950°C的溫度下晶化、退火5?15小時,經冷卻、出爐、切割以及表面磨光制成鎳渣陶瓷集熱板。
【文檔編號】C04B35/622GK104309224SQ201410535338
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年10月13日 優先權日:2014年10月13日
【發明者】唐竹興 申請人:山東理工大學
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